可控硅工作原理
可控硅调压的工作原理
可控硅调压的工作原理
可控硅调压器是一种电子控制设备，常用于电力电子变流器、电能调速装置等功率电子设备中。
其主要功能是在交流电路中实现可控的电压调节。
可控硅调压器的工作原理如下：
1. 在电路中串联可控硅，常用双极性结型可控硅。
2. 控制信号通过触发器控制可控硅的触发时刻。
3. 当可控硅的控制信号触发时，它会开始导通，允许电流流过。
4. 一旦可控硅导通，就会形成一个绝缘体到导体的短路，电流将通过可控硅流过。
5. 当电流经过可控硅时，就会产生一个电压降，它决定了电路中的负载所受到的电压。
6. 可控硅的导通角相位可以通过改变触发时刻的延迟时间来调节，从而改变电路中的平均电压值。
可控硅调压器的工作原理是基于可控硅的导通和关断特性。
通过控制可控硅的导通角相位和触发时刻，可以改变负载所受到的电压，从而实现电压的调节。
同时，可控硅调压器具有较高的电压控制精度和响应速度，适用于各种电力电子设备中的电压调节需求。
双向可控硅的工作原理及原理图
双向可控硅的工作原理及原理图双向可控硅（Bilateral Triode Thyristor，简称BTT）是一种特殊的可控硅器件，其工作原理和应用领域在电力电子领域具有重要意义。
本文将详细介绍双向可控硅的工作原理，并提供相应的原理图。
一、双向可控硅的工作原理双向可控硅是一种四层PNPN结构的半导体器件。
它由两个PN结组成，每一个PN结都有一个控制极和一个主极。
其工作原理如下：1. 静态工作原理：当双向可控硅两个主极之间的电压为正向时，即正向工作状态，两个PN结之间的结电容会妨碍电流的流动，双向可控硅处于关断状态。
当双向可控硅两个主极之间的电压为反向时，即反向工作状态，两个PN结之间的结电容充电，当电压达到一定的阈值时，双向可控硅会进入导通状态。
2. 动态工作原理：当双向可控硅处于导通状态时，惟独当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向一致时，双向可控硅才干正常导通。
当双向可控硅导通后，惟独当两个主极之间的电流方向与PN结的导通方向相反时，双向可控硅才干正常关断。
二、双向可控硅的原理图下面是一种常见的双向可控硅的原理图，用于说明其电路连接方式和控制方式。
```+----|>|----|>|----+| || || |+----|<|----|<|----+```在上述原理图中，两个箭头表示双向可控硅的两个主极，箭头方向表示电流的流动方向。
两个箭头之间的线段表示PN结。
三、双向可控硅的应用领域双向可控硅由于其双向导通的特性，在电力电子领域有广泛的应用。
以下是一些常见的应用领域：1. 交流电控制：双向可控硅可以用于交流电的控制，例如交流电的调光、机电的调速等。
2. 电力系统：双向可控硅可以用于电力系统中的电压和电流控制，例如电力调度、电力传输等。
3. 电力电子变换器：双向可控硅可以用于电力电子变换器中的电流控制，例如直流-交流变换器、交流-直流变换器等。
4. 光伏发电系统：双向可控硅可以用于光伏发电系统中的电流控制，例如光伏逆变器、光伏充电控制器等。
什么是可控硅
什么是可控硅一、概述可控硅（SCR，Silicon-Controlled Rectifier）是一种电子器件，也称为双向晶闸管（TRIAC，Triode for alternating current）。
它属于功率半导体器件，可以进行电流的正反向控制，具有经济、可靠、范围广等优点，在诸多工业应用领域得到广泛应用。
二、组成可控硅由四个PN结组成，也就是说，它是一种四层半导体器件。
PN结是指正负电荷聚集形成的界面，由P型半导体和N型半导体构成。
可控硅的四个PN结分别为：•P型半导体•N型半导体•P型半导体•N型半导体这四个PN结相互连接而成，形成双向电流通道。
三、工作原理可控硅有两个电极，即控制电极和主电极。
当控制电极加上触发电压时，可控硅就会导通，电流开始在主电极上流动；当控制电极断电时，可控硅停止导通，电流中断。
具体来说，当控制电极加上触发电压时，可控硅的P1-N1结区域中的电子和瞬间发生注入效应，导致P1-N1结区域中的电流瞬间增大；这个过程称为开启。
当控制电极电压下降到触发电压以下时，可控硅将自动保持导通状态，即使控制电极断电也不会中断电流。
反之，当控制电极断电时，可控硅的P1-N1结区域中的电子将被P1端的空穴重新吸收，导致电流瞬间中断；这个过程称为关断。
可控硅的关断需要用反向电压来实现，即控制电极与主电极之间分别加上正、负电压，这样才能断开电流通道。
四、应用可控硅在工业控制领域应用广泛，可以用于：•电动机控制•加热控制•电源控制•充电器控制•交流电调节•灯光调节•家用电器等电子产品控制同时，可控硅的使用也存在一些限制：•工作稳定性较差，容易出现温度漂移，需要考虑散热设计。
•受限于电压和电流范围，在一些高压、高电流场合中无法使用。
五、总结可控硅作为一种高性价比、可靠、范围广的功率半导体器件，在现代工业生产中扮演着极为重要的角色。
通过控制电压和电流的开启和关断，可控硅可以实现多种电子系统和工业设备的精确控制。
可控硅工作原理
可控硅工作原理可控硅（SCR）是一种重要的半导体元件，广泛应用于电子设备和电力电子控制领域。
它具有向前导电和向后断电功能，并可以在应用触发信号时控制电流的流动。
本文将详细介绍可控硅的工作原理。
可控硅的结构和原理可控硅是一种二端元件，它由四层PNPN结构组成。
在正向偏置状态下，可控硅呈现出低电阻状态，电流可以通过它流动。
而在反向偏置状态下，可控硅则具有高电阻和绝缘的特性。
可控硅的工作原理是通过添加一个触发电压来使得器件进入导电状态。
在偏置状态下，可控硅通过固定极性的控制端给予一个小电流，因为这一信号只能导通一个PN结。
但是，当成为一个可控硅的较高电压应用于器件控制端时，它能够翻转所有PN结，使得它们成为连接的串联结构，进而使得可控硅进入导通状态。
上述功能由三种方式实现。
第一种方式是交流门极触发模式。
在此模式下，在交流正半周期完成时，通过控制端施加电压来激活可控硅，并且可以保持高通电状态不会被关闭。
第二种方式是直流门极触发模式。
该模式与交流门极触发模式非常相似，但是此模式只施加一个直流电压而不是交流电压。
第三种方式是LC滤波器触发模式。
在这种情况下，在滤波器中储存的能量将通过控制端电压释放，从而触发可控硅。
可控硅的电路应用由于可控硅具有高电压和大电流的输入能力，因此其主要应用于工业电子。
可控硅广泛应用于电焊机、电炉、电力空调和大型机械设备中。
可控硅工作在正常的局部调制方式下，在电力电子应用中用作开关，实现了无级变频控制。
使用可控硅开关电路，可以实现灯光亮度、电能调节脉冲宽度等功能。
此类可控硅控制电路广泛用于交流调节器、交流电机驱动、电梯和列车制动等应用中。
总结综上所述，可控硅是一种重要的电子器件，它能够在拥有触发信号的情况下控制电流的流动。
它通过四层PNPN结构实现高电压和大电流的输入能力，并具有向前导电和向后断电功能。
可控硅广泛应用于电焊机、电炉、电力空调和大型机械设备中，并应用于交流调节器、交流电机驱动、电梯和列车制动等领域。
可控硅元件的工作原理及基本特性
可控硅元件的工作原理及基本特性可控硅元件（SCR）是一种半导体器件，也称为可控硅二极管。
它是一种四层结构的晶体管，由三个PN结与一个NPN结叠加而成。
SCR的工作原理基于控制极施加的电压，通过改变控制极电流来控制电流流过晶体管的能力。
SCR的工作原理如下：1.当控制极处于高电平时，SCR处于断开状态。
此时，控制极封闭了SCR的PNP结，使其无法导电。
2.当控制极处于低电平时，SCR处于导通状态。
此时，进一步控制极电压下降会使控制晶体二极管达到导通的临界电压。
一旦电压超过了临界电压，晶体管将开始导电并保持这种状态，直到通过SCR的电流下降到一个可接受的水平。
1.可控性：SCR可以通过控制极的电压来控制其导通状态。
调节控制极电压可以使SCR在开启和关闭电路的特定条件下工作。
2.可逆性：SCR可以在两个方向上导通电流。
它既可以由正向电压触发，也可以由反向电压触发。
这使得SCR在控制交流电源的整流和直流电源的变流中非常有用。
3.放大效应：一旦SCR导通电流，它将保持导通状态，直到电流下降到一个可接受的水平。
这是因为SCR具有正反馈特性，其中一部分导通电流将进一步加热晶体管并推动更多电流流过。
SCR在电力控制和电力电子应用中具有广泛的用途。
它可以用作整流器、开关、电压稳定器和电压调节器。
此外，SCR还用于电子点火系统、变频器、电动机控制和照明控制等领域。
总之，SCR是一种可通过控制极电压来控制其导通状态的半导体器件。
它具有可逆性、可控性和放大效应的特点，常用于电力控制和电力电子应用。
通过了解SCR的工作原理和基本特性，我们可以更好地理解和应用这种重要的半导体器件。
可控硅的工作原理是啥
可控硅的工作原理是啥
可控硅（SCR）的工作原理是基于半导体材料的电子特性。
SCR是一种四层结构的PNPN型半导体器件，在无触发信号时处于阻断状态，不导通电流。
当施加一个正向的触发脉冲信号时，SCR会进入导通状态，允许电流流过。
SCR的工作原理如下：
1. 阻断状态：当没有施加触发信号时，SCR处于阻断状态。
在这种情况下，P1区和N区之间的结正向偏置，导致P1区和P2区之间的PN结反向偏置，从而阻止电流通过。
2. 触发信号：当施加一个正向的触发脉冲信号时，SCR会进入导通状态。
触发脉冲信号使得SCR中的P1区和P2区中的电子被注入，形成电子云，破坏PN结反向偏置。
这导致P1区和P2区之间的PN结变为正向偏置，开始导通电流。
3. 导通状态：一旦SCR进入导通状态，它将保持导通，直到通过其的电流降低到一个较低的水平（称为保持电流），或者施加一个正向的阻断信号。
4. 阻断状态复位：为了将SCR从导通状态转换为阻断状态，需要施加一个正向的阻断信号。
这个信号使得SCR中的电子被移除，使得P1区和P2区之间的PN结再次反向偏置，导致阻断电流流动。
通过适当的控制触发信号的时机和持续时间，可控硅可以实现
电流的精确控制和开关操作。
这使得它在电力电子和控制领域中得到广泛应用，例如变频器、交流电调速器、电源电路等。
可控硅的工作原理与种类
可控硅的工作原理与种类可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种用于控制大电流的半导体元件，广泛应用于电力电子领域。
其工作原理是基于PN结的特性，通过控制正向偏置电压和触发电流，实现对电流的控制。
可控硅由四个PN结组成，即两个正向接触的P区，中间夹着两个N区。
当P 区加上正向电压，N区加上反向电压时，PN结呈现出正向偏置特性，此时NPNPN结构的形成使电流能够通过。
但当P区加上负向电压，N区加上正向电压时，PN结的反向耐压特性生效，电流无法通过。
在可控硅导通之前，需要通过一个触发电流（Gate Current）来激活。
当触发电流Igt满足一定标准时，从低阻态（OFF态）向高阻态（ON态）切换，并开始导通电流，从而实现对电流的控制。
在可控硅中，还存在一个关键参数叫做触发电压（Gate Voltage）。
当触发电流通过后，正向电压达到一定值时，才能够激活并导通，这就是触发电压的作用。
触发电压的值取决于具体的可控硅型号与工作条件。
可控硅根据不同的工作状态和应用特性，可分为以下几种类型：1. 静态门极控制型可控硅（SGCR）静态门极控制型可控硅是最常见的一种可控硅类型。
当触发电流通过后，硅片的移动电荷会改变PN结的导电特性，从而实现硅片的导通。
通过改变触发信号来控制触发电流，可以实现对电流的调控。
2. 双向晶闸管（Thyristor）双向晶闸管是一种具有双向导通能力的可控硅。
与普通的单向可控硅不同，双向晶闸管可以实现两个方向上的导通和关断。
这种特性使其适用于交流电源的控制。
3. 光控硅（Light Controlled SCR，LSCR）光控硅是一种通过光控制触发电流的可控硅。
光控硅内部嵌入了一个光敏元件，当光敏元件受到光照时，产生电流以激活SCR。
通过改变光照强度和光敏元件的特性，可以实现对电流的控制。
4. 可控硅二极管（SCR-Diodes）可控硅二极管是一种由多个可控硅串联而成的电子元件。
可控硅的工作原理带图
可控硅的工作原理（带图）一．可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
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可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两可控硅反向连接而成。
它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。
又由于可控硅最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件，简称为可控硅SCR。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
1、可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
2、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合，同样，进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉，这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍增加，电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正向导电状态---通态，此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，见图2中的BC段2、触发导通图5 阳极和控制极均加正向电压图1、可控硅结构示意图和符号图3、可控硅在电路中的主要用途是什么?普通可控硅最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成可控硅，就可以构成可控整流电路。
现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。
在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，可控硅被触发导通。
现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。
Ug到来得早，可控硅导通的时间就早；Ug到来得晚，可控硅导通的时间就晚。
通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控硅导通的电角度叫导通角θ。
很明显，α和θ都是用来表示可控硅在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。
通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
4、在桥式整流电路中，把二极管都换成可控硅是不是就成了可控整流电路了呢?在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成可控硅就能构成全波可控整流电路了。
现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了5、可控硅控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?可控硅触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小可控硅触发大可控硅的触发电路，等等。
6、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。
我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。
在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。
为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。
值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。
如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD导通，发射极电流IE 注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE反而降低的现象，称为负阻效应。
发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
7、怎样利用单结晶体管组成可控硅触发电路呢?我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。
合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC 按指数规律上升。
当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。
随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。
这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。
此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。
这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。
调节RP可以改变振荡周期8、在可控整流电路的波形图中，发现可控硅承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使可控硅承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。
怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。
请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。
在可控硅没有导通时，张弛振荡器的电容器C被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。
当交流电压过零瞬间，可控硅VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。
这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。
调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了可控硅的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
双向可控硅的T1和T2不能互换。
否则会损坏管子和相关的控制电路。
可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路从可控硅的内部分析工作过程：可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。
图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。
因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,可控硅的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若门极电流为Ig,则可控硅阴极电流为Ik=Ia+Ig从而可以得出可控硅阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。