固体电子器件
绪论
（）导电性
温度可以显著改变半导体导电能力； 微量杂质可以显著改变半导体导电能力； 光照、磁场、电场等外界因素也可显著改变半导体的导电能力； 电子和空穴两种载流子参于导电。
半导体是一类性质可受光、热、磁、电，微量杂质等作用而改变其性质的材料。
绪论
（）分类 组成
元素半导体 无机化合物半导体 有机化合物半导体 液态半导体
静电引力（库仑力），使电子只能在围
能级
绕原子核的轨道上运动。
轨道: 电子云在空间分布几率最大值，即轨道上，电 子出现的几率最大。
半导体中的电子状态
() 晶体中的电子
由于晶体中原子的周期 性排列而使电子不再为单个 原子所有的现象，称为电子 共有化。
+
+
能带
能级
+
+
半导体中的电子状态
() 硅的能带 对于硅或锗晶体，由于³轨道杂 化，本应统一的价带分成上、下各 包含个量子态的能带。 下能带恰好容纳个价电子而形成 满带，上能带则成为没有价电子占 据的空带。
3 半导体中的电子状态
(3) 硅的能带
锗、硅和砷化镓能带结构的简约布里渊图示。
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绪论
（）分类 按原子或分子排列规律性分：
无定形（非晶）
不存在长程有序或 几个尺度内有序
应 无定形硅薄膜 用 加工液晶显示器
多晶
在小区域内 完全有序
多晶硅 太阳能电池
单晶
整个晶体中 排列有序
单晶硅电子器件 集成电路制造
晶体结构
（）晶体的共性 ①均匀性；
②各向异性； ③熔点固定；
④多面体外形； ⑤对称性； ⑥衍射性。
固体电子器件
沈阳工业大学 电子科学与技术系
第一篇 半导体物理基础
绪论 晶体结构 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 载流子 载流子的浓度 载流子的输运
绪论
什么是半导体？
（）导电性 电阻率介于导体与绝缘体之间；
表 导体、半ρ(Ω)
导体 ＜
半导体 ～
绝缘体 ＞
晶体结构
（）硅的结构和特性
+4
+4
+4
+4
晶体结构
（）晶向和晶面
晶体结构
（）硅片鉴别方法
[110 ]
第一篇 半导体物理基础
绪论 晶体结构 半导体中的电子状态 半导体中杂质和缺陷能级 载流子 载流子的浓度 载流子的输运
半导体中的电子状态
() 单个原子中的电子
原子核
电子
+
电子受到原子核和其他电子的共同作用。
半导体器件的原理和应用
半导体器件的原理和应用近年来，随着信息技术的飞速发展，半导体器件逐渐成为支撑现代社会的重要组成部分。
从智能手机到电子游戏机，从电脑到工业自动化，半导体器件的应用范围越来越广泛，其快速的发展也为人们的生活带来了极大的便利。
半导体器件的原理半导体器件是一种能够控制电流的电子元器件，它们的原理基于半导体物理学。
半导体物理学的核心是固体中电子和空穴的扩散，其基本原理和经典电动力学不同。
在半导体中，电子和空穴处于不同的能级上，而且互相之间也会发生相互作用。
这使得电子和空穴在半导体中无法像在金属中那样自由运动。
半导体器件通过控制这些电子和空穴的行为来控制电流的流动。
具体而言，半导体器件可以通过引入掺杂（即将另一种物质添加到半导体中）来改变半导体中电子和空穴的数量和能级分布，以及控制半导体的电阻和导电性。
此外，半导体器件中常常还包含了能够在电场或电压下工作的微小电容器和微型电感器等，并通过将它们与控制晶体管相结合，从而实现了电子设备中的各种功能。
半导体器件的应用半导体器件在通信、信息处理、能源、军事、航天、工业控制等领域发挥着深远的影响。
下面我们将分别介绍几种常见的半导体器件及其应用：1. 整流器整流器是一种将交流电（AC）变成直流电（DC）的装置，其原理是利用半导体器件的电流单向导电特性。
整流器广泛应用于电源、无线电、反向深度充电等领域。
2. 逆变器逆变器是一种将直流电转换成交流电的器件，广泛应用于交流电动驱动器、升压电源、电网与太阳能等电力系统。
3. 晶体管晶体管是半导体器件中最重要的器件之一，它是从真空管器件机械框架中发展出来的。
晶体管的应用范围非常广泛，包括各种计算机、音频设备、消费类电器和通信设备，以及电子储存器等领域。
此外，晶体管还被广泛地用于模拟电路和数字电路中。
4. 光电器件光电器件使用半导体材料的光电效应来将光信号转换为电信号或将电信号转换为光信号。
光电器件包括光电二极管、光敏电阻、光电晶体管和光伏电池等，广泛应用于光通信、光电子计算、显示器和太阳能电池等领域。
电子元器件详解
光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。
7.4、气敏电阻
利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。
7.5、力敏电阻
线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500
非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100
4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。
5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。
1.5金属膜电位器
金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。
1.6导电塑料电位器
用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。
1.2有机实心电位器
有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。
二、电阻器的分类
光电检测技术(第五章 光电成像检测器件)
光电成像器件
1、图像的分割与扫描 图像分割的目的是分割后的电气图像经过扫描才能 输出一维时序信号。 分割的方法：超正析像管利用扫描光电阴极分割像 素、摄像管由电阻海颗粒分割、面阵CCD和CMOS图像传 感器用光敏单元分割。 扫描的方式：与图像传感器的性质有关。真空摄像 管采用电子束扫描方式输出一维时序信号。 具有自扫描功能的：面阵CCD采用转移脉冲方式将电 荷包顺序转移出器件；CMOS图像传感器采用顺序开同行、 列开关的方式完成信号输出。
传送
同步扫描
视频解调
图像再现
显像部分
光电成像系统原理方框图
光电成像器件
在外界照明光照射下或自身发光的景物经成像物镜 成像到光电成像器件的像敏面上形成二维光学图像。光 电成像器件完成将二维光学图像转变成二维“电气”图 像的工作。这里的二维电气图像由所用的光电成像器件 决定，超正析像管为电子图像，视像管为电阻图像或电 势图像，面阵CCD为电荷图像等。电气图像的电气量在 二维空间的分布与光学图像的光强分布保持着线性对应 关系。组成一幅图像的最小单元称作像素，像素单元的 大小或一幅图像所含像素数决定了图像的清晰度。像素 数愈多，或像素几何尺寸愈小，反映图像的细节愈强， 图份愈清晰，图像质量愈高。这就是图像的分割。
光 电 成 像 器 件 （ 成 像 原 理 ）
固体自扫描：CCD 红外变像管 变像管（完成 紫外变像管 图像光谱变换） X射线变像管 非 扫 描 型 串联式 级联式 微通道板式 负电子亲和势阴极
像增强管（图像 强度的变换）
构子常 成透由 镜像 ＆敏 显面 像， 面电
光电成像器件
三、光电成像器件的基本特征 1、光谱响应 光电成像器件的光谱响应取决于光电转换材料的 光谱响应，其短波限有时受窗口材料吸收特性影响。 外光电效应摄像管由光阴极材料决定； 内光电效应的视像管由靶材料决定，CCD摄像器件 由硅材料决定； 热释电摄像管基于材料的热释电效应，它的光谱 响应特性近似直线。
固体电子器件
《固体电子器件》课程教学大纲一、课程说明（一）课程名称、所属专业、课程性质、学分课程名称：半导体器件物理所属专业：微电子科学与工程课程性质：专业必修课学分：4学分（二）课程简介、目标与任务【课程简介】本课程的适用对象是电子工程专业、微电子学专业的本科生，也可供对固体电子器件感兴趣的学生和科技工作者作为参考读本。
本书的主要内容是半导体器件（亦称固体电子器件）的工作原理，基本涵盖了所有的器件大类，反映了现代半导体器件的基础理论、工作原理、二级效应以及发展趋势；同时对许多新型器件和制造技术也有所介绍。
本课程在内容的安排上力求使那些具有物理背景知识的高年级学生对专业知识有更为深入的理解，从而使他们能够阅读关于新器件及其应用的参考文献。
【目标与任务】本课程有两个基本目标和任务：一是对七大类半导体器件的结构、工作原理、特性做全面深入的分析与阐述，对相关的半导体材料和制造工艺也有述及；二是介绍新型纳电子器件及其基本分析方法，这样既便于与电子线路和电子系统等相关课程衔接，也使学生具备分析、设计新型器件的基本能力和方法。
（三）先修课程与后续课程本课程的先修课程包括：半导体材料，半导体物理学，微电子制造工艺。
本课程是后续集成电路分析与设计、微电子专业实验等课程的基础。
（四）教材与主要参考书【课程教材】（1）英文版：Ben G. Streetman and Sanjay Banerjee, Solid State Electronic Devices（Seventh edition）, Pearson Education, Inc., 2015. ISBN 978-0-13-335603-8.（2）中文版：Ben G. Streetman著，杨建红译，《固体电子器件》，电子工业出版社，2016年（在版）。
【主要参考书】施敏（美）著，耿莉译，半导体器件物理，西安交通大学出版社，2013年。
ISBN 978-7-5605-2596-9.二、课程内容与安排第1章晶体性质和半导体生长（略讲，无计划学时）1-1 常用半导体材料的晶体结构1-2 硅块状晶体生长电子级硅（EGS）原料的制备；单晶Si的Czochralski制备方法；Si掺杂技术。
第五章 纳米电子学
2.电子器件、电路、系统设计
纳米结构 量子阱 量子线
物理效应 共振隧穿效应 高迁移率一维电子气
应用 谐振晶体管、电路和系统 超高速逻辑开关、电路和系统
量子点 量子点接触
可集蓄电子原理
极大容量存贮器
库仑阻塞效应、单电子 单电子晶体管、电路和系统(包 振荡和单电子隧穿效应 含单电子开关和单电子存贮器)
扫描探针显微镜（SPM）技术、分子自组装合成技术以及 特种超微细加工技术
3.4.1 三束光刻加工技术
1、光学光刻技术
光学光刻是IC产业半导体加工的主流技术。通过光 学系统以投影方法将掩模上的大规模集成电路器件结 构图形“刻”在涂有光刻胶硅片上的技术。
减小光源的波长是提高光刻分辨率的最有效途径。 光刻蚀使用240nm的深紫外光波，能否突破100nm成 为现有光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。
1、RT>RK; 2、e2/2C>> KBT。
➢ 1、RT>RK的物理意义：当一个隧道结两端施以偏压U
时，电子的隧穿几率Γ＝U/(eR)，那么两次隧穿事件的时间 间隔为1/Γ=eR/U，而由测不准原则所决定的一次隧穿事件的 周期为h/(eU)。因此，必须满足eR/U＞＞h/eU，即R ＞＞h/e2。 这意味着两次隧穿事件不重叠发生，从而保证电子是一个一 个地隧穿。
光刻技术——X射线刻蚀、电子束刻蚀、软X射线刻蚀、
聚焦离子束刻蚀等
微细加工——扫描探针显微镜(SPM)作为工具的超微细
加工技术
第二节 纳米电子器件的分类
2.1纳米器件与纳米电子器件
2、纳米电子器件
➢纳米电子器件满足两个条件——
1、器件的工作原理基于量子效应； 2、都具有相类似的典型的器件结构——隧穿势垒包围“岛” （或势阱）的结构。
常见的电子元器件
10４
10５ 10６ 10７ 10８ 10９
……
±0.5 ±0.2 ±0.1 …… ……
三色环：ＤＤＭ（数字－数字－０的个数）误差：一般为２０％ • 所有电阻读数均由 左向右，对三色环 来说，放置电阻时， 色环集中的一端放 在左面，空白的一 端放在右面； • 第一、二环为数字 环，第三环表示０ 的个数，合起来代 表的数字即为电阻 的阻值；
图1，2，3，4，6，7， 8，11，12 基本旋转 电位器图片。 图3 线绕电位器图片。 图5，9 双联电位器/ 同步电位器图片。 图10 直滑电位器图片
第3 幅： 图1 线绕变阻器。 图2，4 基本旋转电位器图片。 图5 多圈电位器图片
1.4 电容器
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应 用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换， 控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、 微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF
第2 幅 图1 PPN 电容 图2 PET 电容 图3 MEA 电容 图4 MPB 电容 图5 PPT 电容 图6 MPT 电容 图7 电解电容器 图8 MET 电容 图9 MKPH 电容 图10，11 电机用电容 图12 MKS 电容
图1，2，3，4 大功率电阻 图5，6，7，8 压敏电阻 图9 线绕陶瓷电阻
各种带功率的电阻 0.25W 0.5W 1W 2.5W 4W 5W 25W
1.3电位器
电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动， 取得与电刷位移成一定关系的输出电压 1.1 合成碳膜电位器
电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表 面而成，该工艺简单，是目前应用最广泛的电位器。特点是分 辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。
常用的电子元器件及其工作原理
常用的电子元器件及其工作原理电子元器件是元件和器件的总称。
电子元件：指在工厂生产加工时不改变分子成分的成品。
如电阻器、电容器、电感器。
因为它本身不产生电子，它对电压、电流无控制和变换作用，所以又称无源器件。
电子器件：指在工厂生产加工时改变了分子结构的成品。
例如晶体管、电子管、集成电路。
因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用（放大、开关、整流、检波、振荡和调制等），所以又称有源器件。
按分类标准，电子器件可分为12个大类，可归纳为真空电子器件和半导体器件两大块。
电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。
电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术，二十世纪发展最迅速，应用最广泛，成为近代科学技术发展的一个重要标志。
电子元器件行业主要由电子元件业、半导体分立器件和集成电路业等部分组成。
电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。
电子元器件在质量方面现在国际上面有中国的CQC认证，美国的UL 和CUL认证，德国的VDE和TUV以及欧盟的CE等国内外认证，来保证元器件的合格。
一、元件：工厂在加工时没改变原材料分子成分的产品可称为元件，元件属于不需电子元器件要能源的器件。
它包括：电阻、电容、电感。
(又称为被动元件PassiveComponents)(1)电路类器件：二极管，电阻器等等(2)连接类器件：连接器，插座，连接电缆，印刷电路板(PCB)二、器件：工厂在生产加工时改变了原材料分子结构的产品称为器件器件分为：1、主动器件，它的主要特点是：(1)自身消耗电能(2)需要外界电源。
2、分立器件，分为(1)双极性晶体三极管(2)场效应晶体管(3)可控硅(4)半导体电阻电容电阻电阻在电路中用R”加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为:分流、限流、分压、偏置等.电容电容在电路中一般用C加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性主要是隔直流通交流.电容的容量大小表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示,如:D5表示编号为5的二极管.作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.因为二极管具有上述特性,无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中.电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等.电感器电子元器件电感器在电子制作中虽然使用得不是很多，但它们在电路中同样重要。
分子电子学
分子电子学邵建新一、什么是分子电子学分子电子学(molecular electronics),是指用有机功能材料的分子构筑电子线路的各种元器件,如分子开关、分子整流器、分子晶体管等,并测量和解析这些分子尺度元器件的电特性或光特性的一门学科。
20世纪是无机半导体的世纪,21世纪将是有机分子电子学的世纪。
科学家们根据摩尔定律预测,无机半导体集成电路的发展,将在2020年左右达到极限。
随着人类进入信息时代,电子技术要求器件和系统向“更小”“更快”“更冷”的方向发展。
“更小”指器件和电路的尺寸更小,“更快”指响应和操作速度更快,“更冷”指单个器件的功耗更小。
但近年来,人们在向“更小”发展的过程中遇到了较大困难。
以硅集成电路为例,国际上已能生产最小线宽为130纳米的电路,但在进一步发展到线宽小于100纳米以下的电路(即所谓“纳米电子器件”)时就会遇到两大困难,一是由于这一尺寸无法使用光刻技术,因为它已远远小于光刻技术中所用光束的波长,而且掩膜和硅片的平整度及两者的平行度也成为工艺方面的瓶颈;二是工艺设备和研发的投资可能远远大于回报,因为根据摩尔第二定律,这种成本随器件尺寸的减小呈指数增长。
如果能在一个有机分子的区域内实现对电子运动的控制,使分子聚集体构成有特殊功能的器件———分子器件,则完全有望突破摩尔定律,极大地提高电路的集成度与计算机的运行速度。
因此,科学家将注意力逐渐集中到分子电子学,也是很自然的事情。
二、分子电子学研究的基本问题分子电子学研究的基本问题大体上可分为两类,即分子器件和分子材料。
分子器件主要研究分子导线、分子开关、分子整流器、分子存储器、分子电路、分子电子芯片等,与传统的固体电子器件相比,分子器件具有很多优点。
分子电子芯片的尺寸比目前的硅芯片小3个数量级;一个同样体积的分子芯片具有比通常芯片高出几百万倍的计算能力;在不明显增加成本的前提下,由于集成度的提高,计算速度也会大大提高。
而通过自组装方式构造分子器件,可成功解决有机功能分子与界面的接触问题及界面接触导致的测量误差。
固态电子器件答案
固态电子器件答案【篇一：微波固态电路复习题】1. 微波是指频率在（300mhz~300ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（1mm~1m）。
2. ku波段是指频率在（12ghz~18ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（2.5~1.67cm）。
vhf波段是指频率在（0.1ghz~0.3ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（300~100cm） uhf波段是指频率在（0.3ghz~1ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（100~30cm）s波段是指频率在（2ghz~4ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（15~7.5cm）c波段是指频率在（4ghz~8ghz）范围内的电磁波，对应的波长范围为（7.5~3.75cm）3. 在大气中，影响微波/毫米波传播的主要是（氧分子）和（水分子），由于气体的（谐振）会对微波/毫米波产生（吸收）和（散射）。
4.毫米波的四个大气“窗口”是（35ghz）、（94ghz）（140ghz）（220ghz）。
简答题1. 简述微波电路的发展历程由最初的电子管向固态化发展，由大型元件向小型元件、集成电路、器件方向发展，同时开发新系统。
目前微波技术的发展趋势是朝小型化、高集成化、高可靠、低功耗、大批量应用方向发展。
2. 什么是mmic利用半导体批生产技术，将电路中所有的有源元件和无源元件都制作在一块砷化镓衬底上的电路称为微波单片集成电路。
第2章选择与填空题1. 列举几种常用的平面传输线（微带线、悬置式微带线、倒置式微带线、带线、槽线、共面波导、鳍线）2. 微带线主要传输的模式是（准tem），带线的传输主模是（tem）11. 槽线的传输模式是（te模）。
12. 共面波导的传输模式是（准tem模）。
8. 鳍线的传输模式是（te与tm模式组成的混合模）。
3. 微带线最高工作频率的影响因素有（寄生模的激励、较高的损耗、严格的制造公差、处理过程中的脆性、显著地不连续效应、不连续处的辐射引起低的q值）（列举四个即可）4. 定向耦合器常用表征参量有（耦合度、方向性、隔离度）7. 耦合器的耦合度的定义是（c= 10lgp1/p3 = 20lg|s31| db ）。
高考大学专业解析 微电子学与固体电子学
微电子学与固体电子学第一、专业介绍“微电子学与固体电子学”是一级学科“电子科学与技术”所属的二级学科。
它是现代信息技术的基础和重要支柱，也是国际高新技术研究的前沿领域和竞争焦点。
超大规模集成电路产业化水平被列为衡量一个国家综合实力的重要标志，因此是国家和北京市优先发展的重点支持的学科。
第二、培养目标培养德、智、体全面发展的微电子学及固体电子学专业的高级技术人才，要求掌握本学科坚实的理论基础和前沿的专业知识,具有较高的外语水,具有独立从事科学研究和教学工作能力,具有健康身体,良好道德品质及心理素质,成为积极为社会主义祖国现代化服务的高级技术人才。
各学校的研究方向与考试科目不同，下面以西安电子科技大学为例：1、研究方向01 新型半导体器件和VLSI可靠性03 微电路系统芯片设计与可靠性04 集成电路设计与VLSI技术08 半导体器件与电路计算机模拟09 VLSI技术与可靠性、新型材料与器件10 VLSI与高密度集成技术12 新型半导体器件与集成电路技术14 新型半导体器件和VLSI可靠性17 VLSI设计方法学18 VLSI系统设计和半导体集成电路工艺技术19 SOC设计方法学20 VLSI设计与可制造性研究21 微波功率半导体器件22 宽禁带半导体材料和器件23 VLSI器件模型及仿真24 混合信号集成电路设计25 新型半导体材料、器件与集成26 宽禁带半导体物理与器件28 高速半导体器件与集成电路技术29 宽禁带新型电子器件和光电器件的设计与研制30 大规模集成电路设计32 微电路可靠性33 集成电路设计与新型半导体器件34 宽禁带半导体材料和器件的研究35 系统集成技术及集成电路设计方法学36 MEMS技术37 VLSI技术与VLSI可靠性2、入学考试科目①101政治理论②201英语③301数学（一）④801 半导体物理第三、推荐院校微电子学与固体电子学专业全国较强的招生单位有：清华大学、北京大学、复旦大学、西安电子科技大学、南京大学、西安交通大学、吉林大学、哈尔滨工业大学、电子科技大学、东南大学、浙江大学、华中科技大学、天津大学、上海交通大学……第四、就业方向本专业毕业生有宽广的就业市场和较强的适应能力，可在电子和光电子器件设计、集成电路和集成电子系统（SOC）设计、光电子系统设计以及微电子技术、光电子技术、电子材料与元器件开发等领域及电子信息领域从事科技开发等工作。