复旦大学微电子882半导体器件原理完整版
复旦大学(微电子)半导体器件第八章MOSFET-37页PPT精品文档
体电荷效
• 前面给出MOSFET特性公式：
ID S C ox n W L V G S V T V D S 1 2 V D 2 S
在该公式中认为沟道中耗尽层宽度是不变的，实际上由于漏端和 源端存在电势差，沟道的宽度当然也不一样，考虑到这个因素以 后必须计入沟道体电荷变化部分对阈值电压的贡献。
3o 体电荷效应； 4o 沟道长度调制效应； 5o 源漏串联电阻寄生效应； 6o 亚阈值效应； 7o 衬偏效应； 8o 短沟道效应。 9o CMOS闭锁效应；
亚阈值效应
• 回忆我们前面假设表面呈现强反型时MOSFET沟道开 始形成，源、漏之间开始导通。
• 实际上MOSFET源、漏之间加上电压以后，源端PN结 处于正向，就会有非平衡载流子注入，漏端PN结就会 收集到注入的非平衡载流子，同时还有反向的产生电 流（包括表面态的产生电流），所以在强反型之前源、 漏之间就会有电流，这就称为亚阈值电流。
减小 Overlap，降低寄生电容，可采用自对准多晶硅栅工艺。
MOSFET 的开关特性
+VDD
v (t)
vGS (t)
RD
VT
+
vDS (t)
+ vGS(t)
C vDS(t)
90%
10%
t
0 ton
toff
MOS 倒相器开关特性：
IDS
Ioff 0（亚阈值电流）； Von 0（导通有电阻）；
四种 MOSFET 的输出特性
NMOS（增强型）
NMOS（耗尽型）
PMOS（增强型）
PMOS（耗尽型）
沟道长度调制效应
• 沟道长度调制效应使输出特性的饱和区发生倾 斜。
复旦大学微电子882半导体器件原理完整版
一．选择题１５＊６１。
p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：BＡ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度２。
二极管正向阈值电压Ｖf：bＡ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化３。
p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：BＡ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上４。
双极型晶体管共基极连接：Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放大５。
晶体管基区运输系数主要决定于：cＡ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度６。
npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；CＡ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度不能太高否则发射率反而下降７。
电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：BＡ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０８。
题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性）９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方向平移一段距离，与类型无关１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢Ｃ：沿沟道方向的电场很小１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt１２．nos管体电荷变化效应是指；Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响１３．mos亚阈值电流的主要特征：具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不大１４．nos管短沟道效应是指：选项没有记下１５．控制cmos倒相管latch－up最有效的方法：Ａ：提高沟道电场Ｂ：等比率缩小器件Ｃ：增大衬底电阻二．名词解析５＊６１．试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？２．试说明mos管沟道长度调变效应及其影响３．试说明mos管有放大作用的基本原理４．试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系５．试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗三．计算题１＊３０有一个n沟道mos场效应管，衬底浓度Ｎa＝１０＾１７（cm＾－３），氧化层厚度Ｔox＝５０nm，氧化层中正电荷密度Ｎss＝１０＾１０（cm＾－２），金属ＡＬ的功函数Ｗm＝４．２ev，硅的电子亲和势为４．０５ev．试求该管的阈值电压Ｖt，它是什么型？在Ｖg＝３v，Ｖds＝２v时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）器件题目：一单项选择题5'*12（部分选项可能与实题有出入）1.在P正-N结中耗尽层的宽度取决于A.NaB.NdC.Na和Nd2.在二极管中，正向阈值电压Vf和温度的关系是A.Vf随温度升高而上升B.Vf随温度升高而下降C.Vf不随温度变化3.二极管中的隧道击穿电压和齐纳击穿电压相比A.隧道击穿电压高B.齐纳击穿电压高C.两个击穿电压在一个数量级之上4.P正-N结中，势垒电容的大小取决于aA.NaB.NdC.Na和Nd5.双极型p-n-p晶体管中，发射区掺杂浓度和发射效率的关系是A.掺杂浓度越高，发射效率越高B.掺杂浓度和发射效率没有关系C.掺杂浓度并非越高越好，过高反而会降低发射效率6.在双极型晶体管中，使用Ge-Si基区的目的是（选项记不清了）A.提高发射效率并且降低基区电阻B.提高基区输运系数C.仅仅为了提高发射效率7.在双极型晶体管中，基区输运系数与什么有关A.发射区掺杂浓度B.基区宽度和少子扩散长度C.基区掺杂浓度和少子分布8.在漂移基区晶体管中，基区内建电场与什么因素关系最大A.少子浓度分布B.掺杂浓度C.基区宽度9.在N沟道耗尽型MOS管中，何时沟道会消失A.Vg<VtB.Vg>VtC.Vg>010.MOS管的沟道电流与以下那些因素有关（选项记不清了，知道公式就能选对）11.MOS管的阈值电压与以下那些因素有关（同上）12.MOS管的短沟道效应会导致以下什么的发生A.沟道电流和阈值电压都增大B.沟道电流增大C.阈值电压增大二计算题30'*31.根据以下四个MOS电容中直流电荷的分布图，判断1)衬底类型2)MOS电容工作在什么区3)画出MOS表面能带图（四个图为半物课本MOS结构中的那几张，因为我现在手里没有半物书，具体是否一一对应暂时不明）2.已知IDSS＝10^-4A,VDSAT=4V,Vt=0.8V1)求VGS2)若VGS=2V,VDS=2V,求IDS3)若VGS=3V,VDS=1V,再求IDS3.已知在CMOS集成倒相器中，tox＝50nm,p-sub衬底浓度为4.5*10^16,Nss=2*10^10(这个数量级记不清了)，Al的功函数为4.2V，p阱的注入浓度为3*10^17,Vdd＝3V求倒相管和负载管的阈值电压。
复旦大学(微电子)半导体器件第六章MOSC-V
第六章MOS电容•硅表面的悬挂键•表面束缚电子态•界面态•理想MOS电容•理想MOS电容中表面电荷和表面势的关系•表面电荷主要来源的转化•小信号理想MOS电容的C-V特性•实际MOS电容中有许多其他电荷•小信号实际MOS电容的C-V特性•从实际MOS电容的C-V特性可以得到的信息半导体器件的基本结构－金属/氧化层/半导体结构的电容～电压关系硅片表面的悬挂键•硅单晶体内部一个原子是以共价键形式和周围四个原子结合起来的。
•在表面，硅原子的排列中断，表面的原子就有一部分未成键的电子。
•这种未成键的电子的面密度约1015/cm2。
•这些未成键的电子和体内成键的电子所处的状态不同，是局域束缚电子。
氧化层和硅的界面没有界面态；=?sc1/2exp 1s s q q kT kT ψψ⎫⎤⎪⎛⎞−−⎬⎜⎟⎥⎝⎠⎦⎪⎭小信号理想MOS的C-V特性取决于：测试信号和偏置电压的选择：•低频、稳态；•高频、稳态；•高频、瞬态。
实际MOS电容中有许多其他电荷畸变平移AC B从MOS电容测试可以获得的信息一般可以测试：•可动离子浓度(加偏压、温度测试C-V曲线漂移）；•界面态密度（低频稳态和高频稳态C-V曲线）；•产生寿命（高频深耗尽到高频稳态的过渡过程）；•氧化层厚度（氧化层电容）；•衬底的导电类型和掺杂浓度（耗尽区稳态高频C-V）；其他影响因素；•二氧化硅中的陷阱、外表面吸附离子、含磷二氧化硅极化、界面杂质、辐射效应…重点内容•表面电荷和表面势的关系。
•小信号MOS电容的三种特性曲线是在什么情况下得到的。
•从MOS电容测试可以得到哪些信息。
•电荷在二氧化硅和金属的界面附近对测试结果没有影响而在半导体表面一侧则影响最大(为什么？）。
复旦大学2005年入学研究生《半导体器件原理》专业课程考试大纲
复旦大学2005年入学研究生《半导体器件原理》专业课程考试大纲《半导体器件原理》包括半导体器件的物理基础，双极型和MOS场效应晶体管的工作原理、特性和模型，以及影响器件特性的主要因素和一些常见非理想效应。
参考书：黄均鼐等，双极型与MOS半导体器件原理，复旦大学出版社曾树荣，半导体器件物理基础（第1、2、3、5章），北京大学出版社考试题型：名词解释、推导题、计算题总分：150分一．半导体的电子状态1.半导体的晶体结构、晶列晶面指数、结合性质2.半导体中的电子状态和能带3.载流子在外场下的运动规律4.杂质和缺陷能级二．半导体的载流子统计1.状态密度和统计分布函数2.本征半导体、杂质半导体、简并半导体的统计三．半导体的载流子输运1.载流子的散射2.迁移率、电阻率与杂质浓度和温度的关系3.强电场下的输运4.霍耳效应四．非平衡载流子1.非平衡载流子的直接复合与间接复合2.陷阱效应3.载流子的扩散运动、双极扩散4.连续性方程五．pn结、金半接触以及异质结1.平衡pn结的特性2.pn结的电流-电压特性3.pn结的势垒电容与扩散电容4.pn结的开关特性5.pn结的击穿6.金半接触能带图以及电流-电压特性7.欧姆接触8.异质结能带图以及二维电子气六．双极型晶体管的直流特性1.双极型晶体管的基本原理2.双极型晶体管的直流特性及其非理想现象3漂移晶体管的直流特性4.双极型晶体管的反向特性5.Ebers-Moll方程七．双极型晶体管的频率特性与开关特性1.低频小信号等效电路2.放大系数的频率特性以及相关的几个时间常数3.高频等效电路4漂移晶体管、异质结双极型晶体管的基本原理5.电荷控制理论与双极型晶体管开关时间八．半导体表面与MOS结构1.半导体表面空间电荷层的性质2.实际Si-SiO2界面3.理想与实际MOS结构的C-V特性九．MOS场效应晶体管的直流特性1.MOSFET的结构和工作原理2.MOSFET的阈值电压以及影响因素3.MOSFET的输出特性和转移特性（包括亚阈值特性和其它二级效应）4.MOSFET的直流参数5.MOSFET的击穿特性6.MOSFET的小尺寸效应原理7.载流子速度饱和以及短沟道MOSFET的直流特性8.MOSFET的按比例缩小规律十．MOSFET的频率特性与开关特性1.MOSFET的交流小信号等效电路2.MOSFET的高频特性3.常见MOS倒相器及其开关特性。
882半导体器件原理
882半导体器件原理882半导体器件是一种电子器件，它是由半导体材料制成的。
半导体材料是介于导体和绝缘体之间的一种材料，它具有导电性能，但不如金属导体那么好，同时又具有一定的绝缘性能。
半导体材料有很多种，如硅、锗、砷化镓等。
其中硅是最常用的一种半导体材料，因为它的晶体结构稳定，制备工艺成熟，性能可靠。
半导体材料制成的器件就是半导体器件。
半导体器件有很多种，如二极管、晶体管、场效应管等。
其中882半导体器件是一种常见的二极管，它由P型半导体和N型半导体组成。
P型半导体中的杂原子掺入了三价原子，如铝、硼等，这些杂原子缺少一个电子，因此形成了空穴，使得P型半导体中的电子数比空穴数少。
N型半导体中的杂原子掺入了五价原子，如磷、锑等，这些杂原子多了一个电子，因此形成了自由电子，使得N型半导体中的电子数比空穴数多。
当P型半导体和N型半导体接触时，由于电子的扩散和空穴的扩散，形成了一个PN结。
PN结具有单向导电性，即电流只能从P型半导体流向N型半导体，而不能反过来。
882半导体器件就是利用PN结的单向导电性制成的二极管。
它具有良好的整流特性，即只能让电流从正向流过，而不能让电流从反向流过。
882半导体器件的原理可以用饱和电流和截止电流来描述。
当882半导体器件正向偏置时，电流可以通过PN结，此时电流达到饱和电流。
而当882半导体器件反向偏置时，电流不能通过PN结，此时电流为零，达到截止电流。
在实际应用中，882半导体器件常用于电源电路、检波电路、调制解调电路等。
由于其良好的整流特性和快速开关速度，使得882半导体器件在电子设备中得到了广泛的应用。
882半导体器件是一种常见的半导体器件，它具有良好的单向导电性和整流特性。
了解882半导体器件的原理和应用，有助于我们更好地理解电子器件的工作原理和电路的设计。
复旦大学2019年全国硕士研究生招生考试882半导体器件原理考试大纲
3.3MOSFET 的直流特性 3.3.1MOSFET 非平衡时的能带图 3.3.2IDS~VDS 的关系 3.3.2.1 缓变沟道近似(GCA) 3.3.2.2 可调电阻区(线性区) 3.3.2.3 饱和区 3.3.3MOSFET 的亚阈值特性 3.3.3.1 亚阈值现象 3.3.3.2 亚阈值区的扩散电流 3.3.3.3 亚阈摆幅 3.3.4 MOSFET 直流参数 3.3.4.1 输出特性和转移特性 3.3.4.2 直流参数 3.3.4.3 低频小信号参数 3.3.5 MOSFET 的二级效应 3.3.5.1 非常数表面迁移率效应 3.3.5.1.1 栅电场影响(Ex) 3.3.5.1.2 漏电场 Ey 影响（载流子速度饱和效应） 3.3.5.1.3 对 gm 的影响 3.3.5.2 体电荷变化效应 3.3.5.3 非零漏电导 3.3.5.3.1 沟道长度调制效应 3.3.5.3.2 漏电场静电反馈效应 3.3.5.4 源漏串联电阻对 gD 和 gm 的影响 3.3.5.5GIDL 3.3.6 击穿特性 3.3.6.1 源漏击穿 3.3.6.1.1 漏-衬底 pn 结雪崩击穿(BVDS) 3.3.6.1.2 沟道雪崩击穿 3.3.6.1.3 漏源势垒穿通 3.3.6.2 栅击穿 3.4MOSFET 的频率特性 3.4.1 交流小信号等效电路 3.4.1.1MOSFET 的电容 3.4.1.2 计算分布电容 CGS 和 CGD 3.4.1.3 等效电路 3.4.2 高频特性 3.4.2.1 跨导截止频率 3.4.2.2 截止频率(最高振荡频率)fT 3.4.2.3 沟道渡越时间 3.4.2.4 提高 fT 的途径 3.5MOSFET 的开关特性 3.5.1 电阻型负载 MOS 倒相器 3.5.1.1MOS 倒相器的开关作用
复旦大学(微电子)半导体器件第二章平衡载流子-PPT课件
载流子按能量分布
• 载流子按能量分布 =分布几率和状态密度的乘 积 • 右图中体积为V的半导体 能量为E的电子的状态密度 是 g( E ) V N E
c c
4 2 m c e NE c 3 h
3 / 2
E E c
1 / 2
注意：能带图向上电子的能量高，向下空穴的能量高。
* e
3 /2
3 h
2 mk T N 2
* e B c
C
kT B
F
3/2
3 h E c E F n x p 0 N ce k T B
电子－空穴浓度积
• 按相同的方法可以得到空穴浓度：
E F E V p x p 0 N Ve k T B
• 导带的电子浓度=导带中某能量状态密度(单位体积的状态数）和 该状态电子的分布几率的乘积在整个导带的总和。 3 / 2 4 2 m 1 / 2 c e • 导带中某能量E的电子的状态密度为 NE E E c c 3 h • 费米分布函数：在热平衡情况下，考虑到一个量子态最多只能被 一个电子占有，能量为E的单量子态被电子占有的几率为： 1 fe E E EF k 是 玻 尔 兹 曼 常 数 B exp 1
E g ( e VG ) ： e ( 0 . 6 6 ) 、 S i ( 1 . 1 2 ) 、 G a A s ( 1 . 4 2 )
3 1 3 1 0 6 n c m ： G e ( 2 1 0 ) 、 S i ( 1 . 5 1 0 ) 、 G a A s ( 2 1 0 ) i
虽然计算时是导带 所有能量电子的总和，但是结果在形式上可以看作所有 电子集中在导带底部，前面一项是有效状态密度，后 面一项是玻尔兹曼分布函数。 • 空穴也是如此 E F E V p x p 0 N Ve k T B
复旦大学(微电子)半导体器件第二章平衡载流子
集半导体物理、器件和工艺导论（第一部分）半导体物理和半导体器件物理•复旦大学微电子研究院•包宗明•Baozm@第二章平衡载流子的统计分布•载流子的分布函数•电子浓度和空穴浓度•本征半导体的载流子浓度•单一浅施主和浅受主低掺杂半导体的载流子浓度•载流子浓度和温度的关系•杂质补偿•高载流子浓度效应•哪些因素决定半导体的导电类型？•哪些因素会影响半导体中的电子浓度和空穴浓度？费米分布函数和玻尔兹曼分布函数•处于费米能级相同位置的能量状态上，电子占有的几率是1/2,费米能级表示电子的平均填充水平。
•玻尔兹曼分布函数（一个量子态可以同时被多个电子占有）12F e h E E f f ===：()exp e f A E kT =−1()exp exp 1exp F F e FE E kT E E f E E E kT kT kT−⎛⎞⎛⎞=≈−⎜⎟⎜⎟−⎛⎞⎝⎠⎝⎠+⎜⎟⎝⎠时费米分布近似于玻尔兹曼分布以上结果成立的条件•我们用的是热平衡态统计理论，所以只在热平衡时成立。
•考虑到一个量子态只能被一个电子占有时要用费米分布函数，如果不限定一个量子态上占有的电子数就可以用波兹曼分布函数。
显然当电子数远远少于状态数时该限制没有实际意义，这时两者可以通用。
•在计算导带电子和价带空穴时用玻尔兹曼分布近似，所得结果只在载流子浓度很低（状态填充率低）时成立。
N型半导体中热平衡电子浓度随温度变化•右边是单一浅施主低掺杂半导体中热平衡电子浓度随温度变化的示意图。
弱电离区、饱和电离区和本征激发区的导带电子主要来源分别是施主逐步电离、施主接近全电离和本征激发。
•虚线是本征载流子浓度，只在本征激发区才显示出和电子浓度可比拟的量。
•饱和电离区是晶体管和集成电路正常工作的温度范围。
杂质补偿•电中性条件：•饱和电离区：•在施主浓度大于受主的情况下，施主能级上的电子首先要填充受主能级。
AADDpNnnNp−+=−+00D An p N N=+−重掺杂效应•杂质浓度和有效状态密度接近就必须考虑一个量子态只允许被一个电子占有，这时杂质能级和导带中的电子不能用玻尔兹曼分布函数作近似，必须用费米分布函数。
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一．选择题１５＊６
１。
p＋－n结耗尽层宽度主要取决于：B
Ａ：p＋区浓度Ｂ：n区的浓度Ｃ：p＋区和n区的浓度
２。
二极管正向阈值电压Ｖf：b
Ａ：随温度升高而升高Ｂ：随温度升高而下降Ｃ：不随温度变化
３。
p－n结隧穿电压比雪崩击穿电压：B
Ａ：来得大Ｂ：来得小Ｃ：在同一数量级上
４。
双极型晶体管共基极连接：
Ａ：只有电流放大作用Ｂ：既有电流放大作用又有电压放大作用Ｃ：无电流放大有电压放
大
５。
晶体管基区运输系数主要决定于：c
Ａ：基区浓度Ｂ：基区电阻率和基区少子寿命Ｃ：基区宽度和基区少子扩散长度
６。
npn平面晶体管发射效率与发射区浓度关系；C
Ａ：发射区浓度越高发射效率越高Ｂ：发射区电阻率越高发射率越高Ｃ：发射区浓度
不能太高否则发射率反而下降
７。
电子迁移率等于１５００，４００Ｋ温度下其扩散系数为：B
Ａ：３９Ｂ：５２Ｃ：７０
８。
题目给出mos结构的Ｑsc～ψs关系图，要求判断其衬底是什么型（n型，p 型，中性）
９．理想的mos结构Ｃ～Ｖ关系图与实际的Ｃ～Ｖ关系图的差别是：
Ａ：只有p型时，向负方向平移一段距离Ｂ：n型时向正方向平移一段距离Ｃ：向负方
向平移一段距离，与类型无关
１０．mos管＂缓变沟道近似＂是指：
Ａ：垂直与沟道方向电场和沿沟道方向电场变化很慢Ｂ：沿沟道方向的电场变化很慢
Ｃ：沿沟道方向的电场很小
１１．mos工作时的沟道夹断点电压Ｖdsat：
Ａ：与栅电压Ｖgs无关Ｂ：在长沟道与短沟道是不同Ｃ：始终等于Ｖgs－Ｖt
１２．nos管体电荷变化效应是指；
Ａ：衬源偏压Ｖbs对阈值电压Ｖt的影响Ｂ：沟道耗尽层受栅压Ｖgs影响而对电流Ｉds影
响Ｃ：沟道耗尽层受栅压漏源电压Ｖds影响而对电流Ｉds影响
１３．mos亚阈值电流的主要特征：
具体选项没记下，主要是电流随Ｖgs指数变化，当Ｖds大于３ＫＴ／q时电流与Ｖds关系不
大
１４．nos管短沟道效应是指：
选项没有记下
１５．控制cmos倒相管latch－up最有效的方法：
Ａ：提高沟道电场Ｂ：等比率缩小器件Ｃ：增大衬底电阻
二．名词解析５＊６
１．试说明迁移率的定义是什么？其量纲是什么？
２．试说明mos管沟道长度调变效应及其影响
３．试说明mos管有放大作用的基本原理
４．试说明mos管的频率特性和其基本参数的关系
５．试说明如何降低n沟道mos集成倒相器静态工作时的功耗
三．计算题１＊３０
有一个n沟道mos场效应管，衬底浓度Ｎa＝１０＾１７（cm＾－３），氧化层厚度Ｔox＝５
０nm，氧化层中正电荷密度Ｎss＝１０＾１０（cm＾－２），金属ＡＬ的功函数Ｗm＝４．
２ev，硅的电子亲和势为４．０５ev．试求该管的阈值电压Ｖt，它是什么型？在Ｖg＝３
v，Ｖds＝２v时，它工作在什么区？（注：其他的所有常数都没有给出）
器件题目：
一单项选择题5'*12
（部分选项可能与实题有出入）
1.在P正-N结中耗尽层的宽度取决于
A.Na
B.Nd
C.Na和Nd
2.在二极管中，正向阈值电压Vf和温度的关系是
A.Vf随温度升高而上升
B.Vf随温度升高而下降
C.Vf不随温度变化
3.二极管中的隧道击穿电压和齐纳击穿电压相比
A.隧道击穿电压高
B.齐纳击穿电压高
C.两个击穿电压在一个数量级之上
4.P正-N结中，势垒电容的大小取决于a
A.Na
B.Nd
C.Na和Nd
5.双极型p-n-p晶体管中，发射区掺杂浓度和发射效率的关系是
A.掺杂浓度越高，发射效率越高
B.掺杂浓度和发射效率没有关系
C.掺杂浓度并非越高越好，过高反而会降低发射效率
6.在双极型晶体管中，使用Ge-Si基区的目的是（选项记不清了）
A.提高发射效率并且降低基区电阻
B.提高基区输运系数
C.仅仅为了提高发射效率
7.在双极型晶体管中，基区输运系数与什么有关
A.发射区掺杂浓度
B.基区宽度和少子扩散长度
C.基区掺杂浓度和少子分布
8.在漂移基区晶体管中，基区内建电场与什么因素关系最大
A.少子浓度分布
B.掺杂浓度
C.基区宽度
9.在N沟道耗尽型MOS管中，何时沟道会消失
A.Vg<Vt
B.Vg>Vt
C.Vg>0
10.MOS管的沟道电流与以下那些因素有关
（选项记不清了，知道公式就能选对）
11.MOS管的阈值电压与以下那些因素有关
（同上）
12.MOS管的短沟道效应会导致以下什么的发生
A.沟道电流和阈值电压都增大
B.沟道电流增大
C.阈值电压增大
二计算题30'*3
1.根据以下四个MOS电容中直流电荷的分布图，判断1)衬底类型2)MOS电容工作在什么区
3)画出MOS表面能带图
（四个图为半物课本MOS结构中的那几张，因为我现在手里没有半物书，具体是否一一对
应暂时不明）
2.已知IDSS＝10^-4A,VDSAT=4V,Vt=0.8V
1)求VGS
2)若VGS=2V,VDS=2V,求IDS
3)若VGS=3V,VDS=1V,再求IDS
3.已知在CMOS集成倒相器中，tox＝50nm,p-sub衬底浓度为
4.5*10^16,
Nss=2*10^10(这个
数量级记不清了)，Al的功函数为4.2V，p阱的注入浓度为3*10^17,Vdd＝3V
求倒相管和负载管的阈值电压。