浅析元器件可靠性
电子元器件的可靠性设计与故障分析
电子元器件的可靠性设计与故障分析电子元器件在现代科技中扮演着至关重要的角色。
然而，由于其特殊的工作环境和复杂的电路设计，电子元器件的可靠性问题一直是制造商和设计者们面临的挑战。
本文将探讨电子元器件可靠性设计的重要性以及故障分析的方法，以便提高产品的质量和性能。
一、电子元器件可靠性设计的重要性电子元器件可靠性设计是保证电子产品正常运行的关键。
当产品的电子元器件失效时，不仅会导致生产停滞和经济损失，更重要的是会对用户的个人安全和财产安全造成威胁。
因此，通过进行可靠性设计，可以将故障率降至最低，确保产品的性能和可靠性。
1.1 材料选择与工艺控制在电子元器件的可靠性设计中，合适的材料选择和工艺控制非常重要。
首先，选择具有高稳定性和低故障率的材料能够减少电子元器件的失效风险。
同时，通过控制工艺参数，如温度、湿度和气压等，可以提高电子元器件的耐久性和稳定性。
1.2 电路设计与布局电子元器件的电路设计和布局直接影响其可靠性。
在电路设计中，合理选择电阻、电容、电感等元器件的数值和型号，能够增强电路的稳定性和抗干扰能力。
此外，合理布局电子元器件，降低电路的电感和电容耦合，有助于减少失效率。
1.3 散热设计与保护措施电子元器件的工作过程中会产生热量，散热设计和保护措施对于提高可靠性至关重要。
合理设计散热装置，保持元器件的温度在安全范围内，可以减少因热失控引起的故障。
此外，通过使用过流保护器、过压保护器等保护装置，可以避免电子元器件被损坏或过载。
二、故障分析的方法当电子元器件发生故障时，对其进行准确的故障分析是修复和改进产品的关键步骤。
下面介绍几种常见的故障分析方法。
2.1 失效模式与效应分析（FMEA）失效模式与效应分析是一种系统地分析电子元器件故障的方法。
通过识别潜在的失效模式和分析其可能的影响，可以有针对性地采取措施来防止故障的发生或减小其影响。
2.2 元器件失效分析元器件失效分析是通过对元器件的物理性能、电性能和结构特征等进行测试和分析，来确定其失效原因。
电路中的电子元器件可靠性与寿命
电路中的电子元器件可靠性与寿命在现代电子技术中，电路中的电子元器件扮演着至关重要的角色。
它们是构成电子设备和系统的基石，但同时也是最容易受到损坏和故障的部分。
因此，了解电子元器件的可靠性和寿命是任何电子工程师和相关从业人员的基本要求。
一、电子元器件可靠性的定义和重要性电子元器件可靠性是指在给定的工作条件下，元器件长时间内保持正确的功能和性能的能力。
这意味着在元器件的设计、制造、运行和维护过程中，它们应该能够忍受各种压力、温度、湿度等环境条件以及机械和电气应力。
电子元器件的可靠性直接影响着整个电路和设备的工作效果和寿命。
电子元器件的可靠性对于电子设备和系统的正常运行至关重要。
如果元器件的可靠性不高，可能会导致设备频繁出现故障、性能下降甚至完全失效。
这将对相关行业的发展和应用造成重大影响，甚至给人们的生命和财产安全带来风险。
二、影响电子元器件可靠性的因素1. 温度：温度是电子元器件可靠性的重要因素之一。
高温会导致物理、化学和电学变化，加速元器件老化和损坏。
因此，恰当的散热设计和温度控制对于提高元器件可靠性至关重要。
2. 电气应力：电气应力包括电压、电流和电场等因素。
电压和电流的过高或过低都会对元器件的寿命产生负面影响；而过高的电场强度则可能导致电子迁移和击穿现象，极大地缩短元器件的寿命。
3. 湿度：湿度对于一些电子元器件尤为重要，例如电容器。
过高的湿度可能引起电解液蒸发、电极腐蚀等问题，从而导致电容器性能下降或失效。
4. 机械应力：机械应力包括振动、冲击和应力等。
这些应力可能导致电子元器件内部结构的破坏，从而引发故障或失效。
5. 使用条件：不同的电子元器件对使用条件的要求不同。
例如，某些元器件对于湿度敏感，而另一些则对温度和振动等条件敏感。
因此，在选用和使用元器件时，了解其所处的使用条件非常重要。
三、电子元器件寿命及其评估方法电子元器件的寿命是指元器件在给定的工作条件下能够正常工作的时间。
为了评估元器件的寿命，通常可以采取以下几种方法：1. 实验法：通过长时间的实验和测试，观察和记录元器件的故障时间和寿命，从而得到元器件的寿命数据。
元器件行业的可靠性标准与测试方法
元器件行业的可靠性标准与测试方法随着科技的发展和应用领域的扩大，元器件在电子产品中发挥着至关重要的作用。
然而，由于元器件在工作过程中经受着复杂的环境和条件，其可靠性成为了一个关键问题。
为了确保电子产品在使用过程中不出现故障，元器件行业制定了一系列的可靠性标准和测试方法。
本文将针对元器件行业的可靠性标准和测试方法进行探讨。
一、可靠性标准1.产品可靠性要求在元器件行业中，产品的可靠性是评价一个元器件制造商质量的重要指标。
产品的可靠性要求包括工作温度范围、电压范围、湿度要求、机械振动、冲击和落地等环境条件。
此外，产品的寿命要求、失效率和故障率等指标也是衡量产品可靠性的关键要素。
2.可靠性测试标准为了有效评估元器件的可靠性，行业制定了一系列的可靠性测试标准。
例如，国际电工委员会（IEC）发布了IEC 60068系列标准，其中包括了温度和湿度循环测试、机械振动和冲击测试、尘埃和腐蚀测试等。
此外，美国军标（MIL-STD）和美国电子工程师协会（IEEE）也发布了一系列可靠性测试标准，如MIL-STD-810和IEEE 1284等。
二、可靠性测试方法1.环境适应性测试环境适应性测试旨在评估元器件在不同环境条件下的可靠性。
常见的环境适应性测试包括温度和湿度循环测试、高温老化测试和低温冷冻测试。
这些测试能够模拟元器件在工作环境中的变化，并通过检测元器件在不同环境条件下的工作能力，来评估元器件的可靠性。
2.机械振动和冲击测试机械振动和冲击测试旨在评估元器件在机械振动和冲击条件下的可靠性。
通过将元器件暴露在不同频率和振幅的机械振动和冲击力下，检测元器件是否能够正常工作，并通过对元器件的振动和冲击响应进行分析，来评估元器件的可靠性。
3.尘埃和腐蚀测试尘埃和腐蚀测试旨在评估元器件在灰尘和腐蚀环境下的可靠性。
通过将元器件暴露在高浓度的灰尘和腐蚀物质中，检测元器件是否会受到腐蚀或被尘埃阻塞，并通过对元器件功能的测试，来评估元器件的可靠性。
电子元器件的可靠性与稳定性研究
电子元器件的可靠性与稳定性研究电子元器件是现代电子技术的基础和重要组成部分。
其可靠性与稳定性是影响电子产品质量和寿命的关键因素，也是电子制造领域的重点研究方向之一。
一、电子元器件可靠性的定义和影响因素电子元器件的可靠性是指其在规定的工作条件下，在一定时间内正常运行、不出现故障的能力。
影响电子元器件可靠性的因素较为复杂，主要包括两个方面：内部因素和外部因素。
内部因素包括材料质量、制造工艺、设计结构、加工精度等因素，这些因素直接影响元器件的品质和性能。
外部因素包括电气应力、温度、湿度、振动、气氛环境等因素，这些因素会与内部因素相互作用，共同影响电子元器件的可靠性。
二、电子元器件可靠性的评价方法评价电子元器件可靠性的方法主要包括两个方面：实验测试和数学模拟。
实验测试是通过一系列的可靠性试验，对元器件的品质和性能进行评估。
例如，可进行加速寿命试验、温度循环试验、高温高湿试验、电压应力试验等，以便评估电子元器件的可靠性水平。
数学模拟是利用计算机辅助软件对元器件进行数学模拟，解析其物理和化学特性，以预测其寿命和可靠性。
这种方法具有快速、准确等优点，对于需要大量试验数据的元器件可靠性评估尤为有效。
三、电子元器件的稳定性研究电子元器件的稳定性研究不仅关乎其性能表现，还涉及到应用中的安全稳定性和可靠性问题。
电子元器件的稳定性主要包括长期稳定性和短期稳定性两个方面。
长期稳定性是指电子元器件在长时间工作状态下，各项性能指标的变化程度。
对于一些长期运行和高度安全要求的设备，尤其需要关注长期稳定性问题。
短期稳定性则是指元器件在工作过程中由不同条件引起的临时性的性能偏差。
这种稳定性问题对于高速、高频、高精度设备尤其关键。
四、电子元器件可靠性和稳定性的研究现状和未来发展方向电子元器件可靠性和稳定性的研究不断得到深入，实现了快速进展。
在可靠性试验方法上，常规耐热、耐零下温度、抗电应力、耐湿等测试以外，现在也考虑到模拟卫星轨道等特殊工作条件下的可靠性评估。
电子元器件的可靠性分析与优化研究
电子元器件的可靠性分析与优化研究导言电子元器件已经成为现代社会不可或缺的一部分，从智能手机到航空航天设备，都离不开各种各样的电子元器件。
然而，由于环境、工作条件和设计等多种因素的影响，电子元器件的可靠性成为重要的研究课题。
本文将探讨电子元器件的可靠性分析与优化研究，并提出一些解决方法。
一、电子元器件可靠性分析方法1. 故障模式及影响分析（Failure Mode and Effect Analysis，FMEA）：FMEA是一种常用的电子元器件可靠性分析方法，通过对元器件的故障模式及其可能带来的影响进行评估和分析，确定潜在问题并采取相应的措施。
该方法可以帮助设计人员在设计阶段减少潜在故障的发生，提高产品的可靠性。
2. 退化分析（Degradation Analysis）：退化分析是通过对电子元器件的退化过程进行建模和分析，预测元器件在不同工作条件、环境和时间下的性能变化。
通过对退化分析的结果进行合理的优化设计，可以延长电子元器件的使用寿命，提高可靠性。
二、电子元器件可靠性优化方法1. 选择合适的元器件：在设计过程中，选择合适的元器件非常重要。
优先选择可靠性高、经过验证的元器件，同时考虑元器件的工作环境和工作条件，以确保元器件在实际使用中能够正常工作。
2. 优化布局和散热设计：电子元器件在工作时会产生热量，如果散热不良，会导致元器件温度过高，从而降低其可靠性。
因此，在设计过程中，应该合理布局元器件，确保良好的热传导和散热条件，并在必要时采取散热措施，如增加散热片或散热风扇等。
3. 加强可靠性测试和质量控制：进行可靠性测试是提高电子元器件可靠性的重要手段。
通过对元器件进行可靠性测试，可以评估元器件的性能和寿命，为后续的优化提供数据支持。
同时，在生产和制造过程中，加强质量控制，确保元器件的质量稳定和一致性。
三、面临的挑战和研究方向1. 小尺寸与高集成度：现代电子设备对电子元器件的尺寸和集成度要求越来越高，这给电子元器件的可靠性带来了挑战。
电子元器件的可靠性与质量控制策略
电子元器件的可靠性与质量控制策略在电子设备的制造过程中，电子元器件的可靠性和质量控制是至关重要的。
本文将探讨电子元器件可靠性及相关的质量控制策略，旨在提高电子产品的品质。
一、电子元器件的可靠性分析电子元器件的可靠性是指在特定条件下，在给定时间内，不发生失效的能力。
了解电子元器件的可靠性意味着能够预测其寿命和失效情况，为质量控制提供依据。
1.1 可靠性的评估指标电子元器件的可靠性评估指标主要包括以下几个方面：- 失效率：衡量在给定时间内电子元器件失效的概率。
- 平均无故障时间（MTBF）：衡量在特定时间内电子元器件无故障运行的平均时间。
- 可靠度：衡量在给定条件下，电子元器件在特定时间内无故障的概率。
1.2 影响可靠性的因素电子元器件的可靠性受到多种因素的影响，包括但不限于：- 温度变化：高温环境容易导致电子元器件损伤或失效。
- 湿度变化：过高的湿度可能引起电子元器件的腐蚀。
- 电压应力：超出电子元器件耐受范围的电压可能导致失效。
- 组装工艺：不良的焊接和连接可能导致元器件间的电气连接问题。
- 运输和存储条件：不当的运输和存储条件可能损坏电子元器件。
二、质量控制策略2.1 零部件选择与供应链管理为了保证电子元器件的可靠性，选择质量可靠的供应商是至关重要的。
这涉及到供应链管理，包括：- 与供应商建立长期稳定的合作关系，以确保供应的持续性。
- 对供应商进行评估，包括其质量控制体系、生产能力和技术支持能力等。
- 采用多品牌、多样品的策略，以减少供应链风险。
2.2 工艺控制与制造过程监控对于电子元器件制造过程，有效的工艺控制和制造过程监控是确保产品质量的关键。
包括但不限于以下措施：- 严格控制环境条件，包括温度、湿度等参数，以保证生产环境的稳定性。
- 建立可追溯性体系，确保每个步骤都有完整的记录和检查。
- 使用自动化设备和工艺技术，减少人为误差的发生。
- 进行过程监控，及时发现异常情况并采取相应措施。
2.3 可靠性测试与验证可靠性测试和验证是确保电子元器件可靠性的重要手段。
电子元器件的可靠性分析及其应对技术研究
电子元器件的可靠性分析及其应对技术研究随着电子技术的不断发展，电子元器件在日常生活和工业领域中的应用越来越广泛。
电子元器件的可靠性问题逐渐引起人们的重视。
本文将探讨电子元器件的可靠性问题，并介绍应对技术相关研究。
一、电子元器件的可靠性问题电子元器件的可靠性是指在一定条件下，在规定时间内或规定寿命后，元器件能够正常工作的能力。
电子元器件易受到机械、电气、环境等多方面因素的影响，导致其性能不稳定，甚至失效，从而影响整个系统的正常运行。
例如，电解电容器的电容值随温度变化而变化，半导体器件受电压和温度等因素的影响而热失效，电磁继电器在频繁开关的情况下易受热击穿而失效等。
电子元器件的失效分为两种：瞬时失效和逐渐失效。
瞬时失效是指在一次运作中失效，如闪爆、击穿等；逐渐失效是指在多次使用过程中逐渐减少其功能，且不可恢复，例如老化、电阻升高等。
逐渐失效是电子元器件失效的主要形式。
二、电子元器件可靠性分析方法为了保证电子元器件的可靠性，需要进行分析和评价。
可靠性分析的目的是预测元器件或系统的可靠性和失效模式，通过分析失效模式和失效机理，找出问题所在，及早采取措施，保证元器件或系统的长期稳定运行。
现代可靠性分析方法包括故障模式和效果分析（FMEA）、事件树分析（ETA）、故障树分析（FTA）、可靠性块图（RBD）等。
（一）故障模式和效果分析（FMEA）FMEA是一种对系统进行评价并找出若干潜在故障的简单方法。
FMEA方法主要是通过确定潜在的故障模式和故障效应，给出一系列的故障抑制或控制措施，以提高设计和可靠性。
FMEA方法可以帮助制造商或设计者消除或减少人身伤害、财产损失和环境危害等风险。
（二）事件树分析（ETA）ETA是一种适用于分析系统失效的方法。
该方法的目的是将系统失效分析为一个事件序列，用图形（树状）方式表示失效模式及其发生可能性的分析方法。
ETA 方法可以定量分析系统失效的可靠性指标，并确定主要影响因素和故障根源。
电子元器件的可靠性与故障诊断
电子元器件的可靠性与故障诊断电子与电气工程是现代科技领域中至关重要的学科之一。
在当今高科技发展迅猛的时代，电子元器件的可靠性与故障诊断成为了电气工程师们关注的重点。
本文将探讨电子元器件的可靠性问题以及故障诊断的方法。
一、电子元器件的可靠性问题在电子设备中，电子元器件是构成各种电路的基本组成部分。
电子元器件的可靠性直接影响到整个电子设备的稳定性和寿命。
可靠性是指电子元器件在特定环境条件下正常工作的概率。
而电子元器件的可靠性问题主要体现在以下几个方面：1. 电子元器件的老化和劣化：电子元器件长时间工作后会逐渐老化和劣化，导致性能下降甚至故障。
例如，电解电容在长时间使用后电解液会干涸，导致容量下降，进而影响整个电路的性能。
2. 温度和湿度的影响：电子元器件对温度和湿度非常敏感。
高温会导致电子元器件内部结构热膨胀，使得元器件的性能发生变化。
而湿度过高则容易引发电子元器件的氧化腐蚀，进而导致短路或断路。
3. 电子元器件的外界干扰：电子设备常常会受到来自外界的电磁干扰，如电磁波、静电等。
这些干扰会对电子元器件的正常工作产生负面影响，甚至导致故障。
二、电子元器件的故障诊断电子元器件的故障诊断是电气工程师们必须面对的重要任务。
故障诊断的目的是通过分析故障现象和数据，找到故障的原因，进而采取相应的修复措施。
常用的故障诊断方法包括以下几种：1. 可视检查法：通过对电子元器件进行外观检查，观察是否存在明显的损坏或烧焦痕迹，以确定故障的位置。
2. 测试仪器法：利用各种测试仪器对电子元器件进行测试，如万用表、示波器等。
通过测量电流、电压、频率等参数，判断元器件是否正常工作。
3. 故障模式分析法：通过对故障现象进行分析，找出可能导致故障的原因。
例如，当某个电路板上的多个元器件同时出现故障时，可以推测是该电路板上的电源供应出现问题。
4. 热敏法：利用红外热像仪等热敏设备，检测电子元器件工作时的温度分布情况。
通过分析温度异常的位置，可以初步确定故障的范围。
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热载流子效应
Vt stability 阈值电压稳定性
Negative Bias Temperature Instability 负栅压温度不稳定性
ElectroMigration 电迁移
StressMigration 应力迁移
测试手段 WLR
测试目的 栅氧是 MOS 管的核心，相当 于电脑的 CPU，GOI 测试是评
4
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
Breakdown 的判定标准为：
（1）电流绝对值法(Absolute current level)当电流的绝对值超过某一个值时，认为发生击穿。
典型值是 1uA.
（2）电流/电压的斜率变化法（Change in slope of oxide current versus voltage）前一个斜率
1 current decade/500ms
Maximum time between Voltage measurements Lesser of 50ms and once per current step
Maximum charge density
50C/cm2
Maximum field Maximum F-factor（F） Bounded current（Ibound）
25MV/cm Square root of10，FMIC 为 1.259
0.1－0.5A/cm2, FMIC 为 1mA
7
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
3.2.2 TDDB
1、 TDDB 测试是用温度和电压加速模型来模拟栅氧的本征击穿的技术； 2、 失效时间 tBD 与电压、温度及测试面积成反比例关系； 3、 至少有三种栅氧击穿的缺陷发生机理得到验证：碰撞游离化，阳极空穴注入，陷阱电荷；
则定义为 Initial Fail,若不小于 Iinit,则进入到下一步； （2）J-ramp test：在此过程中，一般从 Istart(通常等于 Iinit)指数增加，同时测试电压，电流
指数增加到被判定为击穿的标准时，可进入到下一步； （3）Post-test：加 post test 电流(一般等于 Iinit)测试电压，其作用是确认氧化层是否被击穿；
其系统构成图及实体图如下：
1
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
3.2 项目介绍
序号 测试项目
1
GOI
2
TDDB
3
HCI
4 Vt stability
5
NBTI
6
EM
7
SM
全称
Gate Oxide Integrity 栅氧完整性
Time Dependent Dielectric breakdown
3、 炉管、湿槽、Wafer 供应商的 Monitor
测试结构：
至少包含 Bulk，Poly Edge，Field Edge 三种结构，有的 FAB 厂还有 Field corner 结构
3
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
（1）Bulk 评估大面积电容缺陷密度
（2）Ploy Edge 评估 Poly 梳状电容缺陷密度， 如：Poly etcher 对 oxide 造成的损伤
（3）FOX（STI）评估梳状电容缺陷密度， （4）Field corner 如：白带效应缺陷
样本大小：
每种氧化层类型： 至少 3 批，NMOS 及 PMOS 电容测试结构，至少 10cm2 的总测试面积。 如：
假设电容面积为 0.3mm2，则需要测试的 wafer 数为： 1000mm2/(2device types*35sites*0.3mm2*3lot)＝16 wafers per lot
值可用以下公式计算：
Slopeprev
=
abs(ln(abs(I (n −1))) − ln(abs(I (n V (n −1) − V (n − 2)
−
2))))
其中 I(n-1)、I(n-2)、V(n-1)、V(n-2)分别代表前两次测量的电流电压值；
当前的斜率值可用以下公式计算：
Slopenew
固定电荷
陷阱电荷
晶格失配，悬挂键，吸附杂质，氧化杂质造成结构 缺陷引起的，可以
产生
辐射，断键引起的缺陷
的损伤，正电荷 俘获正‘负电荷
可移动电荷 碱性性离子
分布
硅和二氧化硅界面
在界面 2.5nm 范围
内部
内部
影响
Vth 不稳和载流子表面迁移率 降低，进而跨导降低
使 c-v 曲线向左移
漏电流
Vth 漂移
=
abs(ln(abs(I (n))) − V (n) −V
ln(abs(I (n (n −1)
−1))))
其中 I(n)、I(n-1)、V(n)、V(n-1)分别代表最近两次测量的电流电压值； Breakdown 的判断：
Slopenew ≥ 3 Slope prev
2、J-ramp （1）Pre-test：即加一电流(目前公司采用的值为 1E-7A)测试电压,若测试电压小于 Vuse，
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
第三章 浅析工艺可靠性测试
3.1.1 WLR 测试系统
3.1 设备介绍
PDQ-WLR 系统平台 软件：PDQ-WLR，含 WLR 测试程序 硬件：4070 系列测试机＋探针台、4062UX/E 测试机＋探针台
测试系统硬件主要包括： （1）HP C3600或以上的工作站 （2）HP 3458A multimeter万用表 （3）HP 4084B switching martix control开关矩阵控制器及矩阵开关 （4）HP 4142 Modular DC souce/montor，即SMU电源 （5）HP 4274A Multi－Frequence LCR meter，电容电感测试单元
Mode A: Vrdb<1.1* Vcc Mode B: 1.1Vcc< Vrdb<2.3*Vcc Mode C: Vrdb> 2.3*Vcc 测试完成并归类后，进行统计计算缺陷密度 Do，查看其是否满足规格。 计算方法为：
Do=－[ln(1－(i－0.3)/(N+0.4))]/At
6
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
浅析元器件可靠性
第三章 浅析工艺可靠性测试 ...................................................1 3.1 设备介绍 ...............................................................1
3.1.1 WLR 测试系统 ..........................................................1
WLR/PLR 表征 Al 及 Cu 互联线的可靠性
2
注：本文件内容仅仅是个人学习总结，仅供参考，谢谢！
3.2.1 GOI
栅氧要求：
缺陷和缺陷密度小 漏电小 抗击穿强度和稳定性 与硅有良好的界面特性 低的界面态密度 介电常数大
电荷来源：
表格 1 氧化层中电荷的来源 界面态电荷
消除 H2 中低温（小于 500℃）退火 900℃Ar 气退火
高温
氧化中通氯气，使杂 质远离（如 BPSG）
参考标准：
JEDEC Standard JESD35A；JESD35-1；JESD35-2
测试时机：
测试时机分为以下三个阶段： 1、 新技术新工艺开发阶段的栅氧质量鉴定 2、 工艺变更时栅氧质量的评估
其中 i 为失效数，即（A＋B）数，N 为总测试样品数，At 为测试结构的栅氧面积 2、J-ramp （1）规格：
目前业界普遍使用的规格为： Qbd ≧ 0.1C/cm2 @ 0.1% per lot
（2）统计方法： 在 J-Ramp 测试中，测试出来的数据仅仅是单点击穿时的 Qbd 值； 因此需对数据进行 weibull 分布统计： F=1-exp(-(Qbd/η)m) 其中：η＝Qbd63.2％ 转换成线性关系为： ln(-ln(1-F)=-mlnη+mlnQbd 通过 Qbd 的测试数据拟和成线性关系可求出 m 及η 故 ln(-ln(1-F)=-mlnη+mlnQbd 的任意其它点的 Qbd 都可求出 如：Qbd0.1％＝ηexp(-6.91/m)
测试方法：
在 NTOX（on pwell）的栅氧化层上加负应力；在 PTOX（on nwell）的栅氧化层上加正应力； 一般可分为以下三种测试方法： （1）Voltage ramp (V-ramp)：
一般从工作电压或低于工作电压的值线性增加，直到氧化层被击穿为止； （2）Current ramp (J-ramp)：
5
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Breakdown 的判定标准为： 当前测试的电压值和上一个测试的电压值满足一下关系，则认为发生击穿：
Vmeas < 0.85×Vprev
数据统计：
1、V-ramp （1）规格：
缺陷密度 Do 的规格判定方法为： 泊松良品率模型：
Do＝－(lnY)/Ac 其中 Y 为良率，Ac 为电路中栅氧面积。 假如 FMIC 0.5CMOS 的良率目标为 93％，GOI 测试面积 At＝0.04cm2 则 Do=1.81/cm2 （2）统计方法： V-Ramp 测试过程中，针对每个测试点有以下三种失效模式：
估栅氧非本征击穿行为。
评估栅氧的本征击穿，并估计
WLR/PLR