AZ_PR光刻胶的数据资料
光刻胶及周边材料可修改文字
表面防反射膜（利用光干涉现象）
靠不同材料折射率不同来改善（含氟较多）
1. 厚度d调整相位: 2. 折射率调整最佳条件:
n2 n3
倍晶 35
无TARC
表面防反射膜（TARC<30-70nm）可以解决打洞不良
倍晶 36
有TARC
TFT制作
倍晶
光刻胶
37
液晶显示彩色和OLED
TFT: 液晶, OLED 彩胶: 液晶显示
②. Photo spacer
film
LTOC(Passivation)
Ti/Al/Ti SiNx
Ti/Al/Ti SiN
③. Organic Insulator
倍晶 8
光刻胶工艺需要整个高纯材料产业链支持
成膜材料
无机气体 涂膜型
光刻胶
正胶
树脂
光敏剂/光酸 高纯溶剂
酚醛树脂 g-h-i-
PHS 248nm 亚克力 193nm 聚酰亚胺 PI PAC (焦性没食子酸由来）
120C
81.0 19.7
140C
69.1 31.6
160C
CD (nm) 缩小量（纳米）
倍晶
140.0 -
125.0 15.0
124.5 15.5
122.3 17.7
烘烤工艺
显影 槽沟尺寸变小
40
防倒塌材料：光刻胶需要一定高度，尺寸变小后会倒塌
TMAH Developer
Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓ ｔ
倍晶
有機EL表示素子（TFT）の横断面概略 1.封止層 2.負極 3.有機半導体 4.正極 5.直流駆動回路 6.TFT
38
洞缩小及槽沟缩小材料（光刻胶性能延伸）AZ RELACS / TOK Saphire
半导体 工厂PR资料
CUP处理
HOST BAKE
现象
现象的形成过程
5000
干燥
4000 3000rpm源自2000 1000 0现像液滴下
现像（6~7S）
纯水RINSE（8~10S）
外观
外观检查的目的：
外观检查就是检验人员用眼睛来发现硅片表面的不良，通过SAMPLE形式判断 不良的种类和原因，按照相关的文书对不良制品和相应的设备进行有关的处理 和处置。
应急处置方法
立即用大量的水清洗、必要时请医生诊 断 立即用大量的水清洗眼部、必要时请眼 科医生诊断 吸入过量的蒸气后立即转移至新鲜空气 的场所请医生诊断
气体
在光刻现场使用的气体种类： F2（氟气）、Kr（氪气）、Ne（氖气）、He（氦气）、N2（氮气）
F2 ——
F2是一种剧毒并有腐蚀性的气体。在干燥情况下不会发生大问题， 但溶于水后就显示很强的酸性。F2会伤害人的皮肤、眼睛、粘膜、 呼吸道等部位，要特别注意。 以上气体并称为惰性气体。N2的特点是可以在现场 大量制造；可以轻易达到要求的纯度以及其他指标； 成本低廉。
CLEAN
RESIST涂布
PREBAKE
调整光刻胶的感度。
涂布
光刻胶膜厚的形成过程
5000
②高速回转数
4000
回 转 数
3000
2000 （rpm）
①光刻胶 滴下时间
加速度
③Edge Rinse ＆ Back Rinse
1000
0 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
（ 50 sec）
光刻定义
光刻是一种图象复印与选择性腐蚀相结合的加工过程，
即先用照相复印的方法把光刻掩模版上的图形精确地
AZ_PR光刻胶的数据资料
SAMPLE PROCESS CONDITIONS
Pre-bake Exposure Developing Rinse Post-bake Stripping
: 100℃ 60sec.(DHP) : g-line stepper and/or Contact Aligner : AZ300MIF 23℃ 60sec.Puddle : DI-water 30sec. : 120℃ 120sec.(DHP) : AZ Remover and/or O2 plasma-ashing
25
应用于第五代以上液晶面板制造的Spin-less涂布正型光刻胶 Spin-less Coat Positive-tone Photoresist for over 5th Generation Flat Panel Displays 26
AZ RFP系列
应用于液晶面板制造的辊式涂布正型光刻胶
Roll Coat Positive-tone Photoresist For Flat Panel Display
9
AZ MIR700系列 AZ MIR900系列
高感光度中解像度I线正型光刻胶 厚膜高感光度高解像度I线正型光刻胶
Medium~High Resolution i-line Positive-tone Photoresist
10
Thick-film High Resolution i-line Positive-tone Photoresist for High-dose Implantation Process 11
27
AZ CTP系列
应用于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶
Negative-tone Resist for Cathode Separator on Organic EL Display
光刻胶大全
光刻胶产品前途无量（半导体技术天地）之南宫帮珍创作1 前言光刻胶(又名光致抗蚀剂)是指通过紫外光、电子束、准分子激光束、X射线、离子束等曝光源的照射或辐射，使溶解度发生变更的耐蚀刻薄膜资料，主要用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工，近年来也逐步应用于光电子领域平板显示器（FPD）的制作。
由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，经曝光、显影等过程，将所需要的微细图形从掩模版转移至待加工的衬底上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入等工艺加工，因此是电子信息财产中微电子行业和光电子行业微细加工技术的关键性基础加工资料。
作为经曝光和显影而使溶解度增加的正型光刻胶多用于制作IC，经曝光或显影使溶解度减小的负型光刻胶多用于制作分立器件。
2 国外情况随着电子器件不竭向高集成化和高速化方向发展，对微细图形加工技术的要求越来越高，为了适应亚微米微细图形加工的要求，国外先后开发了g线（436nm）、i线（365nm）、深紫外、准分子激光、化学增幅、电子束、X射线、离子束抗蚀剂等一系列新型光刻胶。
这些品种较有代表性的负性胶如美国柯达（Kodak）公司的KPR、KMER、KLER、KMR、KMPR等；联合碳化学（UCC）公司的KTI系列；日本东京应化（Tok）公司的TPR、SVR、OSR、OMR；合成橡胶（JSR）公司的CIR、CBR系列；瑞翁（Zeon）公司的ZPN系列；德国依默克（E.Merk）公司的Solect等。
正性胶如：美国西帕来（Shipely）公司的AZ系列、DuPont公司的Waycot系列、日本合成橡胶公司的PFR等等。
2000~2001年世界市场光刻胶生产商的收益及市场份额公司2001年收益2001年市场份额（%） 2000年收益 2000年市场份额（%）Tokyo Ohka Kogyo 150.1 22.6 216.525.2Shipley 139.2 21.0 174.620.3JSR 117.6 17.7 138.416.1Shin-EtsuChemical 70.1 10.6 74.28.6ArchChemicals 63.7 9.6 84.19.8其他 122.2 18.5 171.620.0总计 662.9 100.0 859.4 100.0Source: Gartner Dataquest目前，国际上主流的光刻胶产品是分辨率在0.25µm～0.18µm的深紫外正型光刻胶，主要的厂商包含美国Shipley、日本东京应化和瑞士的克莱恩等公司。
光刻胶基本介绍
The introduction of Photoresist and Application光刻胶基本介绍主要内容CONTENT☐一，光刻胶基础知识☐二，光刻胶的种类☐三，光刻胶的应用领域☐四，光刻胶的特点☐五，光刻胶的可靠性测试内容☐六，光刻胶的来料要求一、光刻胶基础知识☐光刻胶是一种具有感光性的化学品（混合物）树脂（Resin）：10-40% by weight感光剂（PAC）或光致产酸剂（PAG）：1-6% by weight溶剂（Solvent）：50-90% by weight添加剂（Additive）：1-3% by weight单体（Monomer）：10-20% by weight二、光刻胶的种类☐依照化学反应和显影原理分类一、正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同；二、负性光刻胶形成的图形与掩膜版相反。
SubstratePhotoresistCoating Maskh u TransferEtchStripExposure DevelopPositive Negative☐按照感光树脂的化学结构分类一、光聚合型：1）采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，最后生成聚合物。
2）采用环氧树脂，阳离子开环，引发环氧交联反应，最后生成聚合物。
二、光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；☐按照曝光波长类一、紫外光刻胶（300~450nm）；I-line：365nm；H-line：405nm；G-line：436nm；Broad Band （g+h+i）二、深紫外光刻胶（160~280nm）；KrF：248nm；ArF：193nm；F2：157nm；三、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）；四、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。
不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。
光刻胶主要技术参数的重新说明
光刻胶主要技术参数的重新说明光刻胶（Photoresist）是半导体制造中不可或缺的材料，它在光刻过程中起到了至关重要的作用。
光刻胶的主要技术参数在半导体工业中被广泛使用，以确保制造过程的准确性和可靠性。
在本文中，我们将重新说明光刻胶主要技术参数的相关内容。
1. 曝光感度（Exposure Sensitivity）曝光感度是指光刻胶对特定波长的光照强度的响应能力。
曝光感度通常以mJ/cm²或μC/cm²为单位进行测量，其数值越小，表示对光的敏感程度越高。
光刻胶的曝光感度参数应根据具体的制程要求进行选择，以确保在光刻过程中能够获得所需的细节和分辨率。
2. 对比度（Contrast）对比度是指在曝光过程中所使用的光刻胶影像的清晰度和辨识度。
对比度值越高，表示胶膜上的图像与掩膜图案之间的差异越明显。
光刻胶的对比度参数对于细微图案的准确性和成像质量至关重要。
3. 显影速度（Developer Speed）显影速度是指光刻胶在显影液中被处理所需的时间。
显影速度的选择应考虑到制程的要求以及对制程的影响。
较快的显影速度可提高生产效率，但可能会牺牲一定的分辨率。
相反，较慢的显影速度可以提供更高的分辨率，但会增加制程的时间和成本。
4. 最小可分辨尺寸（Minimum Resolvable Feature Size）最小可分辨尺寸是指在光刻胶上能够清晰成像的最小尺寸。
这个参数受制于光刻机的分辨能力和光刻胶的特性。
最小可分辨尺寸的选择是根据制程要求和制程能力进行的，以确保所需的器件结构可以被精确地制造。
5. 附着力（Adhesion）附着力是指光刻胶与底层衬底材料之间的结合力。
优良的附着力可以确保光刻胶在制程过程中不会出现剥离或破裂的情况。
光刻胶的附着力参数需要与底层材料的特性相匹配，以确保制程的可靠性和稳定性。
6. 化学耐性（Chemical Resistance）化学耐性是指光刻胶在制程过程中所能够耐受的化学物质的腐蚀和影响程度。
光刻胶参数及光刻工艺
光刻胶参数及光刻工艺1、正性光刻胶RZJ-304●规格RZJ-304：25mpa·s，50mpa·s（粘稠度），配用显影液：RZX-3038●匀胶曲线注：粉色为50cp，蓝色为25cp●推荐工艺条件①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.0～3.5μm②前烘：热板100℃×90sec③曝光：50～75mj/cm2（计算方法:取能量60mj/cm2取光强400×102um/cm2，则60/40=1.5s）④显影：23℃，RZX-3038，1min，喷淋或浸渍⑤清洗：去离子水30sec⑤后烘：热板120℃×120sec●规格S1813，配用显影液为ZX-238●匀胶曲线●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考）①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.23um（1.1～1.9μm）②前烘：热板115℃×60sec③曝光：150mj/cm2④显影：21℃，ZX-238，65sec，喷淋或浸渍⑤清洗：去离子水30sec⑥后烘：热板125℃×120sec●规格AZ-5214，配用显影液AZ-300●匀胶表格（单位：微米）●推荐工艺条件1（以具体工艺为参考）①涂布：23℃，旋转涂布，膜厚1.47um（1.14～1.98μm）②前烘：热板100℃×90sec③曝光：240mj/cm2④后烘：115℃×120sec⑤泛曝光：>200mj/cm2⑥显影：21℃，AZ-300，60sec，喷淋或浸渍⑦清洗：去离子水30sec⑧坚膜：热板120℃×180sec注意：紧急救护措施（对于光刻胶）①吸入：转移至空气新鲜处，必要时进行人工呼吸或就医。
②皮肤接触：肥皂水清洗后自来水清洗。
③眼睛接触：流动清水清洗15分钟以上，必要时就医。
光刻胶
抗蚀性（Anti-etching; Etching resistance）即光刻胶材料在刻蚀过程中的抵抗力。在图形从光刻胶转 移到晶片的过程中，光刻胶材料必须能够抵抗高能和高温（>150℃）而不改变其原有特性 。在后续的刻蚀工序 中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力 。在湿法刻蚀中，印有电路图形的光刻胶需要连 同硅片一同置入化学刻蚀液中，进行很多次的湿法腐蚀。只有光刻胶具有很强的抗蚀性，才能保证刻蚀液按照所 希望的选择比刻蚀出曝光所得图形，更好体现器件性能。在干法刻蚀中，例如集成电路工艺中在进行阱区和源漏 区离子注入时，需要有较好的保护电路图形的能力，否则光刻胶会因为在注入环境中挥发而影响到注入腔的真空 度。此时注入的离子将不会起到其在电路制造工艺中应起到的作用，器件的电路性能受阻 。
1890年。德国人格林（Green）和格罗斯（Gross）等人将重氮化的混合物制成感光材料。取得了第一个重氮 感光材料的专利。不久，德国的卡勒（Kalle）公司推出了重氮印相纸，从而使重氮感光材料商品化，并逐渐代 替了铁印相技术。
工作原理
辐射线
光学
纳米压印技术
光刻胶类型及应用制程
紫外光刻胶
紫外光刻胶适用于g线（436 nm）与i线（365 nm）光刻技术。
2.紫外压印光刻胶：使用透明的模板，将预先制作好的带有微图形特征的硬模版压入常温下液态光刻胶中， 用紫外光将光刻胶固化后抬起模板，从而将模板上的微特征转移到光刻胶上。按照光引发反应机理，可分为自由 基聚合和阳离子聚合两大体系 。光刻胶材料主要有甲基丙烯酸酯体系、有机硅改性的丙烯酸或甲基丙烯酸酯体 系、乙烯基醚体系、环氧树脂体系等。
1.
热压印与紫外压印原理示意图纳米压印技术是通过压模来制作微纳特征的一种图形转移技术，其最明显的优 势是高产能、高分辨率、低成本，主要工艺流程：模板制作、硅衬底滴胶、压印、曝光、脱模、离子刻蚀，图像 精度可以达到5 nm。使用的光刻胶种类主要分为两种：
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为广泛应用于半导体制造领域而优化的高感光度G线正型光刻胶
特征
1) 高感光度,高产出率 2) 高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进 3) 广泛应用于全球半导体行业
参考工艺条件
前烘 曝光 显影 清洗 后烘 剥离
：100℃ 60秒 (DHP) ：G线步进式曝光机/接触式曝光机 ：AZ300MIF (2.38%) 23℃ 60秒 Puddle ：去离子水30秒 ：120℃ 120秒 (DHP) ：AZ剥离液及/或氧等离子体灰化
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应用于第五代以上液晶面板制造的Spin-less涂布正型光刻胶 Spin-less Coat Positive-tone Photoresist for over 5th Generation Flat Panel Displays 26
AZ RFP系列
应用于液晶面板制造的辊式涂布正型光刻胶
Roll Coat Positive-tone Photoresist For Flat Panel Display
Top Anti Reflective Coating for Ultra High Resolution Patterning
17
Non PFOS and Non PFOA type Top Anti Reflective Coating Materials
18
AZ BARC材料
应用于超高分辨率图形加工的底部防反射涂层
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液晶显示器/平板显示器用光刻胶系列
AZ TFP300系列 AZ TFP600系列
应用于液晶面板制造的旋涂式正型I线光刻胶 应用于液晶面板制造的超高感光度，旋涂式正型光刻胶
Spin Coating Positive-tone Photoresist for Flat Panel Display
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AZ CTP系列
应用于有机电致发光显示器阴极隔离的负型光刻胶
Negative-tone Resist for Cathode Separator on Organic EL Display
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辅助化学品系列
显影液及其他相关化学品
Developers,and other ancillary chemicals
AZ Relacs涂布材料 应用于超高分辨率图形加工的光刻胶收缩材料
特殊用途光刻胶系列
Bottom Anti Reflective Coating for Ultra High Resolution Patterning
19
Resist Shrinking Material for Ultra High Resolution Patterning
Material Safety Data Sheet
Be sure to review Material Safety Data Sheet(MSDS) for detailed information prior to use.
3
AZ 光刻胶蓝图
AZ D U V 光 刻 胶 产 品 蓝 图
Target Critical Dimension (μm)
急救措施
如果接触皮肤：用肥皂及清水清洗接触部位。 如果接触眼睛：用清水冲洗至少15分钟，并送医。 如果被吸入：移至空气新鲜处。
物质安全资料表
请确保在使用前阅读过物质安全资料表。
Safety and Handling
Keep away from heat,sparks,and open flame.Adequate ventilation should be provided in work areas. Avoid skin/eyes contact and breathing vapor during the use.It is recommended to wear proper safety gears. Keep in a sealed original container and store in a dark cool place.
FEATURES
1) Achievement for high sensitivity and high throughput 2) Improvement for wet etching by high adhesion 3) Trust on delivery reference at wide field and industry
20cP
38cP
90cP
Pattern Profiles
1.0μm L/S Pattern
1.5μm L/S Pattern
Dependency of Eth vs.Resist Thickness
100
80
60
40 5,000
20 1.0
1.5
2.0
2.5
Film Thickness (μm)
3.0
高感光度高附着性G线I线通用正型光刻胶 应用于Iift - off工艺图形反转正/负可转换I线光刻胶
High Sensitivity & High Adhesion g/i Cross-over Positive-tone Photoresist
8
Image Reversal Pattern Posi/Nega Convertible Photoresist
20
AZ 8100系列
应用于TAB制造和柔性衬底工艺的正型光刻胶
Positive-tone Photoresist for TAB manufacturing and Process on Flexible Substrate
21
AZ P1350系列
应用于光罩制造及光媒介原盘制造的旋涂正型光刻胶
Positive-tone Photoresist for Photo-mask & Stamper of Photo-media by Spin Coating
29
剥离液
Removers for Positive-Tone Photoresist and side-wall polymer
30
产品取用时的注意事项
取用时安全注意事项
小心取用，远离热源，火星，火源。 避免直接接触皮肤及眼睛，避免吸入蒸汽，建议穿戴合适的防护用品。 请储存在原密封的存储容器中，并存放在干燥的暗室中。
High Sensitivity & High Heat Stability g-line Positive-tone Photoresist
6
High Sensitivity & High Adhesion g/i Cross-over Positive-tone Photoresist
7
AZ GXR600系列 AZ 5200E系列
AZ G - 线 光 刻 胶 产 品 蓝 图
AZ I - 线 光 刻 胶 产 品 蓝 图
Critical Dimension (μm)
Photospeed (mj/cm2)
Photospeed (mj/cm2) 4
AZ 1500 系 列 光 刻 胶
g/i/cross-over
高感光度标准G线正型光刻胶
Ultra High Sensitivity Spin Coating Positive-tone Photoresist for Flat Panel Display 24
AZ SFP系列 AZ SR系列
应用于第五代液晶面板制造的旋涂式正型光刻胶
Spin Coat Positive-tone Photoresist for 5th Generation Flat Panel Displays
3.5
Film Thickness (μm) Eth (mj/cm2)
Process Condition
Film Thickness
Substrate Pre-bake Exposure Developing
: 1.5µm (Photo,Left) : 3.0µm (Photo,Right) : Bare-si 4” wafer : 100℃ 90sec.(DHP) : g-line stepper(NA=0.42) : AZ 300MIF(2.3系列 AZ 10XT系列
超厚膜高感光度标准G线正型光刻胶 应用于电镀工艺的超厚膜，高分辨率I线正型光刻胶
Ultra Thick Film High Sensitivity g-line Standard Positive-tone Photoresist 14 Ultra Thick Film High Resolution i-line Standard Positive-tone Photoresist for Plating Process 15
产品特性(PRODUCT PERFORMANCE)
Eth 86msec.
Eop 94msec.(1.1xEth)
耐热性(Thermal Stability) 125℃
5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0
2,000
Spin Curve
3,000
4,000
Spin Speed(rpm)
4.4cP
SAMPLE PROCESS CONDITIONS
Pre-bake Exposure Developing Rinse Post-bake Stripping
: 100℃ 60sec.(DHP) : g-line stepper and/or Contact Aligner : AZ300MIF 23℃ 60sec.Puddle : DI-water 30sec. : 120℃ 120sec.(DHP) : AZ Remover and/or O2 plasma-ashing