1.3 二极管基本应用电路及其分析方法

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第二讲 半导体二极管及应用

第二讲 半导体二极管及应用

导通:u 导通 D=Uon+ID×rD 截止: 截止 iD=0
2、交流小信
Q
UD
ID
id
+
id
+ -
uD =UD +ud
uD
-
rd
ud
交流小信号模型
当在二极管的工作点上叠加有低频交流小信号电压ud时, 只要工作点选择合适, 足够小,可将Q点附近的伏安特性 只要工作点选择合适,且ud足够小,可将 点附近的伏安特性 线性化), 曲线看成直线(线性化 曲线看成直线 线性化 ,则交流电压与电流之间的关系可用一 来近似。 个线性电阻rd来近似。 rd ——工作点处的交流电阻。 rd = UT / ID 工作点处的交流电阻。 ★注意:小信号模型只能反映交流电压和电流之间的关系, 注意:小信号模型只能反映交流电压和电流之间的关系, 不能反映总的电压与电流的关系。 不能反映总的电压与电流的关系。
3、二极管的伏安特性曲线与材料和温度的关系: 二极管的伏安特性曲线与材料和温度的关系: iD 锗 硅 iD 80 20
0
uD
0
uD
材 料 硅 锗
导通 反向饱 开启 电压 压降 和电流 0.5V 0.6~0.8V <1A 0.1V 0.2~0.3V 几十 几十A
温度升高, 增大(1倍 ° 温度升高, IS增大 倍/10°C) 下降, 温度升高, 温度升高,Uon下降, 正向曲线左移2~2.5mV/ °C。 正向曲线左移 。
IZ
电击穿有两种: 电击穿有两种: 雪崩击穿 齐纳击穿
击穿 低掺杂的 高掺杂的 结 结 原因 PN结, PN结,价 价电子被 电子被场 碰撞电离 致激发 如果反向击穿时,电流过大, 如果反向击穿时,电流过大,使 >6V <4V 击穿 管子消耗的平均功率超过二极管 电压 容许值,会使管子过热而烧毁, 容许值,会使管子过热而烧毁, >0 <0 温度 为不可逆击穿。 称为热击穿,为不可逆击穿。 电击穿可利用,热击穿需避免。 *电击穿可利用,热击穿需避免。 系数

二极管基本电路及其分析方法

二极管基本电路及其分析方法

e
v D /VT Q

VT ID
iD VT

Q

ID VT
则 rd
1 gd

VT ID
常温下(T=300K)
rd
26 ( mV ) I D ( mA )
2. 模型分析法应用举例
1) 整流电路 2)限幅电路 3)开关电路 4)低电压稳压电路 5)箝位电路 6)其它电路
分析方法:
1)选取参考点; 2)用理想模型、恒压降或折线模型代替二极管; 3)断开理想二极管,求N、P两端的电压。
vd
_ R
+
vO
_
7) 其它电路
+VCC +VCC


vi


-VEE
vo
-VEE
vo
防止共模输入电压过大
防止电源反接
- +
vo
防止差模输入电压过大
2.模型分析法应用举例
(6)小信号工作情况分析
直流通路、交流通路、静态、动态 等概念,在放大电路的分析中非常重要。
图示电路中,VDD = 5V,R = 5k,恒压降模型的VD=0.7V,vs = 0.1sint V。 (1)求输出电压vO的交流量和总量;(2)绘出vO的波形。
t
vo
3 0
t
2)用恒压降模型分析
+
vi – R D
0.7
+
vo –
VREF
当vi 3 0.7时,D通,vO 3.7V
当vi 3 0.7时,D止,vO vi
(3)限幅电路 电路如图,R = 1kΩ,VREF = 3V,二极管为硅二极管。分别 用理想模型和恒压降模型求解,当vI = 6sint V时,绘出相应的输 出电压vO的波形。

二极管的七种应用电路及详解

二极管的七种应用电路及详解

二极管的七种应用电路及详解杨江凯2019年10月2日许多初学者对二极管很“熟悉”,提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性,说到它在电路中的应用第一反应是整流,对二极管的其他特性和应用了解不多,认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性,就能分析二极管参与的各种电路,实际上这样的想法是错误的,而且在某种程度上是害了自己,因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析,许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。

二极管除单向导电特性外,还有许多特性,很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理,而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路,例如二极管构成的简易直流稳压电路,二极管构成的温度补偿电路等。

一、二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中,由于电路简单,成本低,所以应用比较广泛。

二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。

二极管的管压降特性:二极管导通后其管压降基本不变,对硅二极管而言这一管压降是0.6V左右,对锗二极管而言是0.2V左右。

如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。

电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管,它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。

图9-40 3只普通二极管构成的简易直流稳压电路1.电路分析思路说明分析一个从没有见过的电路工作原理是困难的,对基础知识不全面的初学者而言就更加困难了。

关于这一电路的分析思路主要说明如下。

(1)从电路中可以看出3只二极管串联,根据串联电路特性可知,这3只二极管如果导通会同时导通,如果截止会同时截止。

(2)根据二极管是否导通的判断原则分析,在二极管的正极接有比负极高得多的电压,无论是直流还是交流的电压,此时二极管均处于导通状态。

从电路中可以看出,在VD1正极通过电阻R1接电路中的直流工作电压+V,VD3的负极接地,这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。

二极管及其基本电路

二极管及其基本电路

vD
nV T
指数 关系
D
当加反向电压时: v
vD<0,当|vD|>>|V T |时 e 则 iD IS
常数
nV T
1
4、PN结的反向击穿
二极管处于反向偏置时,在一定的电压范围内,流过 PN结的电流很小,但电压超过某一数值(反向击穿电压)时, 反向电流急剧增加,这种现象就称为PN结的反向击穿。
+4 +4 +4
+4
+3
+4
+4
+4
+4
自 由 电 子 空 穴 对
P型半导体的示意方法
空穴 受 主 离 子
- - -
- - -
- - -
- -

2.N型半导体
在硅(或锗)的晶体中掺入少量的五价元素杂质。(磷、锑)
硅原子
多余电子
+4
+4
+4
磷原子多余的电子易受 热激发而成为自由电子, 使磷原子成为不能移动的 正离子。 磷→施主杂质、N型杂质
正偏时,结电容较大,CJ≈CD 反偏时,结电容较小,CJ≈CB
§1.2 二极管
1.2.1 二极管的结构
PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。
(Anode)
1、二极管的电路符号:
2、分类
(Kathode)
按结构分:点接触型,面接触型,平面型。
按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,„„。 按材料分:硅二极管,锗二极管。
(3)PN结的V--I 特性及表达式
i D I S (e
vD
nV T
1)
vD :PN结两端的外加电压

(完整版)二极管7种应用电路详解

(完整版)二极管7种应用电路详解

二极管7种应用电路详解之一许多初学者对二极管很“熟悉”,提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性,说到它在电路中的应用第一反应是整流,对二极管的其他特性和应用了解不多,认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性,就能分析二极管参与的各种电路,实际上这样的想法是错误的,而且在某种程度上是害了自己,因为这种定向思维影响了对各种二极管电路工作原理的分析,许多二极管电路无法用单向导电特性来解释其工作原理。

二极管除单向导电特性外,还有许多特性,很多的电路中并不是利用单向导电特性就能分析二极管所构成电路的工作原理,而需要掌握二极管更多的特性才能正确分析这些电路,例如二极管构成的简易直流稳压电路,二极管构成的温度补偿电路等。

9.4.1 二极管简易直流稳压电路及故障处理二极管简易稳压电路主要用于一些局部的直流电压供给电路中,由于电路简单,成本低,所以应用比较广泛。

二极管简易稳压电路中主要利用二极管的管压降基本不变特性。

二极管的管压降特性:二极管导通后其管压降基本不变,对硅二极管而言这一管压降是0.6V 左右,对锗二极管而言是0.2V左右。

如图9-40所示是由普通3只二极管构成的简易直流稳压电路。

电路中的VD1、VD2和VD3是普通二极管,它们串联起来后构成一个简易直流电压稳压电路。

图9-40 3只普通二极管构成的简易直流稳压电路1.电路分析思路说明分析一个从没有见过的电路工作原理是困难的,对基础知识不全面的初学者而言就更加困难了。

关于这一电路的分析思路主要说明如下。

(1)从电路中可以看出3只二极管串联,根据串联电路特性可知,这3只二极管如果导通会同时导通,如果截止会同时截止。

(2)根据二极管是否导通的判断原则分析,在二极管的正极接有比负极高得多的电压,无论是直流还是交流的电压,此时二极管均处于导通状态。

从电路中可以看出,在VD1正极通过电阻R1接电路中的直流工作电压+V,VD3的负极接地,这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。

第一章二极管及其基本电路

第一章二极管及其基本电路

PN结方程
iD I S ( e
v D / nVT
1)
PN结的伏安特性 非线性
其中: IS ——反向饱和电流
VT ——温度的电压当量 常温下(T=300K) kT VT 0.026V 26 mV q n —发射系数 vD —PN结两端的外加电压
v D / nVT i I e 近似 正向: D S 估算 反向: i I D S
1 掺杂性:在纯净的半导体中掺入某些杂质,导电能力明显改变。
§1.1 半导体的基本知识
电子器件中,用的最多的半导体材料是硅和锗。
Ge
Si
+4
通过一定的工艺过程,可以将半导体制成晶体。
2
二、本征半导体 本征半导体 — 完全纯净、结构完整的半导体晶体。
半导体的共价键结构
§1.1 半导体的基本知识
+4
⑴PN结加正向电压:P区接正,N区接负
变薄
- - - - - + + + + +

I : 扩散电流 + + + + + - - - - - P区 N区
- - - - - + + + + +

IF
外电场 小 内电场被削弱,多子的扩散加 结 强,形成较大的扩散电流I。 VF
16
内电场
3.PN结的单向导电性
b.恒压降模型
当二极管导通后,认 为其管压降vD=VON。 常取vD硅=VON=0.7V vD锗=VON=0.2V
适用
只有当二极管的电流iD近似 等于或大于1mA时才正确。
恒压降模型
应用较广泛。

二极管电路的分析方法


I2 = (UO VDD2) / R = (14.3 12) / 1 = 2.3 (mA) I1 = IO + I2 = 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA)
第 1 章 半导体二极管
例 1.3.3 二极管构成“门”电路,设 V1、V2 均为 理想二极管,当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时,求输出电压 UO 的值。
采用理想模型
理想 IO = VDD/ R = 10 / 2 = 5 (mA) 恒压降 UO = 10 0.7 = 9.3 (V)
IO = 9.3 / 2 = 4.65 (mA)
VDD 小, 采用恒压降模型
第 1 章 半导体二极管
例1.3.2 试求路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。
第 1 章 半导体二极管
小结
理想二极管:
正偏导通,电压降为零,相当于开关合上; 反偏截止,电流为零,相当于开关断开。 当所加电压远大于二极管正向电压是,可看
成是理想二极管
恒压降模型:
正偏电压 UD(on) 时导通,等效为恒压源 否UD则(o截n)止;,相当于二极管支路断开。
当所加电压接近二极管正向电压时,可 看成恒压降模型
ui
AV1 V2
V3 BV4RL
uO
ui / V
15
O
t
ui
S1 A
S3 B
uO/ V
uO
15
S2 S4
O
t
ui
S1 A
S3 B
uO
若有条件,可 切换到 EWB 环境观 察桥式整流波形。
S2 S4
例 1.3.5 ui = 2 sin
R

模拟电子技术电子教案第一章半导体二极管及其电路分析教案

1.半导体二极管及其电路分析【重点】半导体特性、杂质半导体、PN结及其单向导电特性。

【难点】PN结形成及其单向导电特性。

1.1 半导体的基本知识1.1.1 半导体的基本知识(1)导电能力对温度的反应非常灵敏。

(2)导电能力受光照非常敏感。

(3)在纯净的半导体中掺入微量的杂质(指其他元素),它的导电能力会大大增强。

1.1.2 本征半导体纯净的半导体称为本征半导体,常用的本征半导体是硅和锗二晶体。

半导体有两种载流子,自由电子和空穴,如果从本征半导体引出两个电极并接上电源,此时带负电的自由电子指向电源正极作定向运动,形成电子电流,带正电的空穴将向电源负极作定向运动,形成空穴电流,而在外电路中的电流为电子电流和空穴电流之和。

1.1.3 杂质半导体1.N型半导体在硅晶体中掺入微量5价元素,如磷(或者砷、锑等),如图所示。

这种半导体导电主要靠电子,所以称为电子型半导体,简称N型半导本。

在N型半导体中,自由电子是多数载流子,而空穴2.P型半导体如果在硅晶体中,掺入少量的3价元素硼(铟、钾等),如图1-5所示。

这种半导体的导电主要靠空穴,因此称为空穴型半导体,有称P型半导体。

P型半导体的空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

结论:N型半导体、P型半导体中的多子都是掺入杂质而造成的,尽管杂质含量很微,但它们对半导体的导电能力却有很大影响。

而它们的少数载流子是热运动产生的,尽管数量很少,但对温度非常敏感,对半导体的性能有很大影响。

1.1.4 PN结及其单向导电特性1.PN结的形成结论:在无外电场或其它因素激发时,PN结处于平衡状态,没有电流通过,空间电荷区是恒定的。

另外,在这个区域内,多子已扩散到对方并复合掉了,好像耗尽了一样,因此,空间电荷区又叫做耗尽层。

2.PN结单向导电性(1)正向特性当PN结外加正向电压(简称正偏),电源正极接P,负极接N,PN结处于导通状态,导电时电阻很小。

(2)反向特性当外加反向电压(简称反偏),电源正极接N,负极接P,PN结处于截止状态结论:PN结正偏时电路中有较大电流流过,呈现低电阻,PN结导通;PN结反偏时电路中电流很小,呈现高电阻,PN结截止,可见PN结具有单向导电性。

【高中物理】优质课件:二极管基本电路及其分析方法


rd
VT ID
26(mV ) ID (mA)

rd
1 gd
VT ID
二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模
(4)小信号模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
特别注意: ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下,且vD>>VT 。
(a)V-I特性 (b)电路模型
(a)V-I特性 (b)电路模型
二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模
(4)小信号模型
iD
1 R
vD
1 R
(VDD
vs
)
vs =0 时, Q点称为静态工作点 ,反映直流时的工作状态。 vs =Vmsint 时(Vm<<VDD), 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化,得到 小信号模型,即以Q点为切点的一条直线。
例 电路如图所示,已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电 阻R,求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。
解即:由iD电 路 R的1 vKDVL方R1 V程DD,是可一得条i斜D 率V为DD-R1/vRD的直线,称为负载线 Q的坐标值(VD,ID)即为所求。Q点称为电路的工作点
二极管电路的简化模型分析方法
1.二极管V-I 特性的建模 将指数模型 iD IS(e分vD段VT线性1) 化,得到二极管特性的
等效模型。 (1)理想模型
(a)V-I特性 (b)代表符号 (c)正向偏置时的电路模型 (析方法
1.二极管V-I 特性的建模
(2)恒压降模型
(3)折线模型
高中物理
二极管基本电路及其分析方法

《模拟电子技术》教学大纲

《模拟电子技术》教学大纲一、课程概述模拟电子技术是通信专业、计算机专业的一门必修的技术基础课,也是一门培养基本技能的技术实践课程。

本课程介绍模拟电子技术基本知识和基本技能,并介绍电子学的最新发展。

这门课程的重点是培养和训练学生认知、分析电子线路的能力,掌握模拟电子技术的基本原理和实践能力,为学习后继课程和专业知识打下良好的理论基础和实践基础,并具有将电路分析理论和电子技术应用于本专业的一定能力。

本课程的先修课程是大学物理、高等数学、电路分析原理,后继课程是数字电路与逻辑设计。

二、课程目标1.知道半导体的导电机理和PN结的形成,理解PN结的单向导电性。

2.掌握二极管、三极管、场效应管的主要特点、工作原理和特性及其作用;熟悉管子的主要参数并学会合理选择和使用这些参数。

3.掌握二极管基本电路原理和分析方法,理解二极管的应用。

4.理解三极管基本放大电路的基本结构及其工作原理,掌握静态工作点的估算,掌握小信号模型分析方法,了解输入、输出电阻的概念。

理解射极输出器的基本特点和用途。

5.知道场效应管的特性和工作原理,掌握场效应管放大电路的结构及工作原理,掌握FET放大电路的小信号模型分析方法。

6.知道多级放大电路的耦合方式及其特点。

7.知道稳定静态工作点和提高电压放大倍数的方法,并能估算有关参数(静态工作点、电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等)。

8.知道放大电路的频率特性,理解幅频特性的含义。

9.理解功率放大电路的结构特点,并能分析和计算功率电路。

了解集成功率器。

10.深刻理解反馈的概念,能判断反馈的类型并定性分析负反馈对放大器性能的影响。

11.理解直流放大器的特点,掌握差动放大器的电路结构及工作原理,并能估算简单电路的有关参数(差模放大倍数、差模输入电阻和输出电阻、共模放大倍数和共模抑制比)。

12.知道集成运算放大器的组成及其主要参数和电压传输特性。

理解理想运算放大器并掌握其基本分析方法。

13.知道集成运算放大器在数学运算方面的应用,熟悉信号处理电路的原理和结构特点。

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习惯画法
电路
三、二极管应用电路及其分析 续
例1.3.4 下图所示的二极管电路中,设 VA、VB 均为理想二极管, 当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时, 求输出电压 UO 的值。
解:
输入电压 理想二极管 输出
UA UB
0V 0V
VA 正偏 导通
VB 电压
正偏 导通
t
VDD
rd
duD diD
Q
二极管的小信号模型
t
ui
由 iD I S (e uD / UT 1)

1
IS
UQ
e UT
IQ
rd U T
UT
rd = UT / IQ 26 mV / IQ
交流电阻rd 很小。IQ越大,rd 越小



例1.3.7 图示为硅二极管低电压稳压电路,输入电压U I为10V,试分析
0V
0V
0V 5V
正偏 导通
反偏 截止
0V
5V
三、二极管应用电路及其分析 续
例1.3.4 下图所示的二极管电路中,设 VA、VB 均为理想二极管, 当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时, 求输出电压 UO 的值。
解:
输入电压 理想二极管 输出
UA UB
0V 0V
替工作于导通和截止状态。u i 振幅远大于 0.7V,因此可采用理想模型分析法。 解: u i 为正半周时,二极管正偏导通,u o= u i
u i 为负半周时,二极管反偏截止,u o= 0
三、二极管应用电路及其分析 续
例1.3.3 下图所示电路中,输入电压 为振幅15V的正弦波,试画 出输出电压波形。 解题分析:u i 为交变大信号,因此二极管交
2. 动态分析: 求U I变化 ±1V时相应变化量ΔU O
例1.3.7 电路
rd = 26mV / IQ mA= (26 / 3.1 ) 8.39
U O
rd rd
R
U I
8.39 8.39 3000
( 1 V)
2.79mV
3. 综合分析:
U'O=U O+ΔU O =700 mV ± 2.79 mV
(2)已知u i=10sin t V,画出u i 和u O的波形。
55..11kkΩΩ
解:(1)分析电路工作情况
++ uuiii
+ +-+VV0D1DD1.7111V
22VV
_
+--
V0V.7D2DD2V222 44VV
++ uuOOO
当 u i ≥ 2.7V 时,V1管导 通,V2管截止,u O = 2.7V ; 当 4.7V < u i < 2.7V 时, V1管
1. 恒压降模型
iD
2. 理想模型
iD
O
uD UD(on)
uD UD(on) 时导通, 等效为 uD= UD(on)
uD< UD(on) 时截止, 等效为开路 iD= 0
O
uD
uD>0时导通,等效为短路 uD= 0
uD<0时截止,等效为开路 iD= 0
二、模型的选用
EWB演示
Multisim演示
例1.3.1 硅二极管电路如图所示,R = 2 k,试用二极管理想模
1.3 二极管基本应用电路 及其分析方法
1.3.1 理想模型分析法和恒压降模型分析法 1.3.2 图解分析法和小信号模型分析法 1.3.3 仿真分析法
二极管电路分析思路
1.2 V
100 iD
R
VDD
uD
uD = VDD iDR
求解 iD = f (uD)
可得二极管电流、电压
非线性元器件的分析方法
I1 0.7V
IO
15 V VDD1
PN
I2
VDD2
R 1 k
RL
3 k
UO
12V
解:假设二极管断开
UP = 15 V
UN
RL RL
R
VDD2
3 12V 9V 31
UP N >0.7V,二极管导通, 等效为 0.7 V 的恒压源
UO= VDD1 UD(on)= (15 0.7)V = 14.3 V
图解分析法 :直观但不方便,通常用于观察器件工作状态。 模型分析法 :有大信号模型和小信号模型之分。工程上常用之。
仿真分析法 :常用软件有:美国国家仪器公司(NI)的Multisim、 美国加州大学伯克利分校开发的PSpice等。
1.3.1 理想模型分析法和恒压降模型分析法
一、恒压降模型和理想模型的建立
I1
IO
解:假设二极管断开
15 V VDD1
PN I2
VDD2
R RL 1 k
3 k 12V
UO
UP = 15 V
UN
RL RL
R
VDD2
3 12V 9V 31
UP N >0.7V,二极管导通, 等效为 0.7 V 的恒压源
三、二极管应用电路及其分析 续
例1.3.2 试求图示硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。
采用恒压降模型分析法得UO = 9.3V, IO =4.65 mA
二、模型的选用 续
由该例可见: VDD 大时可采用理想模型; VDD 小时应采用恒压降模型。
欲得更高计算精度,可采用二极管的折线模型。
*自学
rD 称为二极管 的导通电阻
三、二极管应用电路及其分析
例1.3.2 试求图示硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 的值。
型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 值。
解:
UD(on)
VDD IO R UO
VDD
IO R UO VDD IO R UO
当VDD = 2 V 时 ,采用理想模型分析法得 UO = VDD = 2 V
IO = VDD / R = 2 V/ 2 kΩ = 1 mA
替工作于导通和截止状态。u i 振幅远大于 0.7V,因此可采用理想模型分析法。 解: u i 为正半周时,二极管正偏导通,u o= u i
三、二极管应用电路及其分析 续
例1.3.3 下图所示电路中,输入电压 为振幅15V的正弦波,试画 出输出电压波形。 解题分析:u i 为交变大信号,因此二极管交
替工作于导通和截止状态。u i 振幅远大于 0.7V,因此可采用理想模型分析法。 解: u i 为正半周时,二极管正偏导通,u o= u i
u i 为负半周时,二极管反偏截止,u o= 0
故可画出u
波形为
o
此为半波整流电路
三、二极管应用电路及其分析 续
例1.3.4 下图所示的二极管电路中,设 VA、VB 均为理想二极管, 当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时, 求输出电压 UO 的值。
利用二极管的正向恒压特性可进行稳压,但一般只用于3~4V以下。
作业:P39 1.10
讨论 怎样选用合适的分析方法对二极管应用电路进行分析 ?
答:二极管电路分析方法主要有图解分析法和模型分析法,前者常 用于观察器件工作情况是否合适,后者用以分析电路性能,通常采 用模型分析法。分析时先选用合适的模型,再进行电路分析。
解:
5V 5V
实现了与功能
输入电压 UA UB
0V 0V 0V 5V
5V 0V 5V 5V
理想二极管
VA 正偏 导通 正偏 导通 反偏 截止 正偏 导通
VB 正偏 导通
反偏 截止 正偏 导通 正偏 导通
输出 电压
0V
0V
0V 5V
例1.3.5 试分析下图所示的硅二极管电路: (1)画出电压传输特性曲线;
采用恒压U降UO模O 型09分..73析VV 法 7得.5%UIOO
= =
VDD UO /
–UUUOOD(on)10=..(37VV2540%.7 )V= 1.3
R = 1.3 V/ 2 kΩ = 0.65 mA
V
当VDD =10 V 时, 采用理想模型分析法得 UO = 10V, IO =5 mA
可得二极管电流、电压
直流工作点参数为: UQ = 0.7 V,IQ= 5 mA
二极管直流电阻
RD
UQ IQ
0.7V / 5 mA 140
Q点越高,二极管直流电阻越小。
二、二极管电路的交流图解分析
C二、二iD极管电路的交流iD /图mA解分析 iD / mA
R
VDD/ R
id
ui
uD
VDD
ui =Uimsin t ,Uim很小
当U
I
变化
±1V时输出电压U
的相应变化量和输出电压值。
O
解:1. 静态分析:求U I 为10V、变化量为零时的U O、I Q
U O =UQ 0.7 V, IQ = (100.7) V/3k = 3.1 mA
2.
动态分析:
求U
变化
I
±1V时相应变化量ΔU
O
例1.3.7 电路
U I有变化时的等效电路
例1.3二极管应用电路及其分析 续
例1.3.4 下图所示的二极管电路中,设 VA、VB 均为理想二极管, 当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时, 求输出电压 UO 的值。
解:
输入电压 理想二极管 输出
UA UB
0V 0V
VA 正偏 导通
VB 电压
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