光电检测实验

光电检测实验
光电检测实验

实验一、光照度计设计实验

一、实验目的

1、了解和掌握光电池在光照度计上的应用原理

2、了解和掌握光照度计结构原理

3、了解和掌握光照度计电路设计原理

二、实验内容

1、光照度计测量光照度实验

2、光照度计设计性实验

三、实验仪器

1、光电创新实验仪主机箱

2、光照度计&光功率计设计模块

3、照度计探头

4、连接线

4、万用表

四、实验原理

光照度是光度计量的主要参数之一,而光度计量是光学计量最基本的部分。光度量是限于人眼能够见到的一部分辐射量,是通过人眼的视觉效果去衡量的,人眼的视觉效果对各种波长是不同的,通常用V(λ)表示,定义为人眼视觉函数或光谱光视效率。因此,光照度不是一个纯粹的物理量,而是一个与人眼视觉有关的生理、心理物理量。

光照度是单位面积上接收的光通量,因而可以导出:由一个发光强度I的点光源,在相距L处的平面上产生的光照度与这个光源的发光强度成正比,与距离的平方成反比,即:

2

E

I

/L

式中:E——光照度,单位为Lx;

I——光源发光强度,单位为cd;

L——距离,单位为m。

光照度计是用来测量照度的仪器,它的结构原理如下图所示:

图 1-1

图中D为光探测器,图3-2为典型的硅光探测器的相对光谱响应曲线;C为余弦校正器,在光照度测量中,被测面上的光不可能都来自垂直方向,因此照度计必须进行余弦修正,使光探测器不同角度上的光度响应满足余弦关系。余弦校正器使用的是一种漫透射材料,当入射光不论以什么角度射在漫透射材料上时,光探测器接收到的始终是漫射光。余弦校正器的透光性要好;F为V(λ)校正器,在光照度测量中,除了希望光探测器有较高的灵敏度、较低的噪声、较宽的线性范围和较快的响应时间等外,还要求相对光谱响应符合视觉函数V (λ),而通常光探测器的光谱响应度与之相差甚远,因此需要进行V(λ)匹配。匹配基

本上都是通过给光探测器加适当的滤光片(V(λ)滤光片)来实现的,满足条件的滤光片往往需要不同型号和厚度的几片颜色玻璃组合来实现匹配。当D接收到通过C和F的光辐射时,所产生的光电信号,首先经过I/V变换,然后经过运算放大器A放大,最后在显示器上显示出相应的信号定标后就是照度值。

图1-2 硅光电探测器光谱特性曲线

图1-3 光谱视觉曲线

照度测量的误差因素

1)照度计相对光谱响应度与V(λ)的偏离引起的误差。

2)接收器线性:也就是说接收器的响应度在整个指定输出范围内为常数。

3)疲劳特性:疲劳是照度计在恒定的工作条件下,由投射照度引起的响应度可逆的暂时的变化。

4)照度计的方向性响应。

5)由于量程改变产生的误差:这个误差是照度计的开关从一个量程变到邻近量程所产生的系统误差。

6)温度依赖性:温度依赖性是用环境温度对照度头绝对响应度和相对光谱响应度的影响来表征。

7)偏振依赖性:照度计的输出信号还依赖于光源的偏振状态。

8)照度头接收面受非均匀照明的影响。

五、注意事项

1、不得扳动面板上面元器件,以免造成电路损坏,导致实验仪不能正常工作。

2、说明:输入“+”“-”为探头输入端、输出“+”“-”为照度计输出电压测试点。

X1、X10、X100开关为放大倍数切换开关。

六、实验步骤

1、照度计探头红黑插座对应接到实验模块上输入端“+” “-”。

2、万用表红黑表笔对应接到实验模块上输出端“+” “-”。

3、放大倍数切换开关拨至X1挡,向上拨。

4、打开电源开关,观察万用表指示数值。

5、改变不同光照度和放大倍数,观察万用表指示数值变化。

6、关闭电源。

七、设计性实验

光照度计电路原理图如下:

U1对光电池输出电流进行I/V 变换,将光电流转换为电压,K1为档位切换开关。U2对输出电压进行放大,调节RP1阻值大小可以给便放大倍数,5脚对应电位器为调零电位器。

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八、思考题

分析放大电路芯片选用条件。

实验四、光功率计设计实验

一、实验目的

1、了解和掌握光硅光电探测器在光功率计上的应用原理

2、了解和掌握光功率计结构原理

3、了解和掌握光功率计电路设计原理

二、实验内容

1、光功率计测量光照度实验

2、光功率计设计实性验

三、实验仪器

1、光电创新实验仪主机箱

2、光照度计&光功率计设计模块

3、功率计探头

4、连接线

4、万用表

四、实验原理

光功率是光在单位时间内所做的功。光功率单位常用毫瓦(mw)和分贝(db)表示,其中两者的关系为:1mw=0db,换算关系为,dB = 10*lg(A/B)。而小于1mw的分贝为负值。

使用分贝做单位主要有三大好处。

(1)数值变小,读写方便。电子系统的总放大倍数常常是几千、几万甚至几十万,一架收音机从天线收到的信号至送入喇叭放音输出,一共要放大2万倍左右。用分贝表示先取个对数,数值就小得多。

(2)运算方便。放大器级联时,总的放大倍数是各级相乘。用分贝做单位时,总增益就是相加。若某功放前级是100倍(20dB),后级是20倍(13dB),那么总功率放大倍数是100×20=2000倍,总增益为20dB+13dB=33dB。

(3)符合听感,估算方便。人听到声音的响度是与功率的相对增长呈正相关的。例如,当电功率从0.1瓦增长到1.1瓦时,听到的声音就响了很多;而从1瓦增强到2瓦时,响度就差不太多;再从10瓦增强到11瓦时,没有人能听出响度的差别来。如果用功率的绝对值表示都是1瓦,而用增益表示分别为10.4dB,3dB和0.4dB,这就能比较一致地反映出人耳听到的响度差别了。您若注意一下就会发现,Hi-Fi功放上的音量旋钮刻度都是标的分贝,使您改变音量时直观些。

五、注意事项

1、不得扳动面板上面元器件,以免造成电路损坏,导致实验仪不能正常工作。

2、说明:输入“+”“-”为探头输入端、输出“+”“-”为照度计输出电压测试点。

X1、X10、X100开关为放大倍数切换开关。

六、实验步骤

1、功率计探头红黑插座对应接到实验模块上输入端“+”“-”。

2、万用表红黑表笔对应接到实验模块上输出端“+”“-”。

3、放大倍数切换开关拨至X1挡,向上拨。

4、打开电源开关,观察万用表指示数值。

5、改变不同光照度和放大倍数,观察万用表指示数值变化。

6、关闭电源。

七、设计性实验

光功率计电路原理图如下:

U1对光电池输出电流进行I/V 变换,将光电流转换为电压,K1为档位切换开关。U2对输出电压进行放大,调节RP1阻值大小可以给便放大倍数,5脚对应电位器为调零电位器。

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八、思考题

分析放大电路芯片选用条件。

实验四、颜色识别系统设计实验

一、实验目的

1、了解颜色传感器的组成及工作原理

2、了解颜色传感器的基本特性

3、掌握颜色传感器的应用

二、实验内容

1、颜色传感器短路电流测试实验

2、颜色传感器开路电压测试实验

3、颜色传感器颜色识别实验

4、设计实验:颜色传感器颜色识别设计实验

三、实验仪器

1、光电创新实验平台主机箱

2、颜色识别系统设计模块

3、万用表

4、连接线

四、实验原理

1、颜色传感器的基本结构

颜色传感器是由三个Si-PIN 光电管以及在片滤波器集成在一起的,每个光电管都各自有三种颜色之一的滤波器。它具备小尺寸设计,高质量滤波器和三种颜色同步记录的特点。三个不同区域的颜色识别响应,类似于人眼。每个光电管对相应光谱滤波器的颜色光最敏感,主要是红色,绿色,蓝色,适用于彩色扩影、彩色印刷、色彩鉴别电路。

目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,颜色传感器是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解颜色传感器的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN 结原理和光电效应理论。

图13.1是半导

体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P 型和N 型半导体材料结合时,由于P 型材料空穴多电子

少,而N 型材料电子

多空穴少,因此P 型材料中的空穴向N 型材料这边扩散,N 型材

料中的电子向P 型材料这边扩散,扩散的结果使得结合区两侧的P 型区出现负电荷,N 型区带正电荷,形成一个势垒,由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行,当两者达到平衡时,在PN 结两侧形成一个耗尽区,耗尽区的特点是无自由载流子,呈现高阻抗。当PN 结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;当PN 结正偏时,外加电场与内电场方向相反,耗尽区在外电场作用下变窄,势垒削弱,使载流子扩散运动继续形成电流,此即为PN 结的单向导电性,电流方向是从P 指向N 。

零偏 反偏 正偏 图 4.1 半导体PN 结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区

2、颜色传感器的工作原理

颜色传感器是由三个Si-PIN光电管以及在片滤波器集成在一起的,除了响应波段与光电二极管不同外,电气性能是一致的,因此,了解了每个光电管的响应波段后,我们就可以把颜色传感器当做光电二极管来研究。下面来介绍一下光电二极管的工作原理:光电管(PD)把光信号转换为电信号的功能,是由半导体PN结的光电效应实现的。

在耗尽层两侧是没有电场的中性区,由于热运动,部分光生电子和空穴通过扩散运动可能进入耗尽层,然后在电场作用下,形成和漂移电流相同方向的扩散电流。

漂移电流分量和扩散电流分量的总和即为光生电流。当与P层和N层连接的电路开路时,便在两端产生电动势,这种效应称为光电效应。

当连接的电路闭合时,N区过剩的电子通过外部电路流向P区。同样,P区的空穴流向N区,便形成了光生电流。

当入射光变化时,光生电流随之作线性变化,从而把光信号转换成电信号。这种由PN 结构成,在入射光作用下,由于受激吸收过程产生的电子 - 空穴对的运动,在闭合电路中形成光生电流的器件,就是简单的光电二极管。

如图13.2(a)所示,光电二极管通常要施加适当的反向偏压,目的是增加耗尽层的宽度,缩小耗尽层两侧中性区的宽度,从而减小光生电流中的扩散分量。由于载流子扩散运动比漂移运动慢得多,所以减小扩散分量的比例便可显著提高响应速度。但是提高反向偏压,加宽耗尽层,又会增加载流子漂移的渡越时间,使响应速度减慢。

3、颜色传感器的基本特性

(1) 短路电流

电极

(a)

(b)

图4.3 颜色传感器短路电流测试

如图13.3所示,不同的光照的作用下, 毫安表如显示不同的电流值。即为颜色传感器的短路电流特性。 (2)开路电压

电极

(a)

(b)

SiO2膜

图4.4 颜色传感器开路电压测试

如图13.4所示,不同的光照的作用下, 电压表如显示不同的电压值。即为颜色传感器的开路电压特性。 (3) 光谱特性

一般光电探测器的光谱响应特性表示在入射光能量保持一定的条件下,探测器所产生短路电流与入射光波长之间的关系。一般用相对响应度表示,

本实验中颜色传感器的光谱响应曲线如下图13.5所示:

图4.5 颜色传感器的光谱曲线

五、注意事项

1、当万用表用作电流测试时应先用大量程,然后逐级调小到合适的量程,以免烧坏电

流档;

2、连线之前保证电源关闭;

3、实验过程中,请勿同时拨开两种或两种以上的光源开关,这样会造成实验所测试的数据不准确。

六、实验内容及步骤

1、颜色传感器短路电流特性测试

颜色传感器后端盖如图13.6所示:

图4.6 颜色传感器光源及探测器的后端盖示意图

(1)组装好光通路组件,将光源部分与颜色识别系统设计模块连接起来,即黑色插座与J1相连,红绿蓝与J2、J3、J4任意连接;

(2)将光源与探测器都置于导轨上,发光方向要正对探测器方向;

(3)打开电源,观察光源是否点亮;

(4)滑动双刀双掷开关S3,观察光源发光变化;

(5)将光源与探测器的距离由10cm开始逐渐调近,每隔2cm用万用表测量一次颜色传感器各个部分(即红黑、蓝黑和绿黑)的电流值,并记录下来,填入下表,然后通过S3切换到不同的光源,重复上述测量并记录数值,关闭电源。

(6)上表中所测得的电流值即为颜色传感器不同光照度下的短路电流。

(7)实验完毕,关闭电源,拆除所有连线。

2、颜色传感器开路电压特性测试

(1)组装好光通路组件,将光源部分按照实验1中连接好;

(2)将实验1中测电流改为测电压,其它步骤不变,将数据记录在下表中;

(3)上表中所测得的电压值即为颜色传感器不同光照度下的开路电压。

(4)实验完毕,关闭电源,拆除所有连线。

3、颜色传感器颜色识别实验

根据实验1和2所测数据,对颜色传感器已经有了一定的了解,下面进行颜色识别的实验:

(1)连接好光路组件,光源和探测器尽量靠近,光源部分按照实验1中连接,探测器部分红色插座连J5,绿色插座连J6,蓝色插座连J7,黑色插座连J8;

(2)打开电源,打开红色光源,测量J9、J10测试点的电压值,调节电位器W1,使阈值电压大于J10并且小于J9处的电压值;

(3)关闭电源,用跌插头对连接J9与J9’、J10与J10’、J11与J11’;

(4)打开电源,切换不同颜色的光源,观察D5、D6、D7的变化。

(5)关闭电源,拆除所有连线。

七、设计性实验

根据传感器的特性,自行搭建应用电路,实现颜色识别功能。

参考电路:

光源部分如下图所示,J2/J3/J4与J1连接不同的发光二极管,通过S3来切换点亮不同的光源。

C1

CO N1探测器部分电路如下图所示:

LED

D

eLED

J9'

J10'

八、思考题

颜色传感器与光电二极管的异同之处是什么?

硅光电池特性测试实验报告

硅光电池特性测试实验报告 系别:电子信息工程系 班级:光电08305班 组长:祝李 组员:贺义贵、何江武、占志武 实验时间:2010年4月2日 指导老师:王凌波 2010.4.6

目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结

一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1:硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2:简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合

APD光电二极管特性测试实验

APD光电二极管特性测试实验 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 6、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台

四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器,它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反偏压时,耗尽层的电场很强,光生载流子经过时就会被电场加速,当电场强度足够高(约3x105V/cm)时,光生载流子获得很大的动能,它们在高速运动中与半导体晶格碰撞,使晶体中的原子电离,从而激发出新的电子一空穴对,这种现象称为碰撞电离。碰撞电离产生的电子一空穴对在强电场作用下同样又被加速,重复前一过程,这样多次碰撞电离的结果使载流子迅速增加,电流也迅速增大,这个物理过程称为雪崩倍增效应。 图6-1为APD的一种结构。外侧与电极接触的P区和N区都进行了重掺杂,分别以P+和N+表示;在I区和N+区中间是宽度较窄的另一层P区。APD工作在大的反偏压下,当反偏压加大到某一值后,耗尽层从N+-P结区一直扩展(或称拉通)到P+区,包括了中间的P层区和I 区。图4的结构为拉通型APD的结构。从图中可以看到,电场在I区分布较弱,而在N+-P 区分布较强,碰撞电离区即雪崩区就在N+-P区。尽管I区的电场比N+-P区低得多,但也足够高(可达2x104V/cm),可以保证载流子达到饱和漂移速度。当入射光照射时,由于雪崩区较窄,不能充分吸收光子,相当多的光子进入了I区。I区很宽,可以充分吸收光子,提高光电转换效率。我们把I区吸收光子产生的电子-空穴对称为初级电子-空穴对。在电场的作用下,初级光生电子从I区向雪崩区漂移,并在雪崩区产生雪崩倍增;而所有的初级空穴则直接被P+层吸收。在雪崩区通过碰撞电离产生的电子-空穴对称为二次电子-空穴对。可见,I区仍然作为吸收光信号的区域并产生初级光生电子-空穴对,此外它还具有分离初级电子和空穴的作用,初级电子在N+-P区通过碰撞电离形成更多的电子-空穴对,从而实现对初级光电流的放大作用。

光电技术与实验

《光电技术》课程是光电信息科学与工程类专业(包括光信息科学与技术、电子信息科学与技术、电子科学与技术、信息工程、测控技术与仪器、光电信息工程和应用物理学)的专业基础必修课。是一门以光电子学为基础,将光学技术、现代微电子技术、精密机械及计算机技术紧密结合,成为获取光信息或借助光提取其他信息的重要手段。对培养光电信息科学与工程类人才的基本工程技术能力非常重要。 它将电子学中的许多基本概念与技术移植到光频段,解决光电信息系统中的工程技术问题。这一先进技术使人类能更有效地扩展自身的视觉能力,使视觉的长波延伸到亚毫米波,短波延伸紫外、X射线、射线,乃至高能粒子,并可在飞秒级记录超快现象的变化过程。光电技术在现代科技、经济、军事、文化、医学等领域发挥着极其重要的作用,以此为支撑的光电子产业是当今世界争相发展的支柱产业,是竞争激烈、发展最快的信息技术产业的主力军。光电技术迅速发展,半导体激光器、上千万像素的CCD与CMOS固体图像传感器、PIN与APD光电二级管及液晶显示等在工业与民用领域随处可见,热成像技术也已广泛应用于军事和工业领域。光电技术不断渗透到国民经济的各个方面,成为信息社会的支撑技术之一。该课程以基本物理理论为基础,讲解光电器件的工作原理及特性,使学生掌握应用这些光电器件的方法。在光电变换与信号处理中,以光电器件的应用为主导,课堂讲解与辅助作业相结合的形式,引导学生应用光电器件来解决光电变换与信号处理问题,使学生能够把握光电技术的总体框架,有兴趣、有信心地投入到创新活动实践中,培养学生独立思考的习惯和解决实际工程问题的能力。 在教育部高等学校光电信息科学与工程类专业指导性专业规范中,《光电技术与实验》是该类专业的专业基础必修课。因此,我校光信息科学与技术、电子信息科学与技术及电子科学与技术等专业自2000年起开设了《光电技术》课程并延续至今。我院的光信息科学与技术、电子信息科学与技术两个专业都开设了光电技术课程,内容主要是光电器件和红外,但在理论深度和范围上有所区别,光信息科学与技术专业由于开设了光学、半导体光电子学等课程,有良好的基础,因为课程的理论深度更深,涉及的光电技术领域也更广。此外,对于光信科和电信科两个专业,讲授内容方面各有侧重,对光信息专业,在光电器件方面讲授的内容多一些。 为适应新世纪人才培养,2004年学校对本科教学计划进行了较大的调整,为了适应新的改革形势,保证教学质量,我院将光电信息科学类课程整合作为一个重要教研项目进行立项研究,这次调整强调了光电技术课程的重要性,在“厚基础、宽口径”的培养战略指导下,搭建起以光电技术为核心的光信息平台,作为光信息科学与技术专业的专业必修课。光电技术课程理论课学时调整到40学时,实验部分单独设课,加强到24学时,强化了综合实验的内容,强调基本技能训练和学生综合能力的培养,并使学生的创新意识和动手能力得到训练和加强。同时为适应课程的改革需要,光电技术课程组自编了《光电信息技术实验》和《光电技术》部分讲义,实验教材中突出了与信息学科相关的光电技术知识以及光电器件在信息技术中的应用知识。目前光电信息技术实验作为开放性实验面向全校供相关专业选修。 近10年来,伴随着专业建设和发展,光电技术课程已发展成为拥有一支素质良好、勇于创新的教师队伍,先进的教学体系、教学方法和教学手段的重要基础课程,光电技术课程建设和发展将为培养面向二十一世纪的新型复合型人才做出更大的贡献。

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

光电检测实验报告(2)硅光电池

光电检测实验报告 实验名称:硅光电池特性测试实验实验者: 实验班级: 实验时间: 指导老师:宋老师

一:实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池负载特性测试实验 5、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试: (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-11所示的电路连接电路图 (5)记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。 图2-11 硅光电池短路电流特性测试 2、硅光电池开路电压特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4

与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-12所示的电路连接电路图 (5)记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。 图2-12 硅光电池开路电压特性测试 3、硅光电池伏安特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)电压表档位调节至2V档,电流表档位调至200uA档,将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

最新光电显示技术实验讲义

光电显示技术实验讲 义

实验一有机发光器件(OLED)参数测量 一、实验目的: 1.了解有机发光显示器件的工作原理及相关特性; 2.掌握OLED性能参数的测量方法; 二、实验原理简介: 1979年,柯达公司华裔科学家邓青云(Dr. C. W. Tang)博士发现黑暗中的有机蓄电池在发光,对有机发光器件的研究由此开始,邓博士被誉为OLED之父。 OLED (Organic Light Emitting Display,中文名有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO一侧观察到,金属电极膜同时也起了反射层的作用。

图1:OLED结构示意图 与LCD相比,OLED具有主动发光,无视角问题,重量轻,厚度小,高亮度,高发光效率,发光材料丰富,易实现彩色显示,响应速度快,动态画面质量高,使用温度范围广,可实现柔软显示,工艺简单,成本低,抗震能力强等一系列的优点。 如果一个有机层用两个不同的有机层来代替,就可以取得更好的效果:当正极的边界层供应载流子时,负极一侧非常适合输送电子,载流子在两个有机层中间通过时,会受到阻隔,直至会出现反方向运动的载流子,这样,效率就明显提高了。很薄的边界层重新结合后,产生细小的亮点,就能发光。如果有三个有机层,分别用于输送电子、输送载流子和发光,效率就会更高。 为提高电子的注入效率,OLED阴极材料的功函数需尽可能的低,功函数越低,发光亮度越高,使用寿命越长。可以使用Ag 、Al 、Li 、Mg 、Ca 、In等单层金属阴极,也可以将性质活泼的低功函数金属和化学性能较稳定的高功函数金属一起蒸发形成合金阴极。如Mg: Ag(10: 1),Li:Al (0.6%Li),功函数分别

光电检测实验报告

光电检测试验报告 专业:应用物理学 姓名:叶长军 学号:10801030125 指导教师:王颖 实验时间:2011.4 重庆理工大学光电信息学院

实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳 状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时,光敏电阻电导率的改变量为: p n p e n e σμμ?=???+??? ,e 为 电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。当两端加上电压U 后,光电流为:ph A I U d σ=??? 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明 电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(做光照特性测试,由用户自备或选配) 实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为 暗电阻R 暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮,暗电阻 与亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5接线,分别在暗光及有光源照射下测出输出 电压暗和U 亮,电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R ,亮电流 与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线,电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用, 每次在一定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上电压 为 +2V ;+4V ;+6V ;+8V ;+10V ;+12V 时电阻R 两端的电压U R ,

光电技术实验

光电技术实验实验报告

目录 一、光源与光辐射度参数的测量(必做) (3) 二、PWM调光控实验 (5) 三、LED色温控制实验 (8) 四、光敏电阻伏安特性实验 (11) 五、线阵CCD驱动电路及特性测试(必做) (13) 六、相关器的研究及其主要参数的测量(必做) (15) 七、多点信号平均器(必做) (19) 八、考试内容 (23)

实验一 光源与光度辐射度参数的测量 一、实验目的 1.熟悉进行光电实验过程中所用数字仪表使用方法 2.了解LED 发光二极管 3.研究影响LED 光照度的参数 二、实验仪器 光电综合实验平台主机系统 1 台、发白光的 LED 平行光源(远心照明光源)及其夹持装置各 1 个 三、实验原理 (1)LED 发光原理:LED 发光二极管为 PN 结在正向偏置下发光的特性。有些材料构成的 PN 结在正向电场的作用下,电子与空穴在扩散过程中要产生复合。复合过程中电子从高能级的“导带”跌落至低能级的“价带”, 电子在跌落过程中若以辐射的形式释放出多余的能量,则将产生发光或发辐射的现象。并且,可以通过控制电流来控制(或调整)发光二极管的亮度,即可以通过改变发光管的电流改变投射到探测器表面上的照度,这就是 LED 光源具有的易调整性。 (2)光度参数与辐射度参数:光源发出的光或物体反射光的能量计算通常是用“通量”、“强度”、“出射度”和“亮度”等参数,而对于探测器而言,常用“照度”参数。辐照度或光照度均为单位探测器表面所接收的辐射通量或光通量。即 )/(2m W S e Ee φ= 或 )(lx S v Ev φ= 式中S 为探测器面积。 (3)点光源照度与发光强度的关系:各向同性的点光源发出的光所产生的照度与发光强度 I v 成正比,与方向角的余弦(COS φ)成正比,与距离光源的距离平方(l^2)成反比,即 )(cos 2 lx l Iv Ev φ = 四、实验内容 (1)安装LED 发光装置与照度探测器装置,并在电路中接入电流表、限流电阻和可调电阻测量发光LED 的电流。 (2)测量发光管未点亮时的暗背景照度。 (3)测量同一距离、同一LED 的照度值随电流变化的情况。记录实验数据。 (4)调节LED 与照度探测器间的距离,重复步骤(3)。记录实验数据。 (5)更换不同的LED ,重复步骤(3)和(4)。 (6)测量遮罩时红光LED 的照度值和与探测器间距的关系,实验步骤类似,注意保持LED 电流不变。记录实验数据。 (7)关机结束实验。 五、数据处理 (1)测量不同距离、不同LED 光照度参数的测量 背景光强:Evb=7.35×10 Lx

光电信号检测实验

实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻,又称为光导管。是一种均质的半导体光电器件,其结构如图1-1所示。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 光敏电阻应用得极为广泛,可见光波段和大气透过的几个窗口都有适用的光敏电阻。利用光敏电阻制成的光控开关在日常生活中随处可见。当光电效应发生时,光敏电阻电导率的改变量为: p n p e n e σμμ?=???+??? 在上式中,e 为电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为 电子浓度的改变量,μ表示迁移率。当两端加上电压U 后,光电流为:ph A I U d σ= ??? 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 光敏电阻的光照特性则如图 1-3 所示。不同的光敏电阻的光照特性是不同的,但是在大多数的情况下,曲线的形状都与图1-3 类似。由于光敏电阻的光照特性是非线性的,因此不适宜作测量型的线性敏感元件,在自动控制中光敏电阻常用作开关量的光电传感

器。 图1-4 几种光敏电阻的光谱特性 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器 实验步骤: 1.测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为 暗电阻R 暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮 ,暗电阻与 亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。 结果:用万用表欧姆档测得的暗电阻为∞,超出万用表的量程。在环境光照下的亮电阻为6.5k?。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 2.光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5接线,分别在暗光及有光源照射下测出输出U 暗和U亮,电流L 暗=U 暗 /R,亮电流L 亮 =U 亮 /R,亮电流与 暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 结果:暗光时电流为0。有光源照射时光电流为71uA。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照图1-5接线,电源可从直流稳压电源+2~+12V间 选用,每次在一定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上 电压为+2V;+4V;+6V;+8V;+10V时电阻R两端的电压U R,和电流数据,同时算出此时光敏电阻的阻值,并填入以下表格,根据实验数据画出光敏电阻的伏安特性曲线。 图1-5 光敏电阻的测量电路 光敏电阻伏安特性测试数据表(暗光) 电源电压(毫 伏) 2 4 6 8 10 U R(伏) 1.98 3.98 5.98 7.98 9.87 电阻(欧姆)∞∞∞∞∞ 电流(毫安)0 0 0 0 0

光电信号转换测试

实验报告:光电信号转换测试 一、实验目的 1、了解光电响应现象及光电响应的原理。 2、熟悉利用电化学手段测试光电响应的方法,能熟练的操作电化学工作站进行光电响应的测试。 二、实验内容 通过电化学的方法测试样品的光电相应参数,如记录光电流值,开路电压,计算样品的功率,并根据数据进行作图分析。 三、实验原理 光伏响应原理: P 型半导体(空穴多)和n 型半导体(电子多)相结合时,在其交界处形成p-n 结,p 区的空穴向n 区扩散,n 区的电子向p 区扩散,引起p 区荷负电,n 区荷正电,在p-n 交界面附近的一个区域(结区,或称耗尽区)内形成一电 图1(a) 太阳光辐照下的硅p-n 结太阳能带, 图1(b)太阳能电池的理想等效

场,称为内建电场,如图1(a)所示。图中左侧为n区,右侧为p区,纵坐 标为电子能量。电子能量越高,电势越低。n区电势比p区电势高,电场方向 由n区指向p区。当光电池受到太阳光照时,能量大于构成p-n结的半导体材料的禁带宽度Eg的光子将价带电子激发到导带,同时在价带中产生空穴,它 们都称为光生载流子。在p-n结的结区,光生电子和空穴被内建电场分别推到势垒的n、p区边沿,然后向各自的内部扩散,在两端形成电压,这就是光伏 效应。若在p-n结两端接入外电路,该光生电压就可形成电流。从外电路来看,发生光伏效应的那个p-n结就是一个电源,即光电池,如图1(b)所示。 四、材料与仪器 电化学工所站、太阳能电池。 五、实验步骤 1. 完成电化学工作站的测试电路的连接; 2. 点start开始测试,测量样品的光电响应曲线、暗态和光照下的开路电极电势,并记录所得的光电流以及开路电压,并计算样品的功率。 六、实验数据记录与分析 1. I-V特征曲线: 暗态:

光电检测技术实验设计

光电检测技术 实验报告 题目:光电报警系统的设计和制作学院:仪器科学与光电工程学院专业:测控技术与仪器 班级: 学生姓名: 指导老师:

实验三 光电报警系统的设计和制作 一、设计任务 红外报警器系统的原理框图如图1所示。由红外光源发出的红外辐射被红外探测器接收,红外辐射信号变为电信号,经信号放大和处理电路后送报警电路。系统分成发送和接收两部分,分开放置。当没有人和物体进入这两部分之间,红外辐射没有被阻挡时,报警处于不报警状态。一旦有人或物体进入这两部分之间。红外辐射被阻挡,报警器立即翻转到报警状态。 图1 红外报警器系统原理框图 二、设计方案 (1)发射端电路 用NE555组成振荡器来驱动发光管,NE555构成多谐振荡器原题图如图2所示。下面对照电路图简述其工作原理及参数选择。 图2 多谐振荡器 注:1地 GND 2触发 3输出 4复位 5控制电压 6门限(阈值) 7放电 8电源电压Vc 当3脚为高电平(略低于Vc 时),输出电压将通过R1对C1充电。A 点电压按指数规律上升,时间常数为R1C1。 当A 点电压上升到上限阙值电压(约2Vc/3时),定时器输出翻转成低电平

(略大于0V)。这时,A点电压将随C1放电而按指数规律下降。当A点下降到下限阙值电压(约Vc/3)时,定时器输出变成高电平,调整R2的阻值得到严格的方波输出。 用NE555组成振荡器来驱动发光管时,要注意发光管上串联一个限流电阻。使输出电流小于或等于发光管的最大正向电流 F I。若振荡器输出电压为Vo,则 限流电阻R取值为F F O I V V R - ≥ 。如果限流电阻低于上述公式所得值,或未加限流电阻,则会造成发光管和定时器烧毁。 D2 LED 图3 振荡发射电路原理图 (2)光电检测、比较报警电路 D4 LED R8 500 图4 光电检测放大器电路原理图比较报警电路的设计利用光敏二极管的反向特性,当接收到光信号时,光敏二极管导通良好,产生电压,放大器即可对信号处理;当没有接收到光信号时,光敏二极管截止,放大器的同相端电压几乎为0。利用1/2LF353构成的光放大器,如图所示。用1/2LF353构成一个比较放大器。放大器的正端加2V左右偏压,负端加信号电压。当光线未阻断时,从主放大器来的交流信号经二极管检波电路,再经低通滤波器后得到直流电压,使后面的放大器负载输入端电位大于(或等于)正输入端电位。

光电技术实验指南

光电技术 实验指南 上实验课前务必仔细阅读本实验讲义

目录 前言……………………………………………………………………………………………错误!未定义书签。 目录 (3) 第一章产品说明书 (4) 第二章实验指南 (6) 实验一光电基础知识实验 (5) 实验二光敏电阻实验 (11) 实验三光敏二极管的特性实验 (15) 实验四光敏三极管特性实验 (19) 实验五光开关实验(透射式) (23) 实验六红外线光电开关 (25) 实验七光电池实验 (258) 实验八热释电红外传感器实验 (30) 实验九光源及光调制解调实验 (33) 实验十 PSD位置传感器实验 (36)

第一章CSY2000G光电传感器实验仪说明 CSY2000G光电传感器实验仪主要有主机箱、传感器装置、实验模板、实验桌四大部分组成 (一)主机箱:供电电源AC220V,50HZ。额定功率200W。 1、有实验所需的电源、压力源 0-12V连续可调直流稳压电源。 0-5V连续可调直流稳压电源。 ±15V、+12V、+5V稳压电源。 2、显示压力源:气压量程4-20KPa(通过调节玻璃转子流量计、旋钮、气压输出大小可调) 电流表:DC20μA-20mA(量程三档切换) 电压表:DC200mV-20V(量程三档切换) 光功率计:1999mW 光照度计:1999Lx 频率/转速表:f:0-9999Hz、n:0-9999 r/min 计时器(秒表):9999S 气压表:4-40 KPa 3、温控仪: PID位式调节仪:0-2000C (二)传感器装置 光学传感器由底座,升降支架、遮光筒、滑轨等组成,可卸式活动安装各种光电器件探头,光源等。 1、光敏器件及传感器 光敏电阻 光敏二极管 光敏三极管 红外光敏二极管(光接受)

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验一实验总结 名:赵儒桐 学号:S1******* 专业:信息与通信工程学院:电子信息工程2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概 念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱 为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630 纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当 光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来 改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也 是增加的。测得实验数据如表2-1 : 光敏电阻光照特性实验数据 光照度 (Lx ) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24 表2-1光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据 型号:G5528 电压 (U ) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度 (Lx ) 50 电流 (mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 1.42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流 (mA 0 0.09 0 .19 0. 28 0.3 3 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流 (mA 0.12 0 .24 0. 37 0.4 9 0.62 0.74 0.87 0. 98 1.1 2 1.19 通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增 大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的, 得 到 数据如表2-2。 光敏电阻光照特性实验曲线 图2.1

实验报告_光电效应实验

南昌大学物理实验报告 学生姓名: 学号: 专业班级:材料124班 实验时间:10时00分 第十一周 星期四 座位号:28 一、 实验名称: 光电效应 二、 实验目的: 1、通过实验深刻理解爱因斯坦的光电效应理论,了解光电效应的基本规律; 2、掌握用光电管进行光电效应研究的方法; 3、学习对光电管伏安特性曲线的处理方法,并用以测定普朗克常数。 三、实验仪器: 光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片、光阑、光电管、测试仪 四、实验原理: 1、 光电效应与爱因斯坦方程 用合适频率的光照射在某些金属表面上时,会有电子从金属表面逸出,这种现象叫做光电效应,从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象,爱因斯坦提出了“光量子"的概念,认为对于频率为γ的光波,每个光子的能量为E h ν=,其中 h =6.626 s J ??-3410为普朗克常数。 按照爱因斯坦的理论,光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时,光子把全部能量传递给电子,电子所获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的约束,其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程: 21 2h m W νυ=+ (1) 式中, 为入射光的频率,m 为电子的质量, 为光电子逸出金属表面的初速度,W 为被 光线照射的金属材料的逸出功,1/2mv 2 为从金属逸出的光电子的最大初动能。 由(1)式可见,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能必然也越大,所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流,甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极,直至阳极电位低于某一数值时,所有光电子都不能到达阳极,光电流才为零.这个相对于阴极为负值的阳极电位0U 被称为光电效应的截止电压。 显然,有 eu 0-1/2m v2 =0 (2) 代入上式即有 0h eU W ν=+ (3) 由上式可知,若光电子能量h + W,则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是 0 =W /h,通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功,因而 也不同.由

光电信号的检测方法(莫尔拓扑图)

第五章:光电信号的检测方法 单频光相位调制和条纹检测 在使用窄光束单频光波相位调制的干涉测量中,干涉条纹的形成和检测是在光束重叠的较小空间范围内进行的,通常采用单元光电器件检测局部位置上的干涉条纹波数或相位随时间的变化。 1.单频光的相位调制 在单一频率相干光路中,被测量使相干光波的相位发生变化,同时通过干涉作用把波相位的变化变换为振幅的变化,这个过程称单频光波的相位调制或称相幅变换。由前面的公式可知,能引起相位变化的参量是光路长L和介质折射率n。因此相位调制通常是利用不同形式的干涉仪,借助机械的、光学的、光电子学等变换器伴将被测量的变化转换为光路长L 和折射率n的变化。前者用来检测几何和机械运动参量,后者用于分析物质的理化特性。 为了定量描述被测参量对相位调制的影响,采用规一化相位响应表示在单位长度的光路内由被测参量引起的相位变化。 (1/L)(dφ/dF)=(2π/λ0)[dn/dF+(n/L)(dL/dF)] 式中,(1/L)(dφ/dF)为规一化相位响应,L为干涉光路长度,F为被测参量。 等式右端两项分别表示折射率变化和光路长度变化引起的相位响应。上式可用来衡量相位调制的各种类型光学干涉仪和光纤干涉仪的工作特性。 1)光学干涉仪相位调制 通常作为相位调制用的光学干涉仪有迈克尔逊干涉仪、吉曼干涉汉、马赫-泽德干涉仪、萨纳克干涉仪和法布里-珀罗干涉仪等。下图给出了它们的原理示意图。 典型的光学干涉仪原理示意图 除了法布里-珀罗干涉仪外,前述干涉仪皆属双光束干涉。干涉强度分布满足公式。图a的迈克尔逊干涉仪其特点是结构简单,条纹对比度好,信噪比高。测量镜M2与被测物连接可以感知位移、变形等参量。由于M2的位移量Δx引起测量光路2Δx的变化,即λ/2的位移引起干涉条纹一个周期的变化,所以条纹的计数和被测位移的计算关系简单。它的测量灵敏度达10-13m的数量级。其缺点是输出光束能经分束镜返回激光器,这将使激光器工作不稳定,这可以通过设置偏振器来防止。图b是吉曼干涉仪。同样厚度的二块玻璃板背面镀以反射膜,利用两玻璃表面的反射形成光束的分束和再合成。由于两光路的光程差很小,即使相干性较差的光源也可进行精密测量。它主要用来测定透光物质(例如气体)的折射率,可进行标准试样和被测试样的比较测量。若试样长度为L,条纹测量精度为λ/50,则折射率误差在δn=λ/50L之内。图c是马赫-泽德干涉仪,由二片分束镜和二片反射镜组成。输出分束镜有两束干涉光输出,可用于布置多路接收器,它的返回散射光较少,有利于降低激光的不稳定噪声。被测位移的引入通过可移动反射镜进行,位移范围不能超过相干光束的截面。

光电探测器特性测试实验

光电探测器特性测试实验 光电探测器是一种将辐射能转换成电讯号的器件,是光电系统的核心组成部分,在光电系统中的作用是发现信号、测量信号,并为随后的应用提取某些必要的信息。光电探测器的种类很多,新的器件也不断出现,按探测机理的物理效应可分为两大类:一类是利用各种光子效应的光子探测器,另一类是利用温度变化的热探测器。 1、光敏电阻 光敏电阻是用光电导体制成的光电器件,又称光导管.它是基于半导体光电效应工作的。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时可加直流电压,也可以加交流电压。当无光照时,光敏电阻值(暗电阻)很大,电路中电流很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减少,因此电路中电流迅速增加。 光敏电阻的暗电阻越大.而亮电阻越小.则性能越好,也就是说,暗电流要小,光电流要大,这样的光敏电阻的灵敏度就高。实际上,大多数光敏电阻的暗电阻往往超过1M欧,甚至高达100MΩ,而亮电阻即使在正常白昼条件下也可降到1kΩ以下,可见光敏电阻的灵敏度是相当高的。 频率特性:非平衡载流子的产生与复合都有一个时间过程,在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应。

光谱响应特性:由所用半导体材料的禁带宽度决定。PbS 2、 光敏二极管 光敏二极管是一种光伏探测器,主要利用了PN 结的光伏效应。对光伏探测器总的伏安特性可表达为 s kT qV s s D I e I I I I --=-=)1(0 式中I 中是流过探测器总电流,I so 二极管反向饱和电流,I s 是光照时的光电流,q 是电子电荷,V 是探测器两端电压,k 为玻耳兹曼常数,T 器件绝对温度。 当入射光的强度发生变化,通过光敏二极管的电流随之变化,于是在光敏二极管的二端电压也发生变化。光照时导通,光不照时,处于截止状态,并且光电流和照度成线性关系。 光照特性:输出的饱和光电流与光照度之间的关系。 光谱特性:取决于所采用材料的禁带宽度,同事也与结构工艺有着密切的关系。 频率特性:由光生载流子的渡越时间和L R j C 的乘积决定。 伏安特性:在零偏压下,光电二极管仍有光电流,这是光生伏特效应所产生的短路电流。 3、 光敏三极管 在光敏二极管的基础上,为了获得内增益,就利用了晶体三极管的电流放大作用,用Ge 或Si 单晶体制造NPN 或PNP 型光敏三极管。 光敏三极管可以等效一个光电二极管与另一个一般晶体管基极和集电极并联:集电极-基极产生的电流,输入到三极管的基极再放大。不同之处是,集电极电流(光电流)由集电结上产生的I φ控制。集电极起双重作用:把光信号变成电信号起光电二极管作用;使光电流再放大起一般三极管的集电结作用。一般光敏三极管只引出E 、C 两个电极,体积小,光电特性是非线性的,广泛应用于光电自动控制作光电开关应用。

光电检测技术实验讲义

光电检测技术实验指导书 电气工程学院

目录 实验一半导体激光器工作域值及输出功率特性的测量 (2) 实验二半导体激光器输出光谱特性曲线的测量 (9) 实验三光电探测原理及特性测试(综合性) (13) 实验四* CCD输出特性及二值化处理实验 (22) 实验五 PSD位移传感器特性实验 (28) 实验六反射式光纤位移传感器原理及定标实验 (32) 实验七光电报警系统设计(设计性) (38)

实验一 半导体激光器工作域值及输出功率特性的测量 一、实验目的 测试半导体激光器工作域值,测量输出功率-电流(P-I )特性曲线和输出功率的稳定性,从而对半导体激光器工作特性有个基本了解。 二、实验内容 1、测试YSLD3125型半导体激光器工作域值。 2、测试YSLD3125型半导体激光器输出功率与电流(P-I )特性曲线。 3、测试YSLD3125型半导体激光器注入电流为30mA 时输出功率的稳定性。 三、实验仪器 1、YSLD3125型半导体激光器(带尾纤输出,FC 型接口) 1只 2、ZY606型LD/ LED 电流源 1台 3、光功率计 1台 4、万用表 1只 四、实验原理 1、激光器一般知识 激光器是使工作物质实现粒子数反转分布产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而产生激光振荡的。激光,其英文LASER 就是Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation (受激辐射的光放大)的缩写。 激光的本质是相干辐射与工作物质的原子相互作用的结果。尽管实际原子的能级是非常复杂的,但与产生激光直接相关的主要是两个能级,设E u 表示较高能级,E l 表示较低能级。原子能在高低能级间越迁,在没有外界影响时,原子可自发的从高能级越迁到低能级,并伴随辐射一个频率为 h E E l u /)(-=ν 的光子,这过程称自发辐射。 若有能量为l u E E h -≥ν的光子作用于原子,会产生两个过程,一是原子吸收光子能量从低能级越迁到高能级,同时在低能级产生一个空穴,称为受激越迁或受激吸收,此激发光子消失;二是原子在激发光子的刺激下,从高能级越迁到低能级,并伴随辐射一个频率 h E E l u /)(-=ν 的光子,这过程称受激辐射。 受激辐射激发光子不消失,而产生新光子,光子增加,而且产生的新光子与激发光子具有相同的频率、相位和偏振态,并沿相同的方向传播,具有很好的相干性,这正是我们所需要的。 受激辐射和受激吸收总是同时存在的,如果受激吸收超过受激辐射,则光子数的减少多于增加,总的效果是入射光被衰减;反之,如果受激辐射超过受激吸收,则入射光被放大。实现受激辐射超过受激吸收的关键是维持工作物质的原子粒子数反转分布。所谓粒子数反转分布就是工作物质中处于高能级的原子多于处于低能级的原子。所以原子的粒子数反转分布是产生激光的必要条件。 实现粒子数反转可以使受激辐射超过受激吸收,光在工作介质中得到放大,产生激光,但工作介质的增益都不足够大,若使光单次通过工作介质而要产生较强度的光,就需要很长的工作物质,实际上这

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