模拟电路第2章习题
《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 （带反馈Re）
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课（一）
共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课（一）
共基小信号（微变）等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课（一）
直流等效电阻 RD：
RD
VD ID
交流（动态）电阻 rd：
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课（一）
共射（共E）BJT工作原理
以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏
模拟电子技术基础 第二章练习题
注意:答案仅供参考！ 一、填空题1。
半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。
2。
放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 大 ；若负载电阻R L 变小时，其电压增益将变 小 。
4. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic 偏大 ;若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6。
静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真；Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7。
对于下图所示电路，设V CC =12V ，R b =510k Ω，R c =8 k Ω,V BE =0.7V ，V CE(sat ）=0.3V ，当β=50,静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.1mA ，管压降V CEQ = 3。
2V ；若换上一个当β=80，静态电流I BQ = 22μA ，I CQ = 1.46mA ，管压降V CEQ = 0.3V ，三级管工作在 饱和 状态。
8.对于下图所示电路，设V CC =12V ，三级管β=50，V BE =0。
7V ，若要求静态电流I CQ =2mA ，V CEQ =4V ，则电路中的R b = 282。
5 k Ω ，R C = 4 k Ω 。
9。
对于下图所示电路，已知V CC =12V ，R b1=27 k Ω,R c =2 k Ω，R e =1 k Ω，V BE =0。
7V,现要求静态电流I CQ =3mA ，则R b2= 12 k Ω .10.已知图示的放大电路中的三级管β=40，V BE =0。
7V,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流I BQ = 0.275mA ，I CQ = 11mA ，管压降V CEQ = 3V 。
11。
当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数β 增大 ,穿透电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE | 减小 。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电路2习题及解答
Au Uo / Ui 1.2 / 0.02 60
Ai
io
/ ii
Uo / RL
Us Ui /
Rs
1.2 /1
0.03 0.02 / 0.6
72
Ap Au Ai 60 72 4320
Au dB 20 lg Au 20 lg(60) 35.6dB Ai dB 20 lg Ai 20 lg(72) 37.1dB
Au＝60（35.6dB），Ai＝72（37.1dB），Ap＝4320（36.4dB），Ri＝1.2kΩ，Ro＝0.5kΩ
4
2. NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝80，
UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝3.3k，RB＝470k，RC＝
（2）Au＝－75，Aus＝－43，Ri＝1.37kΩ，Ro ＝3kΩ
7
5．NPN双极型晶体管共发射极放大电路如图所示，已知晶体管参数为β＝
100，UBE(on)＝0.7V，rbb'＝200，忽略rce。电阻为Rs＝500，RB1＝33k，
RB2＝10k，RC＝4.7k，RE＝2k，RL＝5.1k，电源电压＋VCC＝＋12V。
91
Ri RB1 / / RB2 / /rbe
1
1 1
1
2kΩ
33 10 2.68
Ro RC 4.7kΩ
Aus
Ri
Ri Rs
Au
2 0.5
2
91
73
Rs 500Ω
us
ui
RB2 10kΩ
RL 5.1kΩ
uo
+
RE 2kΩ CE
（1）IBQ＝10.5μA ，ICQ＝1.05mA，UCEQ＝5V （2）Au＝－91，Aus＝－73，Ri＝2kΩ，Ro＝4.7kΩ 8
第二章模拟电路(康华光)课后习题答案
模拟电路（康光华）第二章课后习题答案2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电路第二章课后习题答案
解:①电路产生饱与失真;
②应降低Q点,为此可增大Rb2或减小Rb1。
本题得意图就是用图解法分析波形失真。
◆题2-9试作出图P2-9中所示放大电路得负载线。已知:Rb=560kΩ,Rc＝5、1kΩ,R1=R=10kΩ,RL＝1MΩ,两个直流电源均为12V,三极管得输出特性曲线如图P2-6(b)所示。
本题得意图就是掌握放大电路得组成原则与放大原理。
◆题2-2试画出P2-2中各电路得直流通路与交流通路。设电路中得电容均足够大,变压器为理想变压器。
解:
本题得意图就是掌握直流通路与交流通路得概念,练习画出各种电路得直流通路与交流通路。
◆题2-3在NPN三极管组成得单管共射放大电路中,假设电路其她参数不变,分别改变以下某一项参数时,试定性说明放大电路得IBQ、ICQ、UCEQ将增大、减小还就是不变。① 增大Rb;②增大VCC;③增大β。
解:
①
②
③
④
本题得意图就是理解分压式稳定Q放大电路中各种参数变化时对Q点与电压放大倍数得影响。
◆题2-5设图P2-5中得三极管β＝100,UBEQ=0、6V,VCC＝12V,Rc＝3kΩ,Rb=120kΩ。求静态工作点处得IBQ、ICQ与UCEQ值。
解:
本题得意图就是学习运用静态分析得基本方法求解一个简单得但课堂上并未讲过得放大电路得静态工作点。
◆题2-6已知图P2-2(a)中:Rb=510kΩ,Rc=10kΩ,RL=1、5kΩ,VCC＝10V。三极管得输出特性如图(b)所示。①试用图解法求出电路得静态工作点,并分析这个工作点选得就是否合适;②在VCC与三极管不变得情况下,为了把三极管得静态集电极电压UCEQ提高到5V左右,可以改变哪些参数？如何改法？③在VCC与三极管不变得情况下,为了使ICQ=2mA,UCEQ=2V,应改变哪些参数？改成什么数值？
模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案
习题2-1 如图2-51所示，判断三极管处于截止、放大还是饱和状态？ 解：a 放大状态。
b 饱和状态。
c 截止状态。
d 放大状态。
2-2 在电路中，三极管各管脚对地电位，试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极，该管是NPN 还是PNP ，硅管还是锗管？（1）U A =3.8V ，U B =3.1V ，U C =8V ； （2）U A =7.2V ，U B =7V ，U C =3V 。
解：（1）A 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.7V ，则B 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是NPN 型硅管。
（2）B 是三极管基极；根据三极管发射结正偏，导通的特点，导通压降为0.2V ，则A 是三极管发射极，C 是三极管集电极；该管是PNP 型锗管。
2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ，P CM =100mW ，U （BR ）CEO =15V ，试分析下列条件下，三极管能否正常工作？（1）I C =15m A ，U CE =8V ； （2）I C =19mA ，U CE =3V ； （3）I C =30mA ，U CE =4V 。
解：（1）U CE =8V ＜U （BR ）CEO ，I C =15mA ＜I CM ，P C =U CE I C =120mW ＞P CM ，所以不能正常工作。
（2）U CE =3V ＜U （BR ）CEO ，I C =19m A ＜I CM ， P C =U CE I C =57mW ＜P CM ，所以能正常工作。
（3）U CE =4V ＜U （BR ）CEO ，但I C =30mA ＞I CM ，所以不能正常工作。
2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用，简单说明理由。
图2-51 习题2-1图abcd2V解：a 无放大作用。
电源极性与三极管不符。
b 无放大作用。
I B =0。
c 无放大作用。
交流通路输入短路。
d 无放大作用。
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第二章作业答案详解完整版
2.7 (b) λ=γ=0 , VTH=0.7V
• 当0<Vin<1.3V时，M1工作在线性区，则 V I D out R1
M1 2V
Vout R1
+ Vin -
1 W nCOX [2 (2 Vout 0.7)(Vin Vout ) (Vin Vout ) 2 ] 2 L
1 W 1 W 2 I X nCOX [2 0.2(VX 1) (VX 1) ] nCOX (1.4 VX )(VX 1) 2 L 2 L W W g m nCOX VDS nCOX (Vx 1) L L
③ 当VX≥1.2V时,MOS管工作在饱和区
• 当Vin≥1.3V时，M1工作在饱和区，则
M1 2V R1
+ Vin Vout
ID
Vout
1 W nCOX (2 Vout 0.7) 2 R1 2 L
2.7 (c) λ=γ=0 , VTH=0.7V
当0<Vin<2.3V时，M1工作在线性区，则 V I D out R1 •
3
2
Cox
0 sio
tox
2
3.837 103 F / m2
a) PMOS管： 假设阈值电压VTH= -0.8V,不考虑亚 阈值导电 ① 当| VGS | <0.8V 时，PMOS管工作在截止区，则ID=0 ② 当| VGS | ≥0.8V时， PMOS管工作在饱和区，PMOS
sio 3.9
2
I D 4.8 10 (VSG 0.8)
3
2
Cox
0 sio
tox
2
3.837 103 F / m2
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第二章习题（1）
学号姓名
2-1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为V A=-9V，V B=-6V，V C=-6.2V，试分析A、B、C中哪个是基极b，发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
2-2某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图所示，用万用表直流电流档测得I A=-2mA，I B=-0.04mA，I C=2.04mA，试分析A、B、C中哪个是基极b，发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管,它的 为多少？
B
C
2-3BJT输出特性曲线及电路如图所示。
V CC=12V，I BQ=30μA，R C=1kΩ，求该电路中的I CQ和V CEQ的值。
2-4试求：1）V CC，静态电流I BQ、I CQ和管压降V CEQ的值；2）电阻R b、R c的值；
3）输出电压的最大不失真幅度约为多少；4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？
第二章习题（2）
学号姓名
2-5β=60。
1）用估算法求Q点；2）求输入电阻r be；3）用小信号模型分析法求A V；4）电路其他参数不变，如果要使V CEQ=4V，求上偏流电阻为R b1？
12V
R L
Ω
2-6设信号源内阻R s=600，BJT的 =50。
1）画出该电路的小信号等效电路；2）求该电路的输入电阻R i和输出电阻R o；3）当v s=15mV时，求输出电压v o。
第二章习题（3）
学号姓名
2-7以下电路各属于何种组态？其输出电压v o的波形是否正确？若有错，请予以改正。
2-8已知R b=260kΩ，R e=R L=5.1kΩ，R s=500Ω，V EE=12V，β=50。
试求1）电路的Q点；2）电压增益、输入电阻和输出电阻；3）若v s=200mV，求v o。
2-9分别求电压增益、输入电阻和输出电阻。
1）v s2=0，从集电极输出；2）v s1=0，从集电极输出；3）v s2=0，从发射极输出。