电子元器件应用-Interfacing the TLV1562 Parallel ADC to the TMS320C54x DSP
L-EDIT软件在“半导体器件”教学中的应用
ｕ ｄ ｒ ｔ ｎ ｉ ｇ ｔ ｅ ｋ ｏ ｅ ｇ ｆ ｐ ｙ ｉ ａ ｐ ｉ ｃｐ ｅ ｆ ｓ ｍｉｏ ｄ ｃ ｏ ｅ ｉｅ ， ｔ ｅ ｄ ｖ ｃ ｔ ｕ ｔ ｒ ｎ ｎ ｅ ｓ ａ ｄ ｎ ｈ ｎ ｗｌ ｄ ｅ ｏ ｈ ｓｃ ｌ ｒｎ ｉ ｌ ｓ ｏ ｅ ｃ ｎ ｕ ｔ ｒ ｄ ｖ ｃ ｓ ｈ ｅ ｉｅ ｓ ｒ ｃ ｕ ｅ ａ ｄ
ｍａ ｆ ｃ ｕ ｉ ｏ ｅ ｓ Ｔｅ ｃ ｎ ａ ｔｃ ｈ ｗｓ ｔ ｔ ｕ ｉｉｉ ｇ Ｌ— ｎｕ ａ ｔ ｒｎｇ ｐｒ ｃ ｓ ． ａ ｈｉ ｇ ｐｒ ｃ ｉｅ ｓ ｏ ｈａ ｔｌｚｎ ＥＤＩ ｓ ｆｗａ ｅ ｉ ｈｅ ｃ ｒ ｅ ｏ ｍｉｏ Ｔ ｏ ｔ ｒ ｎ ｔ ｏｕ ｓ ｆＳｅ ｃ ｎ—
生 对 半 导体 器 件 的 物 理 原 理 、 件结 构 及 制 造 过 程 这 三 方面 知 识 的综 合理 解 和 整 体 把 握 。教 学 实践 表 明 ， 该 课 程 中 引 入 Ｌ Ｅ Ｔ 可 以 收 到 器 在 — ＤＩ 良好 的 教学 效 果 。
关 键 词 ： 学 改 革 ； 导 体 器 件 ； — ＤＩ 软 件 教 半 ＬＥ Ｔ
（ ． 国 计 量 学 院 光 学 与 电子 科 技 学 院 ， 江 杭 州 ３ ０ １ ； １中 浙 １ ０ ８ ２ ．杭 州 电子 科 技 大 学 计 算 机 学 院 ， 江 杭 州 ３ ０ １ ） 浙 １ ０ ８
摘 要 ： 文针 对 “ 导 体 器 件 ” 本 半 的课 程 特 点 ， 讨 了 如何 应 用 Ｉ Ｄ Ｔ 软 件 改进 教 学 方 式 和 教 学 手 段 。将 【 Ｅ Ｔ 软 件 引 入 教 学 ， 有 利 于 学 探 Ｅ Ｉ ＤＩ 更
第３ ２卷
第 ６期
电气 电子 教 学 学 报 Ｊ） （ＵＲＮＡＬ ０Ｆ ＥＥ Ｅ
磁性元件在电力电子中的应用说明书
TABLE OF CONTENTS
Preface
xi
Acknowledgements
xiii
Chapter I-Applications and Topologies for Power Electronic Systems
1
Introduction-History of Power Electronics
ห้องสมุดไป่ตู้
38
2.11- Ferrites Versus Metallic Magnetic Materials
39
2.12- Output Power Inductors
41
2.12.1- Ferrite Versus Metallic Power Inductors
41
2.13- Power Factor Correction Cores
50
2.16.2- Amorphous and Nanocrystalline Materials for
EMISuppression
50
2.17- Common-Mode Filters
51
Summary
53
Chapter 3- Magnetic Materials for Power Electronics
13
1.8- Ferroresonant Converters
15
1.9- Soft Switching in Common Topologies
19
Summary
20
Chapter 2- Main Considerations for Magnetic Component Choice
W频段宽带三倍频器的研究
第三章倍频器设计图３＿４倍频器模拟实物图３．３倍频器部件设计３．３．１微带到波导过渡微波、毫米波元器件以及子系统最终要应用于整机系统或要连接到测试系统中，这就要求输入、输出接口必须为标准矩形波导。
从标准波导至Ⅱ微带电路要求有良好的过渡，在过渡过程中，不但要完成不同结构的过渡，而且还要实现阻抗变换，使电磁能量损失尽可能的小。
除此之外，还要求装卸容易，重复性、一致性好且易于加工。
波导到微带过渡结构可由多种方式来实现，如微带探针形式Ｉ捌，鳍线过渡【矧，小孔耦合Ｉ矧，脊波导【２５】【圳，本章探索了两种方式。
３．３．１．１脊波导【２７】无论哪个标准波导的等效阻抗都比标准微带线特性阻抗５０Ｑ要高得多，为了保证两者连接得到较好的匹配，必须在标准波导和微带线之间加变阻器，把波导的等效阻抗逐步降低，这可以用连续过渡或阶梯过渡来实现，前者加工较为复杂（如指数线），且为了满足一定驻波比的要求，过渡段长度也不短，所以一般采用阶梯过渡（即１／４多节变阻器）。
单脊波导就其特点来说，工作频带宽。
另外，当金属脊较高时，电磁能量主要集中于脊下，相当于脊下等效电容增加，等效阻抗当然随之降低，若脊宽与脊高选择合理，机械尺寸上也便于与微带线匹配连接。
当脊高变低，相当于脊下等２３电子科技大学硕士学位论文导波波长：铲７丽五‰＝冬移啪娆２１２·６６ｒａｍ以。
＾｜，ｍ觎２９．０８８ｎｕｎ毛＝挠鸵～（３·２３）◇一２４）其他段作相似计算。
最后得出整个初始脊波导尺寸：Ｓ＝１．４２ｍｍ磊＝ｏ。
１２７ｒａｍ磊＝２，５ｍｍ畦＝ｏ．５７ｒａｍ４－－２。
２８ｒａｍ或一１．９５ｍｍ乞＝２。
４６７ｍｍ黧３－６脊渡霉程ＨＦＳＳ串静仿真模型”“”“船器“”８矗即日一茹ｆ鬲●●●‘ｌ＿Ｉｌ，．｝ｌｉ｛｛ｌｌｌ｛～ｐｉ￡ｊ…ｔ—Ｌ｝］”Ｊ啊｜｜；｛，，ｔ｛ｌ｜｝ｉ．．ｊ一｛－｛｛ｌ，一，一｛：Ｍ一＼广！｝Ｎ；再沁＿．八ｌ卜Ｚ。
ｄ●＿＿一Ｎ？７ｉ｛‘；”㈠Ｋ’７…Ｈｎ｛ｒｒＶ斗÷一—：一３．｛÷一曩一丫一｛＾一｛；｛｛·｜ｌ…，｛｛ｉ｝｛ｔ｜ｔ”…、”…’’…、＾‘ｔ一＋…””””Ｒ＿ＭＰ””“掰３４脊滚霉在ＨＦＳＳ审鹃待囊结采根据设计尺寸在ＨＦＳＳ中仿真并进行优化，得到仿真结聚如图３—７。
ISIGHT在电子元器件建模中的应用
刘苏杰 上海航天局第 802 所 摘要： 针对 国产器件普 遍缺乏的仿真模型， 提出一种方法和实现途径，建立 电子元器件的仿真模型 ，供 电路仿 真使用。 文中采用这一方法对差分对管进行建模，建 模结果在实际电路中 得到了验证 。这种方法也可 以应用 于其他学科的元件建模。 关键字：电 子元器件建模 电路 仿真 ISIGHT
VCC
R R2 I_Probe I_C R R1 I_Probe I_be
Vin
BJT_NPN BJT1
图 2 晶体管 测试电路 为 准 确 表 征 差 分 对 管 在 电 路 中 的 电 性 能， 对 双 极 性 晶 体 管 的 模 型 选 择 绝 大 多 数 中 低 频 仿 真 软 件 所 采 用 的模
Create Model of Electronic Component Based on IntΒιβλιοθήκη grated Optimization
Liu Su-jie No. 802 Institute of SAST, shanghai 200090, China Abstract: Because there are no simulate model of domestic component, a way and a realization method are provided to create model of electronic component for the use of circuit simulation. This way is used to create the model of differential twin triode. Wave of simulation in circuit is showed which prove that the model works well. This way can also be used to create part model in other disciplines. Key: Create model ； circuit simulation ； ISIGHT ； 0 引 言 近年来，随 着 CAD 、 EDA 技术的蓬勃发展和电子产品竞争的日益激烈，电 子线路的仿 真优化设计越来越受 到人们 的关注。它利用计算机运算速度快、存储容量大以及数据处理技术好的特 点；建立高 精度仿真模 型，在电 脑中较 真实的再现实际电路的工作波形；完成电子线路的虚拟设计， 提高电路设计的一次成 品率。它可代替采用 简化电 路模型估算电路特性，通过搭建实验草台进行验证的传统设计方式，高效 的进行电路 参数的确定 和方案的 优选， 并可在设计 初期对产品的性能进行较可靠的预测，成 为现代设计方法中必 不可少的组 成部分。 在军品电路仿真过程中 ，会发现电子元器件优选目录中的大多数是国产器件，在仿真软 件中没办法找到仿真 模型，无法对电路进行仿真。为解决这种情况，本文提出一种基于 ISIGHT 的电子元器件建模方法，将集成优化引 入对电 子元器件进行建模，通过元件 测试、数据拟合和模型参数优化，以最优的参 数准确表述电子元器 件的特性， 使仿真 结果能够真正指导实际电路的生产和调试成为可能。文中以这种方法建立 了差分对管 的精确模型，并在实 际电路 模型仿真中验证了该模型的有效性。 1 电子 元器件建模概述 每一个具体的电路均是 由电子元器 件组成的，这些元器件既包括线性器件， 如电容、电 感、电阻和电源等， 也包括 各种非线性器件，如二极管、晶体管、 MOS 管、晶闸管、 IGBT 等。在利用计算机对 电子电路进 行辅助分 析与仿 真时，就需要利用各种等效的数学模型来描述这些电子元器件。为了使得计算机分析 与仿真的结 果正确， 要求上 述模型既要便于计算机负载程序的识别和计算，又能正确地反映 元器件的 电性能。因 此器件的建 模及仿真 就成了 电子技术中建模与仿真的第一步，也是最重要的一步。 根据计算机仿真的要求， “理想”的器件模型至少应满 足下述要求：可以在较 宽的电压电 流和温度范 围内以足 够的精 度反映器件的性能；在器件的参数物理过程之间具有确定的对应关系，可 以根据研究 的问题做某些近似和 简化处 理，使其便于应用；其数学模型经过转换后可以成为适于计算机电路分析 通用软件中 的应用形式。在实际 应用中 ，由于电子器件建模的工作涉及到电学、热学、半导体物理等多个领域， 所以描述其 物理过程的数学模型
光通信关键器件Interleaver的原理和进展
光通信关键器件Interleaver的原理和进展
林林
【期刊名称】《东莞理工学院学报》
【年(卷),期】2006(013)003
【摘要】Interleaver(梳状分波器)是DWDM光通信系统中的重要无源器件.对比介绍几种类型Interleaver的原理、结构、性能,并分析它们的发展趋势.
【总页数】4页(P53-56)
【作者】林林
【作者单位】广东医学院,生物医学工程教研室,广东,东莞,523808
【正文语种】中文
【中图分类】TN914
【相关文献】
1.全光通信用关键光电子器件 [J], 何兴仁
2.空间光通信用光收发器件进展及典型应用 [J], 张瑞君
3.全光通信网光电器件及其最新进展(2) [J], 金耀辉;曾庆济;唐晓东;肖石林
4.光通信中关键器件-耦合器 [J], 冯霞;李平;葛祥友
5.日盲紫外光通信系统关键器件 [J], 周志斌;肖沙里;汪科;袁浩;徐志敏
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元器件知识大全：RFID新一代高级封装技术
元器件知识大全：RFID新一代高级封装技术资料整理者：tughghjghj在当今飞速发展的电子环境中，芯片制造商和封装技术供应商们发现传统的前段制造设备，诸如光刻步进器等，可能会实现成本高效的后段工艺流程（BEOL）器件封装。
尽管高级封装市场的发展空间最初是被PCs行业的蓬勃发展带动起来的，但是现在它们已经不再是主要的增长催化因素。
通信以及手持设备，如手机、PDAs（个人数字助理）、便携式游戏机以及个人通讯系统正在成为新增长阶段的推动因素。
随着数字消费应用的爆炸式发展－性能和波形系统成为必须启用高级封装（AP）技术的必要条件。
在未来五年内，预计通讯芯片组、图形处理器、集成无源元件以及高速PC内存元件将成为AP技术的主要诉求。
随着领先的逻辑芯片制造商们需求量的不断增大，我们共同见证了AP 市场的成长过程。
然而，这一细分市场的另一个转折点可能会来自高速PC内存元件对高级封装技术的诉求。
不管终端设备的推动因素如何强劲，仅高性能封装技术的需求不断升级，就带动了金凸块技术和锡铅凸块技术的需求增长，同时获得增长的还包括晶圆级封装技术和后护层技术。
本文将分析当前的以及正在不断涌现的AP应用，其中光蚀刻设备以其突出的优势将获得部署良机。
主要的AP光刻市场光刻技术是影响晶圆植球品质的最重要因素之一。
如图1所示，推动AP市场发展的因素是多元化的。
举例说明，液晶显示器（LCDs）是一款产量非常高的成熟产品，也是金凸块技术的主要供应市场。
新的晶圆级封装（WLP）技术将即将渗透到微处理器和射频（RF）器件市场。
同时我们也期待PPL技术能够在高级器件封装领域获得增长金凸块技术金凸块技术主要用于液晶显示器（LCD）面板上驱动ICs的封装。
尽管日本已经成为业界领先的LCD面板和驱动ICs制造国，然而，出于成本和供应链等环节的考量，显示器制造还是在向其它地区的商业制造厂平稳过渡－台湾、韩国以及中国，其中向中国的制造厂过渡正在逐步攀升。
电子元器件应用-Wireless Infrastructure Market Overview Presentation
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2022年行业分析高端电子元件市场现状
高端电子元件市场现状据统计，目前世界电子元件的市场规模大约每年1600亿美元左右，估计到2022年，市场规模将突破2000亿美元。
电子元件几个较大的应用领域包括工业电子产品、计算机、消费类电子以及通信。
在各类整机电路中，无源元件和有源器件的数量比例通常在20:1至50:1左右，其中一些高端电子产品，如移动手机、笔记本电脑等当中，无源元件的比例更高，有时可达到100:1。
无源元件的成本平均占整机中元器件总成本的1/3左右。
随着电子产品功能的进一步提高，整机对元器件数量的需求也逐步增加。
随着集成电路（微处理器）集成度的提高，其周边的无源元件的需要量也逐步上升。
随着世界电子制造业向中国大规模转移，我国的电子元件市场以近年来每年都20%的增长率增长。
粗略测算目前我国电子元件市场容量约在350亿美元左右，在不久的将来，我国可望成为全球最大的电子元件消费市场。
一些重要的高端电子元件的国际市场状况如下：多层陶瓷电容器（MLCC）多层陶瓷电容器目前国际上用量最大、进展最快的片式元件之一。
MLCC主要应用于各类军用、民用整机的震荡、耦合、滤波、旁路电路中，应用领域已经拓展到自动掌握仪表、计算机、手机、数字家电、汽车电等行业。
目前，多层陶瓷电容器已构成了电容器市场的主体，在大容量市场（10μF以下）中，陶瓷电容器已部分取代钽电容器，而在1μF以下，陶瓷电容器占肯定优势。
全球市场的需求量从1998年的3070亿只，增至2022年11000亿只。
年增长速度近20%。
市场需求巨大，产业化市场前景特别宽阔。
片式电感类元件多层片式电感类元件包括了一大类具有叠层式介质/线圈结构的新型电子元件，是电感类元件进展的方向，也是三大类无源片式元件中技术含量最高的一大类。
目前，这类元件已形成了规模相当大的产业和近百亿美元的国际市场。
片式电感器的主要应用领域包括移动通信、计算机、音像产品、家电、办公自动化等。
估计在今后若干年中，随着第三代移动通信技术、数字电视、高速计算机、蓝牙产品等新一代数字化电子产品的推出和世界各国EMI掌握标准的相继制订，对各种片式电感类元件，特殊是抗EMI类片式电感元件的需求将急剧上升。
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Contents
1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 The Board . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1 TMS320C54x Starter Kit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 TLV1562EVM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 ADC TLV1562 Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.1 Suggestions for the ’C54x to TLV1562 Interface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.2 Recyclic Architecture . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.3 Note on the Interface, Using an External ADC Clock Drive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4 Onboard Components . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1 TLC5618 – Serial DAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.2 TLV5651 – Parallel DAC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Operational Overview . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1 Reference Voltage Inputs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Input Data Bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 Connections Between the DSP and the EVM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Jumpers Used on the TLV1562EVM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1 2 2 2 3 4 4 4 5 6 6 6 7 8
Interfacing the TLV1562 Parallel ADĆConverter to the TMS320C54x DSP
Application Report
July 1999
Advanced Analog Products
SLAA040
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