第3章 晶体缺陷(2)-位错的基本类型与特征
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晶体缺陷-位错的基本类型与特征
混合位错
总结词
混合位错是一种同时具有刃型和螺旋型 特征的晶体缺陷，其特征是晶体中某处 的原子既发生了平移又发生了螺旋式的 位移。
VS
详细描述
混合位错是刃型位错和螺旋位错的组合体 ，其原子位移同时包含了平移和螺旋式的 位移。混合位错通常出现在晶体的复杂区 域，如晶界、相界等。由于混合位错同时 具有刃型和螺旋型位错的特征，其对晶体 的性能影响也较为复杂，需要进行深入研 究。
滑移与攀移
在切应力作用下，位错能够沿滑移面整列移动，称为滑移； 而垂直于滑移面方向的移动称为攀移。这两种运动方式是 位错在塑性变形中的重要表现。
应变梯度与几何必须位错
当材料的局部区域发生不均匀变形时，会产生应变梯度， 进而促使位错的形成和运动，以协调这种不均匀变形。
位错与材料疲劳断裂
01
疲劳裂纹的萌生与扩展
强化机制
加工硬化
在塑性变形过程中，位错的运动和交 互作用导致材料逐渐变硬，即加工硬 化。这是金属材料常用的强化手段。
通过引入位错，可以增加材料的内应 力，从而提高其屈服强度。这种强化 机制称为位错强化。
位错与材料塑性变形
塑性变形机制
位错在受力时能够运动，从而改变材料的形状。这种运动 机制是金属等材料发生塑性变形的内在原因。
在循环载荷作用下，位错容易在材料的应力集中区域（如晶界、相界或
表面）聚集，形成位错塞积群，进而导致疲劳裂纹的萌生。裂纹的扩展
通常沿特定晶体学平面进行。
02
影响疲劳性能的因素
位错的运动和交互作用对疲劳裂纹的萌生和扩展具有重要影响，进而影
响材料的疲劳性能。例如，材料的抗疲劳性能可以通过引入阻碍位错运
动的合金元素来改善。
晶体缺陷的分类
第3章点缺陷、位错的基本类型和特征_材料科学基础
位错运动导致晶体滑移的方向；该矢量的模|b|表示
了畸变的程度，即位错强度。
② 柏氏矢量的守恒性：柏氏矢量与回路起点及其具体途 径无关。一根不分岔的位错线，不论其形状如何变化 （直线、曲折线或闭合的环状），也不管位错线上各 处的位错类型是否相同，其各部位的柏氏矢量都相同； 而且当位错在晶体中运动或者改变方向时，其柏氏矢 量不变，即一根位错线具有唯一的柏氏矢量。
18
第
3.2 位错
三 章
3.2.1 位错的基本类型和特征
1. 位错的概念：位错是晶体的线性缺陷。晶体中
晶
某处一列或若干列原子有规律的错排。
体
• 意义：对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等
缺
起着决定性的作用，对材料的扩散、相变过程有较大
陷
影响。
• 位错的提出：1926年，弗兰克尔发现理论晶体模型刚
b l
positive
b
l
negative
Edge dislocations
b
b
right-handed left-handed Screw dislocations
26
3.2
3. 伯氏矢量的特性 位 ① 柏氏矢量是一个反映位错周围点阵畸变总累积的物理
错
量。该矢量的方向表示位错的性质与位错的取向，即
性切变强度与与实测临界切应力的巨大差异（2～4个 数量级）。1934年，泰勒、波朗依、奥罗万几乎同时 提出位错的概念。1939年，柏格斯提出用柏氏矢量表 征位错。1947年，柯垂耳提出溶质原子与位错的交互 作用。1950年，弗兰克和瑞德同时提出位错增殖机制。 之后，用TEM直接观察到了晶体中的位错。
➢ 特征：如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，
ch3.2 晶体缺陷--线缺陷(位错)(06级)
第三章 晶体缺陷 ③ 滑移面必须是同时包含有位错线和滑移矢量的平面。位 错线与滑移矢量互相垂直,它们构成平面只有一个。 ④ 晶体中存在刃位错后,位错周围的点阵发生弹性畸变,既 有正应变,也有负应变。点阵畸变相对于多余半原子面是左右对 称的，其程度随距位错线距离增大而减小。就正刃型位错而言, 上方受压,下方受拉。 ⑤ 在位错线周围的畸变区每个原子具有较大的平均能量。 畸变区是一个狭长的管道。
第三章 晶体缺陷 (3) 柏氏矢量的唯一性。即一根位错线具有唯一的柏氏矢 量。它与柏氏回路的大小和回路在位错线上的位臵无关，位 错在晶体中运动或改变方向时，其柏氏矢量不变。 (4) 位错的连续性:可以形成位错环、连接于其他位错、终 止于晶界或露头于表面,但不能中断于晶体内. (5) 可用柏氏矢量判断位错类型 刃型位错: ξe⊥be，右手法则判断正负 螺型位错: ξs∥bs，二者同向右旋,反向左旋 (6) 柏氏矢量表示晶体滑移方向和大小.位错运动导致晶 体滑移时，滑移量大小|b|，滑移方向为柏氏矢量的方向。 (7) 刃型位错滑移面为ξ与柏氏矢量所构成的平面,只有一 个；螺型位错滑移面不定,多个。 (8) 柏氏矢量可以定义为:位错为柏氏矢量不为0的晶体缺 陷。
第三章 晶体缺陷 (3) 混合位错的滑移过程 沿位错线各点的法线方向在滑移面上扩展，滑动方向垂 直于位错线方向。但滑动方向与柏氏矢量有夹角。(hhwc1)
第三章 晶体缺陷
2. 位错的攀移
• 位错的攀移(climbing of disloction) :在垂直于滑移面方 向上运动 • 攀移的实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小，它是通过 物质迁移即原子或空位的扩散来实现的。 • 刃位错的攀移过程:正攀移,向上运动；负攀移, 向下运动 • 注意：只有刃型位错才能发生攀移；滑移不涉及原子扩散， 而攀移必须借助原子扩散；外加应力对攀移起促进作用，压 （拉）促进正（负）攀移；高温影响位错的攀移 • 攀移运动外力需要做功，即攀移有阻力。粗略地分析，攀移 阻力约为Gb/5。 • 螺型位错不止一个滑移面，它只能以滑移的方式运动，它是 没有攀移运动的。 • 攀移为非守恒（或非保守）运动，而滑移为守恒（或保守） 运动。
位错的基本类型
5）位错线的移动方向与晶块滑移方向、应力矢量互相垂直
2014年3月10日11时1分
刘志勇 14949732@
吉 首 大 学 物 理 与 机 电 工 程 学 院 JiShou University
2.2.3 混合位错
位错线与滑移矢量两者方向夹角呈任意角度 位错线上任一点的滑移矢量相同
晶体右上角在外力F作用下发生切变 滑移面ABC范围内原子发生了位移，其滑移矢量用 b表示 弧线AC即是位错线，为已滑移区和未滑移区的边 界，与滑移矢量成任意角度 是晶体中较常见的一种位错 混合位错的形成
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螺型位错分类
按照螺旋面前进的方向与螺旋面旋转方向的关系分
• 左螺型位错 • 右螺型位错
• 符合右手定则（右手拇指代表螺旋面前进方向，其它四指代表螺旋面旋 转方向）的称为右螺型位错，符合左手定则的称为左螺型位错
正刃型位错：晶面上部原子拥挤，受压应力，晶面下部原子受拉应力 • 点阵畸变是对称的，位错中心受到畸变度最大，离开位错中心畸变 程度减小 • 一般把点阵畸变程度大于正常原子间距1/4的区域宽度定义为位错宽 度，约为2~5个原子间距
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螺型位错（Screw dislocation）
第三章晶体缺陷
形成缺陷时，基质晶体中的原子数会发生变化，外加杂质进入 基质晶体时，系统原子数增加，晶体尺寸增大；基质中原子逃逸 到周围介质中时，晶体尺寸减小。
•
（2）质量平衡： 与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需 要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无 影响。 （3）电中性： 电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。 2. 缺陷反应实例 1）杂质（组成）缺陷反应方程式──杂质在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时，一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的 正负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成。 在不等价替换时，会产生间隙质点或空位。
浓度超过平衡浓度。
在晶体中，位于点阵结点上的原子并非静止的，而是以其平衡位置为中 心作热振动。原子的振动能是按几率分布，有起伏涨落的。当某一原子具有足 够大的振动能而使振幅增大到一定限度时，就可能克服周围原子对它的制约作 用，跳离其原来的位置，使点阵中形成空结点，称为空位。 离开平衡位置的原子有三个去处： 一是迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上，而使晶体内部留下空位，称 为肖脱基（Schottky）空位； 二是挤人点阵的间隙位置，而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子， 则称为弗兰克尔（Frenkel）缺陷； 三是跑到其他空位中，使空位消失或使空位移位。
6.缔合中心 电性相反的缺陷距离接近到一定程度时，在库仑力作用下会缔合成一组 或一群，产生一个缔合中心， VM和VX发生缔合,记为（VMVX）。
(二) 缺陷反应表示法
对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式：
1.写缺陷反应方程式应遵循的原则 与一般的化学反应相类似，书写缺陷反应方程式时，应该遵循 下列基本原则： （1）位置关系 （2）质量平衡 （3）电中性
•
（2）质量平衡： 与化学反应方程式相同，缺陷反应方程式两边的质量应该相等。需 要注意的是缺陷符号的右下标表示缺陷所在的位置，对质量平衡无 影响。 （3）电中性： 电中性要求缺陷反应方程式两边的有效电荷数必须相等。 2. 缺陷反应实例 1）杂质（组成）缺陷反应方程式──杂质在基质中的溶解过程 杂质进入基质晶体时，一般遵循杂质的正负离子分别进入基质的 正负离子位置的原则，这样基质晶体的晶格畸变小，缺陷容易形成。 在不等价替换时，会产生间隙质点或空位。
浓度超过平衡浓度。
在晶体中，位于点阵结点上的原子并非静止的，而是以其平衡位置为中 心作热振动。原子的振动能是按几率分布，有起伏涨落的。当某一原子具有足 够大的振动能而使振幅增大到一定限度时，就可能克服周围原子对它的制约作 用，跳离其原来的位置，使点阵中形成空结点，称为空位。 离开平衡位置的原子有三个去处： 一是迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上，而使晶体内部留下空位，称 为肖脱基（Schottky）空位； 二是挤人点阵的间隙位置，而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子， 则称为弗兰克尔（Frenkel）缺陷； 三是跑到其他空位中，使空位消失或使空位移位。
6.缔合中心 电性相反的缺陷距离接近到一定程度时，在库仑力作用下会缔合成一组 或一群，产生一个缔合中心， VM和VX发生缔合,记为（VMVX）。
(二) 缺陷反应表示法
对于杂质缺陷而言，缺陷反应方程式的一般式：
1.写缺陷反应方程式应遵循的原则 与一般的化学反应相类似，书写缺陷反应方程式时，应该遵循 下列基本原则： （1）位置关系 （2）质量平衡 （3）电中性
材料科学基础第3章
3.2 位错
晶体在结晶时受到杂质、温度变化或振动产
生的应力作用，或由于晶体受到打击、切削、 研磨等机械应力的作用，使晶体内部质点排列 变形，原子行列间相互滑移，即不再符合理想 晶格的有序排列，由此形成的缺陷称位错。
3.2.1 位错的基本类型和特征
刃型位错 螺型位错
刃型位错结构的特点： 1) 刃型位错有一个额外的半原子面。一般把多出的半原子面在滑移面 上边的称为正刃型位错，记为“┻”；而把多出在下边的称为负刃 型位错，记为“┳”。
螺型位错
a. 位错中心附近的原子移动小于一个原子间距的距离。 b. 位错线在滑移面上向左移动了一个原子间距。
c. d. e. 当位错线沿滑移面滑移通过整个晶体时，就会在晶体表面沿柏氏矢 量方向产生宽度为一个柏氏矢量大小的台阶。 螺型位错的运动方向始终垂直位错线并垂直于柏氏矢量。 螺型位错线与柏氏矢量平行，故其滑移不限于单一的滑移面上，所 有包含位错线的晶面都可成为其滑移面。
晶体中的位错环
晶体中的位错网络
3.柏氏矢量的表示法
•柏氏矢量的大小和方向可用与它同向的 晶向指数来表示。
[
a a a [2 2 2 ]
]
a [1 1 1] 2
例如：
在体心立方中， 柏氏矢量等于从体心 立方晶体的原点到体 心的矢量。
b=
a [1 1 1] 2
a •一般立方晶系中柏氏矢量可表示为b= n <u v w>
4)
5)
2.螺型位错
设立方晶体右侧受到切 应力的作用，其右侧上 下两部分晶体沿滑移面 ABCD发生了错动，如图 所示。这时已滑移区和 未滑移区的边界线 bb´(位错线)不是垂直而 是平行于滑移方向。
F
C D
3.2第三章 晶体缺陷
第三章 晶体缺陷 （二）
——柏氏矢量、 ——柏氏矢量、位错的运动 柏氏矢量
二、柏氏矢量
1. 柏氏矢量（Burgers vector）的确定： 柏氏矢量（ vector）的确定：
(1) 选定位错线的正方向(ξ)一般选定出纸面的方向为位错线 选定位错线的正方向(ξ)一般选定出纸面的方向为位错线 的正向。 的正向。 (2) 在实际晶体中作柏氏回路（Burgers circuit） 在实际晶体中作柏氏回路 柏氏回路（ circuit） (3) 在完整晶体中按(2)中相同方向和步数作回路。回路不封 在完整晶体中按( 中相同方向和步数作回路。 由终点向起点作矢量，即为柏氏矢量。 闭，由终点向起点作矢量，即为柏氏矢量。
基本形式: 基本形式:滑移和攀移 滑移（slip） 在一定的切应力的作用下， 滑移 （ slip ） : 在一定的切应力的作用下， 位错在滑移面 上受到垂至于位错线的作用力。当此力足够大， 上受到垂至于位错线的作用力。当此力足够大，足以克服 位错运动时受到的阻力时，位错便可以沿着滑移面移动， 滑移面移动 位错运动时受到的阻力时，位错便可以沿着滑移面移动， 这种沿着滑移面移动的位错运动称为滑移。 这种沿着滑移面移动的位错运动称为滑移。 攀移（climb）：刃型位错的位错线还可以沿着垂直于滑 ）：刃型位错 攀移（climb）：刃型位错的位错线还可以沿着垂直于滑 移面的方向移动， 移面的方向移动， 除滑移和攀移还有交割（cross/interaction） 除滑移和攀移还有交割（cross/interaction）和扭折 交割 kink） （kink）
刃型位错的柏氏回路示意图
刃型位错完整的柏氏回路
刃位错的柏氏回路
先确定位错的方向（一般规定位错线垂直纸面时， 先确定位错的方向（一般规定位错线垂直纸面时， 做柏氏回路， 由纸面向外为正）， 右手法则做柏氏回路 ），按 由纸面向外为正），按右手法则做柏氏回路，右 手大拇指指位错正方向， 手大拇指指位错正方向，回路方向按右手螺旋方 向确定。 向确定。 柏氏矢量与起点的选择无关，也与路径无关。 柏氏矢量与起点的选择无关，也与路径无关。
——柏氏矢量、 ——柏氏矢量、位错的运动 柏氏矢量
二、柏氏矢量
1. 柏氏矢量（Burgers vector）的确定： 柏氏矢量（ vector）的确定：
(1) 选定位错线的正方向(ξ)一般选定出纸面的方向为位错线 选定位错线的正方向(ξ)一般选定出纸面的方向为位错线 的正向。 的正向。 (2) 在实际晶体中作柏氏回路（Burgers circuit） 在实际晶体中作柏氏回路 柏氏回路（ circuit） (3) 在完整晶体中按(2)中相同方向和步数作回路。回路不封 在完整晶体中按( 中相同方向和步数作回路。 由终点向起点作矢量，即为柏氏矢量。 闭，由终点向起点作矢量，即为柏氏矢量。
基本形式: 基本形式:滑移和攀移 滑移（slip） 在一定的切应力的作用下， 滑移 （ slip ） : 在一定的切应力的作用下， 位错在滑移面 上受到垂至于位错线的作用力。当此力足够大， 上受到垂至于位错线的作用力。当此力足够大，足以克服 位错运动时受到的阻力时，位错便可以沿着滑移面移动， 滑移面移动 位错运动时受到的阻力时，位错便可以沿着滑移面移动， 这种沿着滑移面移动的位错运动称为滑移。 这种沿着滑移面移动的位错运动称为滑移。 攀移（climb）：刃型位错的位错线还可以沿着垂直于滑 ）：刃型位错 攀移（climb）：刃型位错的位错线还可以沿着垂直于滑 移面的方向移动， 移面的方向移动， 除滑移和攀移还有交割（cross/interaction） 除滑移和攀移还有交割（cross/interaction）和扭折 交割 kink） （kink）
刃型位错的柏氏回路示意图
刃型位错完整的柏氏回路
刃位错的柏氏回路
先确定位错的方向（一般规定位错线垂直纸面时， 先确定位错的方向（一般规定位错线垂直纸面时， 做柏氏回路， 由纸面向外为正）， 右手法则做柏氏回路 ），按 由纸面向外为正），按右手法则做柏氏回路，右 手大拇指指位错正方向， 手大拇指指位错正方向，回路方向按右手螺旋方 向确定。 向确定。 柏氏矢量与起点的选择无关，也与路径无关。 柏氏矢量与起点的选择无关，也与路径无关。
材料科学基础第三章 晶体缺陷
贵州师范大学
化学与材料科学学院
SCHOOL OF CHEMISTRY AND MATERIAL SCIENCE OF GUIZHOU NORMAL UNIVERSITY
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高，但 同时也使熵增加，从而使晶体的能量下降。因 此，点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下，点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为：
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1）空位的运动
2）间隙原子的运动 3）空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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图 柏氏矢量的确定
图
刃型位错柏氏矢量的确定
图
螺型位错柏氏矢量的确定
柏氏矢量
螺型位错柏氏矢量的确定 (a) 有位错的晶体 (b) 完整晶体
3、柏氏矢量的意义
（1）柏氏矢量描述了位错线上原子的畸变 特征：畸变的方向与大小。 （2）柏氏矢量的另一个重要意义：滑移矢 量。
4、柏氏矢量的守恒性
对一条位错线而言，其柏氏矢量是固定不变 的，此即错中，晶体发生局部滑移的方向 （或滑移矢量）是与位错线平行的。
3、混合位错
在外力作用下，两部分之间发生相对滑 移，在晶体内部已滑移和未滑移部分的交线 既不垂直也不平行滑移方向，这样的位错称 为混合位错。
位错线上任意一点，经矢量分解后，可 分解为刃位错和螺位错分量。晶体中位错线 的形状可以是任意的，但位错线上各点的伯 氏矢量相同，只是各点的刃型、螺型分量不 同而已。
1、塑性变形
塑性变形是晶体在外力作用下产生的永久变形。
滑移是塑性变形的基本方式，它是在切应力作用 下进行的。
滑移：各部分晶体相对滑动的结果使晶体的尺寸 沿着受力方向拉长，直径变细，这样的过程称滑移。
（a）变形前
（b）变形后
图 单晶试棒在拉伸应力作用下 的变化（宏观）
2、理想晶体的滑移模型
τ τ
图 外力作用下晶体滑移示意图（微观）
与位错线 成一定角 度
与b一致
与b一致
位错线的运动方向垂直于位错线本身。 切应力方向、滑移方向、柏氏矢量等三者方向一致。
本节重点与难点
（1）刃型位错的概念与特征 （2）螺型位错的概念与特征
（2）柏氏矢量的概念与意义
（3）位错线与切应力、运动方向、滑移方向、 柏氏矢量等的关系
图
不同形状的刃型位错
2、螺位错
图 螺位错形成示意图
（a）立体图；
（b）顶视图
图 螺型位错的原子组态
图
螺型位错原子模型及其形成示意
形成及定义：晶体在外加切应力作用下，沿ABCD面 滑移，图中EF线为已滑移区与未滑移区的分界处。
由于位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺
旋形坡面，故称为螺位错。 几何特征：位错线与原子滑移方向相平行；位错线周 围原子的配置是螺旋状的。 分类：有左、右旋之分，分别以符号“”和“”表
m
G 30
3、位错概念的引出
（1）实际抗剪屈服强度与理论抗剪屈服强度之间存 在巨大差异。
（2）实际强度与理论强度的巨大差异，使人们对理 想晶体的整体滑移方式产生怀疑，认识到晶体中原子排 列绝非完全规则，滑移也不是两个原子面之间集体的相 对移动。
（3）晶体内部一定存在着很多缺陷，既薄弱环节， 使塑性变形过程在很低的应力下就开始进行，这种内部 缺陷就是位错。
刃位错的运动
螺位错的运动
混合位错 的运动
三、位错的柏氏矢量
1、柏氏矢量的概念与性质
柏氏矢量：晶体中有位错存在时，滑移面一侧质点 相对于另一侧质点的相对位移或畸变。
性质：大小表征了位错的单位滑移距离，方向与滑 移方向一致（滑移矢量）。
柏氏(Burgers)矢量是一个矢量，具有方向和 大小；这个物理参量能把位错区原子的畸变特征 表示出来，包括畸变发生在什么晶向以及畸变有 多大（畸变矢量） 。
（a）混合位错的形成
（b）混合位错分解为刃 位错和螺位错示意图
（c）混合位错线附近 原子滑移透视图
4、位错的易动性
根据位错模型，晶体中有了位错，滑 移就十分容易进行。 位错按滑移的方式发生塑变要比两个相 邻原子面整体相对移动容易得多，因此晶体 的实际强度比理论强度低得多。 螺型位错的情况与刃型位错一样具有易 动性。
柏氏矢量的一般表达式为：
a [uvw] n
其模则为：
a 2 2 b u v w2 n
类型
柏氏向量
位错线 晶体 运动方向 滑移方向
切应力 方向
滑移面 个数
刃型位错
⊥于位错
线
⊥于位错 线本身
⊥于位错 线本身 ⊥于位错 线本身
与b一致
与b一致
唯一
螺型位错
‖于位错 线
与b一致
与b一致
多个
混合位错
晶体中位错的基本类型分为刃型位错 和螺型位错。 实际上位错往往是两种类型的复合， 称为混合位错。
1、刃位错
图 刃位错示意图
形成及定义：晶体在大于屈服值的切应力作用 下，以ABCD面为滑移面发生滑移。EF是晶体已滑移 部分和未滑移部分的交线，犹如砍入晶体的一把刀的 刀刃，即刃位错。 分类：正刃位错， “” ；负刃位错， “T” 。 符号中水平线代表滑移面，垂直线代表半个原子面。 几何特征：位错线与原子滑移方向相垂直； 正刃位错：滑移面上部位错线周围原子 受压应力作用，原子间距小于正常晶格间距；滑移面 下部位错线周围原子受张应力作用，原子间距大于正 常晶格间距。
（4）位错的概念及模型很早就已经提出，但直到20 世纪50年代中期透射电子显微技术的发展证实了晶体中 位错的存在。
完整晶体塑性变形-滑移的模型
金属晶体的理论强度
完整理论强度比实测强度高出几个数量级 晶体缺陷的设想─ 线缺陷（位错）的模型
以位错滑移模型计算出的晶体强度，与实测值基本相符。
τ τ
二、晶体中的位错模型
第三章 晶体缺陷
引 言 晶体缺陷概述及类型 第一节 点缺陷
第二节 位错-线缺陷
第三节 表面及界面
第二节 位 错
2.1 位错的基本类型和特征 2.2 位错的运动与弹性性质 2.3 实际晶体中的位错
2.1 位错的基本类型和特征
一、位错与塑性变形
二、晶体中的位错模型
三、柏氏矢量
一、位错与塑性变形
人们是从研究晶体的塑性变形中才认识到 晶体中存在着位错。
2、柏氏矢量的确定方法
（1）首先在实际晶体中围绕位错线做一个一定 大小的回路，称柏氏回路。显然该回路包含了位错 的畸变。 （2）然后将同样大小的回路置于理想晶体中； 回路当然不可能封闭，需要一个额外的矢量连接才 能封闭，这个矢量就是该位错线的柏氏矢量。 刃型位错的柏氏矢量与位错线垂直，并与滑移 面平行；螺型位错的柏氏矢量与位错线平行。
推论：
1.一条位错线只有一个柏氏矢量。 2.如果几条位错线在晶体内部相交（交点称为 节点），则指向节点的各位错的伯氏矢量之和，必 然等于离开节点的各位错的柏氏矢量之和。
5、柏氏矢量的表示方法
柏氏矢量的表示方法与晶向指数相似，只不过晶 向指数没有“大小”的概念，而柏氏矢量必须在晶向 指数的基础上把矢量的模也表示出来，因此要同时标 出该矢量在各个晶轴上的分量。
刃型位错的特点： 1)刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之 分只具相对意义而无本质的区别。 2)刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区 的边界线。它不一定是直线，也可以是折线或曲线，但 它必与滑移方向相垂直，也垂直于滑移矢量。 3)滑移面必定同时包含位错线和滑移矢量，其它面 上不能滑移。
示。其中小圆点代表与该点垂直的位错，旋转箭头
表示螺旋的旋转方向。它们之间符合左手、右手螺
旋定则。
位错的特征归纳：
（1）可以把位错定义为晶体中以滑移区与未 滑移区的边界。 （2）刃型位错不仅仅指刀刃处的一条原子， 而是刀刃处这列原子及其周围区域。 （3）刃型位错中，晶体发生局部滑移的方向 （或滑移矢量）是与位错线垂直的。
（1）理论抗剪屈服强度
滑移面上各个原子在切应力作用下，同时克服相邻滑 移面上原子的作用力前进一个原子间距，完成这一过程所 需的切应力就相当于晶体的理论抗剪屈服强度τm。
（2）理论抗剪屈服强度与晶体的切变模量的关系
原子的结合键能与弹性模量有很好的对应关系，因此 理论抗剪屈服强度τm应与晶体的切变模量G的大小有一定 的关系，根据推算两者之间大致的为：