电荷耦合器件CCD
第六章电荷耦合器件CCD讲解ppt课件
Vg 1 Vg 2 Vg 3 Vg 4
2V 10V 2V 2V
2V 10V 10V 2V
2V 2V 10V 2V
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
•基于势阱的有无和深度 都取决于栅极的电位， 通过不断地改变各栅极 上的电位值，使栅极下 势阱底抬高或降低，实 现其中电荷包有规则、 可控制地传输，直到输 出端。
Vg 1 Vg 2 Vg 3 Vg 4
2V 10V 2V 2V
2V 10V 10V 2V
2V 2V 10V 2V
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
6.5 电荷耦合器件的特征参数
Vg
①在金属层上施加正电压， 表面势Vs为正。
②空穴耗尽层
③ Vs随耗尽区的形成而升高，耗尽区深度随着 栅极电压的升高而不断变宽。这种状态就是多 数载流子的耗尽状态。在耗尽区，空穴的浓度 几乎为零。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的，应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失，增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
➢转移效率 ➢电荷存储能力 ➢暗电流 ➢噪声
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转移效率
• η=Qn+1/Qn Qn+1转移到下一个势阱中的电荷数，Qn原 势阱中的电荷数
ccd是什么
ccd是什么CCD 是电荷耦合器件（Charge-Coupled Device）的缩写。
它是一种使用在图像传感器和高速数据转移领域的技术。
CCD 在图像传感器和摄像机中广泛应用，因为它的可靠性和高质量图像输出。
本文将介绍 CCD 的原理、应用和发展趋势。
一、CCD 的原理CCD 是一种半导体器件，其工作原理基于电荷的轨迹和传输。
CCD 由一系列的电荷传输节点和电极组成。
当光子进入 CCD 的光敏区域时，它会产生电荷。
电荷被控制电极和传输电极捕捉，然后通过电荷耦合和转移来传输到读取电极。
最后，电荷被转换成电压信号并传输到 AD 转换器进行数字化。
CCD 的核心是光敏区域，也称为像素阵列。
每个像素都是一个光敏元件，可以将入射的光子转化为电荷。
这个过程称为光电转换。
光子的能量越高，产生的电荷就越多。
因此，在 CCD 中，每个像素的电荷量可以表示光的强度。
二、CCD 的应用1. 数码相机：CCD 是数码相机中最常用的图像传感器。
它能够捕捉高质量、高分辨率的图像，并提供良好的色彩还原能力。
由于 CCD 能够对光的强度进行准确测量，因此它在摄影领域得到广泛应用。
2. 星空观测：CCD 能够捕捉微弱的星光信号，并转化为可见的图像。
这使得天文学家能够观测到远离地球的星体，研究星体的性质和演化过程。
3. 医学影像：CCD 在医学影像领域发挥着重要作用。
例如，CCD可以用于光学显微镜和内窥镜等设备，捕捉并放大被观察组织的图像。
这对于医生进行疾病诊断和治疗决策至关重要。
4. 太阳能电池板：在太阳能电池板中，CCD 被用作表面缺陷检测工具。
它可以检测表面缺陷，提高太阳能电池板的效率和耐久性。
5. 科学研究：CCD 在科学研究中发挥重要作用。
例如，在光学显微镜和电子显微镜中，CCD 能够捕捉微小的结构和颗粒，并提供高分辨率的图像。
三、CCD 的发展趋势1. 提高分辨率：随着科技的不断进步，对于图像质量的要求也越来越高。
未来的 CCD 将会追求更高的分辨率，以捕捉更多细节和精确的图像。
电荷耦合元件简介
电荷耦合元件（CCD，Charge-coupled Device）简介1、简介电荷耦合元件（CCD，Charge-coupled Device）是一种集成电路，上有许多排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数字信号。
CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。
一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。
CCD的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。
CCD上有许多排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数字信号。
经由外部电路的控制，每个小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。
2、发展史CCD是于1969年由美国贝尔实验室（Bell Labs）的威拉德·博伊尔（Willard Boyle）和乔治·史密斯（George E. Smith）所发明的。
当时贝尔实验室正在发展影像电话和半导体气泡式内存。
将这两种新技术结起来后，博伊尔和史密斯得出一种装置，他们命名为“电荷‘气泡’元件”（Charge "Bubble" Devices）。
这种装置的特性就是它能沿着一片半导体的表面传递电荷，便尝试用来做为记忆装置，当时只能从暂存器用“注入”电荷的方式输入记忆。
但随即发现光电效应能使此种元件表面产生电荷，而组成数位影像。
1971年，贝尔实验室的研究员已能用简单的线性装置捕捉影像，CCD 就此诞生。
有几家公司接续此一发明，着手进行进一步的研究，包括快捷半导体（Fairchild Semiconductor）、美国无线电公司（RCA）和德州仪器（Texas Instruments）。
其中快捷半导体的产品率先上市，于1974年发表500单元的线性装置和100x100像素的平面装置。
2006年元月，博伊尔和史密斯获颁电机电子工程师学会（IEEE）颁发的Charles Stark Draper奖章，以表彰他们对CCD发展的贡献。
2009年10月两人荣获诺贝尔物理奖。
CCD工作原理
CCD工作原理CCD（电荷耦合器件）是一种常用于图像传感器中的技术，它通过将光信号转化为电荷信号来捕捉图像。
CCD工作原理可以分为光电转换、电荷传输和读出三个主要步骤。
光电转换：CCD芯片上覆盖着一层光敏材料，当光线照射到该材料上时，会激发出光电子。
这些光电子会被吸引到CCD芯片的表面，形成一个电荷图案。
电荷传输：电荷图案被传输到CCD芯片的储存区域，通常是由一系列的电荷传输器件组成。
这些传输器件会将电荷按照特定的顺序和时间序列传输到储存区域的像素单元。
读出：一旦电荷被传输到像素单元中，它们就可以被读出并转换为数字信号。
读出过程通常通过将电荷转换为电压信号来完成。
每个像素单元都有一个对应的转换器，可以将电荷转换为电压。
这些电压信号经过放大和采样后，被转换为数字信号，最终形成一个完整的图像。
CCD工作原理的关键在于光电转换和电荷传输过程。
光电转换的效率和灵敏度决定了CCD对光信号的捕捉能力，而电荷传输的稳定性和准确性决定了CCD对图像的重建能力。
CCD工作原理的优势在于其高质量的图像捕捉能力。
由于CCD芯片的结构和工作原理，它可以提供较低的噪声水平、较高的动态范围和较高的分辨率。
因此，CCD技术广泛应用于数码相机、摄像机、显微镜、天文望远镜等领域。
然而，CCD技术也存在一些局限性。
首先，由于CCD芯片的制造工艺复杂，成本较高。
其次，CCD对光的响应速度较慢，不适合用于高速图像捕捉。
此外，CCD芯片也对环境光敏感，需要在较低的光照条件下工作以避免噪声的产生。
总结起来，CCD工作原理是一种通过光电转换、电荷传输和读出过程来捕捉图像的技术。
它的优势在于高质量的图像捕捉能力，但也存在制造成本高、响应速度慢和对光敏感等局限性。
随着技术的发展，CCD技术正在逐渐被CMOS（互补金属氧化物半导体）技术所取代，但在某些领域仍然具有重要的应用价值。
CCD
1、HAD感测器
HAD(HOLE-ACCUMULATION DIODE)传感器是在N型基板，P型，N+2极体的表面上，加上正孔蓄积层，这是 SONY独特的构造。由于设计了这层正孔蓄积层，可以使感测器表面常有的暗电流问题获得解决。另外，在N型基 板上设计电子可通过的垂直型隧道，使得开口率提高，换句话说，也提高了感度。
背景介绍
背景介绍
CCD广泛应用在数码摄影、天文学，尤其是光学遥测技术、光学与频谱望远镜和高速摄影技术，如Lucky imaging。CCD在摄像机、数码相机和扫描仪中应用广泛，只不过摄像机中使用的是点阵CCD，即包括x、y两个方 向用于摄取平面图像，而扫描仪中使用的是线性CCD，它只有x一个方向，y方向扫描由扫描仪的机械装置来完成 。
CCD在摄像机里是一个极其重要的部件，它起到将光线转换成电信号的作用，类似于人的眼睛，因此其性能 的好坏将直接影响到摄像机的性能。
衡量CCD好坏的指标很多，有像素数量，CCD尺寸，灵敏度，信噪比等，其中像素数以及CCD尺寸是重要的指 标。像素数是指CCD上感光元件的数量。摄像机拍摄的画面可以理解为由很多个小的点组成，每个点就是一个像 素。显然，像素数越多，画面就会越清晰，如果CCD没有足够的像素的话，拍摄出来的画面的清晰度就会大受影 响，因此，理论上CCD的像素数量应该越多越好。
主要指标
CCD尺寸，亦即摄像机靶面。原多为1/2英寸，日前1/3英寸的已普及化，1/4英寸和1/5英寸也已商品化。
CCD像素，是CCD的主要性能指标，它决定了显示图像的清晰程度，分辨率越高，图像细节的表现越好。CCD 是由面阵感光元素组成，每一个元素称为像素，像素越多，图像越清晰。日前市场上大多以25万和38万像素为划 界，38万像素以上者为高清晰度摄像机。
电荷耦合器件CCD
电荷耦合器件CCD什么是CCD ？CCD，是英文Charge Coupled Device即电荷耦合器件的缩写，它是一种特殊半导体器件，上面有很多一样的感光元件，每个感光元件叫一个像素。
CCD在摄像机里是一个极其重要的部件，它起到将光线转换成电信号的作用，类似于人的眼睛，因此其性能的好坏将直接影响到摄像机的性能。
衡量CCD好坏的指标很多，有像素数量，CCD尺寸，灵敏度，信噪比等，其中像素数以及CCD尺寸是重要的指标。
像素数是指CCD上感光元件的数量。
摄像机拍摄的画面可以理解为由很多个小的点组成，每个点就是一个像素。
显然，像素数越多，画面就会越清晰，如果CCD没有足够的像素的话，拍摄出来的画面的清晰度就会大受影响，因此，理论上CCD的像素数量应该越多越好。
但C CD像素数的增加会使制造成本以及成品率下降，而且在现行电视标准下，像素数增加到某一数量后，再增加对拍摄画面清晰度的提高效果变得不明显，因此，一般一百万左右的像素数对一般的使用已经足够了。
单CCD 和3CCD 有何区别？单CCD摄像机是指摄像机里只有一片CCD并用其进行亮度信号以及彩色信号的光电转换，其中色度信号是用CCD上的一些特定的彩色遮罩装置并结合后面的电路完成的。
由于一片CCD同时完成亮度信号和色度信号的转换，因此难免两全，使得拍摄出来的图像在彩色还原上达不到专业水平很的要求。
为了解决这个问题，便出现了3CCD摄像机。
3CCD，顾名思义，就是一台摄像机使用了3片CCD。
我们知道，光线如果通过一种特殊的棱镜后，会被分为红，绿，蓝三种颜色，而这三种颜色就是我们电视使用的三基色，通过这三基色，就可以产生包括亮度信号在内的所有电视信号。
如果分别用一片CC D接受每一种颜色并转换为电信号，然后经过电路处理后产生图像信号，这样，就构成了一个3CCD系统。
和单CCD相比，由于3CCD分别用3个CCD转换红，绿，蓝信号，拍摄出来的图像从彩色还原上要比单CCD来的自然，亮度以及清晰度也比单CCD好。
CCD工作原理
CCD工作原理CCD（Charge-Coupled Device，电荷耦合器件）是一种常见的图像传感器，广泛应用于数码相机、摄像机、扫描仪等设备中。
它的工作原理是通过将光信号转化为电荷信号，然后逐行读取和传输，最终形成图像。
CCD由一系列光敏元件组成，每个光敏元件被称为一个像素。
当光线照射到CCD上时，光子会激发光敏元件中的电子，使其跃迁到导体带中，形成电荷。
每个像素的电荷量与光强度成正比。
CCD的工作过程可以分为曝光、读取和传输三个阶段。
1. 曝光阶段：在曝光阶段，CCD的感光元件暴露在光线下。
光子通过透镜系统进入CCD的感光区域，激发光敏元件中的电子，并将其转化为电荷。
曝光时间的长短决定了感光元件中电荷的累积量，从而影响图像的亮度和细节。
2. 读取阶段：在读取阶段，CCD将每个像素的电荷转换为电压信号。
每个像素都有一个对应的电荷转换器，它将电荷转化为电压。
转换后的电压信号通过输出放大器放大，并传送到模数转换器（ADC）进行数字化处理。
3. 传输阶段：在传输阶段，CCD逐行读取和传输每个像素的电压信号。
CCD的输出端有一个移位寄存器，它将每一行的电压信号逐个传送到输出端，形成图像的一行数据。
然后，移位寄存器将下一行的电压信号移入输出端，重复这个过程直到读取完整个图像。
CCD的工作原理的关键在于电荷的传输。
在传输过程中，电荷通过逐行移位的方式从感光区域传输到输出端。
这种逐行移位的方式可以保持电荷的顺序和位置，从而保证图像的准确性和清晰度。
总结：CCD工作原理是将光信号转化为电荷信号，通过逐行读取和传输，最终形成图像。
它包括曝光、读取和传输三个阶段。
在曝光阶段，光子激发光敏元件中的电子，形成电荷。
在读取阶段，电荷转换为电压信号，并通过输出放大器和模数转换器进行数字化处理。
在传输阶段，电压信号逐行传输到输出端，形成图像的一行数据。
CCD的工作原理保证了图像的准确性和清晰度。
CCD
CCD传感器CCD，英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。
可以称为CCD图像传感器。
CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。
CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。
一块CCD上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。
CCD 的作用就像胶片一样，但它是把图像像素转换成数字信号。
CCD上有许多排列整齐的电容，能感应光线，并将影像转变成数字信号。
经由外部电路的控制，每个小电容能将其所带的电荷转给它相邻的电容。
原理CCD传感器是一种新型光电转换器件，它能存储由光产生的信号电荷。
当对它施加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便可在CCD 内作定向传输而实现自扫描。
它主要由光敏单元、输入结构和输出结构等组成。
它具有光电转换、信息存贮和延时等功能，而且集成度高、功耗小，已经在摄像、信号处理和存贮3大领域中得到广泛的应用，尤其是在图像传感器应用方面取得令人瞩目的发展。
CCD有面阵和线阵之分，面阵是把CCD像素排成1个平面的器件；而线阵是把CCD像素排成1直线的器件。
由于在军事领域主要用的是面阵CCD，因此这里主要介绍面阵CCD。
种类面阵CCD的结构一般有3种。
第一种是帧转性CCD。
它由上、下两部分组成，上半部分是集中了像素的光敏区域，下半部分是被遮光而集中垂直寄存器的存储区域。
其优点是结构较简单并容易增加像素数，缺点是CCD尺寸较大，易产生垂直拖影。
第二种是行间转移性CCD。
它是目前CCD的主流产品，它们是像素群和垂直寄存器在同一平面上，其特点是在1个单片上，价格低，并容易获得良好的摄影特性。
第三种是帧行间转移性CCD。
它是第一种和第二种的复合型，结构复杂，但能大幅度减少垂直拖影并容易实现可变速电子快门等优点。
结构CCD是由许多个光敏像元按一定规律排列组成的。
每个像元就是一个MOS电容器(大多为光敏二极管)，它是在P 型Si衬底表面上用氧化的办法生成1层厚度约为1000A～1500A的SiO2,再在SiO2表面蒸镀一金属层(多晶硅)，在衬底和金属电极间加上1个偏置电压，就构成1个MOS电容器。
第五章 电荷耦合器件(CCD)..
1．线阵CCD图像传感器
线阵CCD图像传感器由一列光敏元件与一列CCD并行且对应的 构成一个主体，在它们之间设有一个转移控制栅 ，这种结构叫做 单沟道线阵CCD。
目前，实用的线阵CCD图像传感器为双行结构，叫做双沟道线 阵CCD。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转移到上、下方的 移位寄存器中，然后在输出端交替合并输出，得到最终的信号。
Willard Sterling Boyle
▪ Willard.S Boyle
▪ 威拉德．博伊爾 ▪ 1924年8月19日出生 ▪ 簡介:
▪ 1924年出生於加拿大Amherst ▪ 擁有加拿大和美國國籍。 ▪ 1950年從加拿大麥吉爾大學獲得物理學博士
學位 ▪ 因CCD获2009年度诺贝尔物理学奖，70万美金
在电流输出中，输出端是一个反向偏置的二极管，而这次， 输出端是一个三极管。在RG不导通的情况下，信号电荷与T2 三极管的基极中的多数载流子复合，产生基极电流。T2将基 极电流放大，从集电极发出，形成电流信号输出。电阻R是 调整信号强弱的分流电阻。
当RG，也就是复位信 号加上高电平以后，T1 三极管基极和发射级正 向偏置，这样残余的信 号电荷被快速抽出，因 此T1为复位三极管。
CCD的势阱
▪ 光敏元之中的势阱深度与两方面的因素有关：栅极电压和 反型层电荷量。
▪ 栅极电压越大势阱越深。 ▪ 反型层电荷越多，势阱越浅。(可以认为是反型层电荷抵
消了一部分栅极电压)
半导体也可采用N型半导体，如下图所示。①载流N型子半为导电体子多数 ②加负电压 ③N型沟道CCD
。 很薄约1200A
这就造成一个问题，就是信号转移过程中，感光单元被占用了 ，这段时间就浪费了。要想连续拍两幅图像必须等第一幅图像输 出以后才可以拍第二幅。
第九讲 电荷耦合器件(CCD)
ε(t) ε
实测三相多晶硅N沟道 SCCD的关系曲线
10V 5V
驱动脉ห้องสมุดไป่ตู้频率f
驱动脉冲频率f 10MHz
电子被加有栅极电压的MOS结构吸引到势能最低 的氧化层与半导体地交界面处。
u0
10V
10V
UG=5V UG=10V
UG=15V
空势阱
填充1/3势阱
全满势阱
MOS电容存储信号电荷的容量为：Q=Cox•UG•A
电荷耦合
假定开始有一些电荷存储在偏压为20V的第二个电 极下面的势阱里，其他电极上均加有大于阈值得 较低电压（例如2V）。设a图为零时刻，经过一段 时间后，各电极的电压发生变化，第二个电极仍 保持10V，第三个电极上的电压由2V变为10V，因 这两个电极靠的很近（几个微米），它们各自的 对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的 电荷变为这两个电极下势阱所共有。如图b＆c。 若此后第二个电极上的电压由10V变为2V，第三 个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第三个 电极下的势阱中，如图e。由此可见，深势阱及电 荷包向右移动了一个位置。
转移效率：一次转移后，到达下一个势阱中 的电荷与原来势阱中的电荷之比。
1
Qt Q0
转移损失率：
1
ε(t)
影响电荷转移效率 的主要因素为界面 态对电荷的俘获。 为此，常采用“胖 零”工作模式，即 让“零信号”也有 一定的电荷。
Q(0)/C
2、工作频率f
（1）下限：为避免由于热产生的少数载流子 对注入信号的干扰，注入电荷从一个电极 转移到另一个电极所用的时间必须小于少 数载流子的平均寿命，对于三相CCD,t 为： t=T/3=1/3f,故，f>1/3ζ。
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电荷耦合器件 (CCD) 的发明者 George Elwood Smith
George Elwood Smith
喬治 史密斯 1930年5月10日
簡介:
1930年出生于美國白原市（White Plains） 美國國籍。 1959年從芝加哥大學獲得物理學博士學位。 因CCD获2009年度诺贝尔物理学奖，70万美 金的奖金。
电荷耦合器件(CCD)的发明者
Willard Sterling Boyle
Willard.S Boyle
威拉德．博伊爾 1924年8月19日出生
簡介:
1924年出生於加拿大Amherst 擁有加拿大和美國國籍。 1950年從加拿大麥吉爾大學獲得物理學博士 學位 因CCD获2009年度诺贝尔物理学奖，70万美金 的奖金。
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CCD的基本光敏元(电荷存储)
我们先来了解CCD的光敏元。
①P型半导体多数 载流子为空穴②加 正电压，电子做信 号③P 型沟道CCD
它的基础是金属—氧化物—硅MOS电容器
Metal Oxide Semicon结构
填空
把势阱想成一个桶
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CCD的基本光敏元(电荷存储)
CCD 也 存 在 二 相 的电荷转移方式， 在这种方式中设计 了不对称的电极结 构，可以保证电荷 转移的定向性。
电荷耦合器件(CCD)
电荷耦合器件(CCD)是典型的固体图象传感器，其 主要功能是将其表面接收到的光强信号转变为电信号。 目前的数码相机、摄像机、扫描仪、广播电视、可 视电话和无线电传真中大多采用CCD作为图像采集器 件，是这些电子产品的核心。 CCD的成像基本单位被叫做像素，当它用于图像采 集时，通常与光学镜头配合使用，由光学镜头将图像 投影到CCD表面，再由CCD将图像转化为数字信号； 当它应用在生产过程自动检测和控制等领域时，可以 直接应用而不配套镜头。 它是1970年贝尔实验室的W· S· Boyle和G· E· Smith发 明的。
这些小的半导体结构用通俗的语言来说就是像素单 元，用科学语言将叫做光敏元。
CCD原理简介
电荷耦合器件的突出特点是以电荷作为信号，而 不同于其他大多数元件是以电流或者电压为信号。
所以CCD的基本功能是电荷的存储和电荷的转移。 它存储由光或电激励产生的信号电荷，当对它施 加特定时序的脉冲时，其存储的信号电荷便能在 CCD內作定向传输。 CCD工作过程的核心技术是信 号电荷的产生，存储，传输，和检测。 CCD 的基本结构应包含转移电极结构、转移沟道 结构、信号输入结构和信号检测结构。
CCD原理简介
电荷耦合元件（CCD，Charge-coupled Device）是 一种集成电路，上有许多排列整齐的细小的半导体 结构，为了便于理解我们简单将其比喻为电容，这 些电容能感应光线，并将影像转变成数字信号。经 由外部电路的控制，每個小电容能将其所帶的电荷 转给它相邻的电容。
接地
CCD的单元结构
CCD的信号转移
CCD 图象传感器实际上是由由光敏元件阵列和电荷转 移器件集合而成，光敏元件也参与电荷转移。一般来说每 个光敏元有三个相邻的转移电极1、2、3，所有电极彼此离 得足够近，以使硅表面的耗尽区和电荷的势阱交叠，能够 耦合及电荷转移。
输入栅 Ф1 输入二极管
Ф2
Ф3
输出栅 输出二极管
CCD的势阱
光敏元之中的势阱深度与两方面的因素有关：栅极电压和 反型层电荷量。 栅极电压越大势阱越深。 反型层电荷越多，势阱越浅。(可以认为是反型层电荷抵 消了一部分栅极电压)
①N型半导体多数 半导体也可采用N型半导体，如下图所示。 载流子为电子
②加负电压
③N型沟道CCD
。 很薄约1200A
电荷转移过程
简答或论述
CCD 中电荷转移的控制方法，非常类似于步进电极的 步进控制方式。下面以三相控制方式为例说明控制电荷定 向转移的过程。 第一时刻，即初始状态时，第一电极外加高电平，其它 电极外加低电平，此时只有第一电极下方具有深势阱，信 号电荷存储于第一电极下方。 第二时刻，第一电极和第二电极外加高电平，第三电极 外加低电平，第二电极下产生深势阱并与第一电极下的势 阱连通，信号电荷变为共有。 第三时刻，保持第二电极高电压，第三电极低电压，将 第一电极转变为低电压，第一电极下的势阱消失的过程中， 信号电荷全部转移到第二电极下的势阱中，完成了一次完 整的信号转移过程。 将第一电极、第二电极更换为任意两个相邻电极重复上 述三步，都可完成电荷转移。 第三电极的存在确保了电荷的定向转移。
CCD的信号来源(光注入)
当光照射到CCD硅片上时，在栅极附近的半导体体内产 生电子空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流 子则被收集在势阱中形成信号电荷。 光注入方式又可分为正面照射式与背面照射式。由于正面 有光栅电极，会对光有遮挡，因此绝大多数都采用背面照 射。
QIP =qneo ATC
SiO2 P型Si 耗尽区 电荷转移方向
CCD的MOS结构
CCD 中电荷转移的控制方法，非常类似于步进电极的 步进控制方式。CCD的重要特性之一是信号电荷在转移过 程中与时钟脉冲没有任何电容耦合，不会受到干扰。下面 以三相控制方式为例说明控制电荷定向转移的过程。
t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7
填空
CCD简介
CCD 供应商 Dalsa e2v technologies Fairchild Imaging Hamamatsu Photonics Characteristics and use of FFT-CCD Kodak Panasonic Sony Texas Instruments Toshiba
信号电荷
想象为存贮在桶底上的流体
填空
CCD的信号来源(电注入)
所谓电注入就是CCD通过输入结构对信号电压或者电流 进行采样，然后将信号电压或电流转换为信号电荷。电注 入的方法很多，这里只介绍两种常用的电流注入法和电压 注入法。 目前已经不再采用这种方法了，这种功能现在有独立的器 件A/D转换器，即模/数转换器来实现。