常用半导体器件复习题

第1章常用半导体器件

一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）

1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。（）

4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）

5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。( )

7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。( )

8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。( )

9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。( )

10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。( )

一、判断题答案：（每题1分）

1．√；

2．×；

3．√；

4．√；

5．×；

6．×；

7．√；

8．×；

9．×；

10．×。

二、填空题（每题1分）

1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。

3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。

4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。

5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。

8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。

9．晶体三极管三个电极的电流I

E 、I

B

、I

C

的关系为：。

10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。

二、填空题答案：（每题1分）

1．空穴

2．扩散运动

3．PN结

4．导通

5．反向

6．发射机e

7．变薄

8．反向

9．I

E ＝I

B

＋I

C

10．材料

三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）

1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。

A、五价

B、四价

C、三价

D、二价

2．在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了。

A、多子的浓度

B、少子的浓度

C、半导体的体积

D、PN结的导电性能3．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A、增大

B、不变

C、减小

D、为零

v1.0 可编辑可修改4．设二极管导通电压U D＝，图示电路的输出电压值U0

为。

A、0V

B、2V

C、

D、

5．晶体二极管具有。

A、单向导电性

B、双向导电性

C、对信号有放大作用

D、负载特性6．要使发光二极管正常发光，其两端需外加：。A、正向电压B、反向电压C、正、反向电压均可D、零偏置电压7．稳压二极管一旦被反向硬击穿，将。

A、保持原导电性能不变

B、绝对不能再使用

C、性能变坏，可以继续使用

D、对原电路没有影响

8．工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A、83

B、91

C、100

D、1000 9．极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制，属于晶体管极限参数的为。

A、共射极电流放大倍数β值

B、特征频率f

T

C、最大集电极耗散功率P

CM

D、静态工作点的电压值

10．图示电路中V

B =0V，二极管的管压降可以不计，当V

A

由0V跳到3V后，Y的电位应为。

A、3V

B、0V

C、12V

D、没法确定

三、单项选择题答案：(每题1分）

1．A、五价

2. A、多子的浓度

3. A、增大

4. A、0V

+V CC(+5V)

R

Y

D1

A

D2

B

3V

0V

5. A、单向导电性

6. A、正向电压

7. B、绝对不能再使用

8. C、100

9．C、最大集电极耗散功率P

CM

10．B、0V

四、简答题（每题5分）

1. 怎样由本征半导体得到P型半导体

2. 怎样由本征半导体得到N型半导体

3. 硅三极管BE结的导通电压为多少伏

4. 锗三极管BE结的导通电压为多少伏

5. 二极管的主要参数有哪些

6. 为什么半导体器件的温度稳定性差是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素

四、简答题答案：（每题5分）

1. 答：在本征半导体中掺入三价元素（如硼）可得到P型半导体。

2. 答：在本征半导体中掺入五价元素（如磷）可得到N型半导体。

3. 答：硅三极管BE结的导通电压为～伏。

4. 锗三极管BE结的导通电压为～伏。

5. 答：二极管的主要参数有：①最大整流电流I

F ；②最高反向工作电压U

R

；③最大瞬时

值反向电流I

R ；④最高工作频率f

M

。

6. 答：因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子。外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。由于载流子数目很少，故导电性很差。温度升高，热运动加剧，本证激发加剧，使少数载流子浓度增大，但掺杂浓度不变，相对增加较多的是少数载流子，使导电性增强，产生较大的噪声。所以少子是影响温度稳定性的主要因素。

五、画图题（每题5分）

1. 电路如图所示，设二极管正向导通时的电压可忽略不计，已知

i

u＝10sinωt(v)，试画