大功率半导体激光器的寿命及可靠性设计研究
半导体激光器可靠性测试流程
半导体激光器可靠性测试流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改，请根据实际需要进行相应的调整和使用，谢谢!并且，本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，如想了解不同资料格式和写法，敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!半导体激光器可靠性测试流程通常包括以下步骤：1. 样品准备选择合适的半导体激光器样品，确保其质量和性能符合要求。
808nm半导体激光器的设计与分析的开题报告
808nm半导体激光器的设计与分析的开题报告
标题：808nm半导体激光器的设计与分析
研究背景：
半导体激光器是一种重要的光学器件，其具有小体积、高效率、可靠性强等优点，在通信、医疗、材料加工等领域得到了广泛应用。
808nm半导体激光器是一种常用的激光器类型，在医疗领域、材料加工等方面有着广泛的应用。
因此对其进行设计与分析具有实际意义。
研究内容：
本文主要研究808nm半导体激光器的设计与分析，其中包括以下几个方面：
1. 808nm半导体激光器的材料选择与制备；
2. 808nm半导体激光器的结构设计；
3. 808nm半导体激光器的电学性能分析；
4. 808nm半导体激光器的光学性能分析；
5. 808nm半导体激光器的性能测试与评估。
研究方法：
本研究将采用理论计算与实验测试相结合的方法，其中理论计算部分主要涉及到材料物理学、激光器理论等方面的知识，在理论计算的基础上进行器件结构设计与电光性能仿真模拟；实验部分将采用光源分析仪、光学显微镜、高速示波器、功率计等仪器进行性能测试与评估。
研究意义：
本研究将对808nm半导体激光器的设计、制备与性能分析进行深入研究，能够为相关领域的研究工作提供一些理论与实践的参考。
同时，
本研究还能够促进半导体激光器技术的发展，为相关领域的发展做出突
出贡献。
关键词：
808nm半导体激光器；材料选择；结构设计；电光性能；性能测试。
gaalas半导体功率放大激光器耦合效率的研究
gaalas半导体功率放大激光器耦合效率的研究在近几年来，Gaalas半导体功率放大激光器已经成为光学领域中应用最广泛的激光器之一，其推出之后，就大大提高了光器件的能效。
在此背景下，对其进行耦合效率的研究变得十分有必要，本文就此课题进行综述。
首先，本文介绍了Gaalas半导体功率放大激光器的结构原理，激光线路设计，传输特性以及发射机制。
Gaalas功率放大激光器具有若干关键特性，包括半导体器件封装和低成本、易于扩展和可靠性高。
它也具有较高的量产能力，可以实现低功耗、高稳定性和可靠性，满足客户对质量的要求。
其次，本文介绍了耦合效率研究的设计方法。
Gaalas半导体功率放大激光器的耦合效率主要取决于激光管距离、腔长、激光泵吸收率以及腔结构等，通过分析和实验，可以对其进行优化，以实现最佳耦合效率。
此外，研究还涉及激光器件表面的表面处理方法，以降低表面反射和提高激光输出功率。
研究表明，随着技术的发展，Gaalas半导体功率放大激光器的耦合效率不断提高，以实现更高的输出功率和更低的成本。
此外，本文还研究了Gaalas功率放大激光器的应用领域，如通信领域、医学领域和照明领域等，以及存在的问题与挑战。
最后，本文介绍了Gaalas半导体功率放大激光器耦合效率研究的结论。
根据研究结果，Gaalas功率放大激光器具有较高的耦合效率，适用于各种应用场合。
此外，该研究结果还提出了未来改进方向，包括全封装技术、噪声抑制和激光器件材料改进等。
综上所述，本文就Gaalas半导体功率放大激光器耦合效率的研究进行了详细的阐述，结果表明Gaalas功率放大激光器具有较高的耦合效率，今后应该继续投入大量的研究资源，以进一步提高其耦合效率，以实现更加优质的应用场景。
《InP基1550nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着信息技术的快速发展，光电子器件在通信、医疗、生物传感器等领域的应用越来越广泛。
作为光电子器件的核心元件之一，半导体激光器在高速、大容量、长距离的光纤通信系统中具有重要地位。
其中，InP基1550 nm半导体激光器因具有低损耗、高带宽、长距离传输等优点，已成为长距离光通信领域的重要器件。
因此，深入研究InP基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能，对于提高其性能、推动其应用具有重要意义。
二、InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计InP基1550 nm半导体激光器的外延结构主要包括有源区、上下波导层和上下包层等部分。
设计合理的外延结构是提高激光器性能的关键。
1. 有源区设计有源区是激光器产生光增益的区域，其材料体系决定了激光器的波长。
InP基材料体系可实现1550 nm波长的激光输出。
有源区通常采用多量子阱（MQW）结构，以提高光增益和降低阈值电流。
在设计中，需要优化量子阱的组分、厚度以及掺杂浓度等参数，以获得最佳的增益性能。
2. 上下波导层设计上下波导层负责将光场限制在有源区内，降低阈值电流和噪声性能。
在设计上下波导层时，需要考虑其折射率、厚度和掺杂等因素。
同时，通过优化波导层的结构，可以进一步提高光场的限制能力，从而提高激光器的光束质量和功率输出。
3. 上下包层设计上下包层用于保护内部结构并减小外部干扰对激光器性能的影响。
在设计中，需要选择合适的材料体系，并优化包层的厚度和折射率等参数，以实现良好的光场限制和保护效果。
三、光电性能研究在完成外延结构设计后，需要对激光器的光电性能进行研究和评估。
这主要包括阈值电流、斜率效率、光束质量等参数的测量和分析。
1. 阈值电流研究阈值电流是激光器的重要参数之一，它决定了激光器产生光增益的最小电流。
通过优化外延结构和掺杂浓度等参数，可以降低阈值电流，提高激光器的性能。
飞顿激光-Alma大功率半导体激光器
探秘大功率半导体激光器半导体激光器以其体积小,电光转换效率高,寿命长等优点在科研、工业、医疗等领域获得了广泛的应用，上世纪九十年代初，欧美等几大公司相继生产出可供商用的半导体激光器，使激光的实际应用价值发生了革命性的进步，在商用大功率半导体激光器的研制、生产制造、工艺技术等关键技术被欧美等几大公司所垄断。
由于其他种类的激光器产生激光的机理过于复杂，使其体积、重量特别大，功耗高等原因，大大限制了激光的应用。
而半导体激光器的出现使这些问题迎刃而解。
随着半导体激光器的技术进一步成熟，其应用领域不断扩大，前景十分广阔。
大功率半导体激光器芯片的制造技术世界上第一只半导体激光器自问世以来，经过几十年来的研究，其制作技术经历了由扩散法到液相外延法，气相外延法，分子束外延法,mocvd 方法(金属有机化合物汽相淀积)，化学束外延以及它们的各种结合型等多种工艺。
其激射阈值电流由几百mA 降到几十mA，直到亚mA，其寿命由几百到几万小时，乃至百万小时；从最初的低温(77k)下运转发展到在常温下连续工作，单个芯片输出功率由几毫瓦提高到数十瓦级，其生产工艺复杂、应用设备多，目前只有欧美等几大公司所掌握。
大功率半导体激光器封装技术大功率半导体激光器的光学特性、输出功率以及可靠性等都与器件的结构、工作温度密切相关。
要实现半导体激光器大功率输出，就必须采用特殊的封装技术将微小的半导体激光器芯片进行线阵列、叠阵组合，要保证激光器有较高的效率, 较好的光谱和较高的输出功率,对大功率半导体激光器的封装技术有更高的要求, 诸如热沉材料选择和结构优化、焊接、冷却及光束整形和光纤耦合等, 从而减小热阻, 降低串联电阻, 提高光谱质量。
它涉及到各种专用设备和工艺，生产条件等诸多因素，目前大功率半导体激光器件输出功率由几瓦提高到数千瓦级。
采用先进冷却技术目前大功率半导体激光器的电光转化效率20-50% , 即有的电功率将转化成热功率。
而半导体激光器的光学特性、输出功率以及可靠性等都与器件的工作温度密切相关。
大功率半导体激光器热沉技术研究
第23期2019年12月No.23December，2019现如今，大功率半导体激光器获得迅速发展，在各种占空比下，其峰值功率越来越高，连续工作时功率越来越大。
改善大功率半导体激光器的散热是提升半导体激光器大功率可靠性与寿命的关键因素之一，并一直是人们关注的焦点之一[1]。
激光器的工作寿命强烈依赖于激光器的工作温度及热阻。
在大功率半导体激光器的商业应用过程中，始终伴随着各种热阻的改善。
本文针对管芯焊接工艺中散热不良的问题，对原有的热沉结构进行改良，设计制备了新型AuSn 材料作为过渡热沉结构。
1 半导体激光器芯片热沉技术芯片焊接是关系半导体激光器电阻特性与热特性的关键工艺，直接影响器件的可靠性和工作寿命。
半导体激光器的散热直接关系到制作半导体激光器性能的好坏和成败。
目前，半导体激光器最主要的散热方式是通过热沉散热。
随着半导体激光器功率的逐渐提高，处于长时间工作状态的激光器对于芯片与热沉之间的热膨胀系数匹配性、导热性、导电性等性能有了进一步要求，激光器芯片与热沉的粘结工艺成为热沉技术的关键。
采用激光器硬焊料成为将来的发展趋势，新型的AuSn （80%Au +20%Sn ）焊料是目前大功率激光器应用的热点，而AuSn 焊料作为过渡热沉，使用时的焊层结构是AuSn 焊料研究中的难点[2]。
现在焊装大功率半导体激光器时采用金锡预成型片（过渡热沉片），预成型片能够确保焊料的精确用量和准确位置，以达到在最低成本情况下获得最佳质量[3]。
2 新型AuSn热沉结构设计在原AuSn 焊接结构基础上，为获得更好的散热效果，对焊接层结构进行了新的设计。
受到欧姆接触工艺研究的启发，在芯片-AuSn-Cu 热沉的焊接层设计中加入了阻挡层Pt/Au 的设计，以免Au 的浸入。
Pt/Au 在其中还起到阻挡Sn 扩散的作用，其具体效果与贴片时选用的温度有关。
经过多次试验调节Au/Pt 的单层厚度和结构，设计出新的AuSn 热沉结构（见图1）。
《InP基1550nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》范文
《InP基1550 nm半导体激光器外延结构设计及其光电性能研究》篇一一、引言随着信息技术的快速发展，光通信技术在长距离、大容量通信系统中发挥着重要作用。
作为光通信系统的核心元件之一，半导体激光器在光电领域得到了广泛的应用。
本文针对InP基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行了深入研究，为进一步优化激光器性能、提升通信系统效率提供理论支持。
二、InP基1550 nm半导体激光器概述InP基1550 nm半导体激光器是一种以InP为基底材料，工作波长为1550 nm的半导体激光器。
由于其具有低损耗、高带宽等优点，在光通信系统中得到了广泛应用。
然而，激光器的性能受外延结构、材料质量、制造工艺等多种因素影响。
因此，对InP 基1550 nm半导体激光器的外延结构设计及其光电性能进行研究具有重要意义。
三、外延结构设计3.1 结构设计思路本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器外延结构，主要考虑了以下几个方面：波导层、有源区、注入区以及电流阻挡层等。
通过优化各层厚度、掺杂浓度及组分等参数，实现激光器的优异性能。
3.2 具体结构设计本结构采用多量子阱（MQW）作为有源区，以提高激光器的增益和光子寿命。
同时，通过引入电流阻挡层，有效控制电流的分布，降低阈值电流密度。
此外，优化波导层的设计，提高光束质量，降低传输损耗。
四、光电性能研究4.1 实验方法本实验采用分子束外延（MBE）技术制备InP基1550 nm半导体激光器外延片，并通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术制备器件。
利用光学测试系统、电流电压测试仪等设备对激光器的光电性能进行测试和分析。
4.2 实验结果与分析（1）阈值电流密度：本研究所设计的InP基1550 nm半导体激光器阈值电流密度较低，表明器件具有较好的电流注入效率。
这主要得益于电流阻挡层的优化设计以及有源区的多量子阱结构。
（2）光束质量：通过优化波导层设计，本激光器具有较低的光束发散角和较小的传输损耗。
大功率半导体激光器合束技术及应用研究
大功率半导体激光器合束技术及应用研究一、概述随着现代科技的飞速发展，大功率半导体激光器在工业加工、医疗、通信等领域的应用愈发广泛，其高效、可靠、体积小的特点使得它在众多领域展现出巨大的潜力。
单个半导体激光器的输出功率往往难以满足实际应用的需求，激光束组合技术应运而生，为提升激光器的输出功率开辟了新的途径。
大功率半导体激光器合束技术，作为一种将多个激光器的输出组合以实现更高功率激光输出的技术手段，正逐渐成为激光技术领域的研究热点。
该技术不仅能够有效提高激光器的输出功率，而且通过优化合束方式，还可以改善光束质量，使激光束更加稳定、均匀。
在实际应用中，大功率半导体激光器合束技术的应用场景十分广泛。
在金属材料焊接、熔覆、表面硬化等工业领域，高功率、高质量的激光束是实现高效加工的关键。
在医疗领域，大功率半导体激光器合束技术也被广泛应用于激光手术、激光治疗等方面，其高精度、高能量的特点为医疗技术的发展提供了有力支持。
1. 半导体激光器的发展历程与现状半导体激光器，作为一种以半导体材料作为工作物质的激光器，自其诞生以来便以其独特的优势在多个领域展现出广泛的应用前景。
从早期的理论探索到如今的成熟应用，半导体激光器的发展历程可谓是波澜壮阔，且不断推动着激光技术的革新与进步。
半导体激光器的早期研究可追溯至上世纪六十年代，当时科学家们开始对半导体材料的激光发射特性进行深入研究。
随着半导体物理和量子理论的不断发展，人们逐渐认识到半导体材料在激光产生方面的巨大潜力。
到了七十年代，随着制造技术的不断进步，半导体激光器开始实现室温下的连续工作，这为其后续的商业化应用奠定了坚实基础。
进入八十年代，随着光纤通信技术的迅猛发展，长波长、长寿命的半导体激光器成为研究热点。
科学家们通过不断优化材料结构和制造工艺，成功研制出了一系列性能优异的半导体激光器，满足了光纤通信对高速、大容量传输的需求。
量子阱激光器的出现，更是为半导体激光器的性能提升开辟了新的道路。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
大功率半导体激光器的寿命与可靠性研究组别：11组员：李硕 11023112孟晓 11023106王乐 11023121李冉 11023111马云霄 11023117吴天宇 11023110目录一、大功率激光器的应用背景 (3)二、半导体激光器的可靠性及寿命 (4)三、大功率半导体激光器寿命的测量方法 (5)3.1 高功率二极管激光器的寿命测量方法 (5)3.1.2寿命测试实验 (6)3.1.3 结论 (7)3.2 焊接应面力对寿命的影响 (8)四、提高大功率半导体器件寿命的使用方法 (8)五、总结 (9)六、组员分工 (9)一、大功率激光器的应用背景随着半导体激光技术的日趋成熟和应用领域的不断扩展，大功率半导体激光器的应用范围已经覆盖了光电子学的诸多领域，成为当今光电子实用器件的核心技术。
由于大功率半导体激光器具有体积小、质量轻、寿命长等优点，广泛应用于民用生产和军事等领域。
近年来，国外大功率半导体激光器的研究进展非常迅速，单条最大连续输出功率已经大于600 W，最高电光转换效率高达72％，单条40-120 W 已经商品化。
相对而言，国内在大功率半导体激光器研究和应用方面虽然起步较晚，但也取得了很大的进展。
大功率半导体激光器是一类用途非常广泛的光电子器件，输出功率可以高达百瓦、千瓦，甚至准连续输出功率达万瓦以上，而且这些器件的能量转换效率可高达50％以上。
半导体激光器相对于其他类型激光器的最大特点就是波长多样性，随着应用领域的不断拓宽，大功率激光器的研究几乎包括整个650-1 700 nm波段。
目前大功率半导体激光器以及大功率半导体激光器泵浦固体激光器在材料加工、激光打标、激光打印、激光扫描、激光测距、激光存储、激光显示，照明、激光医疗等民用领域，以及激光打靶、激光制导、激光夜视、激光武器等军事领域均得到广泛应用。
大功率半导体激光器在材料加工方面的主要应用有：软钎焊、材料表面相变硬化、材料表面熔覆、材料连接、钛合金表面处理、工程材料表面亲润特性改进、激光清洁、辅助机械加工等。
北京工业大学研制了光束整形l 000 W 大功率半导体激光器，用于U74钢轨表面淬火试验。
军事方面的主要应用为：(1)半导体激光制导跟踪。
从制导站激光发射系统按一定规律向空间发射经编码调制的激光束，且光束中心线对准目标；在波束中飞行的导弹，当其位置偏离波束中心时，装在导弹尾部的激光探测器接受到激光信号，经信号处理后，调整导弹的飞行方向，从而实现制导跟踪。
(2)半导体激光雷达。
半导体激光雷达体积小，精度高，具有多种成像功能和实时图像处理功能。
可用于检测目标，测量大气水汽，云层，空气污染等。
(3)半导体激光引信。
通过对激光目标进行探测，对激光回波信息进行处理和计算，判断目标，计算炸点，在最佳位置进行引爆。
(4)激光测距。
半导体激光光源具有隐蔽性，广泛应用在激光夜视仪和激光夜视监测仪。
(5)激光通信光源。
半导体激光器是一种理想光源，具有抗干扰，保密性好等优点。
蓝绿光可用于潜艇和卫星以及航空母舰的通信。
(6)半导体激光武器模拟。
可用于新型军训和演习技术。
此外，半导体激光器还广泛应用在激光瞄准和报警、军用光纤陀螺等方面【1】。
二、半导体激光器的可靠性及寿命为了研究激光器的可靠性,我们采用了恒流老化的方法实验前先将封装好的器件固定在散热片上,放在老化台上进行恒流电老化。
驱动电流为400mA,温度保持在40℃左右,老化期间连续地观测光功率,断电并冷却到25℃进行电导数测试。
测得的大功率半导体激光器的典型曲线如图1.2所示。
老化前1.1 老化后1.2老化96小时1.3 老化320小时1.4 在老化320小时后,光导数曲线和电导数曲线上不仅出现了反向峰爹而且出现了向下的同向峰,反向峰与器件的可靠性关不不大,反向峰主要是由侧向模术智暇孪引起的,我们老化的器件是增益导引型器件,侧向模式的不稳定性会导致,P-I区曲线上出现扭曲。
但如果侧向模式跳变是由激光器的内部缺陷和均匀性差引起起的，那么由此形成的光导数曲线和电导数曲线上的峰将会对器件的可靠性产生影响。
导数曲线上由同向峰的高功率半导体激光器通常是不可靠性器件,主要是由内部缺陷、载流子泄漏和电流泄漏引起的非线性电阻通路作用的结果。
它们对舞件甲-可靠性影响很大,如图1.4所示,这个器件是一只快速退化的器件。
大功率宽条形半导体激光器结面积大,工作电流较高,器件的节温升高大,引起导数曲片上出现峰的因素会因此而加剧,因此,高功率半导体激光器的导数曲线上常有峰出现。
因此,我们可以得出这样一个结论,导数曲线上峰增多以及出现同向峰反映了高功率半导体激光器的退化,老化后,器件在较低的驱动电流下就有峰出现也是器件老化后退化的反映【2】。
高功率半导体激光器的寿命评价面临的难点产品的寿命评价来自于大量的统计数据,然而由于高功率半导体激光器的制作成本相当高,同一批次的器件也相当有限,这就限制了寿命数据的来源。
目前进行的寿命试验大部分都是单条封装的器件,这种试验方案考察不到阵列器件中条与条之间的相互影响,不能反映多条阵列封装器件寿命。
由于高功率半导体激光器热负载非常大,所以要保证其工作温度的稳定性也较困难,产品的寿命和温度是密切相关的,即使有很小的温度波动都会影响试验结果。
目前高功率阵列器件都采用微通道板的主动冷却方式。
在上千小时的寿命试验过程中进行数据的精确测量必须保证测量仪器稳定在0. 1% /1 000 h以内。
大部分情况下,在数千小时的试验中出现断电不可避免,而对高功率激光器来说电池组又不切实际,所以整个系统要保证断电不对激光器造成损伤,而且能够在短时间内继续运行。
高功率半导体激光器寿命评价方面还没有具体可行的标准,有关标准只有ISO17526-2003,且只规定了概念框架。
目前还没有切实可行的较短时间寿命评价方法,较常用的是利用功率-时间试验曲线进行寿命外推,但外推寿命通常不能超过实际试验时间的5倍,这对于寿命大约为10 000 h的器件,利用外推法进行寿命试验的最短时间也要在2 000 h甚至更高,这对实际试验来说显得非常长,因此寻求切实可行的加速寿命试验非常重要【3】。
三、大功率半导体激光器寿命的测量方法3.1 高功率二极管激光器的寿命测量方法3.1.1 理论方法对于高功率二极管激光器还没有标准的方法对其寿命进行测试，根据器件的退化率外推和加速老化寿命测试是电子器件进行可靠性鉴定的两种不同的模式。
目前，国际上普遍采用两种外推方法进行寿命检测：一种方法是固定电源的驱动电流，测量功率随时间的变化情况，规定激光输出功率下降20 的时间作为激光器的有效使用寿命∞；另一种方法是激光输出功率一定的情况下，电流随时间的变化情况，规定工作电流上升20的时间作为激光器的寿命。
退化率外推法测试寿命是微电子产品常用的方法，激光二极管的退化与其类似，国外许多大公司也采用这种方法测试寿命，根据使用情况和需要，我们主要采用恒定电流外推的模式。
工作时间为t时的激光输出功率与工作电流间的关系为式中：P(t)为t时刻的激光输出功率；η(t)为斜效率；Ith为阈值电流；I是工作电流；α为退化因子(α一0．8)；带有0下标的为激光器起始运行时的参量，t下标为运行到t时刻的参数。
当激光器运行一段时间，其输出功率和斜效率就会下降，阈值电流随之升高。
近年来高功率激光二极管发展很快，连续激光器的寿命已由原来的几百小时提升为上万小时，若耗费上万小时来测试其寿命，这样的实验是不经济的，只有通过其他的途径进行寿命测试。
这样就引入了退化率的概念，退化率是指激光器功率的退化量随时间的变化速率。
而激光器的寿命就可以通过退化率的曲线分布得出，退化率和激光器寿命的关系为通过对器件工作时间的测量进行线性拟合，得出器件的退化率，利用退化率外推出器件的实际寿命。
3.1.2寿命测试实验激光二极管的寿命测试分为两个方面进行，一方面冷却水温设为20℃测试，另一种是实际应用的温度条件下进行寿命测试。
为了达到理想的实验条件，测试在千级洁净环境下进行，选用德国GmbH 公司的bs81—6型芯片进行封装测试。
由于高功率激光器具有很高的热载，为了使其均匀散热和提高散热效果，激光器芯片P面向下焊接在一块25mm×25mm ×7．5mm 的铜热沉上，然后将热沉用导热脂粘接在铜微通道水冷器上。
冷却水在0．15MPa 下流量为300ml／min，封装结构的热阻对腔长600／~m为0．58℃／w。
这一封装结构的线阵激光器的峰值功率为90～100W，占空比l0 (500Hz，200／~s)，芯片激活区的填充因子为50 。
图l为进行寿命测试的激光器所对应的P-I—V曲线(500Hz，200／~s)，从图中(图中02A—X为激光器编号)可以看出激光器的阈值均为l8A左右，斜效率分别为1．15，1．168，1．167，1．17，1．168w／A。
实际应用中，由于激光晶体的吸收波长为808nm，当界面热阻设计为0．9℃／w 时，芯片在水温l8℃的波长为804nm，中心波长随水温的漂移为0．24nm／℃。
因此，工作水温设置为35℃，水冷器在0．15MPa下流量为300ml／min时，激光器才可在工作电流90A，占空比l0 (400Hz，250／~s)的情况下有效运行。
图2显示了实际工作条件下，激光器的P-I —V曲线，器件的阈值电流为18．5A，略高于图l中的阈值电流值，这主要是由于界面热阻和工作温度的提高，使得激光二极管的结温高达55℃左右，超出了激光二极管的正常运行温度，造成了激光器阈值增加，功率降低。
3.1.3 结论在20℃下，对5个准连续激光器进行寿命测试，测试电流均为90A，占空比为l0 (500Hz，200／~s)，初始输出的光功率分别为92.3，91.8，91.7，91.3，85W。
经过612h(大于等于l_l ×l0。
次)的连续测试，激光功率平均下降9．25W，其中4个激光器随着时间的推移逐步退化，另一个激光器受焊接面应力影响而失效。
通过线性拟合可得出器件的退化率s。
分别为7.53，8.26，8.35，9 .62W／10。
次，可推算出激光器寿命。
水温20℃条件与使用温度条件下相比有一定的差别，对封装的3个泵浦单元线阵激光器测试结果显示，激光器在水温35℃，占空比l0 (400Hz，250／~s)的条件下，初始输出的光功率分别为87，86.6，85.2W。
经过440h(大于等于0.64×10。
次)的连续测试，激光功率平均下降6.7W。
3个激光器随着时间的推移逐步退化，通过线性拟合可得出器件的退化率分别为12.15，8.84，10.89w／10。
可推算出激光器寿命。
相同占空比下，由于受到温度应力的影响，当t一35℃时，激光器运行的平均寿命1.65×10。