集成电路设计综合实验报告
集成电路实验报告
班级：XX姓名：XXX学号：XXXXXX指导老师：XXX实验日期：XXXX年XX月XX日一、实验目的1. 理解集成电路的基本组成和工作原理。
2. 掌握基本的集成电路设计方法，包括原理图设计、版图设计、仿真分析等。
3. 学习使用集成电路设计软件，如Cadence、LTspice等。
4. 通过实验加深对集成电路理论知识的理解，提高动手能力和问题解决能力。
二、实验内容本次实验主要包括以下内容：1. 原理图设计：使用Cadence软件绘制一个简单的CMOS反相器原理图。
2. 版图设计：根据原理图，使用Cadence软件进行版图设计，并生成GDSII文件。
3. 仿真分析：使用LTspice软件对设计的反相器进行仿真分析，测试其性能指标。
4. 版图与原理图匹配：使用Cadence软件进行版图与原理图的匹配，确保设计正确无误。
三、实验步骤1. 原理图设计：- 打开Cadence软件，选择原理图设计模块。
- 根据反相器原理，绘制相应的电路符号，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等。
- 设置各个元件的参数，如晶体管的尺寸、电阻和电容的值等。
- 完成原理图设计后，保存文件。
2. 版图设计：- 打开Cadence软件，选择版图设计模块。
- 根据原理图，绘制晶体管、电阻和电容的版图。
- 设置版图规则，如最小线宽、最小间距等。
- 完成版图设计后，生成GDSII文件。
3. 仿真分析：- 打开LTspice软件，选择仿真模块。
- 将GDSII文件导入LTspice，生成对应的原理图。
- 设置仿真参数，如输入电压、仿真时间等。
- 运行仿真，观察反相器的输出波形、传输特性和功耗等性能指标。
4. 版图与原理图匹配：- 打开Cadence软件，选择版图与原理图匹配模块。
- 将原理图和版图导入匹配模块。
- 进行版图与原理图的匹配，检查是否存在错误或不一致之处。
- 修正错误，确保版图与原理图完全一致。
四、实验结果与分析1. 原理图设计：- 成功绘制了一个简单的CMOS反相器原理图，包括NMOS和PMOS晶体管、电阻和电容等元件。
集成电路设计毕业实习报告
集成电路设计毕业实习报告一、实习背景和目的本次实习是我大学生涯中的最后一次实习，也是我专业学习的重要一环。
目的是为了将课堂学习的理论知识应用到实际工作中，提升自己的实际操作能力和解决问题的能力。
本次实习的主要任务是在导师的指导下参与集成电路设计项目，并负责其中的一部分设计工作。
二、实习内容1.熟悉项目背景和要求在实习前，我先与导师进行了几次会议，了解了项目的背景和要求。
项目是设计一个具有特定功能的集成电路，要求满足一定的性能指标和可行性要求。
在导师的指导下，我对以往的相关文献进行了研究，并与同组的同学进行了讨论。
2.设计电路原理图和布局根据项目要求，我使用了一些常见电路设计工具，如Cadence和Xilinx等，进行电路原理图的设计和布局。
在此过程中，我遇到了一些困难，例如如何将理论知识与实际设计相结合，如何选择适当的元器件和电路结构等。
通过仔细研究和经验积累，我逐渐掌握了相关技巧和方法，成功地完成了电路的设计和布局。
3.模拟仿真和性能评估完成电路的设计和布局后，我利用仿真软件进行了模拟仿真和性能评估。
通过对电路的各个方面进行测试和分析，我发现了其中存在的一些问题，并提出了改进方案。
通过不断修改和优化设计，我最终得到了一个满足项目要求的电路。
4.实际制作和测试在完成电路设计和性能评估后，我根据设计图纸进行了实际的电路制作和测试实验。
在制作过程中，我学会了使用焊接设备和测量仪器，并按照流程进行了相关操作。
在测试实验中，我通过各种手段对电路进行了性能测试，比如时域分析、频率分析和功耗分析。
通过测试结果的分析，我进一步完善了电路设计。
三、所学到的经验和体会通过本次实习，我深刻体会到了理论知识和实践经验的重要性。
在设计过程中，我发现只有将理论知识与实际操作相结合，才能更好地解决实际问题。
同时，合理的团队合作和沟通也是一个成功项目的关键。
在与同组的同学进行讨论和配合的过程中，我学会了倾听和表达，更好地与他们进行合作。
集成电路综合设计实验报告
集成电路设计综合实验报告学院：电控学院班级：微电子1001班姓名：xxx学号：xxxxxxxxxx一、实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设计4、学习并掌握集成电路设计流程二、实验内容1、反向提取给定电路模块，要求画出电路原理图，分析出其所完成的逻辑功能，并进行仿真验证；再画出该电路的版图，完成DRC验证。
）（1）实验原理标准CMOS工艺下的集成半导体器件主要有NMOS晶体管、PMOS晶体管、多晶硅电阻和多晶硅电容等。
在P型衬底N阱CMOS工艺中，NMOS 晶体管直接制作在衬底材料上，PMOS晶体管制作在N阱中。
在集成电路版图的照片中，NMOS管阵列和PMOS管阵列一般分别制作在不同区域，PMOS管阵列制作在几个N阱内，NMOS管阵列制作在多个区域。
这一点在照片中可以明显地区分开来。
N阱和两种有源区存在较为明显的颜色差别。
通过对N阱、P型有源区和N型有源区的颜色辨别，可以确认PMOS 管阵列和NMOS管阵列位置。
N型选择区和有源区共同构成了N型掺杂区，P型选择区和有源区共同构成了P型掺杂区。
在实际的电路连接关系中接触孔的多少取决于晶体管的连接关系，当晶体管一侧或两侧与其它器件存在物理连接时，不需要接触孔。
从图中可以看出，形成晶体管的重要结构是多晶硅与有源区的十字交叉区域，只要存在多晶硅栅和某种有源区十字交叉图形，就可以确定一只晶体管的位置，进而通过测量可以确定其宽长比参数。
确定MOS管的类别主要是通过观察该十字交叉区域是否在N阱区域内，N阱区域内为PMOS晶体管，阱外则为NMOS晶体管。
在P型衬底N阱CMOS工艺条件下，NMOS器件直接制作在衬底材料上，PMOS器件制作在N阱中。
在模拟集成电路中，MOS晶体管常常工作在线性区或饱和区，需要承受较大的功耗，这些晶体管具有较大的宽长比。
模拟集成电路版图常常不规则，这就要求在电路提取时要充分注意电路连接关系。
集成电路设计实验报告
集成电路设计实验报告时间：2011年12月实验一原理图设计一、实验目的1.学会使用Unix操作系统2.学会使用CADENCE的SCHEMA TIC COMPOSOR软件二：实验内容使用schematic软件，设计出D触发器，设置好参数。
二、实验步骤1、在桌面上点击Xstart图标2、在User name：一栏中填入用户名，在Host：中填入IP地址，在Password：一栏中填入用户密码，在protocol：中选择telnet类型3、点击菜单上的Run！，即可进入该用户unix界面4、系统中用户名为“test9”，密码为test1234565、在命令行中（提示符后，如：test22>）键入以下命令icfb&↙(回车键)，其中& 表示后台工作，调出Cadence软件。
出现的主窗口所示：6、建立库(library)：窗口分Library和Technology File两部分。
Library部分有Name和Directory 两项，分别输入要建立的Library的名称和路径。
如果只建立进行SPICE模拟的线路图，Technology部分选择Don’t need a techfile选项。
如果在库中要创立掩模版或其它的物理数据（即要建立除了schematic外的一些view），则须选择Compile a new techfile(建立新的techfile)或Attach to an existing techfile(使用原有的techfile)。
7、建立单元文件(cell)：在Library Name中选择存放新文件的库，在Cell Name中输入名称，然后在Tool选项中选择Composer-Schematic工具(进行SPICE模拟)，在View Name中就会自动填上相应的View Name—schematic。
当然在Tool工具中还有很多别的工具，常用的像Composer－symbol、virtuoso－layout等，分别建立的是symbol、layout 的视图（view）。
数字集成电路设计实验报告
数字集成电路设计实验报告
摘要：
本实验旨在设计一个数字集成电路，实现特定功能。
本报告将介绍实验目的、背景和理论知识、设计方法、实验步骤、结果分析和讨论以及实验总结。
1.实验目的：
设计一个数字集成电路，实现特定功能，并通过实验验证设计的正确性和可行性。
2.背景和理论知识：
简要介绍数字集成电路的基本概念和原理，并介绍与本实验相关的理论知识，包括逻辑门、布尔代数、时序电路等。
3.设计方法：
本部分将详细介绍实验中采用的设计方法，包括采用的逻辑门类型、布尔代数的转换方法、时序电路的设计方法等。
4.实验步骤：
本部分将详细描述实验的具体步骤，包括电路图的绘制、器件的选择和布局、逻辑设计的步骤、时序电路的设计方法、电路的仿真等。
5.结果分析和讨论：
本部分将对实验结果进行分析和讨论，比较设计与实际结果的差异，分析可能的原因，并讨论实验的局限性和改进方向。
6.实验总结：
总结实验过程中的收获和经验，评估实验的结果和设计的可行性，并提出对未来工作的展望和建议。
通过对数字集成电路设计实验的详细介绍和分析，本报告旨在提供一份完整的实验报告，帮助读者理解实验过程和结果，并为今后的设计工作提供参考。
集成电路实验报告
集成电路实验报告本次实验主要介绍集成电路的基本概念和电路设计方法，通过设计和制作CMOS场效应晶体管（MOSFET）的放大器电路来实现对这些知识的应用。
本次实验的主要内容如下：一、实验器材和材料本次实验所使用的器材和材料：1、计算机2、激光打印机3、示波器4、信号源5、直流电源6、理想电感7、电容8、MOSFET二、实验原理本次实验涉及的知识点包括：1、MOSFET的基本概念和特性MOSFET是一种场效应管，在电子学中起到了很重要的作用。
它的主要特点是控制端的电压可以改变通道区中的电子密度，从而控制电流流过管子中的通道。
根据不同的控制方式，MOSFET可以分为N型和P型两种。
2、放大器电路的基本原理放大器电路是一种能够放大电信号的电路，可以将小电信号放大为相对较大的电信号。
根据不同的信号类型和放大器类型，可以设计不同种类的放大器电路。
三、实验内容和步骤本次实验的实验内容和步骤如下：1、设计MOSFET的放大器电路首先，我们需要根据实验所需放大器的需求，设计出一种合理的MOSFET放大器电路。
具体步骤如下：（1）根据输入信号和输出信号的大小，计算出所需放大器的放大倍数。
（2）根据放大倍数，选择合适的与MOSFET配合使用的电容和电阻。
（3）将MOSFET、电容和电阻按照电路图的样式和连接方式进行连接。
制作和测试MOSFET放大器电路，具体步骤如下：（2）使用万用表对焊接完成的电路进行测试，确保电路连接正常。
（3）将电路连接到直流电源和信号源上，调节电源和信号源的参数，测试电路的放大效果。
四、实验结果分析本次实验的主要结果包括设计和制作的MOSFET放大器电路以及测试结果。
通过测试结果的分析，我们可以对电路的性能进行评估，并确定是否满足所需放大倍数的要求。
五、实验总结通过本次实验，我们了解了集成电路的基本概念和电路设计方法，并掌握了MOSFET放大器电路的设计和制作方法。
通过实验结果的分析，我们也可以更好地理解和掌握集成电路的相关知识和应用。
集成电路设计实验报告
集成电路设计实验报告院别：电信学院专业：电子科学与技术班级：\ 姓名：学号：\ 组序：52实验（一）题目名称：熟悉L-EDIT软件工具成绩：教师签名：批改时间：一、实验目的：学会使用集成电路版图设计L-EDIT软件工具，熟练画电路版图的操作指令和各种快捷命令，并熟悉应用特定工艺库即工艺文件来实现电路。
通过该实验，使学生掌握L-EDIT的设计方法，加深对课程知识的感性认识，增强学生的设计与综合分析能力，为将来成为优秀的后端工程师做准备。
二、实验要求：如将设计好的电路制成实际使用的集成块，就必须利用版图工具将设计的电路采用标准工艺文件转换成可以制造的版图。
然后再将版图提交给集成电路制造厂家（foundry），完成最后的集成块制造，所以画版图的本质就是画电路原理图。
在画版图时，首先要明白工艺文件的含义，每一种工艺文件代表一条工艺线所采用的光刻尺寸，以及前后各个工序等等；其次要懂得所使用的工具步骤及各个菜单及菜单栏的内容，以便熟练使用该软件；最后对所画版图进行验证，确保不发生错误。
此外，还必须了解所使用的版图设计法则，对于不同的工艺尺寸其法则有所不同，这就要求设计者在应用该软件时，必须熟悉相应的设计法则，为完成正确的版图做准备。
该实验原理是画常用的NMOS管，画图时要求熟悉NMOS的工艺过程及设计法则。
三、实验方法：熟悉L-EDIT版图软件工具及工艺库相关内容，熟练该软件工具菜单功能及使用方法。
以PMOS器件为例，在调用相应的工艺文件基础上，画元器件的物理实现版图（如选用几微米的工艺线、设计法则等）,设计完成后运用该软件的设计规则对所画的版图进行DRC验证，并修改不正确的部分，直至设计无错误。
四、实验内容：1.安装L-EDIT仿真软件：先点击Daemon.exe文件，用虚拟光驱将.ISO文件载入，并点击L-EDIT的Setup.exe文件即可。
2.按照Crack方式注册该软件，并运行。
3.以MOSIS提供的morbn20.tdb工艺库为例，从ReadMe中可以了解许多信息：工艺提供制造商、工艺尺寸、设计规则及器件剖面图等。
集成电路实验报告(信号的放大-滤波-AD采样电路)
Multisim实验报告内容姓名：胡俊超学号：200805010615一、题目：基于Multisim信号采集处理系统在multisim软件基础上，主要是实现信号的放大，滤波，AD采样电路。
二、设计要求：1．系统的电源输入为正负15V，系统各个电源都由集成电路产生的稳压电压供给。
2. 输入信号的为100Hz或者500Hz或者1kHz，幅度为10mv。
3. 放大电路要求：考虑提高输入阻抗；考虑放大后的信号是否超过的AD的输入范围；放大倍数由信号与AD的输入决定。
可以考虑集成仪表运放。
4. 滤波电路：四阶巴特沃思低通滤波器，截止频率为500Hz。
计算各个电阻和电容的取值。
5．AD采样；可以使用8位和16位AD，并设定AD的电压范围为0-5v。
考虑采样定理的约束。
6．DA输出；AD的数字信号直接输出给DA模块7．对比原始信号和DA输出信号。
三,各个部分详细的设计方法和思路。
电源部分：原理分析：由于题目给出了直流15V的条件，考虑到整个系统中所采用的741运放以及AD，DA的采样参考电压，所以选取5V和-5V供电电压。
集成电路中78系列的线性稳压器件7812以及7805可以构成两级稳压达到要求的5V电源，78系列压差在3V以上的范围，也满足我们的设计要求，同理，采用7912和7905即可以得到-5的电压。
电路原理图：构成5V电源电压电路图构成-5V电源电压原理图信号输入和放大部分原理分析：信号的幅度为10mV，频率可以选择，此时选择500Hz，放大倍数放大30倍。
为了提高输入阻抗，考虑采用集成运放741作为输入，用反向放大，便于计算放大倍数，再用741做一次同比列的方向放大，这样信号的相位和输入信号无相移，构成了线性无相移的放大环节。
原理电路图（放大部分）放大部分仿真结果图中可以看到输入信号为红色10mＶ的VPP幅值，输出为蓝色300mV的VPP，所以放大了30倍，输入输出周期相同，相位一致。
放大信号的滤波部分原理分析;四阶巴特沃斯低通滤波器，技术指标要求Wn=500Hz ，由于考虑到输入信号角频率是500Hz，所以将Wn提高到550Hz,在设计滤波器是取滤波电容C3和C4的值相等，R6和R7相等，R12和R10相等，C8和C7的值相等。
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集成电路设计实验报告目录1 综合实验的任务与目的 (2)2 综合实验的内容和要求 (2)3设计方案对比和论证确定 (4)4设计实现过程 (5)5验证结果说明和结论 (7)6总结版图设计技巧 (9)7 参考文献 (10)MOS集成运算放大器的版图设计1 综合实验的任务与目的集成电路设计综合实验是微电子学专业学科的实践性教学课程，其任务是向学生介绍集成电路软件设计的基本知识，基本的设计方法，学会使用专用软件进行集成电路设计，学习集成电路版图的设计及物理验证的一般方法技巧。
本次集成电路设计综合实验要求学生完成对CMOS 集成运算放大器电路的版图设计及其物理验证。
2 综合实验的内容和要求2.1 实验的内容本次集成电路设计综合实验的内容为：CMOS 集成运算放大器的版图设计以及采用DIVA工具进行物理验证。
版图设计的过程是：先进行电路分析，计算出各端点的电压及各管的电流，从而求出各管的W/L比，进而依据设计规则设计各管图形，进行布局、布线以及物理验证，最后完成整个版图设计。
2.1.1 目标电路及其性能要求目标电路原理图如图1所示，为两级CMOS集成运算放大器，其中M1～M4构成有源负载的差分输入级；M5提供该级的工作电流；M8，M9构成共源放大电路，作为输出级；M7为源跟随器，作为增益为1的缓冲器，以克服补偿电容的前馈效应，并消除零点；M6提供M7的工作电流；M10，M11组成运放的偏置电路。
图1 CMOS 集成运算放大器原理图电路的性能要求：输出电压摆幅大于V 3±；最大转换速率为s V μ/30；补偿电容Cc 为10pF 。
2.1.2 工艺选择本设计选择0.6um double metal double poly mixed signal technology 。
工艺信息描述：工艺名称：6S06DPDM-CT工艺尺寸：0.6um多晶硅层数：2铝的层数：2电压类型： 3~5V工艺参数：)/(4002s V cm N ⋅=μ，)(2002s V cm P ⋅=μ，01.0=λ，28/103.2cm F C ox -⨯=，V V TP 1-=，V V TN 1=。
假定V V GS 5.2=时，晶体管进入饱和工作状态。
2.1.3 版图设计的一般方法和技巧实际电路和原理图毕竟有所差别，各种非理想因素会影响电路的性能，使之偏离设计目标。
因此，我们先要了解实际电路中各种非理想因素存在的原因，以及它对电路造成的影响。
然后，同时从仿真和版图两个方面入手来解决这个问题。
一方面，在电路设计中建立对应的模型，使原理电路更接近实际电路，从而使仿真和测试结果吻合。
另一方面，画版图时使用适当的技巧，通过合理的布局、布线减小非理想因素对电路的影响。
2.2 实验要求●由学生独立设计、操作完成实验；要求学生掌握版图设计概念、方法、技巧，了解软件设计平台使用方法，并培养独立实验、创新能力。
●掌握集成电路性能与版图布局布线之间的关系，能够合理进行版图规划。
●掌握集成电路版图设计规则的含义以及消除或减小寄生效应的措施，能够正确设计集成电路版图，学会版图录入和版图设计规则检查（DRC）软件的使用。
3设计方案对比和论证确定3.1设计方案3.1.1.方案一基础上既不用担心版图出错，又不用担心各种距离尺寸问题。
这种方案简单易上手，而且很快就做完了，除了系统上的错误之外就是正确的，但是这种方案在实际应用时非常不可取，因为大尺寸不仅制作困难，而且很费成本，所以不可取。
大尺寸的版图。
即所有的器件尺寸远远超过最小值，这样在电路连接正确的。
3.1.2方案二小尺寸的版图。
即所有的器件尺寸基本接近最小值或者最小值的倍数，基本符合设计规则，在设计版图时要时刻DRC，防止出错，这需要认真计算尺寸，用标尺时刻做好度量工作，因为一个地方出问题很可能要出大错，所以这种方案能够保证设计的版图最符合要求，而且有可能还可以付诸于实际应用，但是这种方案需要花很长时间来画版图，所以比较费时费力。
3.2论证确定因为前期在电路仿真时遇到了很多麻烦，再加上自身水平有限，所以大部分时间花在了电路测试电路的搭建上，所以后来经过组员的讨论论证，再考虑时间比较紧的缘故，我们决定采用折衷的方法，即在尽量符合设计规则的前提下，尽最大可能把版图尺寸缩小，基本上是第一种。
4设计实现过程4.1 前期准备画版图之前应该向电路设计者了解MOS摆放的顺序及位置，了解版图的最终面积是多少。
在电路当中哪些功能块之间要放在比较近的位置。
哪些器件需要良好的匹配。
了解该芯片的电源线和地线一共有几组，每组之间各自是如何分布在版图上的，要求的工作进度与自己预估的进度有哪些出入。
4.2 全局设计这个布局图应该和功能框图或电路图大体一致,然后根据模块的面积大小进行调整。
布局设计的另一个重要的任务是焊盘的布局。
焊盘的安排要便于内部信号的连接要尽量节省芯片面积以减少制作成本。
焊盘的布局还应该便于测试特别是晶上测试。
4.3 分层设计按照电路功能划分整个电路对每个功能块进行再划分每一个模块对应一个单元。
从最小模块开始到完成整个电路的版图设计设计者需要建立多个单元。
这一步就是自上向下的设计。
4.4 版图的检查Design Rules Checker 运行DRC，DRC 有识别能力能够进行复杂的识别工作在生成最终送交的图形之前进行检查。
程序就按照规则检查文件运行发现错误时会在错误的地方做出标记并且做出解释。
Electrical Rules Checker 检查线路短路、线路开路和floating 结点。
DRC 检查到短路错误后将错误提示局限在最短的连接通路上。
Layout Versus Schematic LVS 比较IC 版图和原理图报告版图连接和原理图的不一致，并进行修改直到版图和电路图完全一致。
4.5 版图修改Label 是否正确，label 所选的layer是否正确，Power & Ground 连接得有没有问题，得到的files 是否确实可靠，检查netlist 中器件类型的命名是否符合规范，认真研究design rule，做好DRC 改错。
看给出的报告有没有offgird结点多不多多的话就有断路的地方少的话就有短路的地方对照原理图看有没有连错线。
4.6 寄生与仿真在实际电路的制作过程中会产生寄生参数它们分别为寄生电容、寄生电感和寄生电阻。
4.7 版图完成后端数据接口处理确认芯片版图的设计和尺寸落实相关Foundry 的流片计划确认设计数据GDSII 文件大小。
5验证结果说明和结论5.1测量输出电压范围在单位增益结构中，传输曲线的线性收到ICMR 限制。
若采用高增益结构，传输曲线的线性部分与放大器输出电压摆幅一致，图2为反相增益为10的结构，通过R L 的电流会对输出电压摆幅产生很大的影响，要注意对其的选取，这里我们选取R L =50K Ω，R=60K Ω.图3为输出电压范围 V IN V DDV SSC L V OUT10RRRL图2 测量输出电压范围的原理图图3 输出电压的范围5.2 运放转换速率和建立时间分析转换速率是指输出端电压变化的极限，它由所能提供的对电容充放电的最大电流决定。
一般来说，摆率不受输出级限制，而是由第一级的源/漏电流容量决定。
建立时间是运算放大器受到小信号激励时输出达到稳定值(在预定的容差范围内)所需的时间。
较长的建立时间意味着模拟信号处理速率将降低。
为了测量转换速率和建立时间，将运算放大器输出端与反相输入端相连，如图4所示，输出端接10pF 电容，同相输入端加高、低电平分别为+3V 和-3V ，周期为10µs无时间延迟的方波脉冲。
因为单位增益结构的反馈最大，从而导致最大的环路增益，所以能用做最坏情况测量，因此采用这种结构来测量转换速率和建立时间。
得到的仿真图如5。
由图5可以看出，建立时间约为0.8µs，在图中波形的上升或下降期间，由波形的斜率可以确定摆率。
经计算得，上升沿的转换速率SR+为45 V/us ，下降沿的转换速率SR-为45 V/us 。
V图4 摆率和建立时间的测量方法图5 摆率与建立时间5.3 版图验证5.3.1 DRC验证5.3.2 LVS验证6总结版图设计技巧通过合理的布局布线减小非理想因素对电路的影响，以下给出几条基本的布局原理:①合理分布子电路：尽量将相关的模块放在一起，这样可以减小布线的复杂性，降低走线的长度。
②对称性：画版图时既要注意器件自身大小、位置的对称性，还要考虑他们周围环境的对称性。
③数模分开：数字电路、模拟电路应该尽量分开。
最简单的方法是通过增大他们之间的距离来减弱衬底的耦合效应。
④高低频分开：工作在高频的射频电路和工作在较低频率的模拟电路尽量分开。
⑤电源和地分开：不同类型的电路各自使用独立的电源和地。
7 参考文献[1] [美]毕查德.拉扎维. 模拟CMOS集成电路设计[M].西安:西安交通大学出版社2011.[2]王志功.集成电路设计2009.[3] [美] Christopher Saint,.集成电路版图设计,北京：清华大学出版社.2005.[4] 曾庆贵.集成电路版图设计2008.10。