陶瓷覆铜板的覆铜工艺和陶瓷电路板厚膜工艺有何区别
薄膜与厚膜技术介绍与对比
薄膜与厚膜技术介绍与对比薄膜与厚膜技术相对于三维块体材料，所谓膜，因其厚度及尺寸比较小，一般来说可以看做是物质的二维形态。
利用轧制、捶打、碾压等制作方法的为厚膜，厚膜（自立膜）不需要基体、可独立成立；由膜的构成物堆积而成的为薄膜，薄膜（包覆膜）只能依附在基体之上。
膜的主要功能分为三种：电气连接、元件搭载、表面改性。
1.电气连接。
电路板及膜与基板互为一体，元器件搭载在基板上达到与导体端子相互连接。
2.元件搭载。
不论采用引线键合还是倒装片方式，芯片装载在封装基板上需要焊接盘。
而元器件搭载在基板上，不论采用DIP还是SMT方式都依赖导体端子，其中焊接盘和导体端子都是膜电路重要的部分。
3.表面改性。
通过膜的使用可以使材料在某些性能上得到改性，如增加材料的耐磨性、抗腐蚀性、耐高温性等等。
薄膜技术介绍一、薄膜材料1.导体薄膜主要用于形成电路图形，为半导体芯片、元件、电阻、电容等电路搭载部件提供金属化及相互引线。
值得注意的是，成膜后造成膜异常的原因包括：严重的热适配导致应力过剩，膜层的剥离导致电路断线；物质物理性质的原因，如热扩散、电迁移、反应扩散等。
2.介质薄膜因其优良的电学性、机械电性及光学电性在电子元器件、光学器件、机械器件等领域具有较大应用。
其成膜方法有MO、CVD、射频磁控溅射、粒子束溅射等。
3.电阻薄膜常用的制作方法有真空蒸镀、溅射镀膜、电镀、热分解等。
4.功能薄膜在传感器、太阳能电池、光集成电路、显示器、电子元器件等领域具有广泛的应用。
二、成膜方法1.干膜。
真空蒸镀原理为镀料在真空中加热、蒸发，蒸汽析出的原子及原子团在基板上形成薄膜；溅射镀膜原理为将放电气体导入真空，通过离子体中产生的正离子的加速轰击，使原子沉积在基板上；CVD指气态原料在化学反应下形成固体薄膜在基板上形成沉积的过程。
2.湿膜。
依据电场反应，金属可在金属盐溶液中析出成膜。
其中，电镀的还原能量由外部电源提供；化学镀利用添加还原剂的方法，促成分解成膜。
【精品文章】一文了解AlN陶瓷表面金属化技术
一文了解AlN陶瓷表面金属化技术
AlN陶瓷具有优异的热传导性、高温绝缘性、低介电常数以及与Si相近的热膨胀系数等性能，其作为基片材料，广泛应用于航空、航天及其它智能功率系统，被认为是新一代高集程度半导体基片和电子器件封装的理想材料，受到了国内外广泛重视。
AlN作为基片材料用于微电子系统封装中，在其表面进行金属化是非常必要的。
下面小编就AlN陶瓷表面金属化技术进行简要介绍。
一、AlN陶瓷表面金属化技术
目前，AlN陶瓷金属化的方法主要有薄膜法、厚膜法、直接敷铜法、化学镀法等。
1、薄膜法
薄膜法是采用真空蒸镀、离子镀、溅射镀膜等真空镀膜法将膜材料和AlN陶瓷表面结合在一起。
在AlN陶瓷表面金属化过程中，金属膜层与陶瓷基板的热膨胀系数应尽量一致，以提高金属膜层的附着力。
AlN陶瓷薄膜金属化主要是依靠固态置换反应使金属层和陶瓷基片连接在一起，对于Ti、Zr等活性金属，其反应吉布斯自由能为负值，反应容易实现。
目前，研究最多的是Ti浆料系统，Ti层一般为几十纳米，对于多层薄膜，则在Ti 层上沉积Ag、Pt、Ni、Cu等金属后进行热处理。
AlN陶瓷基片材料
薄膜法优点是：金属层均匀，结合强度高。
缺点是：设备投资大，制作困难，难以形成工业化规模。
2、直接敷铜法。
陶瓷基覆铜板与陶瓷基板
陶瓷基覆铜板与陶瓷基板大家都知道有有机树脂基板、金属基板、陶瓷基板，大家同样也都知道基材需要覆铜，那么这些个基板的覆铜工艺大家清楚吗？可能大家只是知道个厚膜薄膜，这里面的门道深着呢。
首先说说有机树脂覆铜板，基本都是采用热压方式将铜箔给粘合到板材上，为了结合力的考虑，中间还需要加上胶布进行粘合，总体来讲覆铜方式简单明了，有单面覆铜的，也有双面覆铜的，有一种处理方式是将基材分割为多块，用胶将其包裹在中间然后进行覆铜，从结合力上来讲，已经达到有机树脂覆铜板的巅峰。
金属基板覆铜与有机树脂覆铜板相仿，基本都是采用热压合将铜箔粘合到绝缘层上面，因为金属基板都需要绝缘层的原因，所以导致其导热性能、热膨胀系数都不会很好，如果不从导热上来看，性价比是没有传统树脂基板高的。
陶瓷基覆铜板就不一样了，由于陶瓷基板是不需要绝缘层的，那么表面金属化处理就有很大难度了，要将陶瓷与铜箔进行结合。
最开始是HTCC技术，就是高温共烧技术，在1600摄氏度下，将陶瓷粉末与钨、钼、锰等高熔点金属进行烧结，其结合力差不多在3-5KG，但是因为钨、钼、锰等高熔点金属的导电性能并不是很好，而且烧结需要的温度很高，成本上面比普通玻纤板并不占优势。
1982年美国的休斯公司就觉得HTCC技术太LOW了，就自己开发了LTCC技术，也就是低温共烧技术。
就是先在基材上面用激光打孔，然后插入各种被动组件，再附上铜电极，然后在900摄氏度下进行烧结，可以制作三维立体的陶瓷电路板。
随着技术的发展，慢慢的在这方面的研究越来越深，终于研究出了DPC技术，也就是薄膜工艺，将高温铜浆直接溅射到基材表面，但是因为结合的铜面比较薄，所以蚀刻之后还要进行电镀增厚。
这时已经与金属覆铜、有机树脂覆铜差不多了。
但是，由于其生产流程长、制造工艺复杂、价格高昂，不适于大批量快速制造。
在这个电子时代，没办法快速批量制造的话，就意味着没办法争夺庞大的市场。
于是在钱的推动力下，科学家们又研发出了DBC技术。
陶瓷基板厂家分享陶瓷电路板的厚膜工艺
陶瓷基板厂家分享陶瓷电路板的厚膜工艺陶瓷电路板有厚膜陶瓷板，薄膜陶瓷板，今天小编分享一下陶瓷电路板的厚膜工艺。
一，什么是“厚膜工艺”厚膜工艺就是把专用的集成电路芯片与相关的电容、电阻元件都集成在一个基板上，在其外部采用统一的封装形式，做成一个模块化的单元。
这样做的好处是提高了这部分电路的绝缘性能、阻值精度，减少了外部温度、湿度对其的影响，所以厚膜电路比独立焊接的电路有更强的外部环境适应性能。
二，陶瓷电路板厚膜工艺技术高温超导材料厚膜工艺，是用超导陶瓷材料微粉与有机粘合溶剂调和成糊状浆料，用丝网漏印技术将浆料以电路布线或图案形式印制在基底材料上，经严格热处理程序进行烧结，制成超导厚膜，厚度可在15－80μm范围。
该膜层超导转变温度在90K以上，零电阻温度在80K以上。
一种制备高温（Tc）超导陶瓷材料厚膜工艺，其特征在于该工艺包括调浆、制膜及热处理，所说调浆是将400－500目氧化物超导陶瓷微粉加入有机粘合剂调和成糊膏状，其固/液=3－5/1；制膜是用丝网漏印或直接涂刷，将所调浆料印刷在基底材料上；再经热处理烧结成超导膜层，该热处理全过程均在氧气气氛下进行，先在80－90℃烘干0．5小时左右，在管式炉中以2－3℃/分速率升温，各段温度及保持时间顺序为：150℃/1－3小时，400℃/1－4小时，850℃/1．5－3小时，950－1100℃/2－4小时，然后随炉降温至800℃/2－4小时，400℃/3－5小时，最后自然冷却至室温。
可见陶瓷电路板的厚膜工艺也是需要精细的流程和技术的，市场的陶瓷基板，除了厚膜工艺还有DPC工艺等，更多陶瓷电路板详情咨询金瑞欣特种电路官网。
一，什么是“厚膜工艺”厚膜工艺就是把专用的集成电路芯片与相关的电容、电阻元件都集成在一个基板上，在其外部采用统一的封装形式，做成一个模块化的单元。
这样做的好处是提高了这部分电路的绝缘性能、阻值精度，减少了外部温度、湿度对其的影响，所以厚膜电路比独立焊接的电路有更强的外部环境适应性能。
4、覆铜板简介
2.2、覆铜板的组成——树脂 树脂——Resin
树脂有两个作用，既作为介电材料，又作为粘合剂 (Bonding Agent)。 树脂分为热固性(Thermosets)及热塑性(Thermoplastics) 两种。 热固性树脂提供优良的可操作性，而应用不同的树脂可 获得不同的电气性能。制造线路板主要使用的是热固性树脂。 热塑性树脂具有优异的电气性能，但处理热塑性材料需 要特别的设备与参数，因此许多厂商均开发新的热固性材料 用于代替热塑性材料。
2.1、覆铜板的组成——铜箔 铜箔——Copper Foil铜箔的作用是用于形成表面线路，进行
导通。铜箔按生产工艺主要分两类： 1、电解铜箔 ED Foil-Electrodeposited Foil a、通过电镀的方法，在硫酸铜镀液环境下，巨型镀槽的阴阳极距离非 常小， 由不锈钢制作的阴极轮以高速旋转冲击镀液，加上高电流(600ASF)， 在光 滑的滚轮表面可撕出片状连续的铜箔，经后处理成为商品铜箔。 b、朝滚轮的一面称光面（Drum Side），朝镀液的一面称毛面（Matte Side）。 c3、应用在绝大多数的线路板上，主要是硬板（Rigid Board）。 2、压延铜箔（rolled-wrought copper Foil） 通过对铜板多次辊轧制成原箔，然后根据不同要求进行粗化、耐热层、 防氧化等处理而制得。 由于工艺的限制，其幅宽有限，难以满足刚性覆铜板的生产，主要用于 挠性覆铜板的生产。它属片状晶体结构，强度韧性高，同时因其致密度高表 面平滑，制成PCB后信号传输速率高，因此也用于高频高速传送和精细线路 的PCB上。
CH CH2 O
C CH3
O CH2 CH CH2 OH n 粘接性、反應性
直接敷铜陶瓷基板(DBC)与直接镀铜陶瓷基板(DPC)的区别总结：原理工艺、优缺点、关键技术
直接敷铜陶瓷基板（DBC）与直接镀铜陶瓷基板（DPC）的区别总结：原理工艺、优缺点、关键技术陶瓷基板又称陶瓷电路板，包括陶瓷基片和金属线路层。
对于电子封装而言，封装基板起着承上启下，连接内外散热通道的关键作用，同时兼有电互连和机械支撑等功能。
陶瓷具有热导率高、耐热性好、机械强度高、热膨胀系数低等优势，是功率半导体器件封装常用的基板材料。
从结构与制作工艺而言，陶瓷基板又可分为高温共烧多层陶瓷基板（HTCC）、低温共烧陶瓷基板（LTCC）、厚膜陶瓷基板（TFC）、直接敷铜陶瓷基板（DBC）、直接镀铜陶瓷基板（DPC）等等。
其中直接敷铜陶瓷基板和直接镀铜陶瓷基板仅有一字之差，但却是两种不同的陶瓷基板制备技术，今天我们来看一看这两种陶瓷基板各蕴含着怎样的玄机。
原理工艺不同直接敷铜陶瓷基板（DBC）直接敷铜陶瓷基板(DBC)是在铜与陶瓷之间加入氧元素，在1065~1083℃温度间得到Cu-O共晶液，随后反应得到中间相（CuAlO2或CuAl2O4），从而实现Cu 板和陶瓷基板化学冶金结合，最后再通过光刻技术实现图形制备，形成电路。
DBC基板制备工艺流程DBC陶瓷基板分为3层，中间的绝缘材料是Al2O3或者AlN。
Al2O3的热导率通常为24W/(m·K)，AlN的热导率则为170W/(m·K)。
DBC基板的热膨胀系数与Al2O3/AlN相类似，非常接近LED外延材料的热膨胀系数，可以显著降低芯片与基板间所产生的热应力。
直接镀铜陶瓷基板（DPC）直接镀铜陶瓷基板(DPC)是将陶瓷基板做预处理清洁，利用半导体工艺在陶瓷基板上溅射铜种子层，再经曝光、显影、蚀刻、去膜等光刻工艺实现线路图案，最后再通过电镀或化学镀方式增加铜线路的厚度，移除光刻胶后即完成金属化线路制作。
各自优缺点不同直接敷铜陶瓷基板（DBC）优点：由于铜箔具有良好的导电、导热能力，而氧化铝能有效控制Cu-Al2O3-Cu复合体的膨胀，使DBC基板具有近似氧化铝的热膨胀系数，因此，DBC具有导热性好、绝缘性强、可靠性高等优点，已广泛应用于IGBT、LD和CPV封装。
陶瓷覆铜板 amb工艺
陶瓷覆铜板 amb工艺陶瓷覆铜板（Ceramic Copper Clad Laminate, 简称CCL）是一种用于电子电路的基板材料，它将陶瓷和铜材料结合在一起，具有优异的电气性能和机械性能。
在AMB工艺下，陶瓷覆铜板的制备过程更为精细，可以提高其性能和可靠性。
一、陶瓷覆铜板的基本结构陶瓷覆铜板由多层陶瓷介质层和内外层铜箔组成。
陶瓷介质层通常采用高纯度的氧化铝或氮化铝材料，内外层铜箔通过铜箔粘结层与陶瓷介质层紧密结合在一起。
二、AMB工艺的特点AMB工艺，即Additive Method of Buried Ceramic，是一种新兴的陶瓷覆铜板制备技术。
与传统的多层印制电路板制备工艺相比，AMB工艺具有以下特点：1. 可实现更高的线路密度：AMB工艺通过在陶瓷介质层中添加导电层，使得电路线路可以在不同层之间穿梭，从而实现更高的线路密度。
2. 降低了板厚：传统的多层印制电路板制备过程中，每增加一层电路，板厚将增加。
而AMB工艺中，陶瓷介质层可以更薄，从而降低了整个板厚。
3. 提高了信号传输速度：由于AMB工艺的线路更短，信号传输速度更快，从而提高了整个电路的工作效率。
4. 提高了电路的可靠性：陶瓷材料具有优异的机械性能和热稳定性，可以有效提高电路的抗震动、抗高温和抗湿热的能力，从而提高了整个电路的可靠性。
三、陶瓷覆铜板AMB工艺的制备过程陶瓷覆铜板AMB工艺的制备过程主要包括以下几个步骤：1. 制备陶瓷介质层：首先，选择高纯度的陶瓷材料，通过磨粉、混合和压制等工艺制备出所需的陶瓷介质层。
2. 制备导电层：在陶瓷介质层中，通过AMB工艺添加导电材料，形成导电层。
导电材料通常选择铜粉、银粉等。
3. 制备铜箔：选择高纯度的铜材料，通过化学方法或机械方法制备出所需的铜箔。
4. 组合陶瓷介质层和铜箔：将陶瓷介质层和铜箔通过粘结层进行组合，形成陶瓷覆铜板的基本结构。
5. 进行烧结和压制：将组合好的陶瓷覆铜板进行烧结和压制，使其形成坚固的整体结构。
覆铜陶瓷基板生产流程
覆铜陶瓷基板生产流程一、原料准备。
这就像是做菜之前要准备食材一样重要哦。
陶瓷材料是基础，得选好合适的陶瓷粉末，这个粉末的质量可直接影响到最后基板的性能呢。
而且不同的陶瓷材料有不同的特性，就像人有不同的性格一样。
同时，铜箔也是不可或缺的，要确保铜箔的纯度和厚度符合要求，不然做出来的覆铜陶瓷基板可能就会有点“小脾气”，不好好工作啦。
二、陶瓷基板的制作。
先把陶瓷粉末加工成想要的形状，这可是个精细活。
可以通过一些特殊的工艺，像是干压法或者流延法。
干压法呢，就像是把面粉使劲儿压成饼一样，要控制好压力，压力太大了，陶瓷可能就会“生气”，出现裂缝；压力太小了，又不能成型。
流延法就比较像摊煎饼啦，把陶瓷粉末和一些添加剂混合成浆糊状，然后均匀地涂在一个板子上，再慢慢烘干，就形成了薄薄的陶瓷片。
这一步就像给陶瓷穿上了一件漂亮的衣服，但是这件衣服可得做得合身才行。
三、表面处理。
陶瓷基板做好了，表面还得处理一下，这样铜箔才能更好地和它“亲密接触”。
这就像是给两个人安排相亲之前，得把自己打扮得干干净净的。
通常会对陶瓷表面进行打磨、清洗等操作，把那些小瑕疵都去掉，让表面变得光滑平整，这样铜箔贴上去的时候才会觉得很舒服，两者才能紧紧地黏在一起呢。
四、覆铜工艺。
现在到了关键的覆铜环节啦。
有好几种方法可以把铜箔贴到陶瓷基板上呢。
比如说热压法，就像是给铜箔和陶瓷基板来一场热烈的拥抱，通过高温和压力，让它们融为一体。
这个温度和压力的控制可是很有讲究的，就像谈恋爱一样，火候得刚刚好。
还有电镀法，就像是给陶瓷基板慢慢穿上一层铜的“外衣”，一点一点地把铜镀上去，这个过程也需要很细心地去控制电镀的参数，不然铜层可能就不均匀，就像衣服穿得歪歪扭扭的，不好看啦。
五、后处理。
覆铜完成后，还不能马上就大功告成。
还得进行一些后处理呢。
比如对覆铜陶瓷基板进行切割，把它切成我们需要的大小和形状。
这就像是给做好的蛋糕切块一样，要切得整齐漂亮。
同时，还得进行一些检测，看看有没有什么缺陷，比如铜层有没有脱落啊，陶瓷基板有没有损坏啊之类的。
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陶瓷覆铜板板的覆铜工艺和陶瓷电路板厚膜工艺有何区别
陶瓷电路板一般是用陶瓷基板经过加工，比如钻孔、蚀刻电路、烧结和表面处理后被应用到实际的产品当中。
陶瓷电路板的工艺有很多种，比如厚膜工艺、薄膜工艺等。
那么陶瓷覆铜板覆铜工艺和厚膜工艺区别是什么？
一，陶瓷覆铜板工艺
什么是陶瓷覆铜板
陶瓷覆铜板一般又叫覆铜陶瓷基板。
使用DBC（Direct Bond Copper）技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。
一般是陶瓷基板经过金属化简单加工，一般不需要做线路。
陶瓷覆铜板的作优越性和作用
覆铜陶瓷基板具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高，覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点，并且它是一种无污染、无公害的绿色产品，使用温度相当广泛，可以从-55℃～850℃，热膨胀系数接近于硅，其应用领域十分广泛：可用于半导体致冷器、电子加热器，大功率电力半导体模块，功率控制电路、功率混合电路、智能功率组件，高频开关电源、固态继电器，汽车电子、航天航空及军用电子组件，太阳能电池板组件，电讯专用交换机、接收系统，激光等多项工业电子领域。
DBC技术的优越性：实现金属和陶瓷键合的方法有多种，在工业上广泛应用的有效合金化方法是厚膜法及钼锰法。
厚膜法是将贵重金属的细粒通过压接在一起而组成，再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上，因此厚膜的导电性能比金属铜差。
钼锰法虽使金属层具有相对高的电导，但金属层的厚度往往很薄，小于25μm，这就限制了大功率模块组件的耐浪涌能力。
因此必须有一种金属陶瓷键合的新方法来提高金属层的导电性能和承受
大电流的能力，减小金属层与陶瓷间的接触热阻，且工艺不复杂。
铜与陶瓷直接键合技术解决了以上问题，并为电力电子器件的发展开创了新趋势。
陶瓷电路板的厚膜工艺
陶瓷电路板的厚膜工艺是在陶瓷基板等材料上面做的加工工艺，"厚膜工艺就是把专用的集成电路芯片与相关的电容、电阻元件都集成在一个基板上，在其外部采用统一的封装形式，做成一个模块化的单元。
这样做的好处是提高了这部分电路的绝缘性能、阻值精度，减少了外部温度、湿度对其的影响，所以厚膜电路比独立焊接的电路有更强的外部环境适应性能"
高温超导材料厚膜工艺，是用超导陶瓷材料微粉与有机粘合溶剂调和成糊状浆料，用丝网漏印技术将浆料以电路布线或图案形式印制在基底材料上，经严格热处理程序进行烧结，制成超导厚膜，厚度可在15－80μm范围。
该膜层超导转变温度在90K以上，零电阻温度在80K以上。
三，覆铜工艺与厚膜工艺比较
项目覆铜工艺厚膜工艺
导电线路金属成份纯铜导线具有性能优良，不易氧化，不
会随着时间变化产生化学变化等优势。
银钯合金，具有易氧化，易迁移，稳
定性较差等劣势。
金属与陶瓷的结合力PCB行业结合力能达到18-30兆帕，
陶瓷电路板结合强度是45兆帕，结合
力强，不会脱落，物理性能稳定。
结合力差，会随着应用时间的推移而
不断老化，结合力越来越差。
线路的精度、表面平整度和稳定性使用蚀刻方式，线路边缘整齐无毛刺，
非常精细，精度较高。
斯利通陶瓷电路
板覆铜厚度在1μm～1mm间定制，
线宽、线径可以做到20μm。
使用印刷方式，产品较为粗糙，印刷
线路边缘易产生毛刺和缺口，覆铜厚
度在20μm以下，最小线宽和线径达
0.15mm。
线路位置
准确度使用曝光显影方法，位置精确度很高。
丝网印刷，会随着丝网张力和印刷次
数增加而使精准度发生偏差。
线路表面处理表面处理工艺包括镀镍，镀金，镀银，
OSP等。
银钯合金。
覆铜板覆铜工艺和厚膜工艺还是有各自的优势和劣势的，选择使用哪种，就看具体产品功能应用的需求。
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