半导体激光器参数测试仪(精)
半导体激光器实验报告
半导体激光器实验报告半导体激光器实验报告引言：半导体激光器是一种重要的光电子器件，具有广泛的应用领域，如通信、医疗、工业等。
本实验旨在通过搭建实验装置，研究半导体激光器的工作原理和性能特点，并探索其在光通信领域的应用。
实验一：激光器的工作原理激光器的工作原理是基于光放大和光反馈的原理。
在实验中，我们使用一台半导体激光器，通过电流注入激发半导体材料，产生光子。
这些光子在激光腔中来回反射，不断受到增益介质的放大，最终形成激光束。
实验装置中的关键组件包括半导体激光器、激光腔、准直器和光探测器。
半导体激光器通过电流注入，激发载流子跃迁，产生光子。
光子在激光腔中来回反射，经过准直器调整光束的方向，最后被光探测器接收。
实验二：激光器的性能特点在实验中，我们测试了激光器的输出功率、波长和光谱宽度等性能指标。
通过改变注入电流和温度等参数，我们研究了激光器的输出特性。
首先，我们测试了激光器的输出功率。
通过改变注入电流，我们观察到激光器输出功率随电流增加而增加的趋势。
然而，当电流达到一定值后，激光器的输出功率不再增加，甚至出现下降。
这是由于激光器的光子数饱和效应和损耗机制导致的。
其次，我们测量了激光器的波长。
通过调节激光腔的长度，我们观察到激光器的波长随腔长的变化而变化。
这是由于激光腔的谐振条件决定了激光器的输出波长。
最后，我们研究了激光器的光谱宽度。
通过光谱仪测量激光器的光谱分布，我们发现激光器的光谱宽度与注入电流和温度有关。
随着注入电流的增加和温度的降低，激光器的光谱宽度变窄，光纤通信系统中要求的窄光谱宽度可以通过适当的调节实现。
实验三：半导体激光器在光通信中的应用半导体激光器在光通信领域有着重要的应用。
我们通过实验研究了激光器在光纤通信中的应用。
首先，我们将激光器的输出光束通过光纤传输。
通过调节激光器的输出功率和波长，我们实现了光纤通信中的光信号传输。
通过光探测器接收光信号，并通过示波器观察到了传输过程中的光信号波形。
半导体参数分析仪技术参数
半导体参数分析仪技术参数
一、设备名称：半导体参数分析仪
二、采购数量：1台
三、技术参数及配置要求：
1. 半导体参数分析仪主机具有可扩展能力，可用插槽数目：不小于8个；
2. 具有4路SMU模块，可测量IV特性；其中2路中功率SMU模块输出能力：10mA@100V, 10mA@50V, 10mA@30V, 100mA@10V，其中2路高功率SMU模块输出能力：50mA@200V, 100mA@100V, 100mA@40V, 1A@20V, 1A@2V，SMU模块最小测量分辨率为：电流 50fA，电压 0.5uV；
3. 具有1路电容测量模块，电容测试模块测试频率范围：1kHz至5MHz，电容测试精度（1pF,1MHz）±1.2%；电容测量扫描方式：C-V（直流偏置），C-f(测试频率)；
4. 提供用于TO，DIP封装器件的测试夹具；
5. 仪表内置Window7操作系统，带触摸式显示屏
6. 提供专用的测试软件对仪表进行控制和提取测试数据，具有曲线追踪功能，便于观察器件击穿和饱和情况；
四、安装、售后及培训：
1、交货期：合同正式生效后45天内到货。
2、质保期：自验收之日起，仪器设备至少免费保修三年。
保修期内维修上门取货送货；
3、包含该设备运输，上楼搬运。
仪器安装、验收：专业工程师提供免费的安装调试，并按照出厂指标验收。
4、培训：免费提供该仪器设备培训；提供本设备全套操作教学视频。
五、注意事项：
招标现场提供相关证据，证明能达到的功能和参数。
1。
半导体激光治疗仪参数要求
半导体激光治疗仪参数要求
半导体激光治疗仪1台，设备需原装进口，并需满足下列参数要求。
1、需适用于医疗机构开展去除人体毛发的临床治疗工作。
2、半导体激光波长需为755nm或者810nm。
3、脉宽需为3-125ms。
4、需具有多种快速无痛的脱毛模式和多种肤色的治疗模式。
5、需具有彩色触摸屏控制方式。
6、需具有激光内置式手具，不需光纤传导可实现直接传输；手具上需具有控制开关，可实现手动控制；激光输出窗口介质需为宝石材质。
7、光斑形状需为方形光斑，半导体手具光斑尺寸需不小于15x10mm。
8、需为内置接触式冷却方式，可直接对激光输出窗口介质进行冷却。
9、半导体激光能量密度755nm波长需为1-60J/cm2可调，810nm波长需为1-120J/cm2可调，重复频率需为0.5-10Hz可调。
10、需配备专用激光防护眼镜1副。
11、整套设备自验收合格之日起原厂保修期不低于两年。
许昌市中心医院。
半导体激光器特性测量实验报告
半导体激光器特性测量一、实验目的：1.通过本实验学习半导体激光器原理。
2.测量半导体激光器的几个主要特性。
3.掌握半导体激光器性能的测试方法。
二、实验仪器：半导体激光器装置、WGD-6型光学多道分析器、电脑等。
三、实验原理：WGD-6 型光学多道分析器，由光栅单色仪，CCD 接收单元，扫描系统，电子放大器，A/D 采集单元，计算机组成。
该设备集光学、精密机械、电子学、计算机技术于一体。
光学系统采用C－T 型，如图M1 反射镜、M2 准光镜、M3 物镜、M4 转镜、G 平面衍射光栅、S1 入射狭缝、S2 光电倍增管接收、S3 CCD 接收。
入射狭缝、出射狭缝均为直狭缝，宽度范围0－2mm 连续可调，光源发出的光束进入入射狭缝S1、S1 位于反射式准光镜M2 的焦面上，通过S1 射入的光束经M2 反射成平行光束投向平面光栅G 上，衍射后的平行光束经物镜 M3 成像在S2 上。
四、实验内容及数据分析1.半导体激光器输出特性的测量：a)将各仪器按照要求连接好；b)打开直流稳压电源，打开光多用仪；c) 将激光器的偏置电流输入插头接于稳压电源的电流输出端；d) 将激光器与光多用仪的输入端相连并使探头正好对激光器输出端，打开光多用仪； e) 缓慢增加激光器输入电流（0mA~36mA ），注意电流不要超过ＬＤ的最大限定电流（实验中不超过38mA ）。
从功率计观察输出大小随电流变化的情况； f) 记录数据； g) 绘图绘成曲线。
实验数据及结果分析： I （mA ） 1.02.03.04.05.06.07.0 8.09.010.011.0 12.0 P (uW) 0.40 0.80 1.25 1.75 2.25 2.85 3.54.255.05 5.956.98.0I （mA ） 13.0 14.0 15.0 16.0 17.0 18.0 19.0 20.0 21.0 22.0 23.0 24.0 P (uW) 9.310.7512.4514.5517.8522.941.0311.5753.51179.51594.51845.0根据以上实验数据绘制I —P 曲线:半导体激光器输出特性2004006008001000120014001600180020000510152025I(mA)P(uW)实验结果分析：通过半导体激光器的控制电源改变它的工作电流I ，测量对应的发光功率P ，以P 为纵轴，I 为横轴作图，描成曲线。
半导体激光治疗仪技术参数要求
半导体激光治疗仪技术参数要求
1、激光类型：半导体激光器（进口激光器）
2、波长： 980nm（±10nm）
3、光学技术：光学耦合技术
★4、最大输出功率：30W±2W ，连续可调
5、输出方式：连续脉冲，重复脉冲，单脉冲
6、重复脉冲宽度：0.01ms-1000ms, 脉冲频率 0.5Hz-10000Hz
7、单脉冲宽度：0.01ms-1000ms
8、传输系统：带SMA-905标准连接器的400μm,600μm光纤和探头，并且注册
证中包含光纤传输系统
★9、适用范围：注册证中须注明可对体表和腔道内血管性病变进行接触式汽化、凝固、切割治疗
10、指示光：激光二极管635nm（±20nm）≤5mW 亮度1-7档可调
★11、出光定时：0—999秒，连续可调
12、操作方式：高档精密彩色触摸液晶屏（800×600像素）
13、电源输入：220V ,5A,50Hz
14、冷却方式：风冷
15、激光类别：4类激光
16、安全分类：Ⅰ类B型
17、方案存储：可存储16种治疗方案，方便随时调取
★18、功率检测：内置激光功率反馈监测系统，可以检测和校准功率，确保激光输出功率精确
★19、认证：欧盟CE认证
★20、所投机型在四川省内医院装机台数≥5台，并提供用户名单和联系电话。
以上参数为参考参数，具体参数及要求以询价文件为准。
附件二
潜在投标人报名备案表。
半导体激光器测试方法
半导体激光器测试方法
半导体激光器是一种常见的光电器件，通过将电能转化为光能产生激光。
为了确保半导体激光器的性能和质量，需要进行各种测试。
以下是常见的半导体激光器测试方法：
1.激光器波长测试：使用光谱仪进行激光器波长的检测，以确保激光器的波长符合要求。
2.光功率测试：测量激光器的输出功率，以确保激光器的输出功率符合要求。
这可以使用功率计或功率传感器进行测量。
3.光电特性测试：通过测量激光器的光电流和光谱特性等参数，来确定激光器的光电特性。
4.稳定性测试：对激光器进行长时间的稳定性测试，以确保激光器的性能和可靠性。
5.阈值电流测试：测试激光器的阈值电流，以确定激光器的启动电流和电压。
6.温度测试：测试激光器在不同温度下的性能，以确定激光器在各种环境下的工作条件。
半导体激光器测试是半导体激光器制造过程中非常重要的一环，只有通过严格的测试可以确保激光器的性能和质量。
- 1 -。
《InP基1550nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着信息技术的快速发展，光通信技术在长距离、大容量通信系统中发挥着重要作用。
作为光通信系统的核心元件之一，半导体激光器在光电领域得到了广泛的应用。
本文针对InP基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行了深入研究，为进一步优化激光器性能、提升通信系统效率提供理论支持。
二、InP基1550 nm半导体激光器概述InP基1550 nm半导体激光器是一种以InP为基底材料，工作波长为1550 nm的半导体激光器。
由于其具有低损耗、高带宽等优点，在光通信系统中得到了广泛应用。
然而，激光器的性能受外延结构、材料质量、制造工艺等多种因素影响。
因此，对InP 基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行研究具有重要意义。
三、外延结构设计3.1 结构设计思路本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器外延结构，主要考虑了以下几个方面：波导层、有源区、注入区以及电流阻挡层等。
通过优化各层厚度、掺杂浓度及组分等参数，实现激光器的优异性能。
3.2 具体结构设计本结构采用多量子阱（MQW）作为有源区，以提高激光器的增益和光子寿命。
同时，通过引入电流阻挡层，有效控制电流的分布，降低阈值电流密度。
此外，优化波导层的设计，提高光束质量，降低传输损耗。
四、光电性能研究4.1 实验方法本实验采用分子束外延（MBE）技术制备InP基1550 nm半导体激光器外延片，并通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备器件。
利用光学测试系统、电流电压测试仪等设备对激光器的光电性能进行测试和分析。
4.2 实验结果与分析（1）阈值电流密度：本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器阈值电流密度较低，表明器件具有较好的电流注入效率。
这主要得益于电流阻挡层的优化设计以及有源区的多量子阱结构。
（2）光束质量：通过优化波导层设计，本激光器具有较低的光束发散角和较小的传输损耗。
半导体激光治疗仪产品技术要求森众医疗电子
型号、规格 IM-011
结构及组成 产品适用范围/预期用途
由主机、手腕带、充电器（含充电线）和表环组成，主机包括锂电池、半导体激光器和 控制系统。 用于缓解高脂血症和高粘血症引起的临床症状。本产品不可替代药物或其他医嘱的治疗 方法。
1. 性能指标
1.1 激光峰值波长
激光峰值波长应在 650nm±10nm 范围内。
1.2光斑直径
主机激光出口处单支激光器光斑直径：3.5mm 士 10%。 注：主机含 5 支激光器。 1.3 激光输出
1.3.1 终端激光输出功率 4.0mW±20%。
1.3.2 终端激光输出功率不稳定度 St 应优于±10%。
1.3.3 终端激光输出功率复现性 Rp 应优于±10%。
1.3.4 调制脉冲
1.5.3 支持治疗时间设置功能：10min~40min 分四档可调，步进为 10min，默认时
间为 30min。
1.5.4 支持治疗强度设置功能:按激光输出时间划分为四个等级。
1.5.5 过压提示功能：当治疗仪工作时，由内部电源供电的电压低于最低正常工 作电压时，显示屏右上角电池图标会闪烁，同时设备发出滴滴声，治疗仪 停止激光输出。
1.8 电磁兼容 治疗仪的电磁兼容应符合 YY0505-2012 的要求。|
1.9环境试验 环境试验应按照GB/T 14710-2009标准中机械环境II组及表1的要求。
表 1 环境试验要求及检测项目
试验要求
检测项目
试验项目
持续 时间
恢复 时间
h
h
通电 状态
实验 条件
初始 中间 检测 检测
最后 检测
设备提供四种调至脉冲的工作方式，按激光输出时间划分为四个等级：
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半导体激光器（LD）参数测试仪
苏美开
（济南福来斯光电技术研究室，**************）
1.概述
LD参数测试仪是测量半导体激光器主要性能参数和特性指标的仪器。
通过给受试LD 提供不同的工作电流，采集不同工作条件下受试LD的各种参数信号，计算得出该LD的光电转换特性、伏安特性、光谱特性、远场/近场特性(近场特性正在开发中)和热特性。
打印测试报告，保存数据。
主要特点是：
1.1系统按功能模快化,采用单片机控制, 性能稳定可靠，维修使用方便；
1.2 测试功率覆盖范围宽：mW~1000W以上；
1.3 测试封装类型多：TO系列、光纤输出系列、Bar系列、管芯系列以及各种组件等等；
1.4 高质量的LD驱动电源：既可连续工作，又可脉冲工作，具有LD过流保护功能，低噪声、无浪涌和过脉冲；
1.5自动化程度高：整个测试、数据采集和数据处理、显示及打印都由系统自动完成；
1.6操作简单、测量速度快。
1.7 USB/RS232接口自选
2 功能
系统主要功能包括测量LD的光电特性（PI和PI M）、伏安特性（VI）、光谱特性（SP）、远场特性（FF）和热特性（R），具体如下：
2.1进行PIV和PI测试，绘制PIV曲线和PI
曲线，检测、推算工作电流、输出光功率、
M
工作电压、阈值电流、功率效率、斜率效率、微分电阻、背光电流等参数；
2.2进行光谱测试：绘制光谱曲线，推算峰值波长、光谱谱宽；
2.3进行远场测试: 绘制远场曲线，推算水平发散角、垂直发散角；
2.4进行热阻测试；
2.5测试数据能够保存、导入，可打印标准测试报告。
2.6可测量参数见表1：
表1 可测量参数
I O工作电流I th 阈值电流
P O输出光功率E S斜率效率
V O工作电压E P功率效率
R d微分电阻λp激光峰值波长
I M背光电流Δλ波长宽度
θ∥远场水平发散角θ⊥远场水平发散角
Rth 热阻
3主要技术指标
测试仪按照功率分类应包括小功率测试仪（0-100mW）；中功率测试仪（0-10W），大功率测试仪（0-100W以上）。
表2给出了不同功率类型仪器的主要技术指标。
仪器类型
主要技术要求
小功率中功率大功率
功率测量范围与精度1～100mW；
分档：0-10 mW, 0-50
mW, 0-100 mW ；
精度：量程的±5.0%
0.1～10W ；
分档：0-500 mW ,0-1000 mW，
0-3000mW, 0-10000mW；
精度：量程的±5.0%
1～100W, 或1-500W以上；
分档：1-10W, 1-50W，
1-100W ,1-500W以上；
精度：量程的±5.0%
驱动电源控制范围与精度电压范围0-5V，误差：
±0.2V；
电流范围：0~400mA，
连续和脉冲(脉冲参
数: 占空比t:50~500us
f:50~500Hz, t、f可任意
匹配)；
分档: 0-50mA, 0-100
mA, 0-400 mA；
误差：±0.5％
电压范围：0-5V，误差：±
0.2V；
电流范围：0~12000mA，连续
和脉冲(脉冲参数: 占空比
t:50~200us f:50~200Hz, t、f
可任意匹配)；
分档:0-500mA，0-1000mA，
0-3000 mA，0-5000 mA,
0-8000mA，0-12000mA；
误差：±1％
电压范围：根据需要，误差：
±0.2V；
电流范围：0~150A，连续或脉
冲(脉冲参数: 占空比
t:50~200us f:50~200Hz, t、f
可任意匹配,上升沿宽度：
20us) ；
分档: 0-10A; 0-50A; 0-100A,
0-150A；
误差：量程的±1.0％
波长测量范围与精度650-1650nm,
分辩率：0.1 nm
精度：±0.4nm
650-1650nm,
分辩率：0.1 nm
精度：±0.4nm
650-1650nm,
分辩率：0.1 nm
精度：±0.4nm
发散角测量范围与精度θ⊥：-60～＋60º，
θ∥：-30～＋30º,
分辩率：0.4º
θ⊥：-60～＋60º，
θ∥：-30～＋30º,
分辩率：0.4º
θ⊥：-60～＋60º，
θ∥：-30～＋30º,
分辩率：0.4º
温度控制范围与精度TEC控制：0-50℃；
电加热控制：室温
-100℃
精度：±0.3℃
TEC控制：0-50℃；
水循环控制：0-60℃
精度：±0.5℃
水循环控制：0-60℃
精度：±0.5℃
10V60A,500W半导体激光器综合参数测试系统
激光二极管（LD）管芯测试系统
PIV曲线,光谱曲线和远场特性（发散角）曲线。