250W可控硅逆变器电路图
逆变器的电路图及维修简要
逆变器的电路图及维修简要随着绿色能源可再生能源的大规模开发和利用，太阳能凭借其独特的优点得到了更多的关注。
太阳能是当前世界上最清洁、最现实、大规模开发利用最有前景的可再生能源之一。
其中太阳能光伏利用受到世界各国的普遍关注，而太阳能光伏并网发电是太阳能光伏利用的主要发展趋势，必将得到快速的发展。
本论文就是在此背景下，对太阳能并网发电系统中最大功率跟踪控制技术、并网控制策略、孤岛效应检测方法等进行了研究，具有重要的现实意义。
太阳能光伏并网发电系统的两个核心部分是太阳能电池板的最大功率点跟踪（MPPT）控制和光伏并网逆变控制。
本文重点对光伏发电的逆变器最大功率点跟踪技术、孤岛检测技术以及光伏电站并网控制技术进行了讨论，并且预测了光伏发电技术的发展趋势。
1研究背景传统电能的生产百分之六七十都采用的火电形式，火电是用煤发电，有大量的温室气体和有毒气体产生，这些气体的排放破坏生态平衡，并且全球各国工业对煤、石油、天然气等化石能源的需求量急剧增长，而这些不可再生能源的储量是有限的，越来越少，不该作为燃料耗尽。
太阳能具有分布广泛，资源可再生，易采集，清洁、干净、污染小，建造灵活方便，扩容方便，具有通用性，有可存储性等特点。
太阳能系统可以加入蓄电池储存电能，光伏建筑集成，把太阳能光伏发电系统直接与建筑物相结合，这样能节省发电站使用的土地面积、减少了传输成本。
最后太阳能光伏具有分布式特点，光伏发电系统的分布式特点既可以提高整个能源系统的安全可靠性，特别是从抵御自然灾害和战备的角度看，更具有明显的意义。
2光伏并网发电系统的基本介绍2.1光伏并网发电系统的基本原理太阳能光伏发电并网系统是将太阳能光伏阵列发出的直流电转化为与公共电网电压同频同相的交流电，因此该系统是既能满足本地负载用电又能向公共电网送电。
一般情况下，公共电网系统可看作是容量为无穷大的交流电压源。
当太阳能光伏发电并网系统中太阳能光伏阵列的发电量小于本地负载用电量时，本地负载电力不足部分由公共电网输送供给；当光伏电池阵列的发电量大于本地负载用电量时，太阳能光伏系统将多余的电能输送给公共电网，实现并网发电。
可控硅控制电路图解及制作13例
可控硅控制电路图解及制作13例可控硅是可控硅整流器的简称。
可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。
它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。
单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN 组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
简易单向可控硅12V触摸开关电路触摸一下金属片开，SCR1导通，负载得电工作。
触摸一下金属片关，SCR2导通，继电器J得电工作，K断开，负载失电，SCR2关断后，电容对继电器J放电，维持继电器吸合约4秒钟，故电路动作较为准确。
如果将负载换为继电器，即可控制大电流工作的负载。
可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，活动导入以可控硅实际应用案例的展示，以激发学生的活动兴趣。
可控硅控制电路的制作13例1：可调电压插座电路如图，可用于调温(电烙铁)、调光(灯)、调速(电机)，使用时只要把用电器的插头插入插座即可，十分方便。
V1为双向二极管2CTS，V2为3CTSI双向可控硅，调节RP可使插座上的电压发生变化。
2：简易混合调光器根据电学原理可知，电容器接入正弦交流电路中，电压与电流的最大值在相位上相差90°。
逆变器电气原理接线图
04DC05 黑色 182 cm BVR-1.5(黑)
-DC(铜排):5
04DC06 黑色 200 cm BVR-1.5(黑)
-DC(铜排):6
-X6
10407
20408
-P5
黑色 182 cm
黑色 200 cm
BVR-1.5(黑) BVR-1.5(黑)
PV电压灯板 J1 J2
-U1 功率模块A
P1 P3
0404 黑色 120 cm RVV4*0.3
0405 黑色 120 cm RVV4*0.3
0406 黑色 120 cm RVV4*0.3
-DCS.24 / 7.1 -DCS.-24 / 7.0 -DCS.M / 7.0 -DCS.G / 7.0
-S1
V+ V- M GND
直流电流传感器
+DC(铜排):3
-DW.C(铜排):6
05A04 黑色 174 cm BVR-1.0(黑)
05B04 黑色 174 cm BVR-1.0(黑)
05C04 黑色 174 cm BVR-1.0(黑)
-DW.C(铜排):3
-DW.C(铜排):4
-DW.C(铜排):5
-DW.C(铜排):6
05A09 黑色 54.2 cm BVR-16(黑)
1
2
3
4
5
A
B
C D E
F G
H
I
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
A
B
C
D E
F
G
H
设 计 王佳渊 校 核 袁育新 批 准 马超群
版本 V1.0 日期 2014/8/15
简单可控硅充电机制作四款可控硅充电机电路图详解
简单可控硅充电机制作四款可控硅充电机电路图详解在现代社会中，电器的使用越来越频繁，充电器也成为了我们生活中必不可少的用品之一。
然而，不合格的充电器可能会造成安全事故，使用不当可能会损坏电器，因此对于充电器的制作，我们需要严格遵循相关的规定和标准。
可控硅充电机电路图是充电器制作中常用的一种电路，本文将会介绍四款可控硅充电机电路图的详细制作过程。
一、单管稳压可控硅充电机电路图单管稳压可控硅充电机电路图如下：+---------------------+| |R1 || |+---+ / +------+ /| | \\ | | \\ E1| |_ |/---+ | / MOC3063AC | --/\\/\\/----|VO_____| \\| _|_ |\\---+ | || | | | | | |+---+ C1 | +------+ || |+---------------------+其中，元器件描述如下：•R1：2.2 kΩ 横向，1/4W 金属膜电阻•C1：0.1 μF，250V 陶瓷电容器•MOC3063: 隔离型三端高速可控硅输出光耦，用于隔离控制电路和功率电路。
•VO：触发电压，可根据实际需要进行调整。
在制作单管稳压可控硅充电机电路时，需要注意以下几点：•电阻R1的阻值需根据电源电压和电路电流进行选择，保证可控硅的正向电流灭火电流不小于电路电流（额定载流量）；•需要进行触发电流的选择，尽可能使得触发性能优良，可以选择超过5 mA的稳定电流源。
二、双晶体双向可控硅充电机电路图双晶体双向可控硅充电机电路图如下：+--------------+/ | \\/ *T1 (2N6661) \\/ ,--C1 | C2 --. \\+--|_ / | ,--|+CD---+| | |/ R1 +----|>| (_) | __Load__ +--VAL (AC)--|--+--+-----------<| ( ) +--|______| | | +-------------|<-|+CD---+| \\ || \\ |\\ / / _ \\ R2\\ / --- | /\\/\\/\\/\\----|>| -------+vo DC+\\__________/ |/ |_____ __|______|其中，元器件描述如下：•T1：2N6661 双向隔离型可控硅•R1：2KΩ，1/4W 金属膜电阻•R2：1KΩ，1/2W 碳膜电阻•C1：0.15 μF, 630 版电解电容•C2：0.1 μF, 630 版陶瓷电容在制作双晶体双向可控硅充电机电路时，需要注意以下几点：•确保稳压电源的稳定性，否则会影响充电器的充电效果。
WSM315(可控硅)原理图
0M
-+
M1 AC LS2
A
CN1
CN16
CN13
CN11
CN9
—
LED1
DC
— —
B
A
水水水
R23 470R
CN2
CN1
R21
S7
Title Size A2 Date: File:
基基脉脉 基基脉脉 基基脉脉 基基脉脉 基基基基 基基基基 基基基基 基基基基
有 有 有 有 反无 反无 反 反 反无 反无 反 反
点手手 点手手 点手手 点手手 点氩氩 点氩氩 点氩氩 点氩氩 点点 点点 点点 点点
C15 0.47u R11 10R
C11 0.15u SCR2
14k 45g 13a
80
21 12
R12 10R
19
19
19 T4 6/22
20
X3
C12 0.15u
CN1
AC 13 DC DC
S1(2/2)
13 1
C
19 100V
35
30R/80W 1 18 2 R7 3 34 30R/30W 4 35
黄 清温 黄 清温 黄 清温 黄 清温
红 异异 红 异异 红 异异 红 异异
电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电脉脉脉脉脉 电电基基 电电基基 电电基基 电电基基
清清清清 清清清清 清清清清 清清清清
）（ ）（ ）（ ）（
FNZ-24-250 D
2 39 1
CN6
4 8
MS1
1 2 3 4
FAN
1
2
3
4
5
6
7
8
24
可控硅的工作原理带图
可控硅的工作原理（带图）一．可控硅是可控硅整流器的简称。
它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。
图3-29是它的结构、外形和图形符号。
可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。
当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。
当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。
但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。
加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。
此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。
可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。
就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。
图3-30是可控硅的伏安特性曲线。
图中曲线I为正向阻断特性。
无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折电压(U B0)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。
当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。
曲线Ⅱ为导通工作特性。
可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。
若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I H时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。
曲线Ⅲ为反向阻断特性。
当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。
只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。
正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。
可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。
可控硅逆变器
只用两只可控硅元件，就可制成功率为一百瓦到几千瓦的大功率逆变器。根据选用的可控硅型号，逆变器直 流电源电压额定值可达24V～800V。如果逆变器工作频取不太高，可控硅的关断时间与半个周期相verter）
将直流电源变换成固定频率或频率可调的交流电源的可控硅装置，称为可控硅逆变器。逆变器种类很多，按 不同分法有：有源或无源逆变器，串联或并联逆变器，以及单相或三相逆变器等。它可作为电子设备的电源或应 急电源等。
可控硅逆变器和晶体管变换器不同。可控硅自己不能实现工作状态的转换。它由截止状态转变成导通状态时， 必须要有单独的触发电路触发，而要使可控硅由导通状态转变为截止状态时，也需要有专门的换向元件使可控硅 上的电压反向。这就是可控硅逆变器和晶体管变换器之间的一个重要区别。
在可控硅逆变器中，一般采用换向电容关断可控硅。根据换向电容与负载的接法不同，可控硅逆变器可分为 并联逆变器和串联逆变器两种。其基本电路形式如图1所示。
现在我们把开关1S～6S的工作情况，象万能转换开关一样画出来，如图3中（b）所示，其中有斜线的表示接 通，空白的表示断开，因此按图3中（b）所示的工作状态，可以看出AO、BO、CO各相的相电压。
逆变器原理及电路图
逆变器原理及电路图2009-09-10 21:52场上常见款式车载逆变器产品的主要指标输入电压：DC 10V～14.5V；输出电压：AC 200V～220V±10％；输出频率：50Hz±5％；输出功率：70W ～150W；转换效率：大于85％；逆变工作频率：30kHz～50kHz。
二常见车载逆变器产品的电路图及工作原理目前市场上销售量最大、最常见的车载逆变器的输出功率为70W－150W，逆变器电路中主要采用TL494或KA7500芯片为主的脉宽调制电路。
一款最常见的车载逆变器电路原理图见图1。
车载逆变器的整个电路大体上可分为两大部分，每部分各采用一只TL494或KA7500芯片组成控制电路，其中第一部分电路的作用是将汽车电瓶等提供的12V直流电，通过高频PWM (脉宽调制)开关电源技术转换成30kHz－50kHz、220V左右的交流电；第二部分电路的作用则是利用桥式整流、滤波、脉宽调制及开关功率输出等技术，将30kHz～50kHz、220V左右的交流电转换成50Hz、220V的交流电。
[img]/UploadFiles/200942618167800.jpg[/img]1.车载逆变器电路工作原理图1电路中，由芯片IC1及其外围电路、三极管VT1、VT3、MOS功率管VT2、VT4以及变压器T1组成12V直流变换为220V/50kHz交流的逆变电路。
由芯片IC2及其外围电路、三极管VT5、VT8、MOS功率管VT6、VT7、VT9、VT10以及220V/50kHz整流、滤波电路VD5－VD8、C12等共同组成220V/50kHz高频交流电变换为220V/50Hz工频交流电的转换电路，最后通过XAC插座输出220V/50Hz交流电供各种便携式电器使用。
图1中IC1、IC2采用了TL494CN(或KA7500C)芯片，构成车载逆变器的核心控制电路。
TL494CN是专用的双端式开关电源控制芯片，其尾缀字母CN表示芯片的封装外形为双列直插式塑封结构，工作温度范围为0℃-70℃，极限工作电源电压为7V～40V，最高工作频率为300kHz。