山东专升本电气自动化复习资料-模电(半导体器件)
山东电气自动化专升本电子技术复习-电子技术8套模拟题及答案
《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。
（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。
（）3、PN结具有单向导电特性。
（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。
（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。
（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。
（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。
（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。
（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。
（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。
（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。
A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。
5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（ ）反馈，为减小输出电阻，应引入（ ）反馈。
A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（ ）。
A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。
（每题10分，共20分）R(a )(b )t图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。
专升本《模拟电子技术》-试卷复习资料
专升本《模拟电子技术》一、（共61题,共150分）1. 当PN给外加正向电压时，扩散电流漂移电流。
此时耗尽层 ( )。
（2分）A.大于变宽。
B.小于变窄。
C.等于不变。
D.大于变窄。
.标准答案：D2. 场效应管电流完全由组成，而晶体管的电流由组成。
因此，场效应管电流受温度的影响比晶体管（）。
（2分）A.多子少子大。
B.多子两种载流子小。
C.少子多子小。
D.多子多子差不多。
.标准答案：B3. 图示的共射极放大电路不能对交流信号放大的根本原因是:（）。
（2分）A.交流信号不能输入。
B.没有交流信号输出。
C.没有合适的静态工作点。
D.发射结和集电结的偏置不正确。
.标准答案：B4. 当某电路要求输出信号的频率不高于420Hz，可采用（）的方式实现。
（2分）A.高通滤波器B.带阻滤波器C.带通滤波器D.低通滤波器.标准答案：D5. NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。
（2分）A.由两种不同材料的硅和锗制成。
B.掺入的杂质元素不同。
C.P区和N区的位置不同。
D.载流子的浓度不同。
.标准答案：C6. 某NPN 型硅管，当其工作在放大状态时，电路中的三个电极电位应为下列哪组数据？（）（2分）A.U1=3.5V，U2=2.8V， U3=12V。
B.U1=3V，U2=2.8V， U3=12V。
C.U1=6V，U2=11.3V，U3=12V。
D.U1=6V，U2=11.8V，U3=12V。
.标准答案：A7. 图示的电路中，稳压管的反向击穿电压分别为6V和7V，正向导通电压均为0.6V，则输出电压为：（）。
（2分）A.6VB.7VC.6.6VD.5.4V.标准答案：D8. 如图所示的静态工作点及其放大电路，当输入的正弦信号逐渐增加时，放大电路的工作情况是：（）。
（2分）A.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。
B.先出现截止失真，为避免上述现象的发生，应增大偏置电阻Rb。
C.先出现饱和失真，为避免上述现象的发生，应减小偏置电阻Rb。
山东电气自动化专升本电子技术复习模拟电路专升本辅导材料
模拟电子技术辅导材料《模拟电子技术》课程教学的主要内容和基本要求 课程结构●主要内容和基本要求一、总体要求掌握以下方面的内容1.简单直流电路的基本分析方法。
2.用图解法和微变等效电路法分析非线性电路。
3.基本放大器、多级放大器及负反馈放大器的分析。
4.集成运放和集成功放电路的分析。
5。
正弦波振荡电路的分析与应用.6。
直流稳压电源的分析与应用。
二、各部分内容要求：（一）半导体管1.掌握二极管的结构、符号、伏安特性及其单向导电性，注意其开关特性的分析。
2.掌握三极管的电流分配关系、特性曲线和等效电路.熟悉三极管放大的外部条件,了解三极管的主要参数。
3、熟练掌握二、三极管电路的分析方法（二）基本（单级)放大器1。
熟悉基本放大电路的组成和性能指标。
2。
熟练掌握三种基本组态(共发、共射、共集）放大电路的结构特点、分析方法和性能指标特点。
静态工作点是直流量，必须由直流通道求取；输入电阻、输出电阻、电压放大倍是交流量，必须由交流通道求取。
3。
熟练掌握用等效电路分析法分析计算基本放大电路和分压式放大电路的静态工作点、输入电阻、输出电阻、电压放大倍数等参数.（三）多级放大器1。
熟悉多级放大电路的组成和性能指标。
2。
掌握多级放大器的耦合方式及优缺点。
2。
掌握直流放大器及差动放大器的特点。
3.熟悉多级放大器的增益的计算.(四）反馈放大器1。
熟悉四种反馈组态的判断。
2。
掌握四种反馈组态对放大电路工作性能的影响。
3。
熟悉深度负反馈放大电路的分析方法并能近似估算电压放大倍数.4.能根据输入及输出要求引相应的负反馈.（五)集成运算放大电路及其运用1。
熟悉差动放大电路、恒流源式差动放大器的电路结构.2.掌握差动放大电路、恒流源式差动放大器的静态工作点、输入、输出电阻、电压放大倍数的计算。
3.掌握线性集成运放的特点.4。
熟悉集成运放的线性应用（1）掌握以下放大器的构成同相比例运放、反相比例运放、加法器、减法器、跟随器。
（2)熟练计算上述放大器的输入电压与输出电压的关系或电压放大倍数。
专升本模电试题及答案
专升本模电试题及答案一、选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，通常用来放大信号的元件是：A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 下列哪个不是运算放大器的基本应用？A. 放大器B. 滤波器C. 振荡器D. 整流器答案：D3. 理想运算放大器的输入电阻是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 非线性答案：B4. 在模拟电路中，信号的频率响应通常用以下哪种曲线表示？A. 波特图B. 奈奎斯特图C. 相位图D. 频率响应图答案：A5. 模拟信号的调制过程不包括以下哪一步？A. 载波生成B. 信号放大C. 信号与载波的乘法D. 信号解调答案：D6. 以下哪个元件不适用于模拟信号的整流？A. 二极管B. 晶体管C. 运算放大器D. 电容答案：C7. 在模拟电路设计中，通常用来隔离不同电路部分的元件是：A. 电阻B. 电容C. 电感D. 运算放大器答案：B8. 模拟电路中的反馈通常分为：A. 正反馈和负反馈B. 直流反馈和交流反馈C. 电压反馈和电流反馈D. 以上都是答案：D9. 模拟电路中的噪声通常来源于：A. 电源B. 环境C. 元件D. 以上都是答案：D10. 模拟电路中，信号的放大倍数通常由以下哪个参数决定？A. 电阻值B. 电容值C. 电感值D. 以上都不是答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 运算放大器的输出电压与输入电压之间的关系可以用公式________表示。
答案：Vout = A * (V+ - V-)2. 在模拟电路中，为了减少噪声，通常采用________技术。
答案：屏蔽3. 模拟信号的调制过程包括载波生成、信号放大和________。
答案：信号与载波的乘法4. 理想运算放大器的带宽是________。
答案：无穷大5. 在模拟电路中，信号的衰减可以通过________来实现。
答案：电阻6. 模拟电路中的正反馈通常用于实现________。
答案：振荡器7. 模拟信号的整流通常使用________。
模拟电子技术基础-总复习最终版
R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压 为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生 了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章 基本放大电路
知识点： 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计
山东专升本电气专业模电(电子电路中的反馈)
3) 判断交流负反馈类型 ——串联电流负反馈 +UCC 净输入信号： ube = ui - uf RB1 RC C2 反馈电压Uf 削弱 + C1 + 了净输入电压 + + + ube RS ——负反馈 R u – + L o ui RB2 RE u + ui 与 uf 串联, f – eS ie – – – 以电压形式比较 ——串联反馈
+
－
+ +
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电子技术
4. 利用瞬时极性法判断负反馈
－
+
+
－
(4)若反馈信号与输入信 (3)若反馈信号与输入信 号加在两个电极上， 号加在同一电极上， 两者极性相反为负反馈； 两者极性相同为负反馈； 极性相反为正反馈。 极性相同为正反馈。
总目录 章目录 返回 上一页 下一页
+ ui –
R1 R2 + uf –
– + ud – +
+
-
设输入电压 ui 为正，
+ uo – 各电压的实际方向如图 差值电压 ud =ui + uf uf 加强了净输入电压 ——正反馈
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RF
电子技术
+UCC
RB1 C1 + + ui RB2
RC
C2 + + RL uo ui RB + – – +
X o
输出信号
反馈信号
反馈 电路F
反馈系数
《电子类综合》专升本考试大纲(模拟电子技术部分)
《电子类综合》专升本考试大纲（模拟电子技术局部）一、半导体二极管(8分)掌握：半导体二极管根本应用电路。
二、放大电路根底(15分)掌握：1.共射、共集放大电路静态工作点的近似估算;2.共射、共集放大电路电压放大倍数、输入输出电阻的分析及计算。
三、负反应放大电路(12分)掌握：1.正反应、负反应的判断;2.反应组态(类型)的判断;四、比例运算电路(15分)掌握：比例运算电路、加减运算电路的工作原理及输入、输出的运算关系。
五、参考教材《模拟电子技术根底》杨明欣高等教育出版社脉冲与数字电路局部(共50分)一、数字电路根底知识(10分)二、八、十、十六进制数的相互转换(掌握)二、逻辑代数根底(10分)1.逻辑函数及其表示方法(了解)2.公式法化简逻辑函数(掌握)3.卡洛图法化简逻辑函数(掌握)三、组合逻辑电路(10分)1.常用集成组合逻辑器件的原理、结构及应用(加法器、编码器、译码器、数据选择器);(掌握)2.组合逻辑电路分析(中规模集成器件构成的组合逻辑电路)。
(掌握)3.组合逻辑电路设计(中规模集成器件实现组合逻辑函数，采用代数法或降维图法)。
(掌握)四、集成触发器(10分)1.钟控触发器(R-S、D、J-K、T、T’) (了解)2.边沿触发器(D、 J-K) (掌握)4.不同类型触发器的相互转换。
(掌握)五、时序逻辑电路(10分)1.同步时序逻辑电路分析(小规模同步时序逻辑电路，中规模集成器件实现的时序逻辑电路)。
(掌握)2.同步时序逻辑电路设计(中规模集成器件实现的时序逻辑电路)。
(掌握)3.集成移位存放器74LS194、集成计数器(74LS161、74LS160、74LS191)原理及应用。
(掌握)六、参考教材1.《数字逻辑设计根底》何建新，高胜东高等教育出版社七、主要题型1.单项选择题、填空题;2.逻辑函数化简题(公式法、卡诺图法);3.触发器电路分析及画时序波形题;4.组合逻辑电路和时序逻辑电路设计题;5.组合逻辑电路和时序逻辑电路分析题。
模电知识点总结专升本
模电知识点总结专升本一、基本概念与原理模拟电子技术定义：模拟电子技术是指用电子器件制作的用来处理、传输、采集模拟信号的技术。
模拟信号与数字信号：模拟信号是连续变化的信号，可以用连续的函数来表示；数字信号是非连续的信号，只能取有限个值，用数值来表示。
信号的幅频特性：信号的幅频特性是指信号在传输过程中的幅度与频率的关系。
二、基本器件与电路二极管：具有非线性特性的电子器件，主要用于整流、放大、开关等电路中。
晶体管：可以放大电信号的器件，种类有NPN型和PNP 型两种，广泛应用于放大、开关、振荡电路中。
电容器：储存电荷的器件，主要用于滤波、耦合、定时等电路中。
变压器：变换交流电压的器件，主要用于功率增益、隔离等电路中。
三、半导体基础知识本征半导体：完全纯净的，没有杂质的半导体，具有较弱的导电能力且易受温度影响。
n型半导体与p型半导体：在本征半导体中插入不同元素形成的半导体类型，具有不同的载流子特性。
PN结：将p型半导体与n型半导体制作在同一片硅片上形成的结构，是半导体二极管的基础。
四、放大电路与反馈放大器基本原理：放大器用于放大信号的幅度，是模拟电子技术中的重要器件。
反馈电路概念及应用：反馈是将放大电路中的输出量（电流或电压）的一部分或全部通过一定方式作用到输入回路以影响放大电路输入量的过程。
反馈的类型包括电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈，用于减小非线性失真和噪声。
五、滤波器有源滤波器与无源滤波器的区别：有源滤波器由集成运放和R、C 组成，具有不用电感、体积小、重量轻等优点；而无源滤波器则主要由无源元件R、L和C组成。
六、其他重要概念与定理戴维南定理：一个含独立源、线性电阻和受控源的二端电路，对其两个端子来说都可等效为一个理想电压源串联内阻的模型。
这些知识点是模电专升本考试中的重要内容，理解和掌握这些知识点对于成功应对考试和深入学习模拟电子技术都至关重要。
同时，也要注意结合实际应用和实践经验，加深对知识点的理解和应用能力。
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导通 截止
分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 >V阴或 UD为正，二极管导通
若 V阳 <V阴或 UD为负，二极管截止
若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，
反向截止时二极管相当于断开。
否则，正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
19
二极管：死区电压=0 .5V，正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
第一章
半导体器件
1
半导体的基本知识
导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。
2
在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完 全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电 粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。
P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。
5
多余 电子
磷原子
+4 +4 +5 +4
N 型半导体中 的载流子是什 么？
1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。
空穴
+4
+4
自由电子
+4
+4
束缚电子
在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 3
本征半导体的导电机理
本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
向电流。 R
外电场
E
温度越高少子的
数目越多，反向
电流将随温度增
加。
15
半导体二极管
一、基本结构
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线 外壳线
基片
二极管的电路符号： P
面接触型
N
16
伏安特性
特点：非线性
I
正向特性
P+ – N
反向电流在一定电压
范围内保持常数。
导通压降 硅0.6~0.8V 锗0.2~0.3V
受主原子。
硼原子
P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 7
三、杂质半导体的示意表示法
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
P 型半导体
N 型半导体
杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。
但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。 近似认为多子与杂质浓度相等。
I
zm in
U ZW RL
10mA
0.8ui iR U zW 10R 10
——方程2
联立方程1、2，可解得：
ui 18.75V, R 0.5k
26
光电二极管
反向电流随光照强度的增加而上升。
I U
照度增加
27
发光二极管
有正向电流流过 时，发出一定波长 范围的光，目前的 发光管可以发出从 红外到可见波段的 光，它的电特性与 一般二极管类似。
成发射极电流IE。
33
测量晶体管特性的实验线路 IB
IC
mA
+
RB
A
+
V UBE + 输–入回–路
+
V UCE
EC
输出回路 –
–
EB 共发射极电路
发射极是输入回路、输出回路的公共端
34
1. 输入特性 IB
特点:非线性
f (U ) BE UCE常数
画器出件u保o 波护形、。温度补偿
参考点
等。
t
ui > 8V 二极管导通，可看作短路 uo = 8V
ui < 8V 二极管截止，可看作开路 uo = ui
23
稳压二极管
1. 符号
2. 伏安特性
I
_+
稳压管正常工作
时加反向电压
UZ
O
U
稳压管反向击穿后，
电流变化很大，但其
两端电压变化很小， 利用此特性，稳压管
温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。
4
杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。
N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体）。
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通， 钳位，使D1截止。
若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V
流过
D2
的电流为
ID2
12 3
4mA
D2 ：钳位作用， D1：隔离作用。
22
例3
+
ui
–
R D
8V
u2
18V 8V
+
uo
–
已二知极：整管u的流i 用、18途检si：波n、tV限
二幅极、管箝是位理、想开的关，、试元
UZ
IZ
IZ IZM
在电路中可起稳压作 用。
使用时要加限流电阻
24
稳压二极管的应用举例
i
iL
稳压管的技术参数:
UzW 10V, Izmax 20mA, ui
R
DZ
iZRL uo
Izmin 5mA
负载电阻 RL 2k 。要求当输入电压由正常值发
生20%波动时，负载电压基本不变。
N P N
E
发射极
基区：较薄， 掺杂浓度低
保证从发射区到基区 的载流子，只有极少 数参与复合运动而形 成较小的基极电流。
发射区：掺 杂浓度较高
工作条件： 发射结加正向电压 集电结加反向电压
保证有足够多的 载流子发射并形 成发射极电流
30
电流分配和放大原理
1. 三极管放大的外部条件 发射结正偏、集电结反偏
求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。
解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电
流为Izmax 。
i
I zmax
U ZW RL
25mA
1.2ui iR U zW 25R 10
——方程1
25
令输入电压降到下限 时，流过稳压管的电 流为Izmin 。
i
iL
R
ui
DZ
iZRL uo
i
9
PN 结的形成
P型半导体
内电场越强，就使漂移
漂移运动
运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。
内电场E N型半导体
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区， 也称耗尽层。
扩散运动
扩散的结果是使空间电
荷区逐渐加宽，空间电
8
PN 结的形成
在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半 导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。
1、漂移电流 载流子在电场作用下有规则的运动-------漂移运动 形成的电流-------漂移电流 2、 扩散电流 载流子由于浓度的不均匀而从浓度大的地方向浓度小的地方 扩散所形成的电流。
28
晶体管
晶体管基本结构
NPN型
PNP型
集电极
发射极 集电极
发射极
C NP N E
PN P
C
E
基极
基极
B
B
符号：
NPN型三极管
PNP型三极管
C IC B
C IC B
IB E
IE
IB E
IE
29
集电结
B
基极 发射结
1.4.1 基本结构
集电区：
C 集电极 面积较大
保证有足够的收集能力， 收集从发射区发射到基区 并越过基区到达集电区的 载流子，形成集电极电流。
从电位的角度看：
C
发射结正偏 集电结反偏
发射结正偏 集电结反偏
NPN VB>VE VC>VB
PNP VB<VE VC<VB
N
B
P
RC
N RB
E EB
EC
31
2. 各电极电流关系及电流放大作用
IB(mA) 0 0.02 IC(mA) <0.001 0.70 IE(mA) <0.001 0.72
0.04 0.06 0.08 0.10 1.50 2.30 3.10 3.95 1.54 2.36 3.18 4.05