第六章 常见光波导材料与工艺

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光波导的制备

光波导的制备
12.3 薄膜制备
12.3.5 离子注入法 (Ion implantation)
将重离子或者轻离子(技术及性质有一定差别)加速后注入事 先制作好的晶体或者其他材料中,注入位置的性质(包括折射率) 发生变化,并呈一定分布。 轻离子使折射率下降 (He +、Li + ) 一般重离子使折射率增加(Si+、P+)
也使系统工作不稳定。
6
第12章 光波导的制备
12.3 薄膜制备
12.3.3 中频、射频磁控溅射法 MFMS、RFMS
10~80kHz 、十几~几十MHz
直流偏压
双靶溅射。溅射过程中的每 氩气
氧气
个靶在一个溅射周期内先后承
担阴/阳、阳/阴极的作用,正负
样品 架
真 空
离子交替轰击靶面。

绝缘靶材或导电性很差的非金 属靶材,如陶瓷、玻璃等,一般
沉积系统示意图
优点:适用于多组元化合物的沉积;可以蒸发金属、半导体、陶
瓷等无机材料,有利于解决难熔材料的薄膜沉积问题;能够可控沉
积高质量纳米薄膜;换靶装置便于实现多层膜及超晶格的生长。
缺点:沉积的薄膜中有时会有熔融小颗粒或靶材碎片,在激光烧
蚀过程中喷溅出来,这些颗粒的存在降低了薄膜的质量。
8
第12章 光波导的制备
优点:适用范围广,100多种光学材料;
可以形成“晶体”波导,晶体保持原有的属性;
在常温或低温下完成;
准确控制光波导的特征参数;
重复性好;
可以与其它技术相结合等等。
缺点:对波导材料有损伤,需要退火处理。
9
第12章 光波导的制备
12.3 薄膜制备
12.3.6 薄膜制备的化学方法 (CVD)

光波导理论与技术

光波导理论与技术
境监测、医疗诊断等领域得到广泛应用。
激光雷达系统中的应用
总结词
光波导在激光雷达系统中发挥了重要作用,能够实现 高精度、高分辨率的测量和成像。
详细描述
激光雷达系统利用光波导作为传输介质,将激光雷达 发射出的光信号传输到目标物体上,并收集目标物体 反射回来的光信号。通过测量光信号的往返时间和角 度信息,可以实现对目标物体的距离、速度、形状和 表面特征等的测量和成像。光波导的高灵敏度和低损 耗特性使得激光雷达系统具有高精度、高分辨率和低 噪声等优点,在遥感测量、无人驾驶、机器人等领域 得到广泛应用。
光波导技术面临的挑战
制造工艺限制
目前,光波导器件的制造工艺仍 受限于材料和加工技术的限制, 难以实现更精细的结构和更高的
性能。
耦合效率问题
光波导器件之间的耦合效率是影响 光子集成回路性能的关键因素,如 何实现高效的光波导耦合仍是一个 挑战。
稳定性问题
光波导器件在温度、湿度等环境因 素下的稳定性问题仍需进一步研究 和改善。
开关分类
光波导开关可以分为电光开关、磁光开关和热光开关等。其中,电光开关是最常用的一种,其利用电场 改变光波导的折射率,实现对光信号的通断进行控制。
光波导耦合器
耦合器概述
光波导耦合器是一种利用光波导 结构实现光信号耦合的器件。通 过将两个或多个光波导连接在一 起,可以实现光信号在不同波导 之间的传输和能量转移。
光波导的波动理论
总结词
波动理论是描述光波在光波导中传播的基本理论。
详细描述
波动理论是研究光波在介质中传播的基础理论,它通过麦克斯韦方程组描述了 光波在空间中的分布和演化。在光波导中,波动理论用于分析光波的传播特性, 如相位速度、群速度、模场分布等。

光波导的理论以及制备方法介绍

光波导的理论以及制备方法介绍

光波导的理论以及制备方法介绍光波导是一种通过光信号的传导来实现信息交互的技术。

它是利用光在介质中的传播特性来实现光的传输和调控的一种器件。

光波导已经成为现代通信、光电子技术和光器件研究领域中不可或缺的一部分。

光波导的理论基础是基于光在介质中的传播原理。

当光束通过介质分界面时,会产生折射现象。

这种折射现象可以用斯涅尔定律来描述,即入射角与折射角之间的正弦比等于两种介质的折射率之比。

光波导利用不同折射率的介质之间的折射现象,将光束从一种介质中导入到具有更高折射率的介质中,并通过光束的反射、折射和散射等效应,使光能够在介质中传播和传输。

制备光波导的方法有多种,包括经典的物理刻蚀法、化学沉积法、水热法等,以及现代的微电子加工技术和激光加工技术等。

下面将介绍几种常见的制备方法:1.光刻法:光刻法是一种常见的光波导制备方法。

它利用光刻胶的光敏性,通过光学曝光和显影,将需要刻蚀的部分暴露出来,然后使用物理或化学刻蚀方法将暴露的部分去除,从而形成光波导的结构。

2.离子注入法:离子注入法是一种通过离子注入技术来改变材料的折射率分布,从而形成光波导结构的方法。

它通过在材料表面注入高能离子,改变材料的折射率,并形成光波导结构。

3.RF磁控溅射法:RF磁控溅射法是一种通过溅射技术制备光波导的方法。

它利用高频电场对目标材料进行离子化,然后通过磁场聚焦离子束,使其瞄准到底片上,从而形成光波导结构。

4.激光加工法:激光加工法是一种利用激光器对材料进行加工的方法。

它通过调节激光的功率、扫描速度和扫描路径等参数,实现对光波导结构的制备。

激光加工法不仅可以实现直写制备光波导,还可以实现二光子聚焦制备光波导。

除了上述方法外,还有其他一些新型的制备光波导的方法,例如自组装法、溶胶-凝胶法、光聚合法等。

这些方法在光波导的制备中发挥着重要的作用,并为光波导的研究和应用提供了更多的可能性。

总之,光波导是一种基于光的传导原理来实现光信号传输和调控的技术。

(集成光电子学导论)第六章常见光波导材料与结构

(集成光电子学导论)第六章常见光波导材料与结构

芯层/包层材 料
Ge:SiO2 /SiO2 Si/SiO2
芯层/包层折 射率差 0-0.5%
50-70%
损耗dB/cm @1550nm 0.05
0.1
3.2
inP、GaAs/ ~100%
3
空气
2.2
Ag(Ti):LiNbO 0.5%
0.5
3/ LiNbO3
1.3-1.7
都是聚合物, 0-35%
0.1
不同材料矩形单模波导的宽度
SiO2:n=1.44 Ge: SiO2:n=1.45
两种波导的 优缺点?
SiO2:n=1.44
5~6 μm
220nm
30~40μm
Si: n=3.4
500nm
做出的器件尺寸大,但与光 纤耦合损耗很小
做出的器件尺寸很小,但与 光纤耦合损耗大
如希望对光纤耦合损耗小:不同材 料的光波导结构
靠配比改变
折射率差
波导折射率与模式
n2 θc
n1
n2
sin c
n2 n1
同样厚度 的硅波导 和二氧化 硅波导哪 个能有更 多模式?
为什么通常希望 波导厚度与模使式用单模波导?
Helmholtz equation:
[ 2 xk0 2n22]U (x)0
x nclad ncore nclad
n nclad ncore
平面光波导的类型
1-d 光限制
cladding core
nlow nhigh
cladding
nlow
平板波导
氧化硅、聚合物
2-d 光限制 硅、三五族
core
nlow
nhigh
cladding

光波导的理论以及制备方法介绍

光波导的理论以及制备方法介绍

光波导的理论以及制备方法介绍摘要由光透明介质(如石英玻璃)构成的传输光频电磁波的导行结构。

光波导的传输原理是在不同折射率的介质分界面上,电磁波的全反射现象使光波局限在波导及其周围有限区域内传播。

光波导的研究条件与当前科技的飞速发展是密不可分的,随着技术的发展,新的制备方法不断产生,从而形成了各种各样的制备方法,如离子注入法、外延生长法、化学气相沉淀法、溅射法、溶胶凝胶法等。

重点介绍离子注入法。

光波导简介如图所示为光波导结构图表1光波导结构如图中共有三层平面相层叠的光学介质,其对应折射率n0,n1,n2。

其中白色曲折线表示光的传播路径形式。

可以看出,这是依靠全反射原理使光线限制在一层薄薄的介质中传播,这就是光波导的基本原理。

为了形成全反射,图中要求n1>n0,n2。

一般来讲,被限制的方向微米量级的尺度。

图表2光波导模型如图2所示,选择适当的角度θ(为了有更好的选择空间,一般可以通过调整三层介质的折射率来取得合适的取值),则可以将光线限制在波导区域传播。

光波导具有的特点光波导可以用于限制光线传播光路,由于本身其尺寸在微米量级,就使得其有很多较好的特点:(1)光密度大大增强光波导的尺寸量级是微米量级,这样就使得光斑从平方毫米尺度到平方微米尺度光密度增大104—106倍。

(2)光的衍射被限制从前面可以看出,图示的光波导已经将光波限制在平面区域内,后面会提到稍微变动一下技术就可以做成条形光波导了,这样就把光波限制在一维条形区域传播,这就限制了光波的衍射,有一维限制(一个方向),二维限制(两个方向)区分(注:此处“一维”与“二维”的说法并不是专业术语,仅仅指光的传播方向的空间自由度,不与此研究专业领域的说法相混同)。

(3)微型元件集成化微米量级的尺寸集成度高,相应的成本降低(4)某些特性最优化非线性倍频阈值降低,波导激光阈值降低综上所述,光波导本身的尺寸优势使得其有很好的研究前景以及广泛的应用范围。

光波导的分类一般来讲,光波导可以分为以下几个大类别:图表3平面波导(planar)图表4光纤(fiber)图表5条形波导(channel)图表6脊型波导(ridge)上面介绍了几大类光波导形式,实际上这只是基本的几种形式,每一种都可以加以变化以适应不同环境及应用的需求。

光波导理论与技术讲义

光波导理论与技术讲义

04
光波导的应用
光纤通信
光纤通信概述
光纤通信是一种利用光波在光纤中传输信息的技术。由于光纤具有低损耗、高带宽和抗电 磁干扰等优点,因此光纤通信已成为现代通信的主要手段之一。
光纤通信系统
光纤通信系统主要由光源、光纤、光检测器和传输控制设备等组成。其中,光源用于产生 光信号,光纤作为传输介质,光检测器用于接收光信号,传输控制设备负责对整个系统进 行管理和控制。
03
光波导材料
玻璃光波导
玻璃光波导是一种以玻璃为介质的光 波导器件,其具有优秀的光学性能和 机械性能,被广泛应用于光纤通信、 光传感等领域。
玻璃光波导的主要优点是光学性能优 异、机械强度高、化学稳定性好等, 但其缺点是制备工艺复杂、成本较高。
玻璃光波导的制备工艺主要包括预制 棒制作、拉丝、涂覆等环节,这些工 艺过程需要精确控制,以保证光波导 的性能和稳定性。
聚合物光波导
1
聚合物光波导是一种以聚合物为介质的光波导器 件,其具有制备工艺简单、成本低、易于加工等 特点。
2
聚合物光波导的制备工艺主要包括薄膜制作、光 刻、刻蚀等环节,这些工艺过程相对简单,有利 于大规模生产。
3
聚合物光波导的主要优点是制备工艺简单、成本 低、易于加工等,但其缺点是光学性能较差、机 械强度较低。
A
B
C
D
模块化与小型化
为了适应现代通信系统的需求,光波导放 大器正朝着模块化和小型化方向发展。
增益均衡
由于不同波长的光信号在光纤中的传输损 耗不同,因此需要实现光波导放大器的增 益均衡,以保证信号的传输质量。
光波导开关
开关原理
光波导开关利用电场或热场对光 波的传播方向进行控制,实现光

第六章常见光波导材料与工艺

第六章常见光波导材料与工艺

第六章常见光波导材料与工艺光波导是一种通过光信号传输的器件,由于光波在光纤中的传输速度快、带宽大、抗干扰等优点,使得光波导在通信、数据传输、传感器等领域得到广泛应用。

光波导的关键是选择合适的光波导材料和工艺。

常见的光波导材料有硅、光纤、聚合物等。

硅是光波导材料中应用最广泛的一种材料,主要可以通过两种方式制备硅光波导。

一种是利用硅晶圆制备,通过光刻、腐蚀、沉积等工艺将硅晶圆制备成光波导结构;另一种是利用SOI(Silicon On Insulator)材料制备,即在SOI材料上通过光刻、腐蚀等工艺制备出光波导结构。

硅光波导具有低损耗、可靠性高、适合集成等特点,在光子芯片、光通信等领域有着广泛应用。

光纤是将光信号传输的一种波导形式,由于其材料的优良性能,使其在通信领域得到广泛应用。

光纤通信是将光信号转换成光脉冲信号通过光纤传输,然后再转换成电信号进行传输。

光纤具有低损耗、大容量、抗干扰等优点,在现代通信系统中占有重要地位。

聚合物是另一种光波导材料,其制备工艺相对简单,成本相对较低,因此在传感器、生物医学等领域有着广泛应用。

聚合物光波导可以通过热压法、注入法等工艺制备,其制备工艺简单、成本较低,可以灵活地满足不同需求。

光波导的制备工艺主要包括光刻、腐蚀、沉积等步骤。

光刻是一种通过光刻胶和光掩模制备的技术,可以制备出所需的光波导结构。

通过选择合适的光刻胶和光掩模,可以制备出不同形状和尺寸的光波导结构。

腐蚀是一种通过腐蚀液将光波导结构形成的工艺。

不同的材料需要选择不同的腐蚀液,腐蚀液可以将不需要的材料腐蚀掉,从而形成所需的光波导结构。

沉积是一种通过化学气相沉积或物理气相沉积等工艺将材料沉积在基底上的技术。

通过选择合适的沉积工艺和材料,可以制备出所需的光波导结构。

在实际应用中,常见光波导材料与工艺的选择要根据具体的需求来确定。

不同的光波导材料具有不同的特点和优势,不同的制备工艺也有各自的适用范围和要求。

在选择光波导材料和工艺时,需要综合考虑其性能、成本、制备工艺等因素,以满足具体应用的需求。

第六章光波导理论及器件

第六章光波导理论及器件

x
n3 n1 n2 z
c13 c12 i
i
ห้องสมุดไป่ตู้
引入 沿z方向的传播常数

k1
kz k1 sin i k1 n1k0
n2 k2 n1 k1
sin i sin c12
k2
z方向最大传播常数

k2 k1 n2 k0 n1k0
12
2 Ey x
2
( 2 2m ) E y ( 2 n2k 2 ) Ey 2 H y x 2 ( 2 n2 k 2 ) H y
k 0 m0
同样
TE波:只存在电场横向分量
令 H y 0 Ex 0 则TE波中,仅剩 Ey , H z , H x 且 Hx Ey m
j H z ( x) m ( A sin x B cos x),
A2 2 x m
e , ,
H z(2) ( x)
j 2 A2 m
e 2 x ,
H ( x)
A3 3 x m
e
x0
3 A3 3 x H z(3) ( x) jm e ,
9
复共轭

介质中
D E B mH
E ( x, y, z; t ) E ( x, y, z )e jt c.c. H ( x, y, z; t ) H ( x, y, z )e jt c.c.
E ( x , y , z ; t ) B ( x, y , z ; t ) t H ( x, y, z; t ) D( x, y, z; t ) t
正整数—模数
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• 通常采用反渗透和离子交换系统去除水中的离 子。去除离子后的水通常称为去离子水。去离子 水在25℃时的电阻是18 000 000Ω ·cm,也就 是一般称为18MΩ 。图5.19显示了当水中含有大 量不同的溶解物质时的电阻值。 在VLSI制造中, 溶解固体 电阻 的容量 (ppm) (Ohms · cm 工艺水的目标是 25 û C) 18MΩ 。 18 000 000 0.0277 15 000 000 0.0333 水中的细菌是通 10 000 000 0.0500 过紫外线去除。 1 000 000 0.500
不同材料矩形单模波导的宽度
SiO2:n=1.44 Ge: SiO2:n=1.45 5~6 μm 30~40μm 500nm 220nm
两种波导的 优缺点?
SiO2:n=1.44 Si: n=3.4
做出的器件尺寸很小,但与 光纤耦合损耗大
做出的器件尺寸大,但与光 纤耦合损耗很小
如希望对光纤耦合损耗小:不同材 料的光波导结构
表4 发展阶段 第一阶段 第二阶段 第三阶段 波长 (m) 0.85 1.30 1.55 光纤发展阶段及所需材料 模 数 多 模 单 模 单 模 衰 耗 (dB/km) 1.5 0.8 0.16 中继距离 (Km) 10 60 500
第四阶段
2 -- 5
3×10-4
2500
光纤材料:
石英玻璃: SiO2、SiO2-GeO2、 SiO2-B2O3-
手摩擦脸 步行 用脚跺 地板 200% 200% 5000%
颗粒粘附
所有可以落在硅片表面的都称作颗粒。 颗粒来源: 空气 人体 设备 化学品 超级净化空气
风淋吹扫、防护服、面罩、 手套等,机器手/人
特殊设计及材料 定期清洗 超纯化学品 去离子水
工艺用水 在微纳米器件生产的整个过程中,要经过多次 的化学刻蚀与清洗,每步刻蚀与清洗后都要经过 清水冲洗。由于半导体器件非常容易受到污染, 所以所有工艺用水必须经过处理,达到非常严格 洁净度的要求。 普通城市用的水中包含大量洁净室不能接受的 污染物,主要有: 溶解的矿物 颗粒 菌 溶解氧 二氧化碳 有机物 普通水中的矿物来自盐分,盐分在水中分解为 离子。例如食盐会分解为钠离子和氯离子。每个 离子都是污染物。
660 650 610 583 555
GaN
SiC
Α -Al2O3
SiC


490
480(全包显示屏)
液晶显示(LCD)材料(1968年发明)为21世纪上半叶主要显示材料
(6)光纤与光缆材料(网络)(表4)
一条光纤带宽所容纳信息量相当于全世界无线 电带宽的1000倍. (25 T bps vs 25 G bps )
(8)敏感材料
1.
2.
计算机的控制灵敏度与精确度有赖于敏感 材料的灵敏度与稳定性。
敏感材料种类繁多,涉及半导体材料、功 能陶瓷、高分子、生物酶与核酸链(DNA) 等。
集成光电子材料
材料
SiO2 Si InP LiNbO3 聚合物(如 PMMA)
芯层折射率 @1550nm
1.45 3.4-3.5 3.2 2.2 1.3-1.7
芯层/包层材 料
Ge:SiO2 /SiO2 Si/SiO2 inP、GaAs/ 空气
芯层/包层折 射率差
0-0.5% 50-70% ~100%
损耗dB/cm @1550nm
0.05 0.1 3 0.5 0.1
Ag(Ti):LiNbO 0.5% 3/ LiNbO3 都是聚合物, 0-35% 靠配比改变 折射率差
集成光电子器件的材料
教师:宋军
光电子材料包括:
(1) 激光材料(20世纪60年代初) 激光:高亮度、单色、高方向性 红宝石(Cr3+:Al2O3 ) (2) 非线性光学晶体(变频晶体) KDP(磷酸二氢钾)、KTP(磷酸钛氢 钾) LBO(三硼酸锂)… (3)红外探测材料(军用为主) HgCdTe、 InSb、 CdZnTe、 CdTe (4)半导体光电子材料,见表2
波导折射率与模式
n2 sin c n1
n2
θc n1
n2
同样厚度 的硅波导 和二氧化 硅波导哪 个能有更 多模式?
为什么通常希望 波导厚度与模式 使用单模波导?
Helmholtz equation: Schrödinger equation:
[ k n ]U ( x) 0
集成光电子学中的主要制备技 术
横截面
Si
SiO2
硅片
波导制作工艺
mask
集成光电子器件制作条件
• 超净室 • 去离子水
经验告诉我们,微粒的大小要小于器件上最小 特征图形尺寸的1/10。(就是说直径为0.03微米的 微粒将会损坏0.3微米线宽大小的特征图形。)否则 会造成器件功能的致命伤害。
(5)显示材料 发光二级管(LED)如表 3
表3
发 光 尺
Ga0.65Al0.35As GaAs0.35P0.65(N) GaAs0.1P0.9(N) GaAs0.1P0.9(N) GaP
LED 发光材料及可见光区
衬 底
GaAs GaP GaP GaP Gap
发光颜色
红 红 橙 黄 绿
波长(nm)
F 多组分玻璃:SiO2-GaO-Na2O、 SiO2-B2O3– Na2O 红外玻璃: 重金属氧化物、卤化物 掺稀土元素玻璃: Er、Nd、… 多模只适于小容量近距离(40Km,100M bps) 单模可传输调制后的信号≥40Gbps 到200Km, 而不需放大。
(7)记录材料
21世纪将是以信息存储为核心的计算机时代,在军事 方面,如何快速准确地获取记录、存储、交换与发送信 息是制胜的关键。 磁记录在21世纪初仍有很强的生命力,通过垂直磁 记录技术和纳米单磁畴技术,再加先进磁头(如巨磁电 阻)(GMR)的采用,有可能使每平方英寸的密度达 100GB,所用介质为氧化物磁粉(γ -Fe2O3及加 Co γ -Fe2O3、CrO2),金属磁粉或钡铁氧体粉。 磁光记录:与磁记录不同之处在于记录传感元件是 光头而不是磁头。磁光盘的介质主要是稀土-过渡族金属, 如TbFeCo、GdTbFe、NdFeCo,最新的是Pb/Co多层调制膜 或Bi石榴石薄膜。磁光盘的特点在于可重写,可交换介 质。
脊形光波导
WHY?
脊形光波导的作用是增 大光斑面积
对大折射率差材料, 如用普通矩形,则 单模波导尺寸很小
为了方便把更多的能量耦合进入芯 层10微米左右直径的光纤里去
渐变折射率波导
AgNO3
V
Li
Ag
LiNbO3
这类波导有什么用?
集成光器件的分类
• 有源器件:用于光信号产生,检测,调制 及放大(半导体激光器,光调制器,光放 大器,光探测器) • 无源器件:不对光信号形式产生任何改变, 只改变光传播路径等(光耦合器,光纤光 栅,阵列波导光栅,光滤波器等)
人类毛发的直径
1 微米
1 cm = 10 000 微米
1、空气净化
From Intel Museum
三道防线: 环境净化(clean room) 材料清洗(wafer cleaning) 吸杂(gettering)
光电所
• 投资4000万元的光电子学研究所实验大楼坐落在深圳大学文山湖畔。这是 一座设施先进、功能完善、配套齐全、专业化水准高的现代化实验大楼,总 面积8200平方米,其中有1200平方米的百级和万级净化实验室,有电子级超 纯水制备系统、各种特殊气体的供送系统以及相应的安全保障和环保设施等。 投资6000万元购置的先进科研仪器设备,构建了显微分析、光谱分析、超快 诊断技术、光电子材料、生物光子学、等离子体显示、应用光学、电子学等 10多个测试实验室和真空光电子器件、半导体光电子材料与器件、平板显示 器件、有机电致发光材料、纳米光电子材料等10多个工艺实验室。主要大型 仪器设备有:金属有机化合物气相沉积(MOCVD)系统、微波等离子体增 强化学气相沉积(MPECVD)系统、等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 系统、磁控溅射系统、反应离子刻蚀机、光刻机、高精度丝网印刷机、大型 高精度点胶机、高精度喷砂机、多功能镀膜机、扫描探针显微镜、扫描电子 显微镜、台阶轮廓测试仪、三维视频显微镜、真空紫外单色仪、紫外/可见/近 红外光谱仪、飞秒激光器、皮秒激光器、荧光光谱测试仪、激光拉曼谱仪、 高分辨X射线衍射仪、变磁场霍尔测试仪、多光子激发荧光显微成像系统、高 速示波器、逻辑分析仪和数字电路开发系统等,以及光学设计分析、多物理 场分析等大型软件。这些硬件条件,为建设一流的光电子学研究所奠定了坚 实的基础。
2 x 2 2 0 2
[
1 2 x V E ] ( x ) 0 2m
V
x
nclad ncore
nclad
nclad ncore n
?
V0
E3 E2 E1
Vwell
x
1-d potential well (particle in a well)
对波导折射率差越大相当 单模波导最小宽度: 于势阱越深,芯层厚度越 大代表势阱越宽,那么可 Wc 2 2n n 以容纳的模数就越多
净化级别:每立方英尺空气中含有尺度大于0.5m的粒子 总数不超过X个。
0.5um
高效过滤
超细玻璃纤 维构成的多 孔过滤膜: 过滤大颗粒, 静电吸附小 泵 颗粒 循 环 系 统
20~22C 40~46%RH 排气除尘
电离栅板
空气流
空气 层 流立式工作台
接地 腕带
在线 电离 件大的污染源之一。即使一 个经过风淋的洁净室操作员,当他坐着时,每分 钟也可释放10万到100万个颗粒,当人员移动时, 这个数字还会大幅增加。这些颗粒都是来自脱落 的头发和坏死的皮肤。其他的颗粒源还有象化妆 品、染发剂和暴露的衣服等。下表列出了从不同 操作人员的动 正常呼吸 无微粒 500% 作中产生的污染物的 吸烟后吸烟 者的呼吸 喷嚏 2000% 20% 安坐 水平。
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