场效应管

合集下载

场效应管电路符号

场效应管电路符号

场效应管电路符号1. 引言场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种重要的电子器件,广泛应用于电子技术领域。

在电路中,为了方便表示和理解,我们通常使用特定的符号来表示场效应管。

本文将介绍场效应管电路符号的相关知识。

2. 场效应管概述场效应管是一种三端器件,由栅极(Gate)、漏极(Drain)和源极(Source)组成。

其中,栅极用于控制漏极与源极之间的电流流动。

不同类型的场效应管栅极、漏极和源极之间的连接方式有所不同,因此它们在电路图中具有不同的符号。

3. N沟道MOSFET符号N沟道金属氧化物半导体场效应管(NMOSFET)是一种常见的场效应管类型之一。

其符号如下所示:在NMOSFET符号中,上方是栅极,下方是漏极和源极。

栅极与源极之间有一个箭头指向漏极,表示控制信号从栅极流向漏极。

4. P沟道MOSFET符号P沟道金属氧化物半导体场效应管(PMOSFET)是另一种常见的场效应管类型。

其符号如下所示:在PMOSFET符号中,上方是栅极,下方是漏极和源极。

栅极与源极之间有一个箭头指向漏极,表示控制信号从栅极流向漏极。

与NMOSFET不同的是,箭头指向上方,表示控制信号为负电平。

5. JFET符号结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET)也是一种常见的场效应管类型。

其符号如下所示:在JFET符号中,上方是栅极(Gate),下方有两个箭头分别指向漏极(Drain)和源极(Source)。

这两个箭头表示了P型半导体和N型半导体之间形成的PN结。

6. MOSFET和JFET比较MOSFET和JFET虽然都属于场效应管,但它们在电路图中的符号有所不同。

MOSFET使用了箭头表示控制信号流向的方向,而JFET则使用了两个箭头表示PN结的方向。

此外,MOSFET和JFET在工作原理和特性上也有所不同。

MOSFET的栅极电流接近零,输入电阻较高,而JFET的栅极电流较大,输入电阻较低。

场效应管的概念

场效应管的概念

场效应管的概念
嘿,朋友们!今天咱来唠唠场效应管这个神奇的玩意儿。

你说场效应管像啥呢?就好比是一个特别会控制水流的小能手!它能非常精确地控制电流的流动,就像我们能轻松地开关水龙头一样。

场效应管啊,它可不像那些普通的电子元件那么简单。

它有自己独特的脾气和本事呢!想象一下,电流就像一群调皮的小孩子,在场效应管的“管理”下变得乖乖的,该跑就跑,该停就停。

它的应用那可真是广泛得很呐!在各种电子设备里都能看到它的身影。

从我们每天都离不开的手机,到那些超级复杂的电子仪器,都有场效应管在默默地工作着。

咱就说手机吧,要是没有场效应管来帮忙控制电流,那手机的性能能这么好吗?它能让手机的电池更耐用,信号更稳定,就像一个可靠的小卫士。

而且啊,场效应管还特别耐用呢!它不会轻易地被损坏,只要你好好对待它,它就能一直为你服务。

这就像一个忠诚的朋友,一直陪伴在你身边。

你可别小瞧了这个小小的场效应管,它的作用可大了去了。

它能让电子设备变得更智能、更高效。

它就像是电子世界里的一颗璀璨明珠,虽然小,但是光芒万丈!
在科技不断发展的今天,场效应管的地位那是越来越重要啦!它不断地进化、升级,为我们的生活带来更多的便利和惊喜。

所以说啊,场效应管真的是个了不起的东西!我们得好好感谢它,让我们的生活变得如此丰富多彩。

朋友们,你们说是不是呀?以后再看到那些厉害的电子设备,可别忘了里面有场效应管的一份大功劳哟!。

场效应管参数对照表

场效应管参数对照表

场效应管参数对照表场效应管(Field Effect Transistor,简称FET),是一种常用的半导体器件,其工作原理基于场效应。

场效应管分为两种基本类型:N-沟道型场效应管(N-channel FET)和P-沟道型场效应管(P-channel FET)。

场效应管有着很多特性参数,下面是场效应管常见参数的对照表。

1. 驱动电压(Vds):场效应管的驱动电压是指在引脚之间的电压差,也成为漏极与源极之间的电压。

该驱动电压决定了场效应管的导通与截止,一般用正参考电压。

2. 阈值电压(Vth):阈值电压是指场效应管悬浮增益区通过导通的初始电压,也就是漏极电流开始出现的电压。

阈值电压决定了FET是否在导通状态,一般用负参考电压。

3.漏极电流(Id):漏极电流是指通过场效应管漏极的电流,当驱动电压大于阈值电压时,场效应管导通,漏极电流会随之增加。

4. 器件尺寸(Size):场效应管的尺寸通常由器件的长度(L)和宽度(W)决定。

尺寸越大,场效应管的漏极电流也越大。

5. 开关速度(Switching Speed):场效应管的开关速度指的是从导通到截止或者从截止到导通的反应时间。

开关速度快的场效应管适用于高频应用。

6. 衰减(Attenuation):场效应管的衰减是指信号经过场效应管后的信号衰减量。

7. 耐压(Vdss):耐压是指场效应管在截止状态下可以承受的最大电压。

一般情况下,Vdss会比驱动电压Vds的值要大。

8. 输入电容(Ciss):输入电容是指场效应管输入端的容量。

输入电容决定了场效应管对输入信号的响应速度。

9. 输出电阻(Rds):输出电阻是指场效应管导通状态下,漏极与源极之间的等效电阻。

输出电阻越小,对负载输出能力越强。

10. 控制源电压(Vgs):控制源电压是指场效应管的栅极电压,通过改变栅极电压,可以控制场效应管的导通与截止。

以上是几个常见的场效应管参数对照表。

不同应用场景的场效应管参数有所不同,使用时需根据具体需求来选择合适的场效应管。

场效应管的工作原理及应用

场效应管的工作原理及应用

场效应管的工作原理及应用一、场效应管的基本原理场效应管(FET)是一种基于电场效应的半导体器件,它主要由三个区域组成:栅极(Gate)、漏极(Source)和源极(Drain)。

场效应管的工作原理是通过在栅极施加电压来控制漏极和源极之间的电流。

实际上,场效应管的工作原理与双极型晶体管(BJT)有很大的不同。

BJT是通过调节基极电流来控制集电极电流,而FET则是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。

这种控制电压的方式使得场效应管具有以下优点:•输入电阻高:场效应管的输入电阻非常高,这意味着输入信号对于场效应管来说几乎没有损耗。

•输出阻抗低:场效应管的输出电阻非常低,可以提供较大的输出功率。

•可靠性好:场效应管的制造工艺相对简单,因此具有较高的可靠性。

二、场效应管的种类及特点场效应管分为三种,分别是MOSFET、JFET和IGFET。

它们各自具有以下特点:1. MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)•结构复杂:MOSFET由金属栅极、绝缘层和半导体材料组成,结构较为复杂。

•低功耗:MOSFET的功耗较低,适用于集成电路和低功耗应用。

•可控性强:MOSFET的栅极电压可通过改变电压来控制漏极和源极之间的电流。

2. JFET(结型场效应管)•结构简单:JFET由两个半导体材料构成,结构较为简单。

•低噪声:JFET具有低噪声、高增益和大动态范围的特点,适用于音频放大器等应用。

•可控性弱:JFET的控制电压较低,控制灵敏度相对较弱。

3. IGFET(绝缘栅极场效应管)•高速开关:IGFET具有较高的开关速度和低损耗,适用于高频功率放大器等应用。

•可控性中等:IGFET的栅极电压对电流的控制相对较强,但仍不及MOSFET。

三、场效应管的应用场效应管广泛应用于各种电子设备和系统中,包括但不限于以下领域:1.放大器:由于场效应管具有高输入电阻和低输出阻抗的特点,因此可以用作信号放大器。

在音频放大器、射频放大器、视频放大器等设备中,场效应管常被用来放大弱信号。

场效应管工作原理

场效应管工作原理

场效应管工作原理场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,它是一种三端管,由栅极、漏极和源极组成。

场效应管是现代电子器件中使用最为广泛的一种,它具有高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小、体积小等优点,因此在电子设备中有着广泛的应用。

那么,场效应管是如何工作的呢?接下来,我们将从场效应管的工作原理、结构特点和应用领域等方面进行介绍。

首先,让我们来了解一下场效应管的工作原理。

场效应管主要由栅极、漏极和源极三个电极组成。

当在栅极和源极之间加上一定的电压时,栅极和源极之间形成一个电场,这个电场的强弱可以通过控制栅极电压的大小来调节。

当栅极电压增大时,电场强度增大,使得漏极和源极之间的导电能力增强,从而控制了漏极和源极之间的电流。

因此,场效应管是一种电压控制型的器件,其工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。

其次,场效应管的结构特点也是其工作原理的重要体现。

场效应管的栅极与漏极、源极之间的绝缘层是一种极薄的氧化层,这使得场效应管具有了非常高的输入电阻。

另外,场效应管的漏极和源极之间没有PN结,因此不存在二极管的导通压降问题,漏极和源极之间的电流可以被精确地控制。

这些结构特点使得场效应管具有了高输入阻抗、低输出阻抗、功耗小等优点,适合用于各种需要高频率、高速度、低功耗的场合。

最后,让我们来了解一下场效应管的应用领域。

场效应管由于其高频率、高速度、低功耗等特点,在数字电路、模拟电路、功率放大器、射频放大器等方面有着广泛的应用。

在数字电路中,场效应管可以用作开关,实现逻辑门电路的功能;在模拟电路中,场效应管可以用作放大器,实现信号的放大和处理;在功率放大器和射频放大器中,场效应管可以实现功率放大和频率放大。

此外,场效应管还被广泛应用于集成电路中,成为集成电路中不可或缺的一部分。

综上所述,场效应管是一种电压控制型的半导体器件,其工作原理是通过控制栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。

什么是场效应管

什么是场效应管

什么是场效应管场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种用于电子设备中的半导体器件。

场效应管利用静电场控制电流流动,其工作原理与晶体管相似。

本文将介绍场效应管的定义、工作原理、类型以及应用领域。

定义:场效应管是一种三极管,由栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)组成。

其中,栅极是控制电流的电极,源极是电流进入管子的电极,漏极是电流从管子流出的电极。

工作原理:场效应管的工作原理基于氧化物半导体场效应。

在FET内部,栅极和基底之间存在一层绝缘氧化物。

当栅极上施加电压时,电压在绝缘氧化物上产生电场,控制了栅极和基底之间的电流。

根据电压的极性和大小,场效应管可以分为两种类型:1. N沟道型场效应管(N-channel FET):N沟道型FET的基底为P型半导体,漏极和源极之间存在一个N型的沟道。

当栅极电压为正值时,电场将吸引阳极中电子,导致电子从源极流向漏极,形成电流。

2. P沟道型场效应管(P-channel FET):P沟道型FET的基底为N型半导体,漏极和源极之间存在一个P型的沟道。

当栅极电压为负值时,电场将吸引阴极中的空穴,导致空穴从源极流向漏极,形成电流。

应用领域:场效应管在电子设备中有广泛的应用,包括:1. 放大器:场效应管可以作为放大器,放大小信号电压或电流,用于音频放大、射频放大等应用。

2. 开关:场效应管可以作为开关,控制电流的通断。

例如,在数字逻辑电路中,场效应管可用于构建数字逻辑门电路。

3. 电源稳定器:场效应管可用于构建电源稳定器,保持电源输出的稳定性,用于电子设备的供电。

4. 数模转换器:场效应管可以将模拟信号转换为数字信号,用于模数转换器中的采样和保持电路。

总结:场效应管是一种重要的半导体器件,通过控制电场实现电流控制。

它具有放大器、开关、电源稳定器等多种应用,广泛用于电子设备和电路中。

了解场效应管的工作原理和应用,有助于理解电子技术中的基本原理和电路设计。

场效应管

场效应管

MOS管分为四种类型:N沟道耗尽型管、N沟道增强型管、P沟道耗尽型管和 P沟道增强型管。
MOS管的特点
输入阻抗高、栅源电压可正可负、耐高温、易 集成。
N沟道增强型绝缘栅场效应管 (1)结构与符号 增强型的特点
1. 工作原理
绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”
的多少,改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的
一、结型场效应管(JFET)
1 结构与工作原理 (1)构成 结型场效应管又有N沟道和P沟道两种类型。
N沟道结型场效应管的结构示意图
结型场效应管的符号
(a)N沟道管
(b) P沟道管
(2)工作原理 N· JFET的结构及符号
在同一块N型半导体上制作两 个高掺杂的P区,并将它们连 接在一起,引出的电极称为栅 极G,N型半导体的两端引出 两个电极,一个称为漏极D, 一个称为源极S。P区与N区交 界面形成耗尽层,漏极和源极 间的非耗尽层区域称为导电沟 道。
直流输入电阻 RGS :其等于栅源电压与栅极电流之比,结型管的 RGS 大于10^7 欧,而MOS管的大于10^9欧。
二、交流参数
1. 低频跨导 gm 用以描述栅源之间的电压 UGS 对漏极电流 ID 的控 制作用。 ΔI D gm ΔU GS U DS 常数 单位:ID 毫安(mA);UGS 伏(V);gm 毫西门子(mS)
绝缘栅
B端为衬底,与源极短接在一起。
N沟道耗尽型MOS管的结构与符号
(2)N沟道的形成 N沟道的形成与外电场对N沟道的影响 控制原理分四种情况讨论:
① uGS 0时,来源于外电场UGS正极的正电荷使SiO2中原有的正电荷数目增加, 由于静电感应,N沟道中的电子随之作同等数量的增加,沟道变宽,沟道电阻减 小,漏电流成指数规律的增加。

场效应管基本资料

场效应管基本资料

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108W~109W)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。

结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

见下图。

二、场效应晶体管的型号命名方法现行场效应管有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料,D是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。

例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

三、场效应管的参数1、IDSS —饱和漏源电流。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS 场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P 沟道两种。

若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。

结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。

而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

见下图。

二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同,第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料,D 是P型硅,反型层是N沟道;C是N型硅P沟道。

例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管,3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

三、场效应管的参数场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:1、I DSS —饱和漏源电流。

是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U GS=0时的漏源电流。

2、UP —夹断电压。

是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。

3、UT —开启电压。

是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM —跨导。

是表示栅源电压U GS —对漏极电流I D的控制能力,即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。

gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS —漏源击穿电压。

是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。

6、PDSM —最大耗散功率。

也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。

使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。

7、IDSM —最大漏源电流。

是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。

场效应管的工作电流不应超过IDSM 几种常用的场效应三极管的主要参数四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。

2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻。

4、场效应管可以方便地用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关。

五、场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别:场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。

将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。

当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。

对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。

2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。

若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。

源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。

因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V 的电源电压。

这时表针指示出的是D-S极间电阻值。

然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。

由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S 极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。

如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。

由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。

少数的管子RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。

无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。

本方法也适用于测MOS管。

为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。

MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。

按书上说,就是现在绝大多数MOS管都是增强绝缘栅场效应管(MOSFET)就拿N沟道来说,以浓度低的P半导体作衬底,边上扩2个高浓度N区各自为S与D,在中间制作一层二氧化硅(SIO2)绝缘层为G,其原理是,当UGS=0时,源与漏加正电压反偏,ID约等于0,截止。

? ?? ?? ? 当UGS>0时,栅与衬之间形成正栅压,PN(GS)于是排斥P型衬底的多子(空穴)吸引其少子(电子)而在其DS交接处形成一个N型层,产生导电沟道,从而使其内部形成电流IDS。

完成导通,这UGS>0是指大于一定的开启门限电压(UT)后方可形成沟道。

,也就是UGS增强后形成,所以称其为增强型绝缘栅场效应管,如下图:2011-3-5 23:49:20 上传下载附件 (23.27 KB)有兴趣的朋友可以去看看模拟电子。

再来说下笔记本中的MOS管:MOSFET场效应管(内置肖特二级管)MOSFET场效应管在笔记本中的应用。

其导通原则:N沟道 VG>UT其内部的衬底与S级相接经过内部肖特二极管与D级组成PN节,所以当黑接D。

红接S 时就可以判断是N沟道。

反观P沟道:VG<UT同理其内部的衬底与S级也是相接,但是其内部肖特二级管的方向恰好与N沟道相反,所以当接红笔接D,黑笔接S时出现PN结阻抗,由此判断P沟道。

如图2场效应管的识别分类及测量一、符号:“Q、VT”,场效应管简称FET,是另一种半导体器件,是通过电压来控制输出电流的,是电压控制器件场效应管分三个极:D极为漏极(供电极)S极为源极(输出极)G极为栅极(控制极)D极和S极可互换使用场效应管图例:二、场效应管的分类:场效应管按沟道分可分为N沟道和P沟道管(在符号图中可看到中间的箭头方向不一样)。

按材料分可分为结型管和绝缘栅型管,绝缘栅型又分为耗尽型和增强型,一般主板上大多是绝缘栅型管简称MOS管,并且大多采用增强型的N沟道,其次是增强型的P沟道,结型管和耗尽型管几乎不用。

三、场效应管的特性:1、工作条件:D极要有供电,G极要有控制电压2、主板上的场管N沟道多,G极电压越高,S极输出电压越高3、主板上的场管G极电压达到12V时,DS完全导通,个别主板上5V导通4、场管的DS功能可互换N沟道场管的导通截止电压:导通条件:VG>VS,VGS=0.45--3V时,处于导通状态,且VGS越大,ID越大截止条件:VG<VS,ID没有电流或有很小的电流四、场效应管的作用:放大、调制、谐振、开关五、场效应管的测量及好坏判断1、测量极性及管型判断红笔接S、黑笔接D值为(300-800)为N沟道红笔接D、黑笔接S值为(300-800)为p沟道如果先没G、D再没S、D会长响,表笔放在G和最短脚相连放电,如果再长响为击穿贴片场管与三极管难以区分,先按三极管没,如果不是按场管测场管测量时,最好取下来测,在主板上测量会不准2、好坏判断测D、S两脚值为(300-800)为正常,如果显示“0”且长响,场管击穿;如果显示“1”,场管为开路软击穿(测量是好的,换到主板上是坏的),场管输出不受G极控制。

六、场管的代换原则(只适合主板)场管代换只需大小相同,分清N沟道P沟道即可功率大的可以代换功率小的技嘉主板的场管最好原值代换七、主板上常见的场管型号N沟道:702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF中等大小的场管:3055、09N05、40N03、45N03外型较大的场管:L3103S、K3296、K3289、6030、703055N03、76139D、76129S、10N03、15M03F827、F841、BPS100P沟道:352A、356场效应管场效应管工作原理(1)场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

一、场效应管的分类场效应管分结型、绝缘栅型两大类。

结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。

目前在绝缘栅型场效应管中,应用最为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。

若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。

结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。

相关文档
最新文档