锂电池保护IC及MOS介绍
锂电池保护模块特性说明说明书
OUT LINEFEATURES（Unless otherwise specified, Ta=+25℃）(1)Range and accuracy of detection/release voltage・Overcharge detection voltage 4.15V to 4.50V, 5mV step Accuracy±20mVAccuracy±25mV （Ta=-5 to +60℃）・Overcharge release voltage 4.00V to 4.35V *1Accuracy±50mV ・Overdischarge detection voltage 2.00V to 3.00V *2Accuracy±100mV ・Overdischarge release voltage2.00V to3.00V*2Accuracy±100mV ・Discharging overcurrent detection voltage +20mV to +65mV, 1mV step Accuracy±5mV (Discharging overcurrent detection current)(0.310A to 1.00A)・Charging overcurrent detection voltage -25mV to -65mV, 1mV step Accuracy±5mV (Charging overcurrent detection current)(0.385A to 1.00A)・Short detection voltageSelection from 0.19V, 0.36VAccuracy±50mV*1Hysteresis voltagebetween Overcharge detection and release voltage is selectable from 0.10V/0.15V/0.20V/0.25V.*2Please inquire to us about details of the setting of Overdischarge detection and release voltage.(2)Range of detection delay time・Overcharge detection delay time 1.0s fixed・Overcharge release delay time Selection from 6ms, 16ms ・Overdischarge detection delay time Selection from 100ms, 256ms ・Overdischarge release delay time0.5ms fixed・Discharging overcurrent detection delay time Selection from 8ms, 12ms, 16ms, 20ms, 48ms, 224ms ・Charging overcurrent detection delay time Selection from 8.5ms, 16.5ms, 32.5ms ・Short detection delay timeSelection from 0.50ms, 0.75ms ・Chager connection detection delay time Selection from 1.0ms, 8.0ms(3)0V battery charge functionSelection from "Inhibition" or "Permission"*3*3In the case of "0V battery charge inhibition", the setting voltage is selectable from 0.65V or 0.90V.(4)Low current consumption・Normal mode Typ. 3.0μA, Max. 4.5μA・Stand-by modeMax. 0.025μA (In case Overdischarge latch function "Enable")Max. 0.500μA (In case Overdischarge latch function "Disable")(5)MOS-FET・Source to Source on state resistanceTyp. 65.0mΩ (@VDD=3.5V)One-cell Lithium-ion/Lithium-polymer battery protection IC with integrated MOS-FET MC3651 SeriesMC3651 series are protection IC with integrated MOS-FET for protection of the rechargeable Lithium-ion or Lithium-polymer battery.The overcharge, overdischarge and discharging and charging overcurrent protection of the rechargeable one-cell Lithium-ion or Lithium-polymer battery can be detected.(6)Absolute maximum ratings・VDD pin-0.3V to +12V・V- pin VDD-24V to VDD+0.3V・Drain-source voltage Max. 24V・Drain current Max. 1.2A・Total Power Dssipation Max. 0.4W・Storage temperature-40 to +125℃・Operation temperature-40 to +85℃(7)Package type・PLP-4E 1.25 × 2.85 × 0.50max [mm] *4Please inquire to us, if you need another specifications.PIN CONFIGURATIONPACKAGE DIMENSIONUNIT: mmBottom ViewSide ViewTop ViewRECOMMEND OPERATION CONDITIONSELECTRICAL CHARACTERISTICS （Main item ）Ta=25℃, S1=0V unless otherwise specified. Ta=25℃, S1=0V unless otherwise specified.Chager connection detection delay timetVchgVDD=3.6V 0.30 1.00 3.00ms V-=3.6V->0.0V3.008.0016.00Short detection delay time tshort VDD=3.6V,0.360.500.84ms V-=0V->3.6V 0.550.75 1.14Discharging overcurrent detection delay timetVdet3VDD=3.6V, V-=0V->0.1VtVdet3*0.75tVdet3tVdet3*1.25ms Charging overcurrent detection delay time tVdet4VDD=3.6V, V-=0V->-0.3V tVdet4*0.75tVdet4tVdet4*1.25ms Overdischarge detection delay time tVdet2VDD=3.6V->2.0V, V-=0V tVdet2*0.75tVdet2tVdet2*1.25ms Overdischarge detection delay timetVrel2VDD=2.0V->3.6V, V-=0V0.100.50 3.00ms Overcharge release delay time tVrel1VDD=4.6V->3.6V,V-=0V1.00 6.0020.00ms 5.0016.0050.000V battery charge permission charger voltageVst=VDD-V-, VDD=S1=0V-- 1.60V S2=V-, Is=-1mA *10Overcharge detection delay time tVdet1VDD=3.6V->4.6V,V-=0V tVdet1*0.75tVdet1tVdet1*1.25s 0V battery charge inhibition battery voltage Vst=VDD-VSS 0.400.65 1.10V V-=VDD-4.2V *90.650.90 1.25Vst Charging overcurrent detection voltageVdet4Vdet4-5.0Vdet4Vdet4+5.0mV Short detection voltageVshort VDD=3.5V, R2=2.7kΩVshort-0.05Vshort Vshort+0.05V VDD=3.5V, R2=2.7kΩDischarging overcurrent detection voltage Vdet3-1Vdet3-8.0Vdet3Vdet3+8.0mV Vdet3-3Vdet3-5.0Vdet3+5.0Vdet3-3Vdet3-8.0Vdet3+8.0VDD=4.5V, R2=2.7kΩVDD=3.5V, R2=2.7kΩVDD=2.5V, R2=2.7kΩOverdischarge release voltage1Vrel2Vrel2-0.10Vrel2Vrel2+0.10VOverdischarge release voltage2Vrel2D Vrel2D-0.10Vrel2DVrel2D+0.10Vdet2=Vrel2 *5Vdet2≠Vrel2 *6Overcharge release voltage Vrel1Vrel1-0.05Vrel1Vrel1+0.02V Vrel1-0.05Vrel1+0.05Overdischarge detection voltage Vdet2Vdet2-0.10Vdet2Vdet2+0.10V Vdet1≠Vrel1 *8Vdet1=Vrel1 *7ITEMSYMBOL MIN.TYP.MAX.UNIT Overcharge detection voltage Vdet1Vdet1-0.02Vdet1Vdet1+0.02V CONDITION Current consumption at stand-byIstb--0.025uA--0.500VDD=2.0V, V-=VDD *5VDD=2.0V, V-=VDD *6VM terminal pull-up resistancesRpu VDD=2.0V, V-=0V 175.0350.0700.0kΩCurrent consumption Idd - 3.0 4.5uA ITEMSYMBOL CONDITION MIN.TYP.MAX.UNIT Discharge overcurrent release resistanceRshort VDD=3.6V, V-=3.6V5.010.025.0kΩITEMSYMBOL MIN.MAX.UNIT VstVDD=3.6V, V-=0V Operating Ambient temperatureTopr -4085℃Operating voltageVop1.55.5VTa=25℃, S1=0V unless otherwise specified.*5In case Overdischarge latch function "Enable"*6In case Overdischarge latch function "Disable"*7In case Overcharge latch function "Enable"*8In case Overcharge latch function "Disable"*9In case 0V battery charge inhibition, "Inhibition"*10In case 0V battery charge inhibition, "Permission"*11These range and accuracy are the one of the standard setting. It may differ each product.Please refer to an individual specifications about detail parameters.Body diode forward voltage VSD Is=1A0.500.701.00VRSS(on)30VDD=3.0V , Is=1.0A 58.068.081.0mΩRSS(on)25VDD=2.5V , Is=1.0A59.074.091.0mΩSource to sourceon state resistanceRSS(on)45VDD=4.5V , Is=1.0A 53.062.073.0mΩRSS(on)35VDD=3.5V , Is=1.0A 56.065.074.0mΩRSS(on)33VDD=3.3V , Is=1.0A 56.566.076.5mΩITEMSYMBOL CONDITION MIN.TYP.MAX.UNITDrain current of cut offIDSSVDS=24V-- 1.0uA 71.0mΩRSS(on)42VDD=4.2V , Is=1.0A 53.562.571.5mΩRSS(on)39VDD=3.9V , Is=1.0A54.563.572.5mΩRSS(on)37VDD=3.7V , Is=1.0A 55.064.0Typical application circuitApplication hintsC3Capacitor-0.1uF-For exogenous noiseThe resistors that are inserted into each pin are to protect the IC. They help to remove ESD and latch-up damages. The capacitors help to reduce the effects of transient variations in voltage and electromagnetic waves,and to improve ESD tolerance of the IC.Please use either C2 or C3, or both of them by request of your application.These values in the above figure are for example. Please choose appropriate values.Capacitor -0.1uF -For voltage fluctuationR2Resistor - 2.7kΩ-Current limit for charger reverse connection Symbol Parts Min.Typ.Max.PurposeR1Resistor -330Ω470ΩFor voltage fluctuation, For ESD C1C2Capacitor -0.1uF -For exogenous noisePRODUCT LINEUPNOTES【Safety Precautions 】・・【Precautions for Product Liability Act】・【ATTENTION】・・・Though Mitsumi Electric Co., Ltd. (hereinafter referred to as "Mitsumi") works continually to improve our product's quality and reliability,semiconductor products may generally malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of this product could cause loss of human life, bodily injury, or damage to property, including data loss or corruption. Before customers use this product, create designs including this product, or incorporate this product into their own applications, customers must also refer to and comply with (a) the latest versions or all of our relevant information, including without limitation, product specifications,data sheets and application notes for this product and (b) the user’s manual, handling instructions or all relevant information for any products which is to be used, or combined with this products. Customers are solely responsible for all aspects of their own product design orapplications, including but not limited to (a) determining the appropriateness of the use of this product in such design or applications; (b)evaluating and determining the applicability of any information contained in this document, or in charts, diagrams, programs, algorithms,sample application circuits, or any other referenced documents; and (c) validating all operating parameters for such designs and applications.Mitsumi assumes no liability for customers’ product design or applications.This product is intended for applying to computers, OA units, communication units, instrumentation units, machine tools, industrial robots,AV units, household electrical appliances, and other general electronic units.No responsibility is assumed by us for any consequence resulting from any wrong or improper use or operation, etc. of this product.This product is designed and manufactured with the intention of normal use in general electronics. No special circumstance as described below is considered for the use of it when it is designed. With this reason, any use and storage under the circumstances below may affect the performance of this product. Prior confirmation of performance and reliability is requested to customers. Environment with strong static electricity or electromagnetic waveEnvironment with high temperature or high humidity where dew condensation may occurThis product is not designed to withstand radioactivity, and must avoid using in a radioactive environment.This specification is written in Japanese and English. The English text is faithfully translated into the Japanese. However, if any question arises,Japanese text shall prevail.。
浅谈锂电池保护电路中功率MOS管的作用
浅谈锂电池保护电路中功率MOS管的作用
通常，由于磷酸铁锂电池的特性，在应用中需要对其充放电过程进行保护，以免过充过放或过热，以保证电池安全的工作。
短路保护是放电过程中一种极端恶劣的工作条件，本文将介绍功率MOS管在这种工作状态的特点，以及如
何选取功率MOS管型号和设计合适的驱动电路。
电路结构及应用特点
电动自行车的磷酸铁锂电池保护板的放电电路的简化模型如图1所示。
Q1
为放电管，使用N沟道增强型MOS管，实际的工作中，根据不同的应用，会使用多个功率MOS管并联工作，以减小导通电阻，增强散热性能。
RS为电池等效内阻，LP为电池引线电感。
正常工作时，控制信号控制MOS管打开，电池组的端子P+和P-输出电压，供负载使用。
此时，功率MOS管一直处于导通状态，功率损耗只有导通损耗，没有开关损耗，功率MOS管的总的功率损耗并不高，温升小，因此功率MOS 管可以安全工作。
但是，当负载发生短路时，由于回路电阻很小，电池的放电能力很强，所以短路电流从正常工作的几十安培突然增加到几百安培，在这种情况下，功率MOS管容易损坏。
磷酸铁锂电池短路保护的难点
(1)短路电流大
在电动车中，磷酸铁锂电池的电压一般为36V或48V，短路电流随电池的容量、内阻、线路的寄生电感、短路时的接触电阻变化而变化，通常为几百甚至上千安培。
(2)短路保护时间不能太短。
mos电池管理
mos电池管理
MOS电池管理，即Metal-Oxide-Semiconductor电池管理，是一种应用于电池管理系统中的技术。
它主要是针对锂电池进行管理和保护，以确保电池的安全性、稳定性和性能。
MOS电池管理系统通常包括电池管理芯片、电池保护电路、电池均衡电路等组件，通过对电池的充放电、温度、电流等参数进行监测和控制，来保护电池不受过充、过放、短路等情况的损坏。
在MOS电池管理中，电池管理芯片是核心组件，它可以实现电池的智能管理和保护。
电池管理芯片可以监测电池的电压、电流、温度等参数，实时掌握电池的状态，从而避免电池因过充、过放而损坏。
此外，电池管理芯片还可以实现电池的均衡充放电，确保电池各节电压保持一致，延长电池的使用寿命。
电池保护电路是另一个重要组成部分，它可以在电池出现异常情况时，及时切断电池与外部电路的连接，避免电池过充、过放、短路等问题，保护电池和电子设备的安全。
电池保护电路通常包括过电压保护、过电流保护、过温保护等功能，确保电池在安全范围内工作。
电池均衡电路则用于解决电池充电和放电过程中电池各节电压不平衡的问题。
电池均衡电路可以监测电池各节电压，通过电池均衡电路中的电路元件，实现电池各节电压的均衡，避免电池因电压不平衡而导致电池性能下降或损坏。
总的来说，MOS电池管理系统通过电池管理芯片、电池保护电路、电池均衡电路等组件的配合，可以有效管理电池，保护电池，延长电池的使用寿命，提高电池的安全性和稳定性，是电池电子设备中不可或缺的重要技术。
锂电池保护板常用IC、MOS场效应管
锂电池保护板常用IC、MOS场效应管，详细清单如下:S-8261AANMD-G2NT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261AAJMD-G2JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABJMD-G3JT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABPMD-G3PT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABRMD-G3RT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ABMMD-G3MT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8261ACEMD-G4ET2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：磷酸铁锂保护板S-8261AAOMD-G2OT2G 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：单节S-8241ACLMC-GCLT2G 封装：SOT-23-5 品牌：SEIKO 备注：单节S-8242AAA-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAD-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAF-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAY-M6T2GZ 封装：SOT-23-6 品牌：SEIKO 备注：双节S-8242AAK-M6T3GZ 封装：SOT-23-7 品牌：SEIKO 备注：双节S-8232AAFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节S-8232ABFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节S-8232AUFT-T2-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：双节S-8253AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节S-8253AAD-T8T1GZ 封装：TSSOP-8 品牌：SEIKO 备注：2-3节S-8254AAAFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AABFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAFFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAGFT-TB-G 封装：TSSOP-16 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAJFT-TB-G 封装：TSSOP-17 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AANFT-TB-G 封装：TSSOP-18 品牌：SEIKO 备注：三-四节S-8254AAKFT-TB-G 封装：TSSOP-19 品牌：SEIKO 备注：三-四节R5400N101FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5400N110FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5400N150FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5400N149FA-TR-F 封装：SOT-23-5 品牌：RICOH 备注：单节R5402N101KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N110KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N149KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N128EC-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5402N163KD-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：单节R5460N207AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N207AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N208AA 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N208AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N212AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N214AF 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R5460N214AC 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：双节R1211N002D-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC升压R1224N102H-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压R1224N332F-TR-F 封装：SOT-23-6 品牌：RICOH 备注：DC/DC降压MM1414CVBE 封装：TSSOP-20 品牌：MITSUMI 备注：三-四节MM3076XNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节MM3177FNRE 封装：SOT23-6 品牌：MITSUMI 备注：单节VA7021P/C 封装：SOT-23-6 品牌：中星微备注：单节，中星微代理，中国最低价格DW01+ 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节FS312 封装：SOT-23-6 品牌：富晶备注：单节CS213 封装：SOT-23-6 品牌：新德备注：单节STC5NF20V 封装：TSSOP-8 品牌：ST 备注：配套MOS管FTD2017M 封装：TSSOP-8 品牌：三洋备注：配套MOS管ECH8601M 封装：SNT-8A 品牌：三洋备注：配套MOS管UPA1870BGR 封装：TSSOP-8 品牌：NEC 备注：配套MOS管FS8205A 封装：TSSOP-8 品牌：富晶备注：配套MOS管SM8205ACTC 封装：SOT-23-6 品牌：茂达备注：配套MOS管SM8205AOC 封装：TSSOP-8 品牌：茂达备注：配套MOS管AO8810 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO8820 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO8822 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO8830 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管AO9926B 封装：TSSOP-8 品牌：AOS 备注：配套MOS管SDC6073 封装：MSOP-8 品牌：SDC光大备注：单节，二合一的保护IC。
DW03D(二合一锂电池保护IC)
DW03D(文件编号：S&CIC0953)二合一锂电池保护IC一、 概述DW03D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。
DW03D包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。
DW03D具有非常小的TSS08-8的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。
DW03D具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。
该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。
二、 特点¾内部集成等效45mΩ-60mΩ的先进的功率MOSFET；¾过充电流保护；¾3段过流保护：过放电流1、过放电流2（可选）、负载短路电流；¾充电器检测功能；¾延时时间内部设定；¾高精度电压检测；¾低静态耗电流：正常工作电流3.8uA ¾兼容ROHS和无铅标准。
¾采用TSSOP-8封装形式塑封。
三、 应用¾单芯锂离子电池组；¾锂聚合物电池组。
四、 订货信息型号封装过充检测电压[V CU]（V）过充解除电压[V CL]（V）过放检测电压[V DL]（V）过放解除电压[V DR]（V）过流检测电流[I OV1]（A）打印标记DW03DTSSOP-84.3 4.1 2.4 3.0 2.5DW03D 五、 管脚外形及描述DW03D (文件编号：S&CIC0953) 二合一锂电池保护IC六、 极限参数参数 符号 参数范围 单位 电源电压 VDD VSS-0.3~VSS+12 VOC 输出管脚电压 VOC VDD-15~VDD+0.3 V OD 输出管脚电压 VOD VSS-0.3~VDD+0.3 VCSI 输入管脚电压 VCSI VDD+15~VDD+0.3 V工作温度 Topr -40~+85 ℃ 存储温度 Tstg -40~+125 ℃七、 电气特性参数参数符号测试条件最小值典型值最大值单位工作电压 工作电压 VDD -- 1.5 -- 10 V电流消耗 工作电流 IDD VDD =3.9V --4.0 6.0 uA检测电压过充电检测电压 VOCD -- 4.25 4.30 4.35 V过充电释放电压 VOCR -- 4.05 4.10 4.15 V过放电检测电压 VODL -- 2.30 2.40 2.50 V过放电释放电压 VODR -- 2.90 3.00 3.10 V 过电流1检测电压 VOI1 -- 0.12 0.15 0.18 V过电流2（短路电流）检测电压 VOI2 VDD =3.6V 0.80 1.00 1.20 V过电流复位电阻 Rshort VDD = 3.6V 50 100 150 K Ω 过电器检测电压 VCH -- -0.8 -0.5 -0.2 V迟延时间过充电检测迟延时间 TOC VDD = 3.6V~4.4V -- 80 200 ms过放电检测迟延时间 TOD VDD =3.6V~2.0V -- 40 120 ms 过电流1检测迟延时间 TOI1 VDD =3.6V 5 13 20 ms过电流2（短路电流）检测迟延时间 TOI2 VDD =3.6V--550 us其他OC 管脚输出高电平电压 V oh1 -- VDD-0.1VDD-0.02 -- VOC 管脚输出低电平电压 V ol1 -- -- 0.01 0.1 VOD 管脚输出高电平电压 V oh2 -- VDD-0.1VDD-0.02 -- V OD 管脚输出低电平电压 V ol2 -- -- 0.01 0.1R DS (on) V GS = 2.5V , I D = 3.3A -- 22.0 30.0 单个MOS 管漏极到源极的导通阻抗 R DS (on) V GS = 4.5V , I D = 8.2A--16.020.0m ΩMOSFET已内置，等效电阻典型值为50mΩ正常工作模式如果没有检测到任何异常情况，充电和放电过程都将自由转换。
保护板知识讲解
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电流 门限
+
-
放电过 放 控 制IC过 充 控 制
电流 门限
+
-
放电
我们将本着 “坚持顾客中心；强化过程管理！ 发动全员参与；致力持续发展！ 制造优质产品；满足顾客要求！” 的经营理念力争为客户提供最好的服务。
电芯
保护板
PTC
保护板是由电子电路组成，在-40℃至+85℃的环境下准确的监视 电芯的电压和充放电电流值，及时控制电路的通断. 保护板元件通常包括电源管理IC、MOS及周围的电阻、电容器 件,或可能附加有NTC、ID存储器及FUSE、PTC保护器件等。 1）保护IC：属于主动元件，是保护电路的核心。通过取样电池 电压进行判断，在一切正常的情况下控制MOS开关导通，使电芯与 外电路沟通，而当电芯电压或回路电流超过规定值时，它立刻 （数十毫秒）控制MOS开关关断，保护电芯的安全。 选用时要考虑元件封装、过充电检测电压、过放电检测电压、放 电过流检测电压、自耗电、耐压及ESD要求。 2）MOS管：属于被动元件，在保护电路中主要起开关作用。 元件选用时要考虑其封装、导通内阻、耐电压、耐电流及ESD。
3）NTC:是Negative temperature coefficient的缩写，意即 负温度系数，在环境温度升高时，其阻值降低，使用电设备或充 电设备及时反应、控制内部中断而停止充放电。 4）ID:是Identification 的缩写，即身份识别，它分为两种： 一是存储器，常为单线接口存储器，存储电池种类、生产日期等 信息；二是识别电阻，即普通电阻元件。 5）FUSE:俗称保险丝，在电路中起二次保护作用。是电池组件 产品里一个非常重要的部件，防止电池不安全大电流发生，保护 后不可恢复，对电池的安全担负着重要的作用。 6) PTC: 是英文Positive Temperature Coefficient的缩写， 意思是正温度系数。PTC可以防止电池高温放电和不安全的大电流 的发生。根据电池的电压、电流密度特性和应用环境，对PTC有专 门的要求。
mos在电池保护上的作用
mos在电池保护上的作用在现代电子设备中，电池作为核心能量来源，其安全性至关重要。
电池保护模块（MOS，MOSFET）在这其中发挥着至关重要的作用。
本文将详细解析MOS在电池保护方面的关键作用。
首先，我们需要了解MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的基本原理。
MOSFET是一种半导体器件，其工作原理是通过控制栅极电压来调节源极和漏极之间的电流。
在电池保护应用中，MOSFET作为开关元件，可以实现对电池的充电和放电控制。
MOS在电池保护上的作用主要体现在以下几个方面：1.过充保护：当电池电压超过设定阈值时，MOSFET自动切断充电电路，防止电池过充。
过充会导致电池性能下降，甚至发生爆炸等危险情况。
MOSFET的加入，确保了电池在充电过程中始终保持在安全范围内。
2.过放保护：与过充相反，当电池电压低于设定阈值时，MOSFET关闭放电电路，避免电池过放。
过放会使电池容量减少，缩短使用寿命。
MOSFET的监控作用确保了电池在放电过程中不会因电压过低而受损。
3.短路保护：在电池充电或放电过程中，若出现短路现象，MOSFET会立即切断电路，防止电池发生热失控、燃烧等安全事故。
4.温度保护：MOSFET具有温度传感器功能，当电池温度过高或过低时，MOSFET会采取相应措施，如限制电流、关闭电路等，确保电池在适宜温度范围内工作，避免因温度极端变化导致的电池损坏。
5.电池类型兼容：MOSFET可适用于不同类型的电池，如锂离子、锂聚合物、镍氢等。
这意味着，无论使用哪种电池，MOSFET都能为其提供有效的保护。
总之，MOS（MOSFET）在电池保护方面发挥着至关重要的作用。
通过过充、过放、短路、温度等多方面的监控与控制，确保电池在安全、稳定的环境下工作，延长电池使用寿命，保障用户安全。
随着电子设备对电池性能要求的不断提高，MOSFET在电池保护方面的应用将越发广泛。
有关锂电池保护IC的论述——锂电池的守护神(一)
有关锂电池保护IC的论述——锂电池的守护神
（一）
近年来,PDA、DSC、Cellular Phone、Camcorder、Portable Audio、Advanced Game、Assist Bicycle、Electric Scooter、Bluetooth Device…越来越多的产品急速的采用锂电池来当做它的主要电源,不外乎其:体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、高电压电池、自放电率低…等优点,也因为与镍镉、镍氢电池不太一样,所以必须考虑充电、放电时之安全,确保特性劣化的防止,但也因为如此,针对锂电池的过充,过放,过电流及短路电流的保护更显得重要,所以通常都会在电池包内设计保护线路用以保护锂电池,由此可见锂电池保护IC的重要性。
锂离子电池因能量密度高，使得难以确保电池的安全性。
具体而言，在过度充电状态下，电池温度上升后能量将过剩，于是电解液分解而产生气体，因内压上升而导致有发火或破裂的危机。
反之，在过度放电状态下，电解液因分解导致电池特性劣化及耐久性劣化(即充电次数降低)。
锂离子电池的保护电路就是要确保这样的过度充电及放电状态时的安全性，并防止特性的劣化。
锂离子电池的保护电路是由保护IC、及两颗Power-MOSFET所构成。
其中保护IC为监视电池电压；当有过度充电及放电状态时，则切换以外挂的Power-MOSFET来保护电池，保护IC的功能为: (1)过度充电保护、(2)过度放电保护、(3)过电流/短路保护。
以下就这三项功能的保护动作加以说明。
(1) 过度充电:
当锂电池发生过度充电时,电池内电解质会被分解,使得温度上升并产生气体,使得压力上升而可能引起自燃或爆裂的危机,锂电池保护IC用意就是要防。
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MOS管
过 放 控 制 过 充 控 制
IC
+
充电
电芯
FUSE
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电
量
+
充电
-
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电
量
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充电
-
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电
量
+
充电
-
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电
量
+
充电
-
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
4.25-4.35V 3.8-4.1V
电 量
+
充电
-
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电
量
放电
+
LOAD
-
电
IC
量
+
LOAD
放电
电
IC
放-2.5V
-
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电流 门限
+
-
放电
过 放 控 制
IC
过 充 控 制
电流 门限
+
-
放电
单节保护 IC S8261
单节保护 IC S8261
单节保护 IC S8261
1）A级市场 注：A级市场的保护IC主要的生产商有精工、理光、美之美；MOSFET 主要的生产商有 AO、DIODES、 ST ； 2）B级市场 注： B级市场的保护IC主要的生产商有富晶、新德、中星微； MOSFET主要的生产商有三合微、华瑞、南海、茂达； 3）C级市场 注： C级市场的保护IC主要的生产商有士兰、黑森林、金微科； MOSFET主要的生产商有珠海南科、黑森林、金微科； 注： 目前我们公司在做的品牌有：精工、美之美（均为日本品牌）
单节保护 IC S8261
SOT23-6
单节保护 IC S8261
6Pin SNB(B)
单节保护 IC S8211
单节保护 IC S8211
单节保护 IC S8211
SOT23-5
单节保护 IC S8211
SNT-6A
两串保护 IC S8252
两串保护 IC S8252
两串保护 IC S8252
MOS DMG8601(DIODES)
MOS DMG8601(DIODES)
MOS DMN4468(DIODES)
MOS DMN4468(DIODES)
MOS AOD442
3串4串保护IC S8254
3串4串保护IC S8254
3串4串保护IC S8254
3串4串保护IC S8254
3串4串5串保护IC R5432
3串4串5串保护IC R5432
3串4串5串保护IC R5432
3串4串5串保护IC R5432
MOS DMG6968(DIODES)
MOS DMG6968(DIODES)