薄膜材料与制备工艺

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2 3cos cos3 * 为均匀形核时的形核功;θ为浸润角。由此 ] 。式中, G均 4 可以判断:当薄膜能够充分浸润衬底时,薄膜的形核功为 0。 (10 分)
*Βιβλιοθήκη BaiduG* G均 [
7、 简单描述几种成膜因素对薄膜生长模式等方面的影响,如衬底温度,入射粒子动能、通 量,薄膜对衬底的浸润情况等。 (可以用图示) (15 分) 8、 自行查找资料,简单描述薄膜原位测量手段反射高能电子衍射(RHEED)的原理及其如 何判断薄膜生长模式的?(15 分) 9、 自行查找资料,简述一种当前流行的薄膜生长技术的原理及特点。 (10 分)
d d 。其中, 一般均小于 0,因此表 dT dT
K BT (KB 玻尔兹曼常数;T 为绝对温度; v 为凝聚体原子或分子 S。 v (10 的体积;p’为过饱和蒸气压;p 为饱和蒸气压;过饱和度 S 定义为: S ( p ' p) / p )
分) 6、 当 有 衬 底 存 在 时 , 气 体 的 形 核 就 称 作 非 均 匀 形 核 , 证 明 : 形 核 功
《薄膜材料与制备工艺》——2009 级功能材料
1、 真空度对成膜质量是如何影响的?(10 分) 2、 表面能与薄膜生长模式的关系是怎样的?从微观上看, 浸润现象与哪些因素相关, Young 方程可以如何改写?并由此说明,若 A 能够浸润 B,并不能够由此得到 B 也能够浸润 A 的结论。 (10 分) 3、 证明表面能σ与表面张力γ之间满足: T 面能一般都是大于表面张力的。 (10 分) 4、 当衬底与薄膜之间存在失配时,失配应力对薄膜生长有何影响?应力与薄膜的哪种基本 生长模式相关?(10 分) 5、 证明:均匀形核或自由形核时,若令 GV 为单位体积的凝聚体在凝聚过程中的相变(从 气相→凝聚;相)自由能之差,那么 GV 可以简化为 GV K BT p ' ln ;且当过饱和度不高时,上式 v p
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