电工电子实验技术

存取速度(工作速度)
存取速度用存取周期表示。
从存储器开始存取第一个字到能够存 取第二个字为止。所需的时间称为存取时 间或存取周期。它是衡量存储器存取速度 的重要指标。
存取周期越短，说明存取速度越高。
存储器按功能分类：
固定ROM:内容由厂家制作。ROM
ROM 可编程ROM：可一次性编程。PROM
实验二教学计划与要求
二、教学要求 1、必须作好各次实验的预习 2、必须自己动手实验，完成各次必做实验 3、必须掌握常用仪表的用法，学会分析和解决问题
的方法，能够进行简单电路的设计与调测。 4、必须认真总结实验数据，写好实验报告。按时交
实验报告。
实验二教学计划与要求
三、教学计划 （三大内容）
1、EDA与可编程器件、数字系统设计 2、模拟电路的设计与调测 3、综合性实验
平时50分由预习10分、操作25分 （平时操作10分、小测15分）、实验报 告15分累加而成。该项成绩由任课教师 根据记录（在记分册上必须有记录）的 学生平时情况，实事求是地给出。
教材使用方法
1、根据实验教学进度，系统自学前几章理论或知识。
2、接受实验任务后设计电路时看设计提示和实验提 示。
3、在各个实验的提示中大都指明与该实验相关的设 计和测量方法的例子，也可从书后设计索引和测 量方法索引中查找。
（J2）。
实验二教学计划与要求
五、期末考试 目的：检查教学效果
评定学生成绩 促进学生学习 方法：开卷、以实现为主 试卷：实现50分、设计20分、问答题30 分。操作卷与问答试卷分开，分时进 行。60分为及格线。
本门课程的成绩评定方法：
总分100，由平时50分、期末考试50 分合成，再折算成优秀、良好、中等、 及格、不及格五档。
存储器的主要指标：
存储容量 和 工作速度
存储容量：
存储容量是衡量工作能力大小的指标,容 量越大,存储的信息越多,工作能力越强。 存储容量用存储单元的总数表示。习惯上常用 若干个“K”单元表示。例如：
210=1024 称 1K单元 ， 212=4096 称 4K单元。
存储容量为： n字（字位） × m位（位）
教学计划大致如下表：（详细计划请参见《电 工电子实验二授课计划表》）
实验二教学计划与要求
四、实验方法 1、每次实验电路需进行仿真，再硬件实现。
（仿真在预习或实验室开放时进行） 2、实验中学会分析问题，排除故障。 3、实验前点名，实验后签字。 4、未完成的实验可在开放时完成。 5、本学期安排一次测验，小测内容：P183
电工电子实验技术（下册）
存储器、可编程器件、数字系统实验 的讲课课件
实验二教学计划与要求
一、教学目的 1、加深对相应理论课程的理解 2、掌握常用仪表的使用技术 3、学会一定的测量系统设计技术 4、学会一定的计算机仿真分析技术 5、学会一定的测量结果分析技术 6、能够利用实验方法完成具体任务 7、培养独立解决问题的能力 8、培养实事求是的科学态度和踏实细致的工作作风
2、未认真体会教材中设计举例所体现的构思方法和技巧， 不了解电子电路设计的工程和技术性特点。这样做的结果 是仅仅做出实验，而没有做好实验。每做一次设计和实验 水平都提高一步才能认为是做好了实验。
3、《实验手册》中较全面地涉及了仪表使用的基本知识点 和要求，正确地回答仪表练习中的所有问题是对电类工科 学生的最低要求。
可擦除可编程ROM：可多次改写
EPROM E2PROM
双极型 RAM
RAM
UVEPROM
SRAM（静态）
SAM
单极型 （MOS） DRAM（动态） MOS移位寄存器 电荷耦合器件CCD移位寄存器
Cache 高速缓存
实验中所用器件型号为： 28C64B型E2PROM(电可改写的ROM)
结构：采用浮栅隧道氧化层MOS管。它有两个栅极： 控制栅GC 和 浮置栅Gf。
→D0 →D1 →D2 →D3
数据D7~D0：0F 07 0A 0E 0D 01 04 0C
0F 07 0A
0C
8192
个存 储单 元
选做实验提示：P214 Y1
用1个5×7（横向5点纵向7点）点阵 LED组成一个简易移动字幕。要求字幕上显 示从右向左移动的5个字符“HELLO”，字符 不停地移动，每2秒显示一屏。为使显示的字 符便于辩认，应在两个词之间留出一个字宽 的空格。
F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 实验提示： F2= 1 1 1 1 0 0 0 0
F3= 1 1 0 1 1 0 1 1
F4= 1 0 1 ห้องสมุดไป่ตู้ 1 0 0 1
使用8个存储单元，4根数据线。
F1= 1 1 0 0 1 1 0 0 F2= 1 1 1 1 0 0 0 0 F3= 1 1 0 1 1 0 1 1 F4= 1 0 1 1 1 0 0 1
提示1：点阵5×7的介绍 （参看实验手册P103）
提示2：类似动态扫描的设计原理
输出相当于 位选信号
低位地址
字符与字符之 间的间隔时间
高位地址
显示结果:
通
知
《电工电子实验二》授课计划表，
《电工电子实验二》上课安排表（各 次大课时间、地点、内容）
请看电工电子实验中心二楼橱窗告示。
主要授课内容：
一、存储器的应用 二、可编程逻辑器件的应用 三、数字系统设计
一、存储器的应用
♦存储器的学习要点：
半导体存储器概念：
存储器是电子计算机及某些数字系统中不 可缺少的部分，用来存放二进制代码表示的数 据､系统指令､资料及运算程序等。
4、教材中所举的例子均选自实用电路，不但有设计 方法同时具有新颖的设计构思，供同学学习前人 是如何灵活运用现有条件创造性地解决电路设计 问题的。
教材使用方法
使用教材应避免的问题
1、部分同学未按要求自学教材中前几章的理论部分，只看 实验内容，导致实验知识残缺，未达到教学要求。开卷考 试时书上给出的答案都找不到。
特点：浮置栅与漏区之间有一个氧化层极薄的隧道区， 其厚度仅为10~15um , 可产生隧道效应。写入、擦 除：利用隧道效应。
GC Gf
隧道区
实验中所用器件型号为： 28C64B型E2PROM(电可改写的ROM) 存储容量为：8K×8位=213 × 8位； 总共有13根地址线：A0~A12。
实验内容：新教材P214 T1