半导体晶圆切割
半导体晶圆切割工艺
半导体晶圆切割工艺
半导体晶圆切割工艺是把整个半导体晶圆分割成若干个芯片的
一项重要工艺。
它是半导体器件制造中的关键工序之一，直接影响到芯片的质量和工艺效率。
半导体晶圆切割工艺主要分为机械式和化学式两种。
机械式切割是通过用强力磨料切割盘切割晶圆，这种方法切割出来的芯片边缘通常有微小的缺口和磨损。
化学式切割是利用等离子体、电化学腐蚀、离子束蚀刻等方法进行切割，这种方法可以获得更加平整、光滑的芯片表面。
半导体晶圆切割工艺的关键技术包括选择合适的切割方式、切割盘的选择和加工、切割液的选用、切割速度和压力的控制等。
在实际生产中，还需要根据不同的半导体材料和设备要求进行调整和优化。
半导体晶圆切割工艺的发展对于半导体产业的发展有着重要的
意义。
随着半导体器件的不断更新和升级，对于芯片的质量和工艺效率要求也越来越高。
因此，半导体晶圆切割技术的不断改进和创新对于提高芯片的质量和工艺效率具有至关重要的意义。
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晶圆切割设备原理
晶圆切割设备原理
晶圆切割设备是半导体制造中的重要设备之一，主要用于把硅晶片等半导体材料切割成小块。
这些小块将被用于芯片制造。
晶圆切割设备是半导体制造中必不可少的设备之一，因为它们可以将大型单晶硅块切割成许多小块，这些小块可以在半导体工艺中使用。
晶圆切割设备主要由三个部分组成：切割盘、钻头和电控系统。
切割盘是一个旋转的圆盘，上面安装着硅晶片。
钻头是一个小的金属刀片，可以在晶片上切割出小块。
电控系统可以控制切割盘和钻头的运动。
晶圆切割设备的工作原理是将晶圆放置在切割盘上，然后钻头开始移动，切割盘开始旋转。
钻头将在晶圆上切割出一个小块，然后切割盘停止旋转。
接下来，钻头将移动到下一个位置，然后切割盘继续旋转。
这个过程会一遍遍地重复，直到整个晶圆被切割成小块。
晶圆切割设备的切割精度非常高，可以将晶圆切割成非常小的块。
这些小块将被用于芯片的制造。
在半导体工艺中，芯片必须具有非常高的精度和可靠性。
因此，晶圆切割设备的切割精度必须非常高，以确保芯片的质量。
晶圆切割设备在半导体制造中起着至关重要的作用。
它们可以将大型单晶硅块切割成小块，这些小块将被用于芯片制造。
晶圆切割设
备的切割精度非常高，可以将晶圆切割成非常小的块。
这些小块将被用于芯片的制造。
在半导体工艺中，芯片必须具有非常高的精度和可靠性。
因此，晶圆切割设备的切割精度必须非常高，以确保芯片的质量。
晶圆切割die数dpw计算公式
晶圆切割Die数DPW计算公式引言概述:在半导体制造中，晶圆是半导体芯片的基础，而晶圆上的小块区域被称为Die。
DPW（Dies Per Wafer）是一个关键的性能指标，它表示在一个晶圆上能切割出的Die的数量。
本文将详细介绍晶圆切割Die数DPW的计算公式，以及与该公式相关的重要参数。
正文:1. 晶圆切割Die数DPW的计算公式1.1 晶圆面积与Die数关系：晶圆直径与面积计算：解释晶圆直径与面积的关系，介绍常用的晶圆面积计算公式。
Die的尺寸与面积关系：阐述Die的尺寸如何影响Die的面积计算，说明在制造中常见的Die尺寸标准。
1.2 有效利用晶圆面积：排列方式的选择：探讨晶圆上Die的排列方式，以及不同排列方式对DPW的影响。
晶圆边缘效应：解释晶圆边缘部分的效应，以及在计算DPW时如何考虑晶圆边缘的影响。
1.3 其他因素的考虑：切割误差的补偿：介绍在实际切割过程中可能出现的误差，以及如何在计算DPW时进行补偿。
晶圆上的保留区域：讨论晶圆上可能需要保留的区域，以及这些区域如何影响DPW的计算。
2. 与DPW计算公式相关的重要参数2.1 晶圆直径（Diameter）：直径的测量与影响：介绍晶圆直径的测量方法，以及晶圆直径对DPW的影响。
常见晶圆直径尺寸：提供常见的晶圆直径尺寸，说明它们在不同制造环境中的应用。
2.2 Die的尺寸（Die Size）：Die尺寸的标准：解释Die尺寸的标准化，以及标准尺寸对DPW 的计算的重要性。
尺寸的测量与控制：介绍如何测量Die的尺寸，并控制制造过程中的尺寸变化。
2.3 晶圆的形状（Wafer Shape）：不同形状的晶圆：探讨不同形状晶圆的特点，以及这些形状对DPW计算的影响。
形状的变化与制程：说明晶圆形状可能因制程变化而引起的影响。
3. DPW计算的应用与优化策略3.1 制造成本的考虑：DPW与成本关系：分析DPW与制造成本的关系，讨论如何在提高DPW的同时降低制造成本。
fore cut 半导体里的意思
fore cut 半导体里的意思摘要：1.半导体简介2.晶圆切割在半导体制造中的重要性3.什么是fore cut4.fore cut 在半导体制造中的作用5.fore cut 对半导体性能的影响6.总结正文：半导体是现代电子设备中不可或缺的组件，它们在处理器、存储器、传感器等设备中发挥着关键作用。
在半导体制程中，晶圆切割是一个重要的步骤，它将晶圆分成许多独立的芯片，这些芯片将被进一步加工和测试。
在晶圆切割过程中，fore cut 是一个关键的概念。
晶圆切割通常分为两个阶段：fore cut 和back cut。
其中，fore cut 是指在晶圆表面切割的第一刀。
这一步骤的目的是在晶圆上形成一个浅的凹槽，以确保后续切割过程的顺利进行。
没有fore cut，晶圆可能无法被均匀切割，导致芯片尺寸和形状的不一致，从而影响半导体器件的性能。
在半导体制造中，fore cut 通常使用一种称为激光切割的技术完成。
激光切割具有高度的精确性和灵活性，能够实现快速、准确的切割。
在fore cut 过程中，激光束聚焦在晶圆表面，产生高温，使材料熔化或汽化，从而形成切割口。
fore cut 对半导体性能的影响主要体现在以下几个方面：1.芯片尺寸和形状：fore cut 的深度和形状会影响后续切割过程中芯片的尺寸和形状。
如果fore cut 不均匀，可能导致芯片尺寸偏差和形状不规则，从而影响半导体器件的性能。
2.表面质量：fore cut 过程中，如果激光切割的功率和速度设置不当，可能导致晶圆表面出现烧伤、裂纹等缺陷，从而影响半导体器件的性能和寿命。
3.芯片边缘损伤：fore cut 过程中，切割口周围的材料可能会受到损伤。
这种损伤会影响半导体器件的性能，甚至导致器件失效。
总之，fore cut 在半导体制造中起着关键作用。
精确和均匀的fore cut 能够为后续切割过程提供良好的基础，从而生产出高性能的半导体器件。
晶圆工艺的切割方法
晶圆工艺的切割方法晶圆工艺是半导体制造中的一个重要环节，主要用于将晶圆切割成芯片。
切割方法的选择直接影响到芯片的质量和产能。
目前常用的晶圆切割方法主要有切割机械法、切割激光法和切割冲击法。
切割机械法是目前最常用的切割方法之一、该方法使用金刚石铣刀或锯片进行切割，将晶圆切割成芯片。
该方法的优点是成本低、切割速度快，适用于大批量生产。
但由于机械切割存在切割力大、刀具损耗大、切割边缘质量不理想等问题，因此需要进行后续工艺处理。
切割激光法是一种通过激光束进行切割的方法。
该方法具有切割精度高、切割速度快、切割边缘质量好等优点。
激光切割可以实现非接触切割，减少了对芯片的损伤。
此外，激光切割还可以切割各种材料的晶圆，适用范围广。
但该方法的成本较高，设备复杂，且激光切割过程中容易产生热影响区，需要进行冷却处理。
切割冲击法是一种通过冲击力将晶圆切割成芯片的方法。
该方法主要通过应用高速气体喷射或水射流来切割晶圆。
切割冲击法具有切割速度快、切割力小、切割边缘质量好等优点。
此外，该方法的成本较低，适用于批量生产。
但切割冲击法对芯片的切割质量较为敏感，需要精确控制切割参数。
在实际应用中，不同的切割方法往往结合使用。
例如，先采用切割机械法将晶圆切割成薄片，再采用激光切割或冲击切割对薄片进行细分。
这样可以充分发挥各种切割方法的优势，提高切割质量和生产效率。
总之，晶圆工艺的切割方法是半导体制造中的重要环节，不同的切割方法各有优劣。
通过合理选择切割方法，并结合其他工艺步骤，可以实现高质量和高产能的芯片生产。
半导体晶圆切割工艺
半导体晶圆切割工艺
半导体晶圆切割是制造半导体器件的关键步骤之一，它决定了芯片的大小和形状。
切割工艺需要在晶圆表面形成一系列刻痕，然后应用力将晶圆分离成多个芯片。
切割工艺的精度和效率直接影响芯片的质量和成本。
目前主要采用的半导体晶圆切割工艺包括机械切割、拉力切割和激光切割。
机械切割是最常用的方法，它使用钻头或锯片在晶圆表面切割，但容易出现微裂纹和切痕，影响晶圆的质量。
拉力切割则是在晶圆上施加拉力，使其断裂，但需要高度精密的仪器和技术。
激光切割是一种近年来发展起来的新技术，它能够实现高速、高精度、无接触的切割。
除了切割工艺本身，还有其他因素也会影响半导体芯片的质量。
例如晶圆的材料和结构、切割时的温度和湿度、切割刀具的形状和材料等。
因此，在实际生产中，需要综合考虑多种因素，制定合适的切割工艺参数和质量控制措施，以确保半导体芯片的质量和稳定性。
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半导体step切割工艺
半导体step切割工艺半导体step切割工艺是半导体制造中的一项重要工艺，用于将半导体晶圆切割成小片，以便进行后续的芯片加工和封装。
本文将介绍半导体step切割工艺的原理、步骤、设备和应用。
一、原理半导体step切割工艺的原理是利用切割刀具对晶圆进行切割，将晶圆切割成多个小片。
切割的目的是将晶圆切割成合适的尺寸，以便进行后续的芯片加工和封装。
切割刀具通常采用金刚石刀片，因为金刚石硬度大、耐磨性好，能够有效地切割晶圆。
二、步骤半导体step切割工艺的步骤主要包括晶圆定位、切割、分离和清洗等。
1. 晶圆定位：将晶圆放置在切割台上，并通过定位装置将晶圆准确地定位，以确保切割的准确性。
2. 切割：利用切割机械将晶圆进行切割，切割刀具通过旋转快速切割晶圆。
切割时需要控制切割速度和切割深度，以确保切割的质量。
3. 分离：切割完成后，将切割后的小片从晶圆上分离下来。
分离可以通过手工或自动分离设备进行。
4. 清洗：切割后的小片需要进行清洗，以去除切割过程中产生的杂质和残留物。
清洗可以采用化学溶液或超声波清洗设备进行。
三、设备半导体step切割工艺需要使用专门的设备来完成切割过程。
1. 切割机械：切割机械是半导体step切割工艺中最重要的设备，用于将晶圆进行切割。
切割机械通常由切割刀片、转盘和控制系统等组成。
2. 定位装置：定位装置用于将晶圆准确地定位在切割台上，以确保切割的准确性。
定位装置通常由夹具、传感器和控制系统等组成。
3. 清洗设备：清洗设备用于清洗切割后的小片，以去除杂质和残留物。
清洗设备通常由清洗槽、喷淋装置和控制系统等组成。
四、应用半导体step切割工艺广泛应用于半导体芯片的制造过程中。
1. 芯片加工：切割后的小片可以进行后续的芯片加工，包括光刻、蚀刻、沉积和热处理等工艺。
2. 芯片封装：切割后的小片可以进行芯片封装，包括焊接、封装材料填充和封装测试等工艺。
3. 芯片测试：切割后的小片可以进行芯片测试，包括电性能测试、可靠性测试和封装测试等。
半导体切筋工艺
半导体切筋工艺一、工艺概述半导体切筋工艺是指将硅晶圆切割成芯片的过程，是半导体制造中非常关键的一个环节。
该工艺需要高精度、高效率和高稳定性的设备和技术支持，以确保芯片质量和产能。
二、工艺流程1. 晶圆清洗：使用超纯水清洗晶圆表面，去除表面污染物和氧化层。
2. 切割线定位：在晶圆上进行切割线定位，确定每个芯片的位置和大小。
3. 筋切割：使用钻头或激光器进行筋切割，将晶圆切割成多个芯片。
4. 筋去除：使用化学溶液或机械方法将芯片上的筋去除。
5. 芯片清洗：再次使用超纯水对芯片进行清洗，确保表面干净无污染。
三、具体步骤详解1. 晶圆清洗（1）准备清洗设备和超纯水。
（2）将晶圆放入清洗设备中，并注入超纯水。
（3）开启设备进行清洗，时间一般为数分钟。
（4）取出晶圆，用氮气吹干。
2. 切割线定位（1）使用显微镜观察晶圆表面，确定切割线的位置。
（2）使用光刻机将切割线图案转移到晶圆表面。
（3）对切割线进行检查和修正，确保准确无误。
3. 筋切割（1）准备筋切割设备和工具。
（2）将晶圆放入设备中，并进行真空吸附固定。
（3）根据切割线进行筋切割，一般采用激光器或钻头进行操作。
（4）完成筋切割后，取出芯片。
4. 筋去除（1）准备去除筋的溶液或机械工具。
（2）将芯片放入溶液中浸泡一段时间，使筋被溶解掉。
或者使用机械方法去除筋，如研磨、抛光等操作。
（3）清洗芯片表面。
5. 芯片清洗重复第一步的操作，使用超纯水对芯片进行清洗，并用氮气吹干。
四、注意事项1. 操作人员必须接受专业培训，熟悉设备和工艺流程。
2. 操作环境必须保持清洁、干燥和无尘。
3. 切割线定位必须准确无误，否则会影响芯片质量和产能。
4. 筋切割过程中必须控制温度、速度和压力等参数，以确保切割质量。
5. 筋去除过程中要避免对芯片表面造成损伤或污染。
6. 芯片清洗过程中要使用超纯水，并注意控制水温和水压。
五、总结半导体切筋工艺是半导体制造中非常关键的一个环节，需要高精度、高效率和高稳定性的设备和技术支持。
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By Dianne Shi and Ilan Weisshas本文介绍，先进封装(advanced packaging)的后端工艺(back-end)之一：晶圆切片(wafer dicing)。
在过去三十年期间，切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。
最新的、对生产率造成最大影响的设备进展包括：采用两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到最小的双轴(dual-spindle)切片系统，代表性的有日本东精精密的AD3000T和AD2000T；自动心轴扭力监测和自动冷却剂流量调节能力。
重大的切片刀片进步包括一些刀片，它们用于很窄条和/或较高芯片尺寸的晶圆、以铜金属化的晶圆、非常薄的晶圆、和在切片之后要求表面抛光的元件用的晶圆。
许多今天要求高的应用都要求设备能力和刀片特性两方面都最优化的工艺，以尽可能最低的成本提供尽可能高的效率。
最近，日本东精精密又向市场推出了非接触式的激光切割设备ML200和ML300型切片机制(The Dicing Mechanism)硅晶圆切片工艺是在“后端”装配工艺中的第一步。
该工艺将晶圆分成单个的芯片，用于随后的芯片接合(die bonding)、引线接合(wire bonding)和测试工序。
一个转动的研磨盘(刀片)完成切片(dicing)。
一根心轴以高速，30,000~60,000rpm (83~175m/sec 的线性速度)转动刀片。
该刀片由嵌入电镀镍矩阵黏合剂中的研磨金刚石制成。
在芯片的分割期间，刀片碾碎基础材料(晶圆)，同时去掉所产生的碎片。
材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的专用切割线(迹道)发生的。
冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内，改善切割品质，和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。
每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
关键工艺参数硅圆片切割应用的目的是将产量和合格率最大，同时资产拥有的成本最小。
可是，挑战是增加的产量经常减少合格率，反之亦然。
晶圆基板进给到切割刀片的速度决定产出。
随着进给速度增加，切割品质变得更加难以维持在可接受的工艺窗口内。
进给速度也影响刀片寿命。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度，要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。
这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和先进对准运算的设备。
当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是，选择尽可能最薄的刀片。
可是，很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的，更容易过早破裂和磨损。
结果，其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。
对于50~76µm 迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
碎片(Chipping)顶面碎片(TSC, top-side chipping)，它发生晶圆的顶面，变成一个合格率问题，当切片接近芯片的有源区域时，主要依靠刀片磨砂粒度、冷却剂流量和进给速度(图1a)。
背面碎片(BSC, back-side chipping)发生在晶圆的底面，当大的、不规则微小裂纹从切割的底面扩散开并汇合到一起的时候(图1b)。
当这些微小裂纹足够长而引起不可接受的大颗粒从切口除掉的时候，BSC变成一个合格率问题。
通常，切割的硅晶圆的质量标准是：如果背面碎片的尺寸在10µm以下，忽略不计。
另一方面，当尺寸大于25µm时，可以看作是潜在的受损。
可是，50µm的平均大小可以接受，示晶圆的厚度而定。
现在可用来控制背面碎片的工具和技术是刀片的优化，接着工艺参数的优化。
刀片优化(Blade Optimization)为了接收今天新的切片挑战，切片系统与刀片之间的协作是必要的。
对于高端(high-end)应用特别如此。
刀片在工艺优化中起主要的作用。
为了接纳所有来自于迅速的技术发展的新的切片要求，今天可以买到各种各样的刀片。
这使得为正确的工艺选择正确的刀片成为一个比以前更加复杂的任务。
除了尺寸，三个关键参数决定刀片特性：金刚石(磨料)尺寸、金刚石含量和粘结剂的类型。
结合物是各种金属和/或其中分布有金刚石磨料的基体。
这些元素的结合效果决定刀片的寿命和切削质量(TSC 与BSC)。
改变任何一个这些参数都将直接影响刀片特性与性能。
为一个给定的切片工艺选择最佳的刀片可能要求在刀片寿命与切削质量之间作出平衡。
其它因素，诸如进给率和心轴速度，也可能影响刀片选择。
切割参数对材料清除率有直接关系，它反过来影响刀片的性能和工艺效率。
对于一个工艺为了优化刀片，设计试验方法(DOE, designed experiment)可减少所需试验的次数，并提供刀片特性与工艺参数的结合效果。
另外，设计试验方法(DOE)的统计分析使得可以对有用信息的推断，以建议达到甚至更高产出和/或更低资产拥有成本的进一步工艺优化。
图二显示在以30,000rpm心轴速度进行的硅晶圆切片期间，进给率、刀片磨料尺寸和刀片寿命的结合效果。
图三详细显示相应得切削品质。
正如所料，在某个工艺窗口之内，随着磨料尺寸的增加，刀片寿命增加(或磨损率下降)，而切削品质(在这种情况中TSC) 下降。
越细的磨料尺寸提供在以适当的进给率时更高的顶面切削质量，虽然刀片寿命减少很多。
如所提及的，增加产出是在晶圆切片中的减少成本的主要问题。
更高的进给率和/或心轴速度是最常考虑到的影响参数。
可是，取决于三个关键的刀片参数、晶圆的特性和厚度、和在迹道中的金属化程度，在一套工艺条件下的“完美刀片”可能在条件改变时不适合。
如图二和三所示，随着进给速率的增加，刀片寿命和切削质量两者都会变化，不管磨料尺寸如何。
当优化一个工艺时，重要的是并行地考虑各种主要工艺和刀片的参数，以使产出达到最大，同时保持足够的刀片寿命和可接受的切削质量。
在选择刀片类型来最大减少资产拥有成本的时候，可能要求一个折中。
与那些可能常见的东西相反，较慢的进给速度不总是保证更好的切削品质。
差劣的切削品质可能在太慢的进给率时产生，由于产生更高的热量(图三)。
达到可接受的切削品质的最小进给速度应是指对于一个给定的切片应用。
这是一个可应用于各种晶圆切片的一般结论。
当使用很慢的进给速度时，在切片铜(Cu)晶圆时可观察到较高的BSC1。
当以很慢的转速切片时观察到相同的效果。
三个关键的刀片元素(金刚石尺寸、浓度和结合物硬度)的相对重要性取决于刀片磨料尺寸和工艺参数。
为了给一个特定应用选择最适合的刀片，对这些关系的理解是必要的。
图四是对由于或者刀片金刚石浓度增加或者粘合物硬度增加而使刀片磨损百分率下降的一个DOE评估。
一般来说，粘结硬度对刀片寿命的影响对于较细金刚砂更为显著。
随着磨料尺寸增加，粘结硬度的影响变得越来越不重要。
可是，对于所有磨料尺寸，金刚石浓度的影响似乎比粘结硬度更为重要。
取决于磨料尺寸变化的程度，其对刀片寿命的影响可能是所有三个刀片参数中最重要的。
作为一般规则，较细金刚砂的刀片对刀片和/或工艺参数变化更加敏感。
当BSC需要改进时，较软的粘结和/或较低的金刚砂浓度经常是必须的。
或者粘结硬度或者金刚砂浓度的改变可降低刀片的寿命。
为了选择一个刀片，重要的还要理解刀片的外表硬度的影响(经常叫做基体硬度)。
这是刀片的硬度的抽象测量，它反映在切割晶圆时刀片的“感觉”方式。
基体硬度通过金刚砂磨料尺寸、浓度和粘结硬度的结合影响来决定。
通常，较细的磨料尺寸、较高的金刚砂浓度和较硬的粘合物将得到增加的基体硬度。
通常建议，与其它考虑因素一起，较硬的材料要求较软的(基体)刀片来切片，反之亦然。
例如，砷化镓(GaAs)晶圆一般要求较细的金刚砂尺寸(较硬的刀片)，而钽酸锂(LiTaO3)晶圆最适合于较粗的金刚砂尺寸和较低的金刚石浓度(较软的刀片)。
随着非硅(non-Si)材料使用的进步，将达到对这些类型的先进晶圆切片应用的更深理解。
刀片负载监测(Blade Load Monitering)在切片或任何其它磨削过程中，在不超出可接受的切削质量参数时，新一代的切片系统可以自动监测施加在刀片上的负载，或扭矩。
对于每一套工艺参数，都有一个切片质量下降和BSC出现的极限扭矩值。
切削质量与刀片基板相互作用力的相互关系，和其变量的测量使得可以决定工艺偏差和损伤的形成。
工艺参数可以实时调整，使得不超过扭矩极限和获得最大的进给速度。
切片工序的关键部分是切割刀片的修整(dressing)。
在非监测的切片系统中，修整工序是通过一套反复试验来建立的。
在刀片负载受监测的系统中，修整的终点是通过测量的力量数据来发现的，它建立最佳的修整程序。
这个方法有两个优点：不需要限时来保证最佳的刀片性能，和没有合格率损失，该损失是由于用部分修整的刀片切片所造成的质量差。
冷却剂流量稳定(Coolant Flow Stabilization)以稳定的扭矩运转的系统要求进给率、心轴速度和冷却剂流量的稳定。
冷却剂在刀片上施加阻力，它造成扭力。
最新一代的切片系统通过控制冷却剂流量来保持稳定的流速和阻力，从而保持冷却剂扭矩影响稳定。
当切片机有稳定的冷却剂流量和所有其它参数都受控制时，维持一个稳定的扭矩。
如果记录，从稳定扭矩的任何偏离都是由于不受控的因素。
这些包括由于喷嘴堵塞的冷却剂流量变化、喷嘴调整的变化、刀片对刀片的变化、刀片情况和操作员错误。
总结切片工艺变得越来越且要求高。
切割迹道变得越窄，可能充满测试用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各种涂敷层。
在这些条件下达到最大的切片工艺合格率和生产率要求认真的刀片选择和先进的工艺控制能力。