二次离子质谱分析技术
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二次离子深度分析
二次离子分布图像
二次离子质谱系统结构示意图
二次离子质谱仪基本部件
初级离子枪：热阴极电离型离子源，双等离子体离子源，
液态金属场离子源；离子束的纯度、电流密度直接影响分析 结果；
二次离子分析器：分析质荷比→磁偏式、四极式（静态
SIMS ）、飞行时间式（流通率高，测量高质量数离子）质 量分析器；分析能力取决于分析器的穿透率及质量解析能力；
二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离
子质量—电荷比值（m/Z）获得二次离子质谱，判断 试样表面的元素组成和化学状态；
溅射产额：影响二次离子产额因素→与入射离子
能量、入射角度、原子序数均有一定关系，并与靶 原子的原子序数、晶格取向有关；
聚苯乙烯的二次离子质谱
离子源
1
质量分析器
3
4
2
wenku.baidu.com
检测器
二次离子质谱
离子等多方面信息；
可进行面分析和深度剖面分析； 对很多元素和成分具有ppm甚至ppb量级的高灵敏度；
离子探测器：离子流计数→高离子电流采用法拉第杯；低
离子电流采用电子倍增管；
数据采集和处理系统：控制分析工作的进行与数据处理； 主真空室：10-7 Pa—保持清洁表面； 辅助装置：电子中和枪—分析绝缘样品时，表面局部带电
会改变二次离子发射的→中和表面的荷电效应；
二次离子质谱—系统基本特性
可以在超高真空条件下得到表层信息； 可检测包括H在内的全部元素； 可检测正、负离子； 可检测同位素； 可检测化合物，并能给出原子团、分子性离子、碎片
二次俄离歇子质电谱子分能析谱技（术AES）—大本讲义
SIMS基本AE结S分构析及方技法术原特理点 XPS/AESA/ESSI谱MS仪方基法本比构较成
AES谱仪实验技术 AES谱图分析技术
离子溅射与二次离子质谱
离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→
引起表面原子、分子或原子团的二次发射—溅射离 子；溅射的粒子一般以中性为主，有＜1%的带有正、 负电荷—二次离子；
二次离子深度分析
二次离子分布图像
二次离子质谱系统结构示意图
二次离子质谱仪基本部件
初级离子枪：热阴极电离型离子源，双等离子体离子源，
液态金属场离子源；离子束的纯度、电流密度直接影响分析 结果；
二次离子分析器：分析质荷比→磁偏式、四极式（静态
SIMS ）、飞行时间式（流通率高，测量高质量数离子）质 量分析器；分析能力取决于分析器的穿透率及质量解析能力；
二次离子质谱：利用质量分析器接收分析二次离
子质量—电荷比值（m/Z）获得二次离子质谱，判断 试样表面的元素组成和化学状态；
溅射产额：影响二次离子产额因素→与入射离子
能量、入射角度、原子序数均有一定关系，并与靶 原子的原子序数、晶格取向有关；
聚苯乙烯的二次离子质谱
离子源
1
质量分析器
3
4
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检测器
二次离子质谱
离子等多方面信息；
可进行面分析和深度剖面分析； 对很多元素和成分具有ppm甚至ppb量级的高灵敏度；
离子探测器：离子流计数→高离子电流采用法拉第杯；低
离子电流采用电子倍增管；
数据采集和处理系统：控制分析工作的进行与数据处理； 主真空室：10-7 Pa—保持清洁表面； 辅助装置：电子中和枪—分析绝缘样品时，表面局部带电
会改变二次离子发射的→中和表面的荷电效应；
二次离子质谱—系统基本特性
可以在超高真空条件下得到表层信息； 可检测包括H在内的全部元素； 可检测正、负离子； 可检测同位素； 可检测化合物，并能给出原子团、分子性离子、碎片
二次俄离歇子质电谱子分能析谱技（术AES）—大本讲义
SIMS基本AE结S分构析及方技法术原特理点 XPS/AESA/ESSI谱MS仪方基法本比构较成
AES谱仪实验技术 AES谱图分析技术
离子溅射与二次离子质谱
离子溅射过程：一定能量的离子打到固体表面→
引起表面原子、分子或原子团的二次发射—溅射离 子；溅射的粒子一般以中性为主，有＜1%的带有正、 负电荷—二次离子；