大功率半导体激光器的阵列化技术

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大功率半导体激光器阵列光束准直技术研究的开题报告

大功率半导体激光器阵列光束准直技术研究的开题报告

大功率半导体激光器阵列光束准直技术研究的开题报告一、研究背景和意义随着现代科技的不断发展,半导体激光器在生物医疗、材料加工、通信等领域得到了广泛应用。

与传统的氦氖激光器相比,半导体激光器具有体积小、功率密度高、效率高等优点。

但是,半导体激光器的横向模式耦合效应严重,其光束存在较大的散角,从而限制了其在实际应用中的使用。

因此,如何准确地控制激光器的光束,是当前半导体激光器技术下一步研究的重点之一。

本文将围绕如何实现大功率半导体激光器阵列光束准直展开研究。

通过对光束准直技术的研究,可以有效地提高半导体激光器的输出功率和光束质量,从而拓宽其应用领域和市场。

二、研究内容和方法本文将分为以下几个方面进行研究:1. 大功率半导体激光器的横向模式耦合效应分析。

首先,对半导体激光器的基本结构和工作原理进行简要介绍,然后对其横向模式耦合效应进行分析。

2. 光束扩束的原理及技术。

详细介绍光束扩束的原理和常用技术,包括衍射光学、折射光学、共轭光学和放大光学等。

3. 光束准直的实现方法。

在分析了光束扩束技术后,本文将介绍针对大功率半导体激光器阵列光束准直的实现方法。

主要包括基于光学元件和基于光学系统的方法。

4. 数值模拟与实验验证。

采用有限元分析法对光束准直技术进行数值模拟,并进行相应的实验验证。

通过比较数值模拟结果和实验结果,确保光束准直技术的可靠性和实用性。

三、预期成果和意义通过对大功率半导体激光器阵列光束准直技术的深入研究,可以提高半导体激光器的输出功率和光束质量,拓宽其应用领域和市场。

同时,该研究也将对光学仪器的设计和制造提供参考和借鉴。

预期成果包括理论分析和实验验证两个方面。

理论分析将揭示大功率半导体激光器阵列光束准直的技术原理和关键因素,为其实验验证提供理论支持。

实验验证将验证光束准直技术的可行性和有效性,验证结果将反馈到理论分析中,以修正和完善相关理论。

大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究

大功率半导体激光器线阵列电流扩展的研究

用 , 行材料 加工 、 进 微处 理 、 热处 理 、 打标 等 , 同时 它在 医疗 和光 通信 等领 域也 得到 了广泛 的应用 L ] 1 。随着 实 际 工程 的发展 , 要求 大功 率半 导体 激 光器 的输 出功率 越 来越 高 , 大功 率半 导体激 光器 阵列 ( 括线 阵列 ) 包 已成为 发
图 1 半 导 体 激 光器 线 阵列 结 构示 意 图
条形 激光 器 中的总 电流 . 分 为 . 和 . 两 部分 , 图 2 示 。 厂 厂 。 厂 。 如 所
J 一 J - 2 。4 J - J 。一 、
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收 稿 日期 :0 61 —9 修 订 日期 :0 70 —9 2 0 —10 ; 2 0 —31 基 金 项 目: 国家 9 3计 划 项 目资 助 课 题 ( 0 6 B 0 9 2 ; 家 自然 科 学 基 金 资 助 课 题 ( 0 0 0 9 ; 7 20C 640)国 6 4 7 0 ) 北京 自然科 学 基 金 资 助课 题 ( 0 20 ) 4 30 7 ; 北 京 市人 才 强 教 计 划 项 目资 助 课 题 ( 5 0 0 5 0 5 4 } 京 工 业 大 学 博 士 启 动 基 金 项 目资 助 课 题 ( z2 4 03 7 0021200)北 kO O 2 O8 ) 作者简介 : 张 楠 (9 2 ) 女 , 士 , 事 大 功 率 半 导 体 激 光 器 阵 列 的设 计 与 研 制 ;itl a y h o cm. n 18 一 , 硕 从 nai @ a o .o c 。 n
文 章 编 号 : 10 —3 2 2 0 )40 2 —4 0 1 2 ( 0 7 0 — 5 90 4
大 功 率 半 导 体 激 光 器 线 阵 列 电流 扩 展 的研 究

高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术

高功率半导体激光器线阵列的波长锁定技术
皮 浩 洋 , 国锋 , 辛 程 灿 , 荣辉 , 瞿 方祖 捷 , 高 庭 陈
( 国科 学 院 上 海 光 学精 密 机 械 研 究 所 , 海 2 1 0 ) 中 上 0 8 0 摘 要: 高功 率 半 导 体 激 光 器 光 谱 随 温 度 和 工 作 电 流 的 变化 比 较 大 , 谱 线 宽 比较 宽 , 些 缺 点 光 这 直 接 限 制 了其 实 际应 用 。因此 , 功 率 半 导 体 激 光 器 波 长 稳 定 技 术 的 研 究 是 激 光领 域 的 一 个 重要 研 究 高 方 向 。 波 长 稳 定技 术 进 行 研 究 。 验 用 体 布 拉 格 光 栅 ( G 作 为 反 馈 元 件 与 高 功 率 半 导 体 激 光 器 线 对 实 VB ) 阵 列 , 成 可 以 对 其 波 长 进 行 锁 定 的 外 腔 激 光 器 。 析 了外 腔 激 光 器 的 波 长 锁 定 效 果 与 高 功 率 半 导 体 构 分
W a ee t o ke i h po r s m io uc o a e i a r a v lng h l c d h g we e c nd t r l s r lne r a r y
PIH a ya ,XI Guo-e g, o- ng N f n CH EN G n, Ca QU Ro gh iF NG Z -e C N Ga -n n -u, A uj , HE ot g i i
c r e t a d h be m q lt i p r Th r f e r s a c o t e he m a c a a t r si s n u r n , n t e a uaiy s oo . e e or , e e r h n h t r l h r c e itc a d wa e e g h s a lz to fHPLD c m e e o he m o ti p r a o c n t e fed. n e e na v l n t t bii a i n o be o son ft s m o t ntt pi si h i l A xt r l c v t l s r wa bu l u i g Vol m e Br gg Gr tn a f e a k e e e t a d hi h p a iy a e s it s n u a aig s e db c l m n n g owe r s m i o d t rln a ra o l c tS si ul t d wa e e t .Th e a i s i s a a y e m o g e c n uc o i e r a r y t o k i tm a e v l ng h e r l ton h p wa n l z d a n

大功率半导体激光合束进展

大功率半导体激光合束进展

大功率半导体激光合束进展
近年来,大功率半导体激光合束技术得到了快速发展,已经成为激光
技术中的重要研究领域。

合束是将多个激光束汇聚在一起形成单一的激光
束的过程,可以提高激光的功率密度和光斑质量,并且可以广泛应用于医疗、材料加工和通信等领域。

另一种方法是使用自适应光学元件来实现大功率半导体激光合束。


适应光学元件是一种具有自动调节功能的光学元件,可以根据光场的波前
变化自动调节其形状和相位。

这种方法可以实现实时调节并提高激光束的
质量。

此外,还有一些新型的大功率半导体激光合束技术正在研究和发展中。

例如,研究人员正在研究基于相控阵的激光合束技术,通过控制相控阵中
的相位和幅度来实现合束效果。

这种方法可以实现高效的激光合束,并且
对光斑形状和分布可以进行自由调节。

总之,大功率半导体激光合束技术在近年来取得了很大的进展,新型
的合束技术的出现为激光技术的应用带来了新的机遇。

随着技术的不断发展,大功率半导体激光合束技术的性能将会进一步提高,应用领域也将会
更加广泛。

大功率半导体激光器的发展介绍

大功率半导体激光器的发展介绍

大功率半导体激光器的发展介绍激光打标机、激光切割机、激光焊接机等等激光设备中激光器起着举足轻重的地位,在激光器的发展历程中,半导体激光器的发展尤为重要,材料加工用激光器主要要满足高功率和高光束质量,所以为了提高大功率半导体激光器的输出功率,可以将十几个或几十个单管激光器芯片集成封装、形成激光器巴条,将多个巴条堆叠起来可形成激光器二维叠阵,激光器叠阵的光功率可以达到千瓦级甚至更高。

但是随着半导体激光器条数的增加,其光束质量将会下降。

另外,半导体激光器结构的特殊性决定了其快、慢轴光束质量不一致:快轴的光束质量接近衍射极限,而慢轴的光束质量却比较差,这使得半导体激光器在工业应用中受到了很大的限制。

要实现高质量、宽范围的激光加工,激光器必须同时满足高功率和高光束质量。

因此,现在发达国家均将研究开发新型高功率、高光束质量的大功率半导体激光器作为一个重要研究方向,以满足要求更高激光功率密度的激光材料加工应用的需求。

大功率半导体激光器的关键技术包括半导体激光芯片外延生长技术、半导体激光芯片的封装和光学准直、激光光束整形技术和激光器集成技术。

(1)半导体激光芯片外延生长技术大功率半导体激光器的发展与其外延芯片结构的研究设计紧密相关。

近年来,美、德等国家在此方面投入巨大,并取得了重大进展,处于世界领先地位。

首先,应变量子阱结构的采用,提高了大功率半导体激光器的光电性能,降低了器件的阈值电流密度,并扩展了GaAs基材料系的发射波长覆盖范围。

其次,采用无铝有源区提高了激光芯片端面光学灾变损伤光功率密度,从而提高了器件的输出功率,并增加了器件的使用寿命。

再者,采用宽波导大光腔结构增加了光束近场模式的尺寸,减小了输出光功率密度,从而增加了输出功率,并延长了器件寿命。

目前,商品化的半导体激光芯片的电光转换效率已达到60%,实验室中的电光转换效率已超过70%,预计在不久的将来,半导体激光器芯片的电光转换效率能达到85%以上。

大功率半导体激光阵列光束整形及光纤耦合技术研究的开题报告

大功率半导体激光阵列光束整形及光纤耦合技术研究的开题报告

大功率半导体激光阵列光束整形及光纤耦合技术研究的开题报告一、选题背景及意义激光器作为一种光源,在生产、医疗、通信等领域具有广泛的应用。

而大功率半导体激光器是近年来发展最快的一类半导体激光器之一,其在材料加工、激光雷达、光通信等领域的应用越来越广泛。

但是,由于其输出光束质量较差、发散角度大等缺点,导致其无法直接应用于某些领域,因此需要通过光束整形和光纤耦合等技术来对其进行优化和改善。

本研究旨在探究大功率半导体激光阵列光束整形及光纤耦合技术,对于大功率半导体激光器的发展和应用具有重要的意义。

二、研究内容本研究将从以下几个方面展开:1.大功率半导体激光器的工作原理及特点分析:包括大功率半导体激光器的发展历程、结构特点、工作原理等方面的分析,为后续光束整形和光纤耦合的研究奠定基础。

2.大功率半导体激光阵列光束整形技术研究:通过利用光学元件对大功率半导体激光器的输出光束进行形变,以达到光束质量的改善,具体包括衍射、衍射光栅、透镜、衍射镜等光学整形元件的研究和设计。

3.大功率半导体激光光纤耦合技术研究:采用不同的光纤耦合方式,如望远镜式耦合、微透镜阵列耦合等方式,探究如何将大功率半导体激光器的光束传输到光纤中,并使其达到高效率、高质量的耦合。

4.实验验证:通过自行搭建实验平台进行实验验证,验证以上两种技术的有效性和可行性,以及对大功率半导体激光器输出光束质量的改善程度进行测量和分析。

三、研究目的和意义本研究旨在探究大功率半导体激光阵列光束整形及光纤耦合技术,具体目的如下:1. 研究大功率半导体激光器光束整形及光纤耦合技术,提高大功率半导体激光器的发光效率和输出光束的质量,为其广泛应用于生产、医疗、军事领域等提供技术支持。

2. 通过对大功率半导体激光器的结构、工作原理及特点等方面的认识,为其更好的应用和发展提供支持,对于推动我国高科技领域的发展和产业升级有着重要意义。

3. 通过自行搭建实验平台进行实验验证,验证以上两种技术的有效性和可行性,为商业化应用提供可靠的技术支持,同时为后续相关研究提供实验数据和技术参考。

高功率半导体激光面阵光束整形技术的研究


1
单管的功率已经不能满足人们的需求,这时出现了半导体激光器阵列技术。按照其结 构特点可以分为如下 3 种[6-9]: (1) 单元阵列式半导体激光器 单元阵列式半导体激光器,是将多个单条二极管耦合起来,并联集成在同一半导 体衬底上,增加有源区的宽度,从而提高输出功率。每个单片半导体激光器的间距大 约在 5-10µm。单元阵列式半导体激光器的结构示意图如图 1-1 所示。据报道,国外该 产品的输出功率达到了 8W,国内为 3W。
单个发光区
单元列阵
图 1-2
一维线阵列半导体激光器
(3) 二维面阵列半导体激光器 二维面阵列半导体激光器是采用层叠方式,在垂直方向上将一维线列阵堆积叠加 起来构成,一般是由多个激光二极管线阵根据泵浦结构、泵浦功率和封装工艺等要求 按照一定的排列方式堆叠而成,发光面积增大,获得更高的功率,如图 1-3 所示。这 种器件的输出功率已经达到了 1000W 以上。
II
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究 成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体 已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中以 明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。
学位论文作者签名: 日期: 年 月 日
(请在以上方框内打“√”)
学位论文作者签名: 日期: 年 月 日
指导教师签名: 日期: 年 月 日
1
1.1 半导体激光器的发展及应用
1.1.1 半导体激光器的发展
绪论
自世界上第一台半导体激光器诞生以来,半导体激光器发生了突飞猛进的变化。 纵观半导体激光器的发展历史,半导体激光器的发展大概经历了三个阶段[1-5]。 第一阶段是 20 世纪 60 年代初期产生的同质结型半导体激光器, 它是在一种在 PN 结材料上制作的二极管。这是一种只能在液氮或更低温度下,以脉冲形式工作的半导 体激光器,并且这种激光器发生受激发射时,要求很高的阈值电流密度。 第二个阶段是异质结半导体激光器,它的有源层是由两种不同带隙的半导体材料 薄层构成的。由于同质结激光器不能实现低阈值电流和实现室温连续工作。1967 年, IBM 公司的伍德尔一反过去用扩散法形成同质 PN 结的惯例,而用液相外延法制成了 单异质结激光器,实现了半导体激光器在室温下工作。但单异质结激光器只能在室温 下脉冲工作,仍不能在室温下连续工作。 后来在单异质结激光器的基础上发展了能在室温下连续工作的双异质结半导体激 光器。双异质结的优点主要在于:(1) 通过构成波导,更有效地限制激光模式。(2) 减 少了有源区的侧向尺寸, 使有源层产生的热量能够更迅速的散失。异质结激光器(DHL) 的诞生使可用波段不断拓宽,线宽和调谐性能逐步提高。 第三个阶段是量子阱半导体激光器,它采用了量子阱(QW)、应变量子阱(SL-QW) 新结构材料作为激活层。这种新的 LD 有源层结构解决了因电流的注入产生的焦耳热 使 PN 结温升高、促使元件性能恶化等问题。量子阱半导体激光器与双异质结(DH)激 光器相比,具有阈值电流低、输出功率高、频率响应好、光谱线窄、温度稳定性好和 较高的电光转换效率等许多优点。 随着半导体激光器制造工艺的不断提高和改进,半导体激光器从最初的低温下脉 冲工作发展到室温下连续工作,激光器有源层的结构从同质结发展成单异质结、双异 质结、量子阱(单、多量子阱)等。目前,单管的功率已经由最初的几毫瓦提高到几瓦, 但随着半导体激光器越来越广泛的应用,人们对于激光器输出功率的要求越来越高,

大功率半导体激光器合束技术及应用研究

大功率半导体激光束组合技术及其应用研究1.本文概述随着现代技术的发展,大功率半导体激光器在工业加工、医疗、通信等领域显示出巨大的潜力。

单个半导体激光器的输出功率往往难以满足这些领域的需求。

为此,出现了激光束组合技术,该技术将多个激光器的输出组合以实现更高功率的激光输出。

本文主要对大功率半导体激光器的合束技术进行了深入的研究和探索,分析了各种合束技术的原理、特点和应用场景,并对这些技术的未来发展进行了展望。

通过本研究,旨在为大功率半导体激光器的应用提供理论支持和实践指导,促进相关领域的技术进步。

2.半导体激光器的基本理论半导体激光器作为一种重要的光电子器件,其基本理论主要基于固态物理和量子力学。

半导体材料中的电子在受到光和电等外部刺激时会从低能级转变为高能级,形成非平衡电荷载流子。

当这些非平衡载流子通过辐射重新组合并返回到较低的能级时,它们会释放光子,产生激光。

半导体激光器的核心结构包括PN结,其中P型和N型半导体通过扩散形成PN结。

在PN结中,电子和空穴复合并释放能量。

当这种能量以光的形式释放时,就会形成激光。

激光的产生需要三个基本条件:粒子数反转、增益大于损耗和谐振腔的反馈效应。

粒子反转是指在较高能级上的粒子比在较低能级上的多的现象,这是产生激光的先决条件。

大于损耗的增益确保了光在谐振腔中的连续放大。

谐振腔的反馈效应使光在腔内多次反射和放大,最终形成高强度的激光输出。

半导体激光器的波长取决于其活性材料的能带结构。

通过选择不同的半导体材料或调整其组成,可以实现不同波长的激光输出。

通过改变谐振腔的结构和尺寸,还可以控制激光器的波长和输出特性。

在实际应用中,半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高、可靠性好的优点,已广泛应用于通信、工业加工、医疗等领域。

随着技术的进步,半导体激光器将在更多的领域发挥重要作用。

3.激光光束组合技术原理高功率半导体激光束组合技术是将多个激光器的输出组合成一个高功率激光输出的技术。

高功率半导体激光器阵列及其应用

光 束质 量 的整形 技术 。由于高 功率半 导体 激 光 器 二维 迭 阵的 光功 率 密 度 低 , 能 直 接 应 用 , 要 一 个 复 不 需
杂 的光耦合系统将激射激光聚焦于一点。现对激光器阵列条 , 高功率半 导体激光器阵列 的散热技术 , 高
功 率半 导体 激 光器 光耦合 等 进行介 绍 。
中图分 类号 : N 3 5 T 6
文献 标识 码 : A
半 导体激 光 器 已成 为 当今光 电子科 学 的核 心 技 术 , 年 的 市 场 容量 成 倍 增 加 , 其 是 高 功 率半 导体 每 尤 激光 器 阵列 因其 高 的输 出功率 、 高效 率 、 稳 定 性 和 小体 积 而 在 通讯 、 高 医疗 、 材料 处 理 和军 事 等 领 域 得 到 广 泛应 用 。 目前 国 际上高 功率半 导 体激 光器 准连 续 ( C 二 维列 阵器 件输 出功 率达 k 级 , Q W) W 线阵 器 件连 续 ( W ) 出达数 l , C 输 Ow 欧美 和亚 洲 的 日本 在这 方 面 的研究 处 于领先 地位 , 如美 国的 C hrn、 oeetI S L、 MC、D
研 究 中所 面 临的 关键 性技 术 问题—— 半 导体 激 光 器 阵列 条 、 高功 率 半导 体 激光 器阵 列 的散 热 技 术及 其光耦 合技 术 , 出降低 半 导体激 光 器 的生产 成本 是提 高我 国国 际竞争 力的 重要 手段 。 指
关键 词 : 激光 器 阵列 ; 热 ; 通道 热 沉 ; 散 微 光耦 合
列 条 的输 出功 率 , 要尽 可能 提高 单 位 阵列 条 的发 光 比例 。阵列 条 长 度 的选 取 可根 据 实 际 需 要 来 决定 , 就 当前 主要 有 1 和 1 m 两种 长度 , 1 m 的激 光 条使 用 更 多 。每一 个 激射 单 元 的宽 度 大 约 在 6 0mm 8m 而 0m 0

大功率半导体激光器阵列光束整形新进展----文献


轴)上的发散角很大且不对称, 快轴方向发散角一般
为 36°~40°( 半 峰 全 宽) , 慢 轴 方 向 一 般 为 8°~12°( 半 峰
全宽); 快轴方向光束质量接近衍射极限, 为基横模高
斯分布, 慢轴方向光束质量极差, 为多模厄米- 高斯分
布。
LDA 激 光 束 的 光 束 质 量 一 般 采 用 光 束 质 量 因 子
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综合评述 | 激光技术 REVIEW
点在于第二部分, 其设计前提为准平行光入射, 讨论 重 点 是 LDA 光 功 率 密 度 的 改 善 。
光 束 整 形 的 关 键 技 术 主 要 包 括 : 1) 由 于 LDA 光 束在快轴方向上的发散角很大, 用于准直快轴发散角 的 微 柱 透 镜 的 数 值 孔 径 必 须 很 大 , 同 时 微 透 镜 与 LDA 的几何尺寸及两者之间的距离都很小, 因此微柱透镜 的 设 计 、加 工 、安 装 和 调 整 都 非 常 关 键 ; 2) LDA 光 束 为多模分布, 回旋对称性较差, 整形的同时保证效率 难度很大; 3) 在需要将光束耦合进光纤的应 用中, 为 提高耦合效率, 必须使整形之后光束的光束质量因子 小于光纤的光束质量因子; 4) 在特殊应用场所, 必须 设 计 LDA 光 束 整 形 器 使 其 得 到 特 殊 光 场 分 布 。
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激光与光电子学进展 2001 年第 8 期 (总第 428 期)
31
大功率半导体激光器的阵列化技术
1 引言
激光二极管随着大功率化发展, 除通信 及信息记录外, 还在打印和显示、材料加工、 医疗等许多领域使用。 最近大功率激光二极 管的件数和论文数急剧增加, 在市场上销售 大功率激光二极管的生产厂家数量增加、从 产品的水平也可看到飞跃发展的大功率化、 大规模化。
发了发光面积 10 mm ×418 mm 的大规模的 803 nm 激光二极管阵列。效率为 012% 时最 大功率为 100 kW 以上, 最大功率密度达到 2175 kW cm 2。
表 1 样品目录中选出的 807 nm 附近连续波激光二极管条和激光二极管阵列特性
每条输出功率 转换效率
阈值电流
工作电流
激光二极管条的冷却技术有热容量大的 散热器放散热量的被动冷却和流动冷却水带 走容器里热能的主动冷却。 在平均功率密度
激光与光电子学进展 2001 年第 8 期 (总第 428 期)
33
高的二元激光二极管阵列中主动冷却必不可 少, 各种水冷容器已有报导, 构造上大致可分 像图 3 那样用热传递法水冷二元激光二极管 阵列背面来冷却激光二极管条和冷却水在激
堆积条数 堆积层高度 输出功率
(W )
(% )
(A )
(A )50ຫໍສະໝຸດ 1959(mm )
密度 (W cm 2)
25
1175
286
40
42
17
54
25
≥35
< 12
40
25
1175
229
30
117
147
20
40
7
25
12
116
118
20
43
27
12
40
45
10
46
30
42
9
38
30
> 35
表 2 样品目录中选出的 807 nm 附近准连续波激光二极管条和激光二极管阵列特性
散, 因而提高了冷却特性。报导说每台冷却器 在 012 l m in 的流量时热阻抗为 014~ 016 K W 。图 7 是喷流冷却方式水冷容器的概念 图。冷却水从下部横向流入, 通过设在激光二 极管条正下方的孔喷水来冷却。 为提高热交 换, 在水喷到处设计成凹凸形, 其热阻抗是 0143 K W , 其它详情不明。还有报导说使用 有孔的金属得到 0119 k W 的阻抗。 312 二维激光二极管阵列
表 1 是从各公司样本及产品说明书中选 出、在 807 nm 附近的连续波二维激光二极 管阵列和激光二极管条的数据。 记载堆积层 数的是二维激光二极管阵列的数据。 光功率 密度通过每根激光二极管条的光功率除以堆 积密度来大致求得。 表 1 的数据还包括小部 分旧数据和初步结果。
表 2 汇总 807 nm 附近准连续波二维激
激光与光电子学进展 2001 年第 8 期 (总第 428 期)
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光二极管阵列和激光二极管条的数据。 数据 的出处和表 1 的相同。 为了提高最大功率密 度, 堆积间距需变小。近来已开发激励N d 玻 璃板上堆积 25 层×40 排、共用 1000 根的激 光二极管条的大规模激光二极管阵列, 还开
特殊场合多个激光二极管条不是介于受 热器间而是直接重叠构造的激光二极管阵列 也有报道。从 916 mm ×019 mm 的发光面积 输出最大光功率 1 kW 、808 mm 的准连续激 光, 最大功率密度达 10 kW cm 2。 因为激光 二极管条放热困难, 标准驱动条件限于效率 013%~ 014% , 最大脉冲宽度 400~ 500 Λs。 最近还有报导说, 差向异构体晶片层构造中 激光二极管层由多段组成, 3 段构成的激光 二极管条效率 20% , 得到准连续波功率 200 W , 寿命也在 103 小时左右。 311 激光二极管条的冷却技术
用 10 根到数十根激光条堆积起来的激 光二极管阵列已有销售, 经过复数配列, 这种 激光二极管阵列可以实现更大规模的二维激 光二极管阵列。 图 8 是市售的一种激光二极 管阵列。 这种阵列堆积 12 根激光条, 可得到 480 W 的连续波功率。
图 7 采用小孔喷水的冷却器组件, (a) 侧视图; (b) 顶视图
作为大功率半导体激光阵列化技术, 本 文对激光二极管阵列的构造、激光二极管阵 列的冷却技术、已知激光二极管阵列性能等 作介绍。
2 大功率半导体激光阵列
使用最多的激光二极管阵列的构造如图
收稿日期: 2000—12—08
1、把宽展条幅激光二极管作为整体阵列化激 光棒 (激光二极管棒) 幅度通常 1 cm 左右。对 于激光二极管棒全体, 条幅区间占有比例 (= 条宽×条数×激光二极管棒宽) 称为“占空因 数”或“充填密度”。激光二极管棒的功率受到 射出端面的不可逆光学损伤和热饱和限制。 而且, 连续波激光二极管棒从抑制热的发生 密 度 意 义 上 说, 占 空 因 数 很 多 是 30%~ 50%。 另一方面数百微秒的脉冲幅中驱动连 续波激光二极管棒, 为得到 100 W 级的高峰 值功率, 占空因数都设计在 75% 以上。
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激光与光电子学进展 2001 年第 8 期 (总第 428 期)
售。准连续波时峰值功率达 100W , 而且这些 激光二极管阵列中, 各发射器发射的辐射相 位并非一致, 但用于固体激光激励等场合不 成问题。 前面装有圆筒状微型透镜的激光二 极管条也有销售。
一方面, 在同一基板上缩小了条幅区波 导的间隔, 使相邻波导的光电界位相一致, 在 时间、空间上保持一定位相关系, 这种激光二 极管阵列称作锁相激光列阵。由N 个导波路 组成阵列的场合, 在弱结合场含有 N 个阵列 方式; 强结合的场合, 各波导即使满足了基本 方式, 由于允许一次方式, 可有 2N 个阵列方 式存在。N 个方式中, 波导间的位相一致状 态的方式和成为 0°位相方式时能得到的几 乎是单峰的远场花样。另一方面, 相同波导间 远场花样的位相相差 180°, 称为 180°位相方 式, 远场花样表示出双峰。通常的 ROW 构造 阵列中, 180°位相方式容易振荡。为了实现单 峰辐射, 在波导区域提高实效折射率。如图 2 所示, 已开发 N 个波导间隔 s 进行配列时, 0° 位相方式的平行方向广角近似在幅度 N × s 的光隙上回折光的广角 (ΚN s) 造成。 但是 报道的广角很多是它的 2~ 3 倍, 这是复数阵 列方式重迭造成的。
图 4 微通道冷却组件。(a) 插入的硼硅酸盐玻 璃夹在两个蚀刻的硅片、多管层与微通道 层间; (b) 将以激光切割出的五个铜层花 样组合在一起
图 5 含有三层微通道冷却组件的剖面图
需的流速下降, 压力损失也减少, 对于对重量 和体积限制很严格的装置来说是有利的。 热 阻抗的报导是每 1 cm 宽的激光二极管条都
最近, 激光二极管棒的性能急速提高。对 于 807 nm 连续波激光二极管棒, 功率在 40 ~ 60 W , 转换效率可提高到 40%~ 60% , 可 期待寿命也达到 104 小时。
图 1 1 cm 宽的单片激光二极管阵列、激光条简 图
图 2 锁相反波导二极管激光阵列截面简图
940 nm 和 980 nm 激光二极管条同 807 nm 相比, 具有同等乃至更好的性能, 915 nm 激光二极管条报导有连续波 180 W 的最大 功率, 连续波 60 W 的激光二极管条也有销
实现高平均功率强度, 需要高密度配列 高效率准连续波的激光二极管条。 由于激光
二极管密度高发热量也高, 光功率的热饱和 和激光二极管棒的升温所造成的劣化尤成问 题。 必需条件是把激光二极管棒装在放热好 ( 热阻抗低) 的受热器上, 要想法研究各种冷 却方式。 例如激光二极管棒的光功率为连续 波 40 W , 光转换效率为 40% 时, 激光二极管 棒约产生 60 W 的焦耳热。 为抑制光功率的 热饱和, 防止因激光二极管条的温度上升造 成寿命下降, 激光二极管棒的的温度上升需 控制在 30°C 以下, 要求 015 K W 以下的热 阻抗。 实现低热阻抗的受热器通常需要将激 光二极管条的配列间距增大, 通常按 1~ 2 mm 的间距配列。 最近激光二极管条和冷却 技术不断进步, 平均功率强度为 200~ 300 W cm 2 二元激光二极管阵列已有销售。
但是采用细槽的水冷容器制作成本高, 最近还在尝试以不同的构造来得到同样的冷 却特性。图 6 是用三块铜板, 仅采用普通的化 学侵蚀形成后贴合构成的水冷容器, 上面铜 板的背面形成和下面铜板相同图案的沟。 设 在上下铜板沟间的跨接, 增强了三块铜板的 热结合, 激光二极管条产生的热量很容易扩
图 8 市售迭加激光二极管阵列。从此种 12 层迭 加激光条产生的连续波功率为 480 W
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图 6 冷却器组件的三个铜层, 以常规化学蚀刻 方式做出花样, 顶层与底层具有同样的小 槽, 但其位置在相反侧
在 014~ 015 K W 左 右, 可 分 别 按 1 mm , 117 mm 间距组合, 组合后可实现二元激光 二极管阵列。 图 6 的容器在冷却水的压力损 失进一步减少, 最佳性能的冷却器流量为 112 l m in 等多种条件下, 对于幅宽 10 mm × 孔长 016 mm、占空因数 50% 的激光二极管 条而言, 其热阻抗为 0126 K W 。
面示意图。 在细槽部设有 40 Λm 间隔、宽 20 Λm ×高 150 Λm 的槽。 与以往把冷却水冲在 壁上等方法相比, 实现同样厚度的境界层所
图 3 多条激光二极管阵列的冷却技术 1。(a) 预 装条在共用散热器上堆迭; (b) 将激光条 直接装到散热器上
光二极管条正下方流动。背面冷却如图 3 (b) 所示, 在散热器板上设有沟槽, 其间安装激光 二极管条, 这种构造也已有报导。背面冷却的 特点是可以获得小型化容器, 从发光面看几 乎没有镜框那样的非发光部, 可实现激光二 极管阵列。为了有效地与冷却水进行热交换, 也有采用在冷却水侧设置许多细槽和密集的 柱状突起物的散热板。 为了能实现最小热阻 抗, 采用直下水冷构造, 典型报导实例有利用 各向异性卷边细槽和冷却水进行热交换, 如 图 4 (a) 的构造; 以及用激光切割成形的细 槽进行冷却水的热交换, 如图 4 (b) 的构造。 根据采用细槽和冷却水进行热交换中成为支 配热阻抗的主要原因, 境界层很薄, 称为薄层 流。 图 5 是这种模式下图 4 (a) 所示容器断
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