模拟电子技术基础期末复习小结
模拟电子技术总结(精选5篇)

模拟电子技术总结(精选5篇)第一篇:模拟电子技术总结模拟电子技术总结集成运放:将管线结合在一起制成的具有处理模拟信号的电路称为运算放大电路。
集成运算放大电路中的元器件的参数具有良好的一致性。
二:集成运算放大电路的组成:1.输入级(差模信号,Up-Un),抑制温漂。
2.中间级(复合管放大电路)。
3.输出级(互补输出电路)。
4.偏置电路(电流源电路为其提供合适的静态工作点)。
三:抑制温漂(零点漂移)的办法: 1.直流负反馈2.温度补偿(利用热敏元件来抵消管子的变化)3.构成差分放大电路四:失真:1.线性失真(我们所要的,构成电路的放大)2.非线性失真:a:饱和失真b:截止失真。
3.交越失真。
(直接耦合互补输出级)。
五:多级放大电路的耦合方式: 1.直接耦合:低频特性好,便与集成化;存在温漂问题。
2.阻容耦合:便于计算静态工作点,低频特性差。
3.变压器耦合:低频特性差,实现阻抗变换;常用于调谐放大电路,功率放大电路。
4.光电耦合:六:3种最基本的单级放大电路。
1.共发射极电路具有集电极电阻Rc将三极管集电极电流的变化转化成集电极电压的变化。
2.共集电极单级放大器无集电极负载电阻,输出信号取自发射级(发射级电压跟随器)。
原因:三级管进入放大工作状态后,基极与发射级之间的PN结已处于导通状态,这一PN结导通后压降大小基本不变,硅管0.7v。
3.共基极放大器。
七:正弦波振荡电路的组成:1.放大电路2.选频网络3.正反馈网络 4.稳幅环节。
八:负反馈对放大电路特性的影响:1.稳定放大倍数2.改变输入输出电阻:⌝串联负反馈增大输入电阻⌝并联负反馈减小输入电阻⌝电压负反馈减小输出电阻⌝电流负反馈增大输出电阻九:引入负反馈的原则:1.为了稳定静态工作点应引入直流负反馈,为了改善电路的动态性能则应引入交流负反馈。
2.为了稳定输出电压(即减小输出电阻,增强带负载能力),应引入电压负反馈3.为了稳定输出电流(即增大输出电阻)应引入电流负反馈4.为了提高输出电阻(即减小放大电路下信号源所取的电流)应引入串联负反馈5.为了减小输入电阻应引入并联负反馈十:交流负反馈的四种组态: 1.电压串联2.电流串联3.电压并联4.电流并联十一:负反馈的四大好处: 1.稳定放大倍数2.改变电路的输入输出电阻3.展宽频带4.减小非线性失真未完待续,敬请期待!第二篇:模拟电子技术总结《模拟电子技术》院精品课程建设与实践成果总结模拟电子技术是一门在电子技术方面入门性质的技术基础课程,它既有自身的理论体系,又有很强的实践性;是高等院校工科电子信息、电气信息类各专业和部分非电类本科生必修的技术基础课,而且随着电子工业的飞速发展和计算机技术的迅速普及,它也不断成为几乎所有理工科本科生的必修课程。
【工作总结范文】模拟电子技术基础知识总结

模拟电子技术基础知识总结1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为~,锗材料约为~。
8. PN结的伏安特性*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管~,锗管~。
*死区电压------硅管,锗管。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若 V 阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路); 若V阳微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。
2.特点---基区很薄,且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高,与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高,与基区接触面积较大。
二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。
大学模拟电子技术基础(C)期末复习总结

Ri 提高
Ro不变
增加旁路电容Ce
Rb1
RC
C1+
RS uS–+
+ ui Rb2
–
Re
+VCC +C2
+
Au
βRL rbe
Ri Rb1 //Rb2 //rbe
+CRe L
uo
Ro RC
– Ib b
c IIcb
+
Rb1
rbe
Ui
Rc
Rb2
e
+
RLUo
6、共集电极放大电路 (射极输出器、电压跟随器)
第2章 双极型三极管及其放大电路
1.晶体管 NPN 型
C
IC IB
PNP 型 C
IB
IC
B IE E
B IE
E
VC VB VE VC VB VE
︱UBE ︳≈0.2~0. 3V (锗管) ︱UBE ︳≈0.6~0. 7V (硅管)
IE IC IB IC IB IE (1 ) IB
(1)根据三极管的电流,判断三极和类型;
(2)根据三极管各极电位,判断三极和类型;
① 中间电位一定出现在基极上,可确定B ; ② uBE为0.2V(Ge管)或0.6V(si管),可确定E ;余
下为C;
大学期末模电复习总结

模拟电子技术基础复习要点一、常用半导体器件1.半导体二极管(1)掌握二极管具有单向导电的特性。
用电位的方法来判断二极管是否导通,即,哪个二极管的阳极电位最高,或哪个二极管的阴极电位最低,哪个二极管就优先导通。
(2)注意:理想二极管导通之后相当短路,截止后相当开路。
(3)掌握二极管的动态电阻小,静态电阻大的概念(直流通路恒压源,交流通路小电阻)。
交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻,用静态工作点和公式求二极管的电阻值(4)熟悉二极管的应用(开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅)作业:1.32. 半导体稳压管(1)掌握稳压管工作在反向击穿区的特点只要不超过稳压管的最大功率,电流越大越好(2)掌握稳压管与一电阻串联时,在电路中起的稳压作用。
(3)掌握稳压管的动态电阻小,静态电阻大的概念。
(3)熟悉稳压管的应用(稳压、限幅)作业:1.5 , 1.6 3. 晶体三极管(1)熟悉晶体管的电流放大原理(重点掌握Ic =βIb ) (2)掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。
晶体管有三个级,必然就有BE 间的输入,CE 间的输出,所以有两组特性曲线。
iB 和Ube 之间的关系,但是保证Uce 是一个恒定值iC 和Uce 之间的关系,保证Ib 是一个恒定值关于NPN 型管子:管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。
主要是饱和区和截止区之间的区别(3)掌握三极管的放大、饱和与截止条件。
(4)理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。
作业:1.9,1.12 ,共射交流放大倍数β,共基交流放大倍数α≈14. 场效应管(1)能够从转移特性曲线和输出特性曲线识别场效应管类型。
(2)掌握结型场效应管(N沟道)的转移特性和输出特性的意义。
(3)掌握绝缘栅N沟道增强型MOS的转移特性和输出特性的意义。
(4)掌握电流方程,1.4.4 式和1.4.5式作业:1.14结型场效应MOS二、基本放大电路1. 掌握典型的共发射极接法(静态工作点稳定电路)、共集电极接法的射极输出器的工作原理。
模拟电子技术基础课程小结

在结课之际,请各位同学静下心来认真回顾对这门课程的学习,围绕以下几个问题总结经验教训,提出意见及建议。
1、教学内容与哪些先修课程有关联,对先修课程提出了哪些具体要求?2、本课程所涉及的教学内容为本专业培养计划中的哪些后续专业课程提供了支撑?3、学习过程中在什么时间遇到了比较大的瓶颈,对哪些知识点掌握起来感觉困难(对比发在教学资源中的模电复习纲要中的知识点清单梳理)?4、在对本课程学习过程中运用以及形成了哪些学习方法?5、在对本课程的学习过程中用到了哪些辅助手段?(课前预习、电路仿真、上课的PPT、整理课堂笔记、改错刷作业、与同学及老师讨论问题、登陆教学网络平台找教学资源、上网找资源等其它手段)6、请对本课程教学内容的组织及进度做出具体评价(半导体基础知识—二极管—FET、BJT及基本放大电路—集成运放(算术运算电路)—模拟集成电路(差分电路、电流源)—功率放大电路—负反馈—频率响应—滤波电路—正弦波振荡器—非正弦信号产生电路)。
7、对老师在教学过程中的讲述以及对板书(包括手写板与黑板)、PPT、电路仿真、教学网络平台的应用及效果进行具体评价。
8、对这门课程的评分方法和实施做出具体评价。
9、如果一切可以重头来过,.......#11、我们所学的模拟电子技术基础主要先修课程有高等数学、电路分析;它要求我们通过高等数学的学习,能够熟练地对一些式子进行计算,而电路分析的学习,可以让我们能够看懂电路,电路分析的KVL定律、KCL定律、VCR定律、节点法等等,让我们能够分析清楚电路的组成和结构(因为我是转专业的,没学过电路分析,刚开始的上课的时候,看不懂电路,所以前面的几节课上得很痛苦,听不懂)。
2、模拟电子技术基础是一门很基础的课程,给我们以后的课程学习有很大的帮助,它为我们下学期的信号与系统和高频电子线路打好基础,而高频电子线路就是模电的高频部分的深入学习。
3、在模电的学习过程中,因为转专业过来的,完全没有任何的电路基础,所以一开始的上课就听不懂,前一个多月一直是在听天书,花了一个月左右的时间才把这些基础补上,但是前面已经落下很多内容,因此只能自己多看书,把前面的补上,上课的时候没有办法跟着老师的步伐,一直学得很困难,只有在最后的一个月才把所有的知识点补完,能够勉强跟着老师走。
(精品word)模拟电子技术基础知识点总结(良心出品必属精品)

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术期末复习总结
故VT1工作在放大区。欲使VT2也工作在放大区,需
U CQ V C 2 C ICR Q 4 2 U BQ 4 2 V
R4
VCCUBQ18k
ICQ2
h
R4max8k 10
s
解: 1 Rs//Rb1rbb //rbe Cbe 0.14u5s 2 Rc1//Rb2rbb //rbe Cbe 0.97us
Rc
(1)Re
Rc
Au
Rb rbe Rbrbe(1)Re rbe (1)Re
(反相,大) (同相,1) (同相,大)
Ri
Rb rbe
(中)
R brb e(1 )R e
Re
rbe 1
(最大)
(最小)
Ro
RC
(大 )
Re
//
Rb rb 1
e
(最小)
RC (大 )
h
8
1.放大电路如图所示。设VT1、VT2特性相同,且UBE=0.7V, 电源电压VCC=12V,电阻R1=34k,R2=10k,R5=20k, R6=10k,现要求静态工作电流ICQ2=1mA,且VT1、VT2均 应工作在放大区。 1)电阻R3应选多大? 2)电阻R4的阻值有无限制?若有,其极限值为多大?
2ro
ro rbe 20
输出方式
Rid R ic Ro
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
Rc h
双出
单出
2 rbe
12[rbe(1)2ro]
2 Rc
R c 21
FET差分式放大电路
比例电流源
h
22
FET几种方式指标比较(AVD)
双入(单入)双出 双入(单入)单出
模拟电子技术基础 知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术基础总结
路
电容耦合
线性应用(负反馈) 非线性应用(开环,正反馈)
直接耦合 变压器耦合
信号的运算 信号的处理 信号的变换
比例、加减、积分、 有源滤波器 微分、对数、指数、 乘除等
比较器
信号的产生
信号 发生器
负反馈放大器(改善多方面的性能)
交流、直流;正、负;电压、电流;串联、并联。
桥式 RC 移项式
(低频)
固偏:
→直流工作点计算:(寻找突破点) 射偏:
准射偏: *微变等效电路法(交流小信号模型分析法)——估算电压放大器的交流指标
画出交流小信号等效电路(直流电压、电容短路、三极管换为交流小信号模型) →交流指标计算:电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。 图解法——确定静态工作点、分析动态波形失真状况等 特性曲线基础上作图
Uf
•
Io
•
•
F iu
If
•
Uo
•
•
F ii
If
•
Io
•
•
Af
Xo
•
Xi
•
•
Auf
U
•
o
Ui
•
•
Aiuf
Io
•
Ui
•
•
Auif
U
•
o
Ii
•
•
Aiif
Io
•
Ii
*虚短虚断分析法——分析工作于线性状态的运放电路 判断运放构成负反馈 →准确利用虚短虚断推导出电路输入输出的关系
*相位平衡条件判别法——分析正弦波振荡器的相位条件 认识电路(确定类型、结构)→根据结构找出ui、 uo 、uf并标出参考方向
根据“虚短” ud≈0 与“虚断” id≈0,直接求出 AF 及闭环电压增益。
模拟电子技术基础期末复习总结
第一章本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点:在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴;电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子;温度越高,电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体:N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。
P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性(正反接法,特点)二极管的伏安特性(画伏安特性曲线)二极管主要参数稳压管三极管类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。
三种工作状态:(特例NPN型)放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC<0,)饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(U BE>0,U BC>0,)截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE<0,U BC<0),三个工作区:放大区:晶体管于放大状态,i c= i b有放大作用;饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce,无放大作用;截止区:晶体管工作于截止状态,i c≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则:直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置;信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。
要求隔“直”,又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本分析方法:估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。
分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为0.6V或0.7V,锗管(PNP)为0.2V,0.3V),代入方程,求出静态工作点。
图解法:微变等效电路法:半导体三极管的偏置与电流分配: 1、 当晶体管工作在放大区时:电极电位的特点:NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。
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第一章本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。
其特点:在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴;电子和空穴均为载流子,空穴是一种带正电的粒子;温度越高,电子和空穴对的数目越多。
两种掺杂半导体:N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子。
P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子。
二极管PN结及其单向导电性(正反接法,特点)二极管的伏安特性(画伏安特性曲线)二极管主要参数稳压管三极管类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管。
三种工作状态:(特例NPN型)放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC<0,)饱和状态:发射结和集电结均正向偏置;(U BE>0,U BC>0,)截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE<0,U BC<0),三个工作区:放大区:晶体管于放大状态,i c= i b有放大作用;饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce,无放大作用;截止区:晶体管工作于截止状态,i c≈0,无放大作用。
基本放大电路的组成原则:直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置;信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电路时,就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏,集电结反偏。
要求隔“直”,又能使信号顺利通过。
放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri,输出电阻Ro,频带宽度fbw,全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。
三种基本组态的判别估算法:也称近似计算法,用于静态工作点的计算。
分析过程为:画直流通路,由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为0.6V或0.7V,锗管(PNP)为0.2V,0.3V),代入方程,求出静态工作点。
图解法:微变等效电路法:半导体三极管的偏置与电流分配: 1、 当晶体管工作在放大区时:电极电位的特点:NPN 型的(U C >U B >U E );PNP 型的U C <U B <U E 。
基极电位总是居中。
小功率硅管的|U BE |约为0.6V 或0.7V ,小功率的锗管的|U BE |约为0.2V 或0.3V 。
2、 晶体管的直流电流分配关系: I E =I C +I B)1(CBO C E I I I ββ++= CBO CEO I I )1(β+=3、||)1('BE T bb be I U r r β++=低频率小功率的晶体管的'bb r 可取为300Ω,室温下的U T ≈26mV 。
基本放大电路的计算:1、 放大电路中常用甲种偏置电路的静态计算:固定偏置 电压负反馈偏置 分压反馈式偏置 电流负反馈式偏置⑴B BEQCC BQ R UV I -=, BQ CQ I I β= ,CQ CC CEQ R I V U -=⑵CB BEQCC BQ R R UV I )1(β++-=,BQ CQ I I β=,C CQ CC CEQ R I V U -≈⑶CC B B B BQ V R R R U ∙+≈212,EBEQBQ EQ R U UI -=,)(E C CQ CC CEQ R R I V U +-≈⑷EB BEQCC BQ R R UV I )1(β++-=,BQ CQ I I β=, )(E C CQ CC CEQ R R I V U +-≈2、 三种基本放大电路的动态计算:多级放大电路耦合方式及其特点:阻容耦合:各级静态工作点互相独立,只能放大交流信号。
变压耦合:各级静态工作点互相独立,只能放大交流信号,有笨重的变压器,频率特性较差,但能传输较大功率,还有阻抗变换作用和电隔离功能。
直接耦合:各级静态工作点互相关联,既能放大交流信号,也能放大直流信号和缓变信号。
三种耦合方式的比较1、放大电路频率特性用放大电路的幅频特性和相频特性描述。
反映放大电路频率特性的性能指标有放大电路的频带宽度 f bw =f H -f L2、频率失真:当放大电路放大非正弦波信号,且不产生非线性失真时,因为放大电路对不同的频率的信号有不同放大倍数引起的波形失真称为幅频失真;因为放大电路对不同频率的的信号产生的相位移与信号频率不成正比而引起的波形失真称为相频失真。
它统称为频率失真,也称为线性失真。
三极管的频率参数有:共射极截止频率βf 、共基极截止频率∂f 和特征频率T f 。
模拟集成电路特点:⑴元器件参数精度较低,误差较大,但误差的一致性好。
有利于制成对称性好的电路,如差动放大电路。
⑵制作电容困难,所以一般采用直接耦合的电路。
⑶制作管子比制作电阻更容易,因此常用晶体管或应管组成恒流源电路,为各级提供偏置电流或作有源负载。
⑷集成电路中制造三极管比较方便,常利用发射结 制作变通的二极管,用反偏的集电结作为硅稳压管。
⑸为了提高性能或获得特殊的电路效果,常采用一些特殊结构,如横向PNP 管、双集电极晶体管等。
电路组成:主要组成部分有输入级、中间放大级、输出级和偏置电路。
放大电路的中反馈什么是反馈:在电子电路中,把输出回路输出量(电压或电流)的一部分或全部通过一定的网络(称为反馈网络)返送回输入回路并与输入量比较(以串联或并联的方式),以影响电子电路的特性的电路技术称为反馈。
反馈的类型:本级反馈和级间反馈;直流反馈和交流反馈;正反馈和负反馈;电压反馈和电流反馈;串联反馈和并联反馈。
负反馈的四种组态:电压串联负反馈;电压并联负反馈;电流串联负反馈;电流并联负反馈。
负反馈对放大电路的性能的影响 1、 提高放大倍数的恒定性: 2、 扩展放大电路的通频带:3、 减小反馈环内产生的非线性失真。
4、 抑制来自反馈环内的噪声和干扰。
5、 改变输出电阻和输入电阻;⑴电压负反馈能够稳定输出电压,使输出电阻减小; ⑵电流负反馈能够稳定输出电流,使输出电阻增大; ⑶串联负反馈使输入电阻增大; ⑷并联负反馈使输入电阻减小。
6、 负反馈放大电路性能的改善以降低放大倍数为代价。
负反馈放大电路的分析计算:1、 利用式:∙∙≈FAf1估算闭环电压放大倍数,2、 利用式:∙∙≈i f x x 估算闭环电压放大倍数对于串联负反馈,该式的形式为:∙∙≈fi UU对于并联负反馈,该式的形式为:f i I I ∙∙≈。
第七章 模拟信号运算电路 理想运放的概念什么是理想运放?(课本279页) 理想运放工作在线性区进特点:⑴集成运放两个输入端之间的电压为零,称为“虚短”; ⑵集成运放两个输入端之间的电流为零,称为“虚断”; ⑶”虚地”.集成运放的三种基本输入形式:⑴同相输入:信号只从集成运放的同相输入端输入。
⑵反相输入:信号只从集成运放的反相输入端输入。
⑶差动输入:从集成运放的两个输入端均有信号输入。
第九章波形发生电路产生正弦波振荡的条件:1、 相伴位平衡条件:),2,1,0(2 =±=+πϕϕn F A2、 幅度平衡条件:1||>∙F A (起振时),1||=∙F A (产生等幅振荡时) 正弦波振荡电路的组成:放大电路;反馈网络;选频网络;稳幅三节。
正统波振荡电路的分析步骤:⑴检查电路是否具有正弦波振荡电路的基本组成部分,并检查其中放大电路的静态工作点是否能保证电路工作在放大状态。
⑵分析电路是否满足自激振荡条件。
⑶估算振荡频率和起振条件。
备注:计算题目还有频率公式还有输入哦!第七章比例运算电路和求和电路及其传递函数第九章RC 串并联网络振荡电路LC 正弦波振荡电路 并联谐振角频率当 Q >> 1 时谐振频率: 第十章直流电源的组成电网电压,电源变压器,整流电路,滤波器,稳压电路单相整流电路的计算电容虑波电感虑波 LC 虑波电路 集成稳压器⑴三端固定正输出集成稳压器:W7800系列;⑵三端固定负输出集成稳压器:W7900系列; 其中W7800和W7900系列中的“00”是两个数学,代表输出电压大小。
RCf π210=LCLR11)(1200⋅+=ωωLC 10≈ωLCf π210≈2O(AV)2.1U U ≈2O(AV)9.0U U =2O(AV)9.0U U =第四章 功率放大电路功率放大电路的作用:是放大电路的输出级,去推动负载工作。
功放电路按功放管的工作状态分类:甲类功放(导通角θ=2π),乙类功放(导通角θ=π),甲乙类功放(导通角π< θ < 2π )。
第八章 信号处理电路 滤波电路的作用和分类作用:选频(即允许某一部分频率的信号顺利通过,将另一部分频率的信号滤掉。
)低通滤波器(LPF)——通带截止频率高通滤波器(HPF)其通带截止频率:带通滤波器(BPF) Q 品质因素 带阻滤波器(BEF)电压比较器过零比较器当 u I < 0 时,u O= + U OPP ; 当 u I > 0 时,u O = - U OPP ; U OPP 为集成运放的最大输出电压。
滞回比较器作用:产生矩形波、三角波和锯齿波,或用于波形变换。
抗干扰能力强。
考试题型1选择(共5题) 2真空题3判断题(与课本习题1-13,6-12类似)4计算题(1静态,动态,共射放大电路的微变等效电路图,2比例运算电路和求和电路计算,3全波,半波,桥式单相整流电路的计算)RCf π210=RCf π210=o31u A Q -=1F o 1R R A u +=。