简易场效应管低频跨导gm检测电路
gm恒定跨导电路-概述说明以及解释
gm恒定跨导电路-概述说明以及解释1.引言1.1 概述电路中的跨导（transconductance）是指输出电流对输入电压的变化率，通常用符号gm表示。
gm恒定跨导电路（Constant gm Transconductance Circuit）是一种能够保持跨导恒定的电路结构。
通过控制跨导的恒定性，我们可以实现电路的稳定性和性能的提升。
gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有广泛的应用。
它可以用于放大器、滤波器、混频器、振荡器等各种电路。
在放大器中，gm恒定跨导电路可以提高电压增益和带宽，从而实现信号的放大和处理。
在滤波器中，它可以通过调节跨导的恒定性来控制滤波器的频率响应，实现对特定频率信号的选择性放大和抑制。
在混频器中，gm恒定跨导电路可以将两个不同频率的信号进行混频，得到新的频率信号。
在振荡器中，它可以提供必要的反馈路径，使得振荡信号得以产生和维持。
设计和优化gm恒定跨导电路是实现其功能和性能提升的关键。
在设计中，需要考虑电路的拓扑结构、元器件的选择和布局的合理性。
通过合适的设计参数，可以实现所需的跨导恒定性。
同时，对于不同的应用场景，优化电路的功耗、带宽、稳定性等方面也是必要的。
总之，gm恒定跨导电路在现代电子技术中具有重要的地位和作用。
通过保持跨导恒定，可以实现电路的稳定性和性能的提升。
未来，随着电子技术的不断发展，gm恒定跨导电路有望在更多的领域展现其潜力和应用价值。
通过不断优化和创新，我们可以进一步提高其性能和功能，满足人们对电子设备的需求。
1.2文章结构1.2 文章结构本文将围绕着"gm恒定跨导电路"这一主题展开论述。
文章由引言、正文和结论三个部分组成，具体结构安排如下：第一部分是引言部分，主要对本文的研究对象"gm恒定跨导电路"进行概述。
在1.1小节中，将介绍gm恒定跨导电路的概念和基本原理，以便读者对该主题有一个初步的了解。
在1.2小节中，将对全文进行逻辑分析，明确各个部分的内容和论述框架。
简易场效应管低频跨导gm检测电路
第一章 方案提出依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示:三极管类型判别电路的功能是利用N 沟道型和P 沟道型电流流向相反的特性来判别。
场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对gm 的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。
场效应管gm 测量电路的功能是利用比较器的原理实现8个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
低频跨导gm 测量电路 显 示 电 路低频跨导gm 档位测量电路 场效应管类型电源电路第二章电路基本组成及工作原理第一节场效应管类型判断电路场效应管判别类型如图1所示。
由于P沟道和N沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与N沟道场效应管连接的发光二极管亮，与P沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N沟道还是P沟道。
并且将P沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。
（a）（b）图1第二节场效应管低频跨导测量电路当电路接入N沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可以看出，除了R0可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo随gm的变化而变化，同时可通过调节R0大小可以调节Vgs的大小，调节最终的gm档位值。
当电路接入P沟道场效应管时，为此可采用如图1的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可得，电压Vo将随gm的变化而变化，同时也可以通过调节R0调节gm档的位值。
第三节低频跨导档位测量电路和显示电路图2档位测量电路：如图2所示，gm档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的8个比较电路，其中虚线代表省略的5个运算放大器，所有放大器的反相端接gm测量电路的输出端Vo或Ve，而8个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
(完整版)第四章场效应管习题答案..
第四章 场效应管基本放大电路4-1 选择填空1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的.a 。
栅源电流b 。
栅源电压c 。
漏源电流d 。
漏源电压 2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。
a 。
关断b 。
进入恒流区c 。
进入饱和区 d. 可变电阻区 3．场效应管的低频跨导g m 是________.a. 常数 b 。
不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4。
场效应管靠__________导电.a 。
一种载流子b 。
两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5。
增强型PMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零 b 。
小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS 管的开启电压__________。
a. 大于零b. 小于零 c 。
等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。
a. 增强型b. 耗尽型 c 。
结型 d 。
增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻R G 一般阻值很大,目的是__________。
a 。
设置合适的静态工作点b 。
减小栅极电流c. 提高电路的电压放大倍数 d 。
提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器(共漏极放大器)的输出电阻与___________有关。
a. 管子跨导g m b 。
源极电阻R S c. 管子跨导g m 和源极电阻R S 10。
某场效应管的I DSS 为6mA ，而I DQ 自漏极流出，大小为8mA ，则该管是_______.a 。
P 沟道结型管b 。
N 沟道结型管c 。
增强型PMOS 管d 。
耗尽型PMOS 管e 。
增强型NMOS 管 f. 耗尽型NMOS 管解答：1。
b 2。
b 3.b ，c 4. a 5.b 6.a 7。
b,c 8。
d 9.c 10。
d4-2 已知题4—2图所示中各场效应管工作在恒流区,请将管子类型、电源V DD 的极性（+、—)、u GS 的极性（>0，≥0，〈0,≤0，任意）分别填写在表格中。
场效应管及其放大电路(5)
氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，简
称MOS场效应管。
源极S 栅极G 漏极D
金属电极
SiO2绝缘层
符号： D
G
P型硅衬底
高掺杂N区
S 由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电
阻很高，最高可达1014 。
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(2) N沟道增强型管的工作原理 由结构图可见，N+型漏区和N+型源区之间被P型
当UGS UGS(th）后，场效 应管才形成导电沟道，
开始导通，若漏–源之间 加上一定的电压UDS，则 有漏极电流ID产生。在 一定的UDS下漏极电流ID 的大小与栅源电压UGS有 关。所以，场效应管是
一种电压控制电流的器
件。
–ED +
S
EG
–UG+S G
D
N+
N+
P型硅衬底
N型导电沟道
在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变 为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。
输出电阻
ri RG ( RG1 // RG2) rO RD
RG是为了提 高输入电阻ri 而设置的。
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由于晶体管的输出特性具有恒流输出特性，漏
源电阻(即场效晶体管的输出电阻)：
rds
ID/mA
ΔU DS ΔI D
uGS C
rds是很高的，在共源极放 大电路中，漏级电阻RD与 管子的输出电阻rds并联。
增尽强 型型 ：： 当当UGUS＝GS＝0时0时，，存没在有导导电电沟沟道道，，IDI0D＝。0。耗
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3. 场效应管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数
gm参数简化模型BJT低频跨导的定义
发射结电容 Cbe ： Cbe g m CbT 为特征频率，器件手册可查到。
2.6
小结
一、BJT原理 两种类型：NPN管和PNP管。 三种工作状态： 放大、饱和、截止 条件 特点 判断方法 直流等效模型 放大状态下的电流关系
二、BJT静态伏安特性曲线 曲线的形状 工作区域的划分，特点
Q
（2.44）
表明BJT的ce端间可用一受控电流源来等效。
gm参数简化模型:
图2.21 BJT的 g m 参数简化模型
参数的估算
由于 ic iE I ES e
vBE VT
vBE VT
，所以
diC gm dvBE
Q
I ES e
VT
iC VT
Q
Q
IC VT
（2.45）
三、BJT小信号模型 （1）电压控制电流源（ ic g m vbe ）模型。 （2）电流控制电流源（ ic ib）模型。 （3）两种模型之间的转换关系 rbe
gm
当T＝300K时，
gm 38.5IC
（2.46）
与 g m 、rbe 之间的关系
VT VT rbe IE IC IC gm VT
（3）BJT完整小信号模型——混合模型
图2.21 BJT完整小信号模型
1）基区复合电阻 rbe :
VT rbe (1 ) IE
（2.48）
2）低频跨导
g m：
IC gm VT
（2.49）
2)基调效应参数
dvCE rce diC
Q
VA VCE VA (VA IC IC
VCE ) （2.50）
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项
场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类、管脚排列、检测方法、使用注意事项场效应管的种类：场效应管K1113 管脚排列图：MOS场效应管的检测方法:（1）．准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。
最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。
再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。
若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。
交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。
日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。
双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。
为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项：MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。
MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。
也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS 器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。
拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。
模拟电子技术第五章场效应管及其放大电路
况，称为预夹断。源区 而未夹断沟道部分为低阻，因
的自由电子在VDS电场力 的作用下，仍能沿着沟
此，VDS增加的部分基本上降落 在该夹断区内，而沟道中的电
道向漏端漂移，一旦到 场力基本不变，漂移电流基本
达预夹断区的边界处， 不变，所以，从漏端沟道出现
就能被预夹断区内的电 场力扫至漏区，形成漏
预夹断点开始， ID基本不随VDS
VDS ＝ VD － VS =VDD－IDRD－ VS
二、小信号模型
iD Kn vGS VT 2
Kn VGSQ vgs VT 2
漏极信号 电流
Kn VGSQ VT 2 2Kn VGSQ VT vgs Knvg2s
Kn
VGSQ
VT
2 gmvgs
K
nv
2 gs
IDQ id
3. 最大漏源电压V(BR)DS
指发生雪崩击穿时，漏极电流iD急剧上升时的vDS。与vGS有关。
4. 最大栅源电压 V(BR)GS
指PN结电流开始急剧增大时的vGS。
5.2 MOSFET放大电路
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 小信号模型分析 3. MOSFET 三种基本放大电路比较
产生谐波或 非线性失真
λ= 0
λ≠ 0
共源极放大电路
例题5.2.4:
电路如图所示，设VDD=5V， Rd=3.9kΩ， VGS=2V， VT=1V， Kn=0.8mA/V2，λ=0.02V-1。试当管工作在饱和区时，试确定电路 的小信号电压增益。
例题5.2.5:
电路如图所示，设Rg1=150kΩ，Rg2=47kΩ，VT=1V，Kn=500μA/V2，λ=0， VDD=5V，-VSS=-5V， Rd=10kΩ， R=0.5kΩ， Rs=4kΩ。求电路的电压增益和 源电压增益、输入电阻和输出电阻。
高跨导gm的场效应管
电磁波入射到金属表面时所产生的损耗有 两种：入射波的一部分从金属表面反射回 去，称之为反射损耗；另一部分穿过金属 板并被衰减，称为吸收损耗。
电磁波通过介质时，其幅度以指数方式衰 减，产生这种衰减的原因是由于介质中感 应的电流造成欧姆损耗，变为热能而耗散。
一种材料的总屏蔽效果等于吸收损耗、反 射损耗以及有关在薄层屏蔽体上多次反射 的修正的总和
近场特性：决定于场源的特性和从场 源到观察点的距离。
场源为大电流低电压（E/H<377 ）， 则近场为磁场（电感性耦合引入）
场源为小电流高电压（E/H>377 ），则 近场为电场（电容性耦合引入）
4、近场耦合
(1)电容性耦合
一个导体上的电压或干扰成分通过 分布电容使其它导体上的电位受到 影响，这种现象称为电容性耦合
低频电场中反射损耗是构成屏蔽作用的 主要因素。低频近场磁反射损耗近似等 于零，主要是吸收损耗，这时应采用磁 性材料，以增加吸收损耗。而低频电场 或平面波条件下，主要屏蔽因素是反射， 这时采用磁性材料作屏蔽体，将降低屏 蔽作用。所以应根据干扰源性质，选择 屏蔽材料。
选择屏蔽体材料的原则是：屏蔽电场或远 场的平面波（辐射场）时，宜选择铜、铝、 钢等高电导率材料。低频磁场的屏蔽，宜 选玻莫合金、锰合金、磁钢、铁等高导磁 率材料。
（1/f)噪声 白噪声
蓝噪声
噪声的基本特性可以用统计平均量来描述， 均方值表示噪声的强度，概率密度表示噪 声在幅度域里的分布密度，功率谱密度表 示噪声在频域里的特性。
两种噪声作用于系统时，设噪声电压 均方值分别为U12和U22,总噪声均方 电压U2 为
U 2 U12 U22 2CU1 • U2
化，而变化的磁通在闭合回路中产生干 扰电压。 2、产生原因： 在系统内部：线圈或变压器的漏磁 在系统外部：多数是由于两根导线在长
简易场效应管低频跨导gm检测电路
第一章方案提出依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示:三极管类型判别电路的功能是利用N沟道型和P沟道型电流流向相反的特性来判别。
场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对gm的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。
场效应管gm测量电路的功能是利用比较器的原理实现8个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
第二章电路基本组成及工作原理第一节场效应管类型判断电路场效应管判别类型如图1所示。
由于P沟道和N沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与N沟道场效应管连接的发光二极管亮，与P沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N沟道还是P沟道。
并且将P沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。
（a）（b）图1第二节场效应管低频跨导测量电路当电路接入N沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可以看出，除了R0可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo随g m的变化而变化，同时可通过调节R0大小可以调节V gs的大小，调节最终的g m档位值。
当电路接入P沟道场效应管时，为此可采用如图1的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可得，电压Vo将随gm的变化而变化，同时也可以通过调节R0调节gm档的位值。
第三节低频跨导档位测量电路和显示电路图2档位测量电路：如图2所示，gm档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的8个比较电路，其中虚线代表省略的5个运算放大器，所有放大器的反相端接g m测量电路的输出端V o或Ve，而8个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
MOS管你还在一个一个检测吗？自己做一个测试板试试吧
MOS管你还在一个一个检测吗？自己做一个测试板试试吧最近接到一个项目，需要用到大量的场效应管。
从某宝买回一大堆。
怎么检测呢？一个个用万用表量吗？好像不太现实。
我们干脆自己动手做一个场效应管的检测电路吧。
根据场效应管的原理做起来也比较简单。
什么是场效应管场效应管的全称叫做金属氧化物半导体效应晶体管也称MOS管。
它可以分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。
这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。
如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
这样的MOS 场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。
统称为PMOS晶体管。
MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
TO-220封装尺寸图场效应管的三个管脚排列mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才能导通。
它的工作原理比较类似于晶体三极管。
MOS管的管脚排列怎么万用表测量MOS管1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
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第一章方案提出依据课程设计的需要,特设计思路如下图框所示:三极管类型判别电路的功能是利用N沟道型和P沟道型电流流向相反的特性来判别。
场效应管跨导测量电路的功能是利用场效应管的电压分配特性，将对gm的测量转化为对场效应管的测量，同时实现对档位的手动调节。
场效应管gm测量电路的功能是利用比较器的原理实现8个档位的测量，显示电路的功能是利用发光二极管将测量结果显示出来。
第二章电路基本组成及工作原理第一节场效应管类型判断电路场效应管判别类型如图1所示。
由于P沟道和N沟道场效应管的电流流向相反,当两种场效应管按图中电路结构链接时,则与N沟道场效应管连接的发光二极管亮，与P沟道连接的发光二极管不亮，所以根据发光二极管的亮和灭，即可以判定场效应管是N沟道还是P沟道。
并且将P沟道场效应管翻转连接，电路即可正常工作。
（a）（b）图1第二节场效应管低频跨导测量电路当电路接入N沟道场效应管时，如图1（a）所示，电路中的电流电压表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可以看出，除了R0可变电阻外，其余都是固定电阻，电压Vo随gm的变化而变化，同时可通过调节R0大小可以调节Vgs的大小，调节最终的gm档位值。
当电路接入P沟道场效应管时，为此可采用如图1的（b）所示，电路中的电流电压的表达式为：(IDSS VP都是已知参数)V GS =V G-V S由上式可得，电压Vo将随gm的变化而变化，同时也可以通过调节R0调节gm档的位值。
第三节低频跨导档位测量电路和显示电路图2档位测量电路：如图2所示，gm档位测量电路的核心部分是由运算放大器构成的8个比较电路，其中虚线代表省略的5个运算放大器，所有放大器的反相端接gm测量电路的输出端Vo或Ve，而8个相同的电阻把电源电压分成八等分，分别为18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
这样通过测量值和标准电压的比较就可以把gm的8个值分入8个档位。
根据比较的结果，如果测量值大于标准电压，就输出低电平，反之输出高电平。
显示电路：如图表3虚线左侧电路所示，显示电路是通过八个发光二极管来实现的。
通过运算放大器输出的高低电平，发光二极管产生亮和灭，这样就知道gm属于哪一个档位，达到显示的作用。
注意运放的输出电流要与发光二极管的驱动电流匹配。
若在显示电路的前端接入译码电路，可以减少发光二极管的数目。
第四节电源电路电源电路可以采用两种方式来实现：第一种是采用电池供电，第二种方法如图2所示，直接从电网供电，通过变压器电路，整流装置，滤波电路和稳压电路将电网中的220V交流电压转化为+18V直流电压。
电路中变压器采用常规的铁心变压器，整流电路采用二极管桥式整流电路，C1，C2，C3，C4完成滤波功能，稳压电路采用三端稳压集成芯片来实现。
电源电路图图3第三章元件的介绍第一节场效应管的基本类型场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗型和增强型;P沟耗尽型和增强型分四大类.第二节场效应管的原理下面以N沟道结型场效应管介绍工作原理，对P沟道结型场效应管可以用对偶方法得出。
场效应管的漏极电流ID与沟道的宽窄有关，沟道宽时，沟道内电阻小，ID大；沟道窄时，沟道内电阻大，ID小。
要改变沟道的宽窄可在栅源极间加反向电压-VGS和在漏源极间加正向电压VDS。
图3.1.2 沟道受VGS控制当漏源电压VDS由零开始增大时，沟道内各点的电位由漏极d 端至源极s 端逐减小，因而PN结上各点的反压由d端至s端也逐渐降低，沟道内耗尽层上宽下窄，沟道为楔形分布，如图3.1.3(a)所示，这时沟道的截面积变化不大，沟道内呈现的电阻可近似看成不变，ID 随VDS线性增加，如图3.1.4中VGS=0时的OA段。
当漏源电压增大时，耗尽层增宽，沟道截面积减小，沟道内电阻增大，ID 随VDS增加减慢，场效应管的结构及功能介绍1、结型场效应管的结构场效应管的结构如图6.18所示，它是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，用P+表示，形成两个P+N结。
N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。
把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。
如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。
它们从源极S出发，流向漏极D。
电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。
由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。
2、作用：场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。
由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
场效应管作用2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。
常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管的作用3、场效应管可以用作可变电阻。
场效应管作用4、场效应管可以便地用作恒流源。
场效应管的作用5、场效应管可以用作电子开关。
3、场效应管的应用场效应管在恒流区内工作时，当GS电压变化△VGS时，D极电流相应变化△iD。
若将△iD通过较大的RL，从RL上取出的△V0=△iDRL，可能比△VGS大许多倍，即△VGS得到了放大。
所以场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。
第三节运放LM324的介绍LM324是四运放集成电路,它采用14脚双列直插塑料封装,外形如图所示。
它的内部包含四组形式完全相同的运算放大器, 除电源共用外,四组运放相互独立。
每一组运算放大器可用图1所示的符号来表示,它有5个引出脚,其中“+”、“-”为两个信号输入端,“V+”、“V-”为正、负电源端,“V o”为输出端。
两个信号输入端中,Vi-（-）为反相输入端,表示运放输出端V o 的信号与该输入端的位相反;Vi+（+）为同相输入端,表示运放输出端V o 的信号与该输入端的相位相同。
当去掉运放的反馈电阻时,或者说反馈电阻趋于无穷大时(即开环状态),理论上认为运放的开环放大倍数也为无穷大(实际上是很大,如LM324运放开环放大倍数为100dB，既10万倍)。
此时运放便形成一个电压比较器，其输出如不是高电平（V+），就是低电平（V-或接地）。
当正输入端电压高于负输入端电压时，运放输出低电平。
第四节LED灯的介绍LED原理。
LED是Light Emitting Diode即发光二极管的缩写，最早于1962年由GE（General Electric Company）研究人员Nick Holonyak Jr.发明。
其I-V特性与普通二极管比较类似，所不同的是其内部PN结具有发光特性。
发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，即PN结。
当PN 结导通时，两种不同的载流子：空穴和电子在不同的电极电压作用下从电极流向PN结。
当空穴和电子相遇而产生复合，电子会跌落到较低的能阶，同时以光子的方式释放出能量，即辐射发光。
任何二极管都会有此发光的特性（通常非可见光且发光效率非常低），不同的是发光二极管通过使用特殊的材料、特殊的工艺，使得PN结发光的效率提高，发光的频率一致，从而得到可使用的特定频率的光。
通常所说的LED是指能发出可见光的发光二极管。
第五节元件清单第四章参数计算由低频跨导的档位测量电路得知关于Vgs有8个档位分别是18、15.75、13.5、11.25、9、6.75、4.5、2.25。
当把某一类型场效应管放入检测电路中时，测得的Vgs应为上述某两个档位之间。
这两个档位较小的所连接的二极管和较小档位以前的二极管是亮的，而以后的都是灭的。
已知场效应管的Idss,Vp，由Vgs可得gm的八个档位值。
第五章总结作为一名电气系系，电子信息工程专业大二的学生，我觉得能做类似的课程设计是十分有意义，而且是十分必要的。
已度过的大学时间里我们大多数接触的是专业基础课。
我们在课堂上掌握的仅仅是专业基础课的理论面，如何把我们所学到的专业基础理论知识用到实践中去呢？我想做类似的大作业就为我们提供了良好的实践平台。
为了让自己的设计更加完善，一次次翻阅设计手册是十分必要的,一切都要有据可依，有理可寻，不切实际的构想永远只能是构想，无法升级为设计。
另外；小组共同设计给我们提供了团体协作的途径，让我们更能有利于进行思考和设计，一个人的力量是有限的，但是团体的力量是无穷的，在设计过程中要进行换位思考，综合大家的力量进行初步的理论设计，然后要独立的完成自己的设计思路。
在学习理论知识的同时也要参加实践活动，同时，分组设计也有利于我们同学之间的团体协作。
在这次课程设计作业的过程中由于在设计方面我们没有经验，理论基础知识掌握得不牢固，在设计中难免会出现这样那样的问题，这些都暴露出了前期我在这些方面知识的欠缺和经验的不足。
对于我来说，收获最大的是方法和能力；那些分析和解决问题的能力。
在整个课程设计的过程中，我发现我们学生在经验方面十分缺乏，空有理论知识，没有理性的知识；有些东西可能与实际脱节。
总体来说，我觉得像课程设计这种类型的作业对我们的帮助还是很大的，它需要我们将学过的相关知识系统地联系起来，从中暴露出自身的不足，以待改进！本次的课程设计，培养了我综合应用数电和模电课程及其他课程的理论知识和理论联系实际，应用生产实际知识解决工程实际问题的能力；在设计的过程中还培养出了我们的团队精神，同学们共同协作，解决了许多个人无法解决的问题；在今后的学习过程中我们会更加努力和团结。
但是由于水平有限，难免会有错误，还望老师批评指正。
附录附录一电源电路总图附录二几种常用的场效应管参数一夹断电压V P当VDS =10V，ID=50mA时的VGS值。
二饱和漏极电流I DSS当VDS =10V，VGS=0V时的ID值。
对结型场效应管，IDSS是能输出的最大漏极电流。
三最大漏源电压V(BR)DS与VGS 有关，VGS愈负，其值愈小。
四最大栅源电压V(BR)GS为PN结的反向击穿电压五直流输入电阻R GS正常运用时PN结反偏，其值可达107Ω以上。
六低频互导(跨导)gm定义为它表明了输入栅源电压vGS 对输出漏极电流iD的控制能力，相当于转移特性上Q点的斜率，如图3.1.7所示图3.1.7gm是表征场效应管放大能力的重要参数，单位为mA/V=ms，其值一般为十分之几~几mS(比三极管小一个数量级)。
对式(3.1.3)微分，可得(3.1.6)式中(3.1.7)=0时的跨导。
为VGS参考文献1. 何小艇主编, 电子系统设计, 浙江大学出版社, 2001年6月2. 姚福安主编, 电子电路设计与实践, 山东科学技术出版社, 2001年10月3. 王澄非主编, 电路与数字逻辑设计实践, 东南大学出版社, 1999年10月4. 李银华主编, 电子线路设计指导, 北京航空航天大学, 2005年6月5. 康光华主编, 电子技术基础, 高教出版社, 2003年。