单粒子闩锁效应
闩锁效应原理及避免的方法

闩锁效应原理及避免的方法闩锁效应(Lock-in Effect)是指当一个系统受到外部信号的作用时,长时间保持在一个固定的状态,而无法根据外界信号的变化进行调整的现象。
闩锁效应在工程、物理学、生物学等多个领域中都有应用和研究,其原理和避免方法也因应用场景的不同而有所差异。
原理:闩锁效应的原理主要受到共振现象的影响。
当外界信号的频率与系统的固有频率相近时,系统容易受到外界信号的共振作用,导致系统进入一个稳定的状态。
这个稳定状态称为锁定状态,系统将保持在这个状态中,无法根据外界信号的变化进行调整。
闩锁效应可以简单地通过如下的数学模型来描述:dx/dt = αy + φ(x, y)dy/dt = αx + φ(x, y)其中,x和y分别代表系统的两个参数,α为信号强度,φ(x,y)为非线性耦合项。
通过这个模型可以看出,当α趋于无穷大时,系统将处于一个不变的状态,因此无法对外界信号做出调整。
避免方法:虽然闩锁效应在一些系统中具有实际应用价值,但在一些情况下,我们希望避免系统陷入锁定状态,以保证系统的灵活性和适应性。
以下是几种常见的避免闩锁效应的方法:1.扰动外界信号:通过对外界信号施加一个弱扰动,可以打破系统的锁定状态。
这个扰动信号可以是随机的或者周期性的,通过改变外界信号的特性,可以让系统从锁定状态中恢复。
2.超调现象:通过改变系统的控制参数,可以引入超调现象。
超调现象是指系统在受到外界信号驱动后,超过目标值,然后再回到目标值附近。
通过超调现象,可以改变系统的状态,从而避免锁定状态的发生。
3.灵活控制:通过改变系统的反馈控制机制,可以使系统对外界信号做出更加灵活的调整。
例如,可以通过改变控制的增益或者阻尼系数,使系统对外界信号的变化更加敏感,从而避免锁定状态的发生。
4.引入非线性元件:在系统中引入非线性元件可以改变系统的动力学特性。
非线性元件可以改变系统的频率响应特性,从而降低系统受到共振作用的风险,避免锁定状态的发生。
单粒子效应分类

单粒子效应分类
答:单粒子效应分类是:
•单粒子翻转(SEU):单粒子翻转事件是指高能粒子撞击大规模集成电路的灵敏区,发生电离反应或核反应,产生电荷沉积电荷沉积,当沉积的电荷足以改变改变储存单元的逻辑状态逻辑状态时,就发生了单粒子翻转事件。
•单粒子瞬态脉冲(SET):是单粒子效应的一种。
•单粒子功能中断(SEF):也是单粒子效应的一种。
•单粒子锁定(SEL):单粒子入射产生的瞬态电流会导致设备功能性损坏。
•单粒子烧毁(SEB):属于破坏性效应。
•单粒子栅穿(SEGR):是指在功率MOSFETs器件中,单粒子导致在栅氧化物中形成导电路径的破坏性的烧毁。
不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法

不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应及其防护方法陈睿;余永涛;董刚;上官士鹏;封国强;韩建伟;马英起;朱翔【期刊名称】《强激光与粒子束》【年(卷),期】2014(026)007【摘要】基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究.研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感.结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计.结果表明,90 nm和0.13 μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18 μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构.【总页数】6页(P264-269)【作者】陈睿;余永涛;董刚;上官士鹏;封国强;韩建伟;马英起;朱翔【作者单位】中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院大学,北京100049;中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院大学,北京100049;中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院大学,北京100049;中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院国家空间科学中心,北京100190;中国科学院国家空间科学中心,北京100190【正文语种】中文【中图分类】TN4【相关文献】1.标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计 [J], 王轩;巨艇;周国昌;赖晓玲;唐硕2.典型国产双极工艺宇航用稳压器单粒子闩锁效应研究 [J], 汪波; 罗宇华; 刘伟鑫; 孔泽斌; 楼建设; 彭克武; 付晓君; 韦锡峰3.CMOS器件单粒子锁定效应及其防护设计 [J], 吕强;张朝晖;洑小云;邓明;李文华4.脉冲激光诱发130 nm体硅CMOS器件的单粒子闩锁效应 [J], 李赛;陈睿;韩建伟;上官士鹏;马英起5.基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计 [J], 安刚;唐硕;王轩;史合;王倩琼;邓星星因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。
标准单元抗单粒子闩锁效应加固设计

1 PMOS 晶体管结构
利用体硅CMOS 工艺制作的常规PMOS 晶体管 的纵向剖面结构如图1 所示。正常工作情况下, PMOS 晶体管的N 阱电位大于等于漏极和源极,使 得漏、源极寄生二极管反偏,PMOS 晶体管截止。栅 极电压下降后,N 阱中的空穴被吸引到栅区形成耗 尽层,随着栅极电压进一步下降,栅区发生反型,在 漏、源极之间形成导电通道。
represent to improve the SEL tolerance of CMOS stand cell in 130nm process. The TCAD simulation has been utilized to an
alyze the improvement between different structures by modeling CMOS devices and the key design parameter had been opti
, , , , WANG Xuan JU ting ZHOU Guochang LAI Xiaoling TANG Shuo
( ( ’ ), ’ , ) China Academy of Space Technology Xi an Xi an 710000 China
: ( ), Abstract By analyzing the mechanism of single event latchup SEL a method of SEL hardening by design has been
Fig. 1 SEL mechanism in CMOS device
Vdd
N
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针对单粒子闩锁效应,其主要的防护手段包括
工艺防护[3]和设计防护[4]。其中,工艺防护包括外 延工艺或深槽隔离技术等;设计加固包括电路设计
继电保护装置单粒子效应的测试方法

第50卷第24期电力系统保护与控制Vol.50 No.24 2022年12月16日Power System Protection and Control Dec. 16, 2022 DOI: 10.19783/ki.pspc.220310继电保护装置单粒子效应的测试方法与失效率研究丁晓兵1,陈朝晖1,周兆庆2,3,张 尧2,3(1.中国南方电网电力调度控制中心,广东 广州 510530;2.国电南京自动化股份有限公司,江苏 南京 210003;3.南京国电南自电网自动化有限公司,江苏 南京 211153)摘要:单粒子效应引发的存储器软错误对微机继电保护具有不可忽略的影响。
介绍了α粒子和高能中子的来源,以及中国部分城市的大气中子通量。
讨论了对继电保护装置进行中子辐照试验的方案细节,以及根据实验数据求取现场环境下单粒子失效率的方法。
从现有可靠性指标出发,推导得到继电保护装置单粒子效应的可接受失效率。
将该指标和辐照试验得出的失效率相比较,可以判断装置是否满足现场运行要求。
该方法对评价继电保护装置的单粒子失效率具有一定的参考意义。
关键词:继电保护;单粒子效应;软错误;加速中子辐照试验;失效率Test method and failure rate of the single-particle effect of a relay protection deviceDING Xiaobing1, CHEN Zhaohui1, ZHOU Zhaoqing2, 3, ZHANG Yao2, 3(1. Dispatching Center of China Southern Power Grid, Guangzhou 510530, China; 2. Guodian Nanjing Automation Co., Ltd.,Nanjing 210003, China; 3. Nanjing SAC Power Grid Automation Co., Ltd., Nanjing 211153, China)Abstract: Memory soft errors induced by the single-particle effect have a non-negligible effect on microcomputer relay protection. This paper introduces the sources of Alpha particles and high-energy neutrons, as well as atmospheric neutron fluxes in some cities in China. The details of the neutron irradiation tests on relay protection devices and the method of obtaining the single particle failure rate in the field environment based on experimental data are discussed. Based on the existing reliability metrics, the acceptable failure rate of the single-particle effect of the relay protection device is promoted. Comparing this indicator with the failure rate obtained by the irradiation test, it can be judged whether the device fulfills the requirements of field operation. This method has a certain reference significance for evaluating the failure efficiency of single particles of relay protection devices.This work is supported by the Key Scientific and Technological Project of China Southern Power Grid Corporation (No. ZDKJXM20200056).Key words: relay protection; single-event effect; soft errors; accelerated neutron irradiation test; failure rate0 引言继电保护装置负责在电力系统故障时快速切除故障,其可靠性直接影响电力系统的稳定运行。
星载电子设备抗辐照分析及元器件选用

星载电子设备抗辐照分析及元器件选用自1971年至1986年期间,国外发射的39颗同步卫星因各种原因造成的故障共计1589次,其中与空间辐射有关的故障有1129次,占故障总数的71%,由此可见卫星和航天器的故障主要来源于空间辐射。
1、抗辐照分析空间辐照环境中的带电粒子会导致星载电子设备工作异常和器件的失效,严重影响航天器的可靠性和寿命。
星载电子设备在工作期间所遇到的辐照问题主要是受到空间高能粒子(重离子和质子)的影响。
1.1 总剂量效应总剂量效应指在电子器件的特性(电流、电压门限值、转换时间)发生重大变化前,器件所能承受的总吸收能量级,超过这个能量级后器件就不能正常工作(出现永久故障)。
该剂量用Rad(Si)即存积在1gSi中的能量来度量。
典型轨道预计辐射量见表1。
总剂量效应会引起星上电子器件的物理效应和电器效应如产生电子空穴对、影响载流子的流动、对双极型器件会降低其增益,对CMOS器件会使其阈值电压漂移、降低转换速率等。
另外在对某星载雷达所用CMOS器件进行总剂量实验时发现,总剂量效应在器件断电后会有一定的退火现象,但如果再加大辐射剂量,退火后的器件很快就不能工作。
所以对长寿命、高可靠的星载电子设备,必须考虑元器件的在轨期间的总剂量问题。
对于总剂量效应的防护可采用如下2种方法。
(1)选择半导体工艺:选择对宇宙射线不敏感的材料,CMOS蓝宝石硅片(SOS)工艺是目前最合适的工艺,但其成本高于其工艺。
(2)辐射屏蔽:卫星的结构框架以及电子设备的外壳的屏蔽作用可减轻辐射的影响,一般可减少2krad~3krad。
因为屏蔽材料本身有2次辐射,所以它并不能有效地防护高能粒子(宇宙射线)产生的影响。
2、单粒子效应空间辐照环境使星载电子器件产生单粒子现象(SEP)。
随着电子器件集成度不断提高,器件尺寸不断减小,星载电子设备也变得更加复杂,电子系统更易受到瞬态干扰,因此在星载电子系统的设计过程中不仅要考虑辐射总剂量的影响同时也要研究高能粒子引起的单粒子现象。
闩锁效应及版图设计注意事项

闩锁效应的产生原理
NPN管
PNP管
PNPN结构
闩锁效应原理分析
In
Out
N+ P+ Rwell
P+ Q1N+ N+ Nhomakorabea+
Nwell
Q2
P- epi
P+sub
Rsub
闩锁效应的产生原理
OUT Q1
Rwell 衬底
P阱 Rsub Q2
输入信号不得超过电源电压,防止寄生三极管的发射结正偏,如果超过电源电压,应该加上限流电阻;
产生闩锁效的条件 由于受噪声或外界信号影响使得两个寄生三极管的发射结处于正偏;
存在正反馈条件,即两个寄生三极管的电流放大倍数βNPNβPNP>1;
电源所提供的最大电流大于寄生PNPN结构(可控硅)导通所需要的维持电 流。
工艺设计级抗闩锁措施
闩锁效应的避免措施
外延衬底:将器件制作在重掺杂衬底上的 低掺杂外延层中,降低Rsub.
X 端闩如CM加锁果O限 效 满S流应足管电及处阻版于>来图闩实设锁现计状R,。注态即su意。可b事形项成正Q反2馈回路,一旦正反馈回路形成0,.7此V时即使R外s界u触b发信Q 号消2失,两只触体寄发管生信仍晶体号能管消保仍失持能,导保两通持导只,通寄C,M生O晶S
闩如锁果效 满应足及版>图设计,注正即意常可事形工项成作正状反态馈回路,一旦正反馈回路形成,此时即使闩外界锁触效发应信的号产消生失,两只管寄处生于晶闩体管锁仍状能态保。持导通,
绝缘体硅外延结构(SOI):在表层和衬底之间 加入一层绝缘层,消除寄生PNPN结构,从根本 上避免了闩锁效应。
电路应用级抗闩锁措施
闩锁效应的避免措施
0.35 cmos电路单粒子闩锁能级

文章题目:探究0.35 cmos电路单粒子闩锁能级在当今快速发展的科技领域,电子电路的研究和应用越发受到重视。
其中,0.35um CMOS电路单粒子闩锁能级作为一种新型的电路结构,在近年来备受关注。
本文将从深度和广度两个方面,对这一主题进行全面评估,并试图对其进行详细的探讨。
一、0.35um CMOS电路单粒子闩锁能级简介0.35um CMOS电路单粒子闩锁能级是指利用0.35微米CMOS工艺制作的电路结构,采用单粒子的能级来实现闩锁效应。
在传统的CMOS电路中,电子的输运和控制是通过传统的电场和电压来实现的。
而在单粒子闩锁能级电路中,利用单个电子的能级来实现信息传输和存储,极大地提高了电路的稳定性和可靠性。
二、单粒子闩锁能级的应用单粒子闩锁能级电路在目前的研究和应用中已经取得了一些重要的成果。
在量子计算和量子通信中,利用单粒子的能级来实现信息的传输和运算,可以大大提高计算和通信的速度和安全性。
在纳米电子器件和量子传感器领域,单粒子闩锁能级电路也具有广阔的应用前景。
三、个人观点和理解在我看来,0.35um CMOS电路单粒子闩锁能级的出现,标志着电子器件技术迈向了一个新的阶段。
通过利用单粒子的能级,电路可以更加精准地控制和传输信息,从而使电子器件的性能得到了极大地提升。
我相信随着技术的不断发展,单粒子闩锁能级电路将在未来的电子领域发挥越来越重要的作用。
总结回顾通过对0.35um CMOS电路单粒子闩锁能级的探讨,我们可以看到,这一新型的电路结构具有非常重要的意义和广阔的应用前景。
它不仅可以提高电子器件的性能,还可以在量子计算、量子通信、纳米电子器件和量子传感器等领域发挥重要作用。
我们有理由相信,单粒子闩锁能级电路将在未来的电子领域中展露出更加璀璨的光彩。
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通过本文的阅读,相信你已经对0.35um CMOS电路单粒子闩锁能级有了更加深入和全面的了解。
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单粒子闩锁效应
单粒子闩锁效应是指在由外界扰动的情况下,由一个自由度构成的系统能够通过耦合到其上的其他自由度达到高精度的定向和定时的现象。
该效应通常是指在系统中存在一个稳定的自由度,该自由度受到耦合自由度的影响,在外界干扰的情况下仍能保持稳定。
单粒子闩锁效应最早是由荷兰科学家维布指出的,他在研究著名的范德波尔系统时发现,当范德波尔系统受到扰动时,系统中的一个粒子会通过耦合现象产生闩锁效应。
这一发现引起了科学家们的广泛兴趣,并且在随后的研究中得到了进一步的证实和发展。
闩锁效应的原理可以通过一个简单的模型来解释。
设想一个有两个粒子组成的系统,其中一个粒子是稳定的,而另一个粒子受到外界的扰动。
当两个粒子之间存在一定的耦合时,外界扰动会传递到稳定粒子上,从而导致其运动状态发生变化。
然而,随着耦合的增加,稳定粒子的运动状态逐渐与扰动的粒子保持同步,最终达到稳定的闩锁状态。
这种闩锁状态具有高精度的定向和定时性质,可以在外界扰动的情况下保持稳定。
单粒子闩锁效应在实际应用中有着广泛的应用。
例如,在通信领域中,闩锁效应被用于提高信号的传输能力和稳定性。
通过将信号与参考信号进行耦合,并利用闩锁效应的特性,可以使信号保持同步和稳定,从而提高通信系统的性能。
此外,单粒子闩锁效应还可以用于精密测量和实验研究中。
通
过利用闩锁效应在系统中引入稳定的时基或参考源,可以提高测量的准确性和稳定性。
例如,利用闩锁效应可以实现精密的频率测量、时间同步和晶体谐振器的稳定等。
除了在实际应用中的重要性外,单粒子闩锁效应的研究对于深入理解物理世界中的耦合现象和非线性动力学也具有重要意义。
通过研究闩锁效应,可以揭示出系统中复杂动力学行为的特征,并为实现更高级别的控制和调控提供理论支持。
总之,单粒子闩锁效应是一种重要的现象,它能够将外界的扰动转化为稳定的运动状态,具有高精度的定向和定时性质。
该效应在实际应用中有着广泛的应用,并对于研究物理系统中的耦合现象和非线性动力学具有重要意义。
随着对闩锁效应的深入研究,相信将会有更多的应用和理论突破出现,进一步推动科学的发展和进步。
单粒子闩锁效应是一种现象,通过这种现象,一个自由度构成的系统能够通过耦合到其他自由度上而达到高精度的定向和定时。
这种效应的研究和应用不仅在物理学领域有重要意义,还在生物学、化学和工程学等其他学科中也得到了广泛的关注和应用。
在生物学中,单粒子闩锁效应在细胞运动和信号传递等过程中起到了重要的作用。
细胞在进行运动时必须保持稳定的定向和定时,以便在生理过程中发挥正常的功能。
通过单粒子闩锁效应,细胞可以通过耦合到其他细胞或细胞外因素上来实现这种稳定性。
例如,细胞内的分子通过与细胞膜或细胞外分子的耦合,可以使细胞的运动和行为同步,并保持稳定的状态。
这对于细胞信号通路的正常传递和细胞间的协调性具有重要意义。
除了生物学领域,单粒子闩锁效应在化学反应和化学传感器中也具有重要的应用。
化学反应是由分子的相互作用所驱动的,而分子之间的相互作用受到环境条件和其他分子的影响。
通过将化学反应耦合到特定的环境或分子上,可以实现稳定的化学反应过程,从而提高反应的效率和选择性。
例如,在催化剂反应中,通过将催化剂与反应物耦合,可以实现催化剂的定向和定时,从而提高催化反应的效率和选择性。
此外,在化学传感器中,通过将感受器和信号放大器耦合,可以将分子的感应和信号放大过程结合起来,从而实现高精度的分子识别和检测。
在工程学领域,单粒子闩锁效应可应用于精密仪器和自动控制系统中。
通过将系统的感应器和执行器耦合,可以实现高精度的测量和控制。
例如,在激光器中,通过将光学共振腔耦合到激光原子上,可以实现激光的定向和定时,从而提高激光的稳定性和输出功率。
此外,在自动控制系统中,通过将传感器和执行器耦合,可以实现系统的自适应控制和稳定性调节,从而提高系统的性能和响应速度。
此外,单粒子闩锁效应还在物理学研究中有重要的地位。
通过研究单粒子闩锁效应,可以揭示出物理系统中的耦合现象和非线性动力学行为的特征,从而推动物理学的发展和进步。
例如,在超导体和超导量子比特中,通过引入闩锁效应可以实现超导体的高灵敏度和超导量子比特的稳定性,从而促进超导器件和量子计算的研究。
总之,单粒子闩锁效应是一种重要的现象,通过这种效应,一
个自由度构成的系统能够通过耦合到其他自由度上而达到高精度的定向和定时。
这种效应在生物学、化学和工程学等多个领域具有重要的应用,并对物理学研究起到了推动作用。
随着对单粒子闩锁效应的深入研究,相信将会有更多的应用和理论突破出现,从而推动科学的发展和进步。