模拟电子第五版康光华 第五章 场效应管放大电路
电子技术基础(模拟部分)第五版_第5章_康华光
n ：反型层中电子迁移率
Cox ：栅极（与衬底间）氧化层
单位面积电容
' Kn nCox 本征电导因子
Kn为电导常数，单位：mA/V2
3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程
③ 饱和区
（恒流区又称放大区） vGS >VT ，且vDS≥（vGS－VT）
V-I 特性：
1. 结构（N沟道）
L ：沟道长度 W ：沟道宽度
tox ：绝缘层 厚度
通常 W > L
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
1. 结构（N沟道）
剖面图
符号
N沟道增强型场效应管
动画演示mosfet场效应管结构
N沟道增强型场效应管的工作原理
（1）栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时， 因为漏源之间 被两个背靠背 的 PN结隔离， 因此，即使在D、 S之间加上电压, 在D、S间也不 可能形成电流。
三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM
2. 最大耗散功率PDM
3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS
end
各种场效应管所加偏压极性小结
N沟道(uGS＜0) 结型 P沟道(uGS＞0) N沟道(uGS＞0) 场效应管 增强型 P沟道(uGS＜0) 绝缘栅型 N沟道(uGS极性任意) 耗尽型 P沟道(uGS极性任意)
5.1.3 P沟道MOSFET
耗尽型MOSFET的特性曲线
N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型
绝 缘 栅 场 效 应 管
5.1.5 MOSFET的主要参数
一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数）
康光华电子技术基础(模拟部分)第五版习题选解
1.2.1解：正弦波电压表达式为)sin()(θω+=t V t v m ，由于0=θ，于是得 （1）))(102sin(5)(4V t t v π⨯= （2）))(100sin(2220)(V t t v π= （3）))(2000sin(05.0)(V t t v π= （4）))(1000sin(125.0)(V t t v = 1.2.2解：（1）方波信号在电阻上的耗散功率RV dt TRV dt R t v T P S TS T S 2)(1220202===⎰⎰（2）可知直流分量、基波分量、三次谐波分量分别为2S V 、πS V 2、π32S V，所以他们在电阻上的耗散功率为直流分量：R V R V P S S O 4/222=⎪⎭⎫⎝⎛=基波分量：R V R V P S S22212/212ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛∙=三次谐波分量：R V R V P S S222392/2132ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛∙= （3）三个分量占电阻上总耗散功率的百分比： 前三者之和为：RV R V R V R V P P P P S S S S 2222223103~0475.09224≈++==++=ππ所占百分比：%95%1002//475.0%100)/(223~0=⨯≈⨯R V RV P P S S S 1.4.1解：由图可知，i vo LO Lo i s i i s v A R R R v R R R v v ∙+=+=),(，所以（1）O L S i R R R R 10,10==时，i i s i i s v R R R v v 1011)(=+=， i i vo L O L o v v A R R R v 101110⨯=∙+=，则源电压增益为26.810/1111/100≈==i i s o vs v v v v A 。
同理可得 （2）5.225===iis o vs v v v v A （3）0826.01111/10≈==i i s o vs v v v v A （4）826.010/1111/10≈==i i s o vs v v v v A 1.5.1解：电压增益 200005.01===VV v v A i o v dB A v 46200lg 20lg 20≈=电流增益 1001052000/16=⨯Ω==-AV i i A i o i dB A i 40100lg 20lg 20≈=功率增益 ()200001051052000/1632=⨯⨯⨯Ω==--AV V P P A i o p dB A p 4320000lg 10lg 10≈= 1.5.2解：设负载开路时输出电压为'o v ，负载电阻Ω=k R L 1时输出电压为o v ，根据题意 ()''8.0%201o o o v v v =-= 而 ()L O L oo R R R v v +=//'则 ()()Ω=Ω⨯⨯-=-=25010118.0/11/3'L oo O R v v R1.5.3解：设'o v 为负载电阻断开时的输出电压，即V v o 1.1'=；负载电阻Ω=k R L 1时，输出电压V v o 1=。
电子技术基础康华光05场效应管放大电路
•VD
D
•VG
G
•iD•迅速增大
•P型硅衬底
电子技术基础康华光05场效应管放大 电路
•（2）vDS对沟道的控制作用
当vDS增加到使vGD=VT时， 在紧靠漏极处出现预夹断。
在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT
•VD
D
•VG
G
•iD•饱和
•P型硅衬底•夹断区
预夹断后，vDS •夹断区延长 •沟道电阻 •iD基本不变
电子技术基础康华光05场效应管放大 电路
•P型硅衬底
•符号
•vGS=0时,没有导电沟道 • 必须依靠栅源电压的作用，才能形成导电沟道的 FET称为增强型FET。
电子技术基础康华光05场效应管放大 电路
•（2）vDS对沟道的控制作用
•当vGS一定（vGS >VT ）时，
•vDS•iD
• 产生沟道电位梯度，靠 近漏极d处的电位升高，电 场强度减小，沟道变薄。
•① 截止区
•vGS＜VT •导电沟道尚未形成 •iD = 0，为截止状态。
•截止 区
电子技术基础康华光05场效应管放大 电路
•② 可变电阻区
•可变电阻区
•vGD = vGS – vDS ≥ VT
•即 •vDS沟≤v道GS预－夹VT断时前
•iD与vDS呈近似线性关系
•FET可看作受vGS控制的可 变电阻
电子技术基础康华光05场效应管放大 电路
•综上分析可知：
• 场效应管是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 • 沟道中只有一种类型的载流子参与导电， 所以温度稳定 性好，场效应管也称为单极型晶体管。 • 场效应管的输入电阻高，基本上不需要信号源提供电流。
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
康光华第五版答案电子技术基础(模拟部分)
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 Vo的值；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求vo的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求vo的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l所示，温度 T＝300 K。
VDD-2vD(10-2⨯0.7)V==8.6⨯10-3A=8.6mA3R1⨯10ΩVO=2VD=2⨯0.7V=1.4V ID=当rd1=rd2=rd时，则rd=VT26mV=≈3.02ΩID8.6mA2rd2⨯3.02Ω=±1V⨯=±6mVR+2rd(1000+2⨯3.02Ω)vO的变化范围为(VO+∆vO)~(VO-∆vO)，即1.406V～1.394V。
∆vO=∆VDD2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO两端电压VAO。
设二极管是理想的。
解图a：将D断开，以O点为电位参考点，D的阳极电位为－6 V，阴极电位为－12 V，故 D处于正向偏置而导通，VAO=–6 V。
图b：D的阳极电位为－15V，阴极电位为－12V，D对被反向偏置而截止，VAO＝－12V。
图c：对D1有阳极电位为 0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。
图d：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO ＝－6V。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有VA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩVB=D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有2kΩ5kΩ⨯10V+⨯15V=3.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩVA=10kΩ⨯15V=1V(140+10)kΩ2kΩ5kΩ⨯(-10V)+⨯15V=1.5V(18+2)kΩ(25+5)kΩ VB=D被反偏而截止。
《模拟电子技术基础》第五章
& Us
& Ui
rim
& U b'e
中频等效电路
& R’L U o
& Uo rim & = = A vm & Us R s + rim
Next
Home
2
（2）低频特性
仅考虑C (a) 仅考虑 1 的影响
& C1 R’b rbb’ rb’e gmUb'e C2
Rs
& A vsl 1
& & & Uo U o U i' = = ' & & & Us Ui Us rim rim + R s + 1 jω C 1
( b )当 f = f L时， (ω ) = 45 o ； ( c )当 f = 0 . 1 f L时， (ω ) ≈ 90 o
Back
Next
Home
4
（2）低通电路
1 & Vo (ω ) jω C 1 & (ω ) = AV = = & Vi (ω ) R + 1 1 + jω RC jω C
β的频率响应特性曲线
2
特征频率
f 令 20 lg β 0 20 lg 1 + T = 0 f β
& α=
& β & 1+ β
=
α0
f 1 + j f α
fα > f T > f β
求得 f T ≈ β 0 f β
共基截 止频率
f α = (1 + β 0 ) f β ≈ f T
电子电工学——模拟电子技术 第五章 场效应管放大电路
场效应管正常工作时漏极电流的上限值。
2. 最大耗散功率PDM
由场效应管允许的温升决定。
3. 最大漏源电压V(BR)DS 当漏极电流ID 急剧上升产生雪崩击穿时的vDS值。
4. 最大栅源电压V(BR)GS
是指栅源间反向电流开始急剧上升时的vGS值。
5.2 MOSFET放大电路
场效应管是电压控制器件，改变栅源电压vGS的大小，就可以控制漏极 电流iD，因此，场效应管和BJT一样能实现信号的控制用场效应管也 可以组成放大电路。
场效应管放大电路也有三种组态，即共源极、共栅极和共漏极电路。
由于场效应管具有输入阻抗高等特点，其电路的某些性能指标优于三极 管放大电路。最后我们可以通过比较来总结如何根据需要来选择BJT还
vGS＜0沟道变窄，在vDS作用下，iD 减小。vGS=VP(夹断电压，截止电 压）时，iD=0 。
可以在正或负的栅源电压下工作，
基本无栅流。
2.特性曲线与特性方程
在可变电阻区 iD
Kn
2vGS
VP vDS
v
2 DS
在饱和区iD
I DSS 1
vGS VP
2
I DSS KnVP2称为饱和漏极电流
4. 直流输入电阻RGS
输入电阻很高。一般在107以上。
二、交流参数
1. 低频互导gm 用以描述栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用。
gm
iD vGS
VDS 常数
2. 输出电阻 rds 说明VDS对ID的影响。
rds
vDS iD
VGS 常数
3. 极间电容
极间电容愈小，则管子的高频性能愈好。
三、极限参数
D iD = 0
模拟电子技术第五版课件
其最小值也只能为0，即IC的最大电流为：
I VCC UCE S 12V 6mA
CM
R
2k
c
此时，Q（120uA，6mA，0V），PPT学由 习交流于 IBICM 所以BJT工作在饱和区。
19
2.3 放大电路的交流通路
2.3.1 画交流通路的原则
画出下图的交流通路
• 直流电源：内阻为零，相 当于短路
当 iC 0 时，uCEVCC
当 uCE0 时，iC VRCcC
T
图 2.2.1 基本共射放大电路
PPT学习交流
26
输出回路 输出特性
iC 0，uCE VCC
uCE
0，iC
VCC RC
直流负载线
Q
PPT学习交流
由静态工作点 Q 确 定 的 ICQ 、 UCEQ 为静态值。
27
【例】图示单管共射放大电路及特性曲线中，已知
PPT学习交流
18
例题
放大电路如图所示。已知BJT
的 ß=80， Rb=300k， Rc=2k， VCC= +12V，（求1）：放大电路的Q点。此时BJT
工作在哪个区域？
（2）当Rb=100k时，放大电路的Q点。此 时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱
和压降）
解：（1）
共射极放大电路
IBQ VCC R UBE3 120V 0 4ku 0AICIB8 04u 0A 3.2mA b
PPT学习交流
14
常见的共射放大电路
1.直接耦合共射放大电路 静Q点的计算
Rb2 Rb1
T
V U U
I CC
BEQ
BEQ
BQ
R
R
模电 康华光(第五版)
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导
体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n >> p 。电 子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子 (简称少子)。
稳压管的参数主要有以下几项： 4. 电压温度系数 U 稳压管电流不变时，环境温度每变化 1 ℃ 引起稳定 电压变化的百分比。 (1) UZ > 7 V, U > 0；UZ < 4 V，U < 0； (2) UZ 在 4 ~ 7 V 之间，U 值比较小，性能比较稳
很小的正向电阻，如同开关闭合；加反向电压时截止， 呈现很大的反向电阻，如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管的电压与 电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管 属于非线性器件。
1.2.3 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将 击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR
I/mA
+ -
1.2.5 稳压管
一种特殊的面接触型半 导体硅二极管。 稳压管工作于反向击穿
正向
U
O
+
区。
5场效应管放大电路解析
本章教学基本要求
基本要求
Step 1
Title in MOS 管 here
Title in JEFT管 here
正确理解场效应管（结型 与绝缘栅型）的工作原理，特 性曲线、主要参数与使用方法。
Step 3
Step 2
掌握共源、共漏、放大电
路的工作原理，会计算静态工 作点。
场效应 Title in 管放大 here 电路
模拟电子技术基础
第5章 场效应管放大电路
第5章 场效应管放大电路
5.1 金属氧化物半导体场效应管
5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管(JFET) *5.4 砷化镓金属半导体场效应管
本章目录
基本要求
课后小结
自测练习
2018/12/30 - 1 -
模拟电子技术基础
第5章 场效应管放大电路
vGS 2 iD I DSS (1 ) VP
本章目录 基本要求 课后小结
VP-----夹断电压
自测练习 2018/12/30- 21 -
模拟电子技术基础
第5章 场效应管放大电路
5.1.3 P沟道MOSFET
P沟道增强型和耗尽型MOSFET的电路符号？
P沟道增强型 本章目录 基本要求
P沟道耗尽型 课后小结 自测练习 2018/12/30- 22 -
1. 直流偏置及静态工作点的计算
（1）简单的共源极放大电路（N沟道）
VGS
Rg2 Rg1 Rg2
VDD
若VGS < VT ，则工作在截止区 假设工作在饱和区，即： VDS (VGS VT ) 再假设工作在可变电阻区 即
I D Kn (VGS VT )2
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
模拟部分
第13讲 主讲：孙 静
第五章 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管
5.5 各种放大器件电路性能比较
电气信息学院电工电子基础教研室
2
第五章 场效应管放大电路 学习指导
静态值 （直流） 当，v
gs<<
动态值 （交流）
非线 性失 真项
2(VGSQ- VT )时，iD I DQ g m v g s
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
2. 工作原理 （3）vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时，给定 一个vGS ，就有一条不同的ID – vDS 曲线。
电气信息学院电工电子基础教研室
11
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
3. V-I 特性曲线及特性方程 （1）输出特性及特性方程
2 1
当不考虑沟道调制效应时，＝0，r
电气信息学院电工电子基础教研室
ds→≦
21
第五章 场效应管放大电路
5.1.5 MOSFET的主要参数
gm iD vGS
2
二、交流参数 2. 低频互导gm
VD S
考虑到 iD Kn (vGS VT ) 则
i gm D vGS
( vGS VT )
G、D间PN结的反向电压 增加，使靠近漏极处的耗尽 层加宽，沟道变窄，从上至 下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变
电气信息学院电工电子基础教研室
27
第五章 场效应管放大电路
5.3.1 JFET的结构和工作原理
电气信息学院电工电子基础教研室
28
第五章 场效应管放大电路
5.3.2 JFET的特性曲线及参数
iD f (vDS ) vGS const. iD f (vGS ) vDS co nst.
1. 输出特性 2. 转移特性
vGS 2 iD I DSS(1 ) VP
(VP vGS 0)
3
第五章 场效应管放大电路
5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管
5.1.1 5.1.2 5.1.3 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET
5.1.4 5.1.5
沟道长度调制效应 MOSFET的主要参数
电气信息学院电工电子基础教研室
4
第五章 场效应管放大电路
靠近漏极d处的电位升高 沟道变薄 电场强度减小
整个沟道呈楔形分布
电气信息学院电工电子基础教研室
8
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 当v
GS一定（v GS
>VT ）时， v 时，
DS
ID 沟道电位梯度
当v
DS增加到使v GD=VT
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
2. 工作原理 （1）VGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时
无导电沟道， d、s间加电压时，总 有一个PN结反偏，无电流产生。
当0<vGS <VT 时（电场吸引电子）
产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。
当vGS >VT 时
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道）
共源极放大电路
电气信息学院电工电子基础教研室
直流通路
32
第五章 场效应管放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道）
VGS Rg2 Rg1 Rg2 VDD
33
如果不满足，则说明假设错误
电气信息学院电工电子基础教研室
第五章 场效应管放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
2. 图解分析
由于负载开路，交流负载线 与直流负载线相同。
电气信息学院电工电子基础教研室
34
第五章 场效应管放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
3. 小信号模型分析 （1）模型
在紧靠漏极处出现预夹断。 在预夹断处：v
GD=vGS-vDS
=VT
电气信息学院电工电子基础教研室
9
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
2. 工作原理 （2）VDS对沟道的控制作用 预夹断后，v
DS 夹断区延长
沟道电阻ID基本不变
电气信息学院电工电子基础教研室
10
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W > L
电气信息学院电工电子基础教研室
5
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
1. 结构（N沟道）
剖面图
符号
电气信息学院电工电子基础教研室
6
第五章 场效应管放大电路
Kn为电导常数，单位：mA/V2
电气信息学院电工电子基础教研室
14
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
3. V-I 特性曲线及特性方程 （1）输出特性及特性方程 3）饱和区（恒流区又称放大区）
v
GS
>VT ，且v
2 KnVT (
DS≥（v GS－VT）
iD Kn (vGS VT )2
场效应管： 通过改变外加电压产生的电场强度--控制其导 电能力。 优点： 体积小、重量轻、耗电少、寿命长，还具有输 入电阻高、热稳定性好、噪声低、便于集成等特点 。在大规模集成电路中广泛应用。 分类： 根据结构不同, 可分为结型场效应管(JFET)、 绝缘栅型场效应管(IGFET)。
电气信息学院电工电子基础教研室
i D I DO (
vGS 1) 2 VT
电气信息学院电工电子基础教研室
16
第五章 场效应管放大电路
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
1. 结构和工作原理（N沟道）
二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子
可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
电气信息学院电工电子基础教研室
17
第五章 场效应管放大电路
M
3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS
电气信息学院电工电子基础教研室
23
第五章 场效应管放大电路
5.3 结型场效应管
5.3.1 JFET的结构和工作原理
5.3.2 JFET的特性曲线及参数
5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法
电气信息学院电工电子基础教研室
24
5.1.5 MOSFET的主要参数
一、直流参数 1. 开启电压VT （增强型参数）
2. 夹断电压VP （耗尽型参数）
3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds
rds vDS iD
VGS
NMOS增强型
1 rds [Kn ( vGS VT ) ] iD
19
第五章 场效应管放大电路
5.1.4 沟道长度调制效应
实际上饱和区的曲线并不是平坦的 iD Kn (vGS VT )2 (1 vDS ) 修正后
0.1 1 V L
L的单位为m
当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。
电气信息学院电工电子基础教研室
20
第五章 场效应管放大电路
电气信息学院电工电子基础教研室
29
电子技术基础
模拟部分
第14讲
主讲：孙 静
第五章 场效应管放大电路
5.2 MOSFET放大电路
5.2.1
MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算
2. 图解分析
3. 小信号模型分析
学习方法：
与BJT的分析方法对照学习
电气信息学院电工电子基础教研室
31
第五章 场效应管放大电路
vGS 1)2 VT
I DO(
2 IDO KnVT
vGS 1)2 VT
是v GS＝2VT时的iD
15
电气信息学院电工电子基础教研室
第五章 场效应管放大电路
5.1.1 N沟道增强型MOSFET
3. V-I 特性曲线及特性方程 （2）转移特性
iD f (vGS ) vDSconst.
iD Kn
VD S
[ K n ( vGS VT )]2 vGS
VD S
2K n ( vGS VT )
nCox W 其中 K n 2 L
电气信息学院电工电子基础教研室
22
第五章 场效应管放大电路
5.1.5 MOSFET的主要参数
三、极限参数 1. 最大漏极电流ID
M
2. 最大耗散功率PD
5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
2. V-I 特性曲线及大信号特性方程
iD I DSS(1
vGS 2 ) VP
vGS iD I DO ( 1)2 （N沟道增强型） VT
18
Hale Waihona Puke 电气信息学院电工电子基础教研室
第五章 场效应管放大电路
5.1.3 P沟道MOSFET
电气信息学院电工电子基础教研室