第5章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

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模拟电子技术基础(第四版)习题解答 标准答案

模拟电子技术基础(第四版)习题解答  标准答案

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)第6章

模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)第6章

第6章集成运算放大器在信号处理方面的应用6.1正弦波基波和高次谐波6.2高通带阻6.31/26.4c6.5b6.6ac6.7(√)6.8(√)6.9(×)6.10(×)Rf 6.11(1)通带电压放大倍数Aup=–R1 150682.2(2)通带截止频率f 11n62RC20.03310Hz32Hz6.12因通带截止频率fn=RC故C=Rfn1250F0.318F 取标称值0.33F,通带电压放大倍数A up=1+ RfR111001011。

6.13(1)干扰信号频率为1kHz,已知一阶低通滤波电路当f>>f n时,幅频特性下降斜率为–20dB/十倍频,为使干扰信号幅度衰减20dB,因此要求截止频率fn =113f10Hz100Hz,使f=1kHz干扰信号衰减20dB。

1010(2)因fn=12RC100Hz ,故C=112Rf2100fF =0.016F,取标称值C=0.018F或0.015F。

6.14(1)通带电压放大倍数Aup=R10f112。

R101(2)通带截止频率f n=112RC2100.01106 1.59kHz 。

(3) Q113A u32p1 。

·25·(4)当f 为f n 的10倍频时,电压放大倍数衰减–40dB(即衰减100倍),因此A |= u10fnAup 1120.02100100 。

6.15由Q13A up式可知:A u p =3–11 31.75Q0.8,因f n2 1 RC100,故11R=62fC20.1102.3k,取标称值R=16k 。

因A up =1+ R f R 1R f =1.75,则R 1 =0.75,Rf=0.75R1,又电阻平衡要求R 1//Rf=R+R=2R=32k ,与上 式可立式:R0.75R 11 R0.75R 11=32k,可解得R1=74.67k ≈75k,则R f=0.75R1=0.75×75≈56k 。

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

大学模拟电子技术基础练习题第五章 放大电子技术基础的频率响应

大学模拟电子技术基础练习题第五章 放大电子技术基础的频率响应

第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。

(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。

A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。

A.3dBB.4dBC.5dB(4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 。

A.+45˚B.-90˚C.-135˚当f = f H 时,o U 与iU 的相位关系是 。

A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C二、电路如图T5.2所示。

已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T = 50MHz ,'bb r =100Ω, 0=80。

试求解:(1)中频电压放大倍数smu A ; (2)'C ;(3)f H 和f L ;(4)画出波特图。

图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算:∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQR g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u(2)估算'C :pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0TC R g C C C f r C C C r f(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20smu A 频率特性曲线如解图T5.2所示。

模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

一、填空题
2.1 BJT用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置;而工作在饱和区时,发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.2 温度升高时,BJT的电流放大系数 ,反向饱和电流 ,发射结电压 。
2.3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时, ;都接人负载 电阻时,测得 ,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(4)若换上一只 =100的管子,放大电路能否工作在正常状态
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)换上一只 的管子,其IC和UCE不变,放大电路能正常工作。
2.31已知图题2.31所示电路中BJT为硅管, =50,试求:
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)
2.29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管,输出特性及交、直流负载线如图题2.29所示,试求:
(1)电源电压Vcc;
(2)静态工作点;
(3)电阻Rb、RC的值;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少

模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答

模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答

精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。

(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

图T1.3解:U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a)(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,?=100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k ?时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。

模拟电子技术基础第四版第5章

模拟电子技术基础第四版第5章
3. 当 f fL 时,
20lg Au 20lg 2 3 dB, 45
20 lg Au
20 lg
f fL
20dB/十倍频
多级放大:
Au Au1 • Au2 • Au3
Au Au1 1 • Au2 2 • Au3 3
Au Au1 • Au2 • Au3
1 2 3 各级放大电路相频图的叠加
Ic c
gmUbe
RC
RE
Ce

RL Uo
RC高通或低通电路?
b rbb b rbe e

Ib

Ui
RB
oIb
c
e 1
RE
Ce
RC
RL
Reqe RE //[(rbb rbe ) /(1 0 )]
Ui
rbb
rbe
Ui (1
0 )RE
• (1
0 )RE
Reqe
U i
e Ce
RC低通电路
Req2 RC RL
f
90 45
0
45 90
m 180
0.1 fL2 fL2 10 fL2
0.1 fH fH 10ffH
Au
低频段
Aum
中频段
高频段
0.707 0.6
AAuumm
0
f1 fL2
0
fL2
–90º
–100º
– 180º
通频带
f2
fbw fH fL
-3dB带宽
fH
f
fL fL2
fH f
– 270º
Au
Uo Ui
R R 1
1 1 1
jC
j RC

模拟电子技术基础(第四版)习题解答40p()

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第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零,则其输入电阻会明显变小。

GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

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第5章负反馈放大电路
解答:
5.1 直流交流
5.2 直流交流
5.3 串联并联
5.4 c
5.5 c
5.6(×)
5.7(√)
5.8(√)
5.9(×)
5.10解答:
将放大电路的输出量(电压或电流)的一部分或全部,通过一定的电路(反馈网络),再送回到输入回路,这一过程称反馈。

反馈的结果使净输入信号减少,引起放大倍数和输出量减小的称为负反馈。

直流负反馈可以稳定电路的静态工作点,交流负反馈能够改善放大电路的
性能;提高放大倍数的稳定性、减小非线性失真和抑制干扰、扩展频带以及改变输入电阻和输出电阻,故一般放大电路都要引入负反馈。

5.11解答:
5.12解答:
表题5.12反馈类型判断
续表
5.13解答:
(a) 属于电流串联负反馈,u id =0, u I =u f
A u f =
O O O L O I f 2
2
L
u u u R u u u R R R === (d) 属于电流串联负反馈,u Id =0, u I =u f =O 2L
u
R R -
A u f =O O O L O I f 2
2
L
u u u R u u u R R R ===--
(g) 属于电压并联负反馈,i Id =0, i I =i R 2=O 2
u
R -
A u f =O O
I I 1if ()u u u i R R =+, 因R if →0
故 A u f =O O O 2O I 1f 11
1
2
u u u R
u i R i R R R R ===--
(i) 属于电压串联负反馈,u Id =0, u I =u f =O e1f1e1u R
R R +
A u f =O O f1i f e1
1u u R u u R ==+
5.14解答:
(e) 属于电压并联负反馈,i Id =0, i I =i f
O O O O 6f O i i 1f 11
1
6
u u u u u R A u u i R i R R R R =====--
(h) 属于电流串联负反馈,u I =u f , u f =c3e3e1e1f 2e3
I R R
R R R ++
A u f =O c3c3e1
f2e3c3
c3e3e1i e3e1e1f 2e3
()u I R R R R R I R R u R R R R R -++==-++
5.15解答:
(g) if
1if R R R '=+, 因为是并联负反馈if 0R →,故放大电路的输入阻抗if 1R R '=。

又因电压负反馈,电路的输出电阻of
0R '→。

(i) 电路属于电压串联负反馈,串联负反馈的if R →∞,但反馈环外有电阻R b //R f2与if
R '并联,故
if
b f2if b f2(//)////R R R R R R '== 而电路输出电阻of
0R '→。

5.16解答:
图5.1.5电路属于电压串联负反馈,反馈电压u f =O b2f b2+u R R R ,而反馈系数b2f O f b2
+R u
F u R R ==,

A u f =
f b2f b2b2
11R R R
F R R +==+
5.17解答: 已知A u f =80, f f d 1%u u A A ≤, d 20%u u
A A =, 根据f f d d 1
1u u u u u u A A A A F A =+ , 则1+A u F u =20, 又因A u f =
1u
u u
A A F +, 故得A u =1 600, F u = (20–1)/1 600=0.011 9。

5.18解答:
(1) 引入电压串联负反馈连接方式:ac, bd, jf, hi
(2) 引入电压并联负反馈连接方式:ad, bc, jf, hi
(3) 引入电流串联负反馈连接方式:ad, bc, je, gi
(4) 引入电流并联负反馈连接方式:
ac, bd, je, gi。

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