第八章 多芯片组件(MCM)
第6章 多芯片组件(MCM)(精简版)

用了面积为152mm2、运算能力为1.25亿次/秒的MCM作为处理组
件,使整个处理系统的尺寸由原来的机框变成了一块插件,系
统运算能力达到5亿次/秒,经扩展可达80亿次/秒。
6.2 MCM的概念、分类与特性
至今对MCM尚无统一的定义,综合国外专家对MCM所下的定 义,MCM原则上应具备以下条件: (1)多层基板有4层以上的导体布线层。 (2)封装效率(芯片面积/基板面积)大于20%。
(3)封装壳体通常应有100个以上的I/O引脚。
其他附加条件:布线宽度每英寸从250根到500根,有多个 LSI和(或)VLSI裸芯片等。 从组装(或封装)对MCM定义为:两个或更多的集成电路裸芯 片电连接于共用电路基板上,并利用它实现芯片间互连的组件。
脚数可达到300∽2500个。
3.高散热性能 MCM多有散热装置,并采用一些新的散热技术,因此具有高散
热性能。
4.低成本性能 MCM安装工艺技术比原来的一般安装技术在封装密度和组件工 作频率两方面高2∽4倍,因此可实现产品相对低的成本。
6.3 MCM的BGA封装
6.8.1 概述
早期的MCM采用QFP和PGA,现在采用BGA,称为MCM BGA。 传统的MCM BGA封装采用模塑封装,MCM中芯片、BGA基板、 WB均形成于单一整体结构中,如图所示的AT&T公司用于电话中 的MCM BGA模塑封装。
MCM—C/D(with Thin Film Deposited on Ceramic
Substrate):厚、薄膜混合多层基板制成的MCM; MCM—Si(with Silicon Substrate) :Si基板制成的MCM;
MCM的特性:
1.高速性能
MCM产品,采用多个裸芯片高密度安装在一起,缩短了芯片间 的距离,信号延迟大大减少,使LSI的信号工作频率得到提高。 2.高密度性能 MCM具有高密度布线特性和高引脚密度特性,在1cm2面积内引
MCM封装

3、 叠层MCM之间的外围互连
4、 叠层MCM之间的区域互连
结构类型
三维封装的垂直互连技术目前有三种: 一、埋置型。3 D-MCM。特点是在多层基板的底层埋置 IC芯片 ,再在多 层布线顶层组装 IC芯片 ,其间通过多层布线进行高密度连接 ,基板多用硅 或其他高导热基板 (Al N、Al等 ); 二、有源基板型。特点是在基板 (通常为 Si或 Ga As)上直接制作多种数 字半导体集成电路 ,再在其上制作多层布线 ,然后在多层布线顶层组装模 拟 IC芯片和集成传感器芯片、光电子功能芯片等; 三、3 D-MCM:即把多个二维封装实行叠装、互连,把 2 D封装组装成3 D封装结构。特点是将多块组装有 IC芯片 (可单、双面组装 )的多层布线 基板进行叠装、互连。
3、什么是MCM封装技术
• MCM(multi-chip module) :多芯片组件。 将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板 上的一种封装技术。MCM是在混合集成电 路技术基础上发展起来的一项微电子技术, 其与混合集成电路产品并没有本质的区别, 只不过MCM具有更高的性能、更多的功能 和更小的体积,可以说MCM属于高级混合 集成电路产品。
MCM封装 & 三维封装技术
一、相关的中英文缩略语
TAB (Tape Automated Bonding ) 载带自动焊技术
MCM (Multi chip Module ) 多芯片组件封装
SMT (Surface Mount Package ) 表面封装技术
TCM (Thermal Conduction module ) 热传导组件
MCM-L MXM-D MCM-C 封装基板的电路结构比较
多芯片组件技术的发展及应用

多芯片组件技术的发展及应用作者:王岩王瑜来源:《中国新技术新产品》2010年第14期摘要:多芯片组件始于7O年代中期,是为适应超级计算机、航天和军事等领域的需求而发展起来的一种新型的微组装技术。
近年来,多芯片组件得到了快速的发展,本文主要研究了多芯片组件技术的特点,性能及其发展应用状况。
关键词:多芯片组件;发展;应用;性能;特点引言多芯片组件(简称MCM),是继表面安装技术(SMT)之后,9O年代在微电子领域出现的一项最引人瞩目的新技术,MCM的出现标志着电子组装技术又向更高层次的高密度、高速度、高性能方向迈进了一大步。
为了适应目前电路组装高密度要求,微电子封装技术的发展日新月异,各种新技术、新工艺层出不穷。
最新出现的CSP (芯片尺寸封装)使裸芯片尺寸与封装尺寸基本相近,这样在相同封装尺寸时有更多的数量,使电路组装密度大幅度提高。
但是人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,在封装后裸芯片的性能总是比未封装的要差一些。
于是人们对传统的混合集成电路(HIC)进行彻底的改变,找出了多芯片组件(Multi Chip Module,即MCM)这种先进的封装模式。
1多芯片组件基本特点及其性能多芯片组件(图1)是在高密度多层互连基板上,采用微焊接、封装工艺将构成电子电路的各种微型元器件(IC裸芯片及片式元器件)组装起来,形成高密度、高性能、高可靠性的微电子产品(包括组件、部件、子系统、系统)。
它是为适应现代电子系统短、小、轻、薄和高速、高性能、高可靠、低成本的发展方向而在PCB和SMT的基础上发展起来的新一代微电子封装与组装技术,是实现系统集成的有力手段。
1.1多芯片组件基本特点多芯片组件已有十几年的历史,MCM组装的是超大规模集成电路和专用集成电路的裸片,而不是中小规模的集成电路,技术上MCM 追求高速度、高性能、高可靠和多功能,而不像一般混合IC技术以缩小体积重量为主。
典型的MCM 应至少具有以下特点:MCM是将多块未封装的IC芯片高密度安装在同一基板上构成的部件,省去了IC的封装材料和工艺,节约了原材料,减少了制造工艺,缩小了整机/组件封装尺寸和重量。
半导体分立元器件集成电路装调------“四新知识”大纲

四新知识大纲(半导体器件)一、半导体分立元器件集成电路装调1、载带自动焊(tape automated bonding---TAB)技术(1)带自动焊与引线键合相比的主要优点(2)载带自动焊的分类(3)载带自动焊技术的关键材料(4)载带自动焊的关键技术(5)了解载带自动焊单层带的制作工艺2、倒装焊(flipchip bonding----FCB)技术(1) 什么叫倒装焊(2) 芯片凸点的类别、形状分类(3) 简述芯片凸点制作的一种工艺技术(4) 倒装焊的工艺方法有几种3、焊球阵列( Ball Grid Array—BGA) 封装技术(1) 什么是焊球阵列(2) 焊球阵列的特点(3) 焊球阵列封装的类型(4) 简述一种焊球阵列的封装技术4、芯片尺寸封装( chip scale package---CSP)技术(1) 什么是芯片尺寸封装(2) 芯片尺寸封装的特点(3) 简述一种芯片尺寸封装类别的工艺过程5、多芯片组件(multi-chip module—MCM)(1) 多芯片组件的概念(2) 多芯片组件的特点(3) 了解多芯片组件设计时应考虑的几个问题(4) 多芯片组件的组装技术包括哪几部分6、电子封装用的基板材料(1) 电子封装用的基板材料的种类(2) 选择基板材料的主要考虑方面(3) 简述一种(低温共烧--LTCC多层基板、厚薄膜混合集成多芯片组件MCM-C/D基板、高密度多层互连HDMI型薄膜多层基板)基板材料制作流程二、半导体芯片制造工1、掌握半导体芯片制造工艺原理基本知识;2、掌握半导体芯片制造的工艺流程及质量检验和工艺控制方法;3、对三代半导体材料划分有比较清晰的了解,对第三代半导体材料的优越性及典型的代表材料和用其开发的器件有一定了解;4、知晓半导体材料的发展方向;5、明了半导体器件为什么要从掺杂工程转向能带工程设计;6、了解并掌握芯片及集成电路发展的一般规律;7、熟知微电子技术与其它学科交叉产生的新技术,如由微电子技术发展形成的MEMS和纳米技术及可能成为热点的真空微电子学技术、微光电子集成技术等,并了解生物芯片等技术;8、了解材料生长的MBE、MOCVD等技术,芯片制造工艺所采用的CMP、离子注入和RTA(RTP)、先进曝光和刻蚀、淀积及金属化技术的优点,知晓SPC控制和工艺质量及可靠性监测与评价技术以及新器件如MESFET、HBT、HEMT、PHEMT等和集成电路从小规模大巨大规模的划分;9、了解芯片及产品设计、开发、应用发展的新趋势;10、了解并掌握芯片制造所使用的相应设备仪器的维护及保养;11、了解芯片制造设备发展的趋势,并明了芯片制造工艺技术发展的趋势;12、掌握芯片制造工艺线的管理特点及对工人的培训要求。
多芯片封装(MCM)方案(二)

多芯片封装(MCM)方案随着科技的飞速发展,电子产品对高性能、小型化和低成本的需求日益增长。
为了满足这些需求,多芯片封装(MCM)技术应运而生。
本文将详细介绍MCM方案在产业结构改革中的重要性、工作原理、实施步骤、适用范围、创新点、预期效果、收益以及优缺点,并针对下一步改进提出建议。
一、实施背景随着物联网、人工智能和5G等技术的快速发展,电子产品的复杂性和集成度不断提高。
传统的单芯片封装已经无法满足这些需求,因此需要采用多芯片封装技术,将多个芯片集成到一个封装内,以提高性能、减小体积并降低成本。
二、工作原理MCM技术是一种将多个集成电路芯片同时封装在一个封装内的制造过程。
它通过将多个芯片连接到一个共享的基板上,实现芯片之间的互连和通信。
这种技术可以显著提高电子设备的性能和可靠性,同时降低成本和体积。
三、实施计划步骤1.确定封装需求:根据产品需求确定需要封装的芯片数量、类型和封装尺寸。
2.选择合适的基板:根据封装需求选择合适的基板材料和大小,确保基板具有优良的电气性能和热稳定性。
3.芯片贴装:将多个芯片贴装到基板上,确保芯片之间的间距和连接正确。
4.芯片互联:通过金属线或其他互联技术将芯片连接到底层基板上,实现芯片之间的互连和通信。
5.封装保护:对封装体进行保护,防止外界环境对芯片产生不良影响。
6.测试与验证:对封装好的芯片进行测试和验证,确保其性能符合要求。
四、适用范围MCM技术适用于各种需要高性能、小型化和低成本的电子产品,如手机、笔记本电脑、平板电脑、服务器、交换机等。
五、创新要点MCM技术的创新点在于它将多个芯片集成到一个封装内,从而实现高性能、小型化和低成本的目标。
此外,MCM 技术还可以采用先进的互联技术,如无线互联和光互联,进一步提高芯片之间的通信速度和可靠性。
六、预期效果与收益采用MCM技术可以带来以下预期效果和收益:1.提高性能:通过将多个芯片集成到一个封装内,可以显著提高电子设备的性能和可靠性。
MCM (Multi Chip Model)多芯片模块系统

为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题,把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模块系统,从而出现MCM (Multi Chip Model)多芯片模块系统。
MCM是将多个裸芯片直接安装在单个载体或基板上,再通过高导电金属将裸芯片之间连接起来,最后用铸塑或陶瓷包封技术封装成一个模块(module)。
由于在一个模块中含有多个芯片,不仅提高厂封装密度,还由于多个芯片之间的间距减小,布线密度提高,以至整个模块的性能以及可靠性都有明显提高(这是与多个独立的单芯片封装后再在PCB板上连接起来相比较而言)。
目前MCM封装技术中有三种形式:MCM-C,MCM-L,MCM-D。
MCM-C是利用陶瓷作为衬底,采用厚膜工艺来制作。
MCM-L是以层压有机板形成基板,采用多层线路板制造工艺来制作。
MCM-D是以硅器件制造工艺为基础,通过薄膜淀积技术形成多层互连线和互连之间的多层绝缘层。
二者相比较,MCM-D是最理想的一种,但它的成本较昂贵,因而其推广应用受到影响。
此外,裸芯片的保存、运输以及裸芯片本身的测试还存在许多技术问题,尚有待进一步解决。
多芯片组件(MCM)技术
MCM 作 为在 微 电子 领域 保 持领 先 地位 的重 要技 术 加 以发 展, 并确 定其 为 2 1 年 前重 点发 展的 十大 军 民两用 高新 技 0 0
术 之 一 日 本 一 直 以 来 是 MCM 技 术 的 推 崇 者 ,他 们 建 立
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多芯片封装(MCM)方案(一)
多芯片封装(MCM)方案一、实施背景随着科技的飞速发展,电子产品对高性能、小型化和低成本的需求日益增强。
其中,多芯片封装(MCM)技术成为满足这些需求的关键。
MCM方案通过将多个芯片集成到一个封装内,提高了芯片间的通信效率,降低了功耗,并减少了产品体积。
这种技术对于推动产业结构改革,尤其是在高集成度、高性能和低功耗的领域,具有重大意义。
二、工作原理MCM技术利用先进的封装工艺,将多个芯片(如处理器、存储器和模拟芯片等)集成到一个封装内。
通过缩短芯片间的距离,提高互连密度,降低信号传输延迟,从而提高整个系统的性能。
此外,MCM技术还通过优化散热设计,降低芯片工作温度,提高系统的稳定性。
三、实施计划步骤1.需求分析:首先明确产品的需求,包括性能、尺寸、功耗等。
这将有助于确定所需芯片类型及数量。
2.芯片选择:根据需求分析,选择适合的芯片。
这需要考虑芯片的性能、功耗、成本等因素。
3.封装设计:设计适合多芯片封装的架构,包括芯片的布局、互连设计、散热设计等。
4.制造与测试:利用所选的芯片和设计,进行MCM的制造和测试。
这包括前道制造和后道测试等环节。
5.验证与优化:对制造和测试的结果进行验证,根据结果进行优化,以提高产品的性能和稳定性。
四、适用范围MCM技术适用于多种领域,如移动设备、云计算、人工智能、物联网等。
在移动设备中,MCM可以提高设备的性能并降低功耗;在云计算中,MCM可以实现高速数据传输和低延迟处理;在人工智能和物联网中,MCM可以提高设备的计算能力和通信效率。
五、创新要点MCM技术的创新点在于其高集成度、高性能和低功耗的特点。
通过将多个芯片集成到一个封装内,不仅提高了芯片间的通信效率,还降低了功耗和产品体积。
此外,MCM技术还通过优化散热设计,提高了系统的稳定性。
六、预期效果与收益预期通过实施MCM方案,可以带来以下效果和收益:1.提高性能:MCM技术将多个芯片集成到一个封装内,提高了芯片间的通信效率,从而提高了整个系统的性能。
多芯片组件的热三维有限元模拟与分析
多芯片组件的热三维有限元模拟与分析作者:秦向南杨平沈才俊廖宁波多芯片组件(MCM)是将多个半导体集成电路元件以裸芯片的状态搭载在不同类型的布线板上,并实现整体封装的一种封装技术。
与单芯片封装相比。
MCM可提高单位体积内电路的集成度,有利于电子整机向高速化、多功能化和小型化方向发展,随着MCM 集成度的提高和体积的缩小,尤其是对于集成了大功率芯片的MCM,其内部具有多个热源,热源之间的热糯合作用较强,单位体积内的功耗很大,由此带来的芯片热失效和热退化现象突出。
有资料表明,器件的工作温度每升高10℃,其失效率增加l倍。
因此,准确模拟大功率MCM 模块的三维温场分布,并分析掌握其热特性,有利于指导MCM 热设计方案的选择,对提高大功率MCM 的可靠性具有重要意义。
笔者以ATMEL公司生产的MCM的内部结构、尺寸和材料为基础,对该MCM在典型工作模式和自然对流的环境下的内部和封装表面温度场分布情况进行了模拟,并分析了该MCM 工作时各部分散热比例情况和MCM各部分材料的热导率对内部温度的影响。
1 计算模型1.1 MCM 实际结构图1描述了ATMEL 公司生产的某型号MCM 的内部结构。
该MCM 内部有三个芯片以倒装焊方式置于Al203 基板上(芯片和基板之间有层厚度为0.29mm 的粘结剂),其中左边的一块是CPU,它的尺寸为8.5mm x 7.62mm x O.65mm。
右边为两块大小相等的存储器,它们的尺寸为9.5mm x 6.82mm x 6.5mm。
基板的尺寸为25mm x 21mm x 2.2mm,其背面通过阵列排列的255个焊球与PCB相连,焊球直径为0.8 mm,焊球中心距离为1.27mm。
PCB 的尺寸为90mm x 50mm x 1.5mm。
1.2 有限元模型为了便于计算分析,先对模型作如下简化和假设:(1)MCM工作时其内部功率器件处于热平衡状态,且其结温分布是稳定的。
(2)MCM内部的CPU 和存储器是主要热源,忽略电流流过电阻和连续时产生的焦耳热。
MCM封装
4、MCM封装技术
MCM技术可概括为:多层互连基板的制作
(Substrate Fabrication)与芯片连接(Chip
Interconnection)两大技术部分。芯片连接可以用打 线键合、TAB或C4等技术完成;基板可以陶瓷、金属 及高分子材料,利用厚膜、薄膜、或多层陶瓷共烧等 技术制成多层互连结构。
MCM-C ,MCM-L,MCM-D 的比较
MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的 组件。布线密度不怎么高,成本较低。 MCM-C 是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化 铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基 板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高 于MCM-L。 MCM-D 是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化 铝或氮化铝)或Si、Al 作为基板的组件。 布线密谋在 三种组件中是最高的,但成本也高。
C4(Controlled collapsed chip connection) 可控塌陷
芯片连接技术
关于MCM
1、产生背景及由来
随着便携式电子系统复杂性的增加,对VLSI集成电路的低功率、轻型 及小型封装的生产技术突出了越来越高的要求。同样,许多航空和军
事应用也正在朝该方向发展。为了满足这些要求,在MCMX、Y平面
MCM与MCP
最近两三年来,MCM技术通过少芯片封装(FCP)形式 获得了新生。FCP有时也称为多重芯片封装(MCP), 已有越来越多公司出于技术和商业原因正在接受FCP。 虽然这些FCP看起来与它们单芯片同类没什么区别, 但它们确实完全不同于90年代初期MCM,今天FCP 不再使用多达二十个裸片,一般只用2~4个裸片装在 球栅阵列封装基板上(图1)。这一“再生”应部分归功 于裸片测试和运送技术改善以及低成本高性能基板出 现,随着FCP逐渐成为系统级芯片(SoC)替代方案, 进一步还产生了系统级封装(SiP)
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5.组件的成本分析
在MCM的多种成本因素中,首要的是IC芯片成 本,这与组装多个IC芯片的成本有关;其次是多层 基板的成本,这与多层基板的成品率相关,此外, 还有外贴元器件的成本和外壳等多种因素。
3D-MCM是为适应军事、宇航、卫星、计算机、通 信的迫切需求而迅速发展的高新技术,它具有降低功 耗、减轻重量、缩小体积、减弱噪声、降低成本等优 点。 三维多芯片组件技术是现代微组装技术发展的重要 方向,是新世纪微电子技术领域的一项关键技术;近 年来,在国外得到迅速发展。因此,我国也应该尽快 高度重视该项新技术的研究和开发。
8.1 MCM(Multi Chip Model)多芯片组件概述
8.1.1 MCM的定义 为解决单一芯片集成度低和功能不够完善的问题, 把多个高集成度、高性能、高可靠性的芯片,在高密 度多层互联基板上用SMD技术组成多种多样的电子模 块系统,从而出现MCM(Multi Chip Model)多芯片组 件。 从组装(或封装)角度出发,MCM定义:两个或更多 的集成电路裸芯片电连接于共同电路基板上,并利用 它实现芯片间互连的组件。
8.1.4 CSP的出现促进MCM的发展
对 MCM 的制作成品率影响最大的是 IC 芯片。因为 MCM的高成品率要求各类IC芯片都是确认的优质芯片 KGD(Known Good Die),而裸芯片无论是芯片制造商 还是使用者都难以进行全面测试老化筛选,因而给组 装MCM带来无法确定芯片性能的不利因素。一旦装上 的芯片不合格,这块MCM就会不合格并难以返修,使 得成本和成品率阻碍着MCM的应用和发展。 因此,如何提高 MCM 的成品率就成为进一步促进 MCM工业化的关键问题之一。
8.1
MCM(Multi Chip Model)多芯片模块概述 8.1.1 MCM的定义 8.1.2 特点及分类 8.1.3 应用及发展趋势 8.1.4 CSP的出现促进MCM的发展 8.2 MCM的热设计技术 8.2.1 设计概述 8.2.2 MCM的设计分析 8.2.3 热分析的应用软件 8.3 MCM的组装技术、检测与返修 8.3.1 基板与封装外壳的连接技术 8.3.2 检测 8.3.3 MCM的返修技术 8.4 三维多芯片组件及其应用 8.4.1 概述 8.4.2 3D-MCM的发展驱动力 8.4.3 3D-MCM的优点 8.4.4 3D-MCM应用实例
多芯片组件(MCM)的组装方式是直接将裸露的 集成电路芯片安装在多层高密度互连衬底上,层与层 的金属导线是用导通孔连接的。 这种组装方式允许芯片与芯片靠得很近,可以降低 互连和布线中所产生的信号延迟、串扰噪声、电感/ 电容耦合等问题;还可提升系统效能与稳定度。 因此,它不仅需要良好的封装技术,在设计规划、 验证与测试上,也必须要有配套的技术和方法,才能 确保质量及优良率。
MCM的发展趋势
MCM是电子组装技术中SMT的延伸和发展,也是更高 级的混合IC;该MCM技术从兴起到成熟,解决了当前电 子整机发展过程中的几个方面的矛盾: ( 1 )解决了进一步提高集成度的问题,利用 MCM 技术 大力推动电路集成,是发展高性能军用电子器件的组件 的捷径; (2)解决了分立器件、单片IC等信号延迟的与传输速度 的限制问题; (3)解决了如何通过减少组装层次,减少焊点数量等进 一步提高整机可靠性的问题; (4)解决了小型化、高性能和高可靠性的有机结合问题。
下图为最新的MCM技术,采用适当的圆片薄型化 工艺实现在单个封装体内合封了8个芯片的示意图。
单个封装体内合封了8个芯片的示意图
8.1.2 MCM特点及分类 1. MCM的特点如下:
(1)MCM是将多块未封装的 IC芯片高密度安装在同 一基板上构成的部件,省去了IC的封装材料和工艺, 节约了原材料,减少了制造工艺,缩小了整机/组件 封装尺寸和重量。 (2)MCM的多层布线基板导体层数应不少于4层,能 把模拟电路、数字电路、功率器件、光电器件、微波 器件及各类片式化元器件合理而有效地组装在封装体 内,形成单一半导体集成电路不可能完成的多功能部 件、子系统或系统,从而使线路之间的串扰噪声减少, 阻抗易控,电路性能提高。
通 常 所 说 的 多 芯 片 组 件 都 是 指 二 维 的 多 芯 片 组 件 (2DMCM) ,它的所有元器件都布置在一个平面上,不过它的基 板内互连线的布置是三维。 随着微电子技术的进一步发展,芯片的集成度大幅度提高, 对封装的要求也更加严格, 2D-MCM的缺点也逐渐暴露出来。 目前, 2D-MCM组装效率最高可达 85% ,已接近二维组装所 能达到的最大理论极限,这已成为混合集成电路持续发展的 障碍。 为了改变这种状况,三维多芯片组件 (3D-MCM) 就应运而 生了,其最高组装密度可达200%。3D-MCM是指元器件除了 在x-y平面上展开以外,还在垂直方向 (Z方向 )上排列,与2DMCM相比,3D-MCM具有更高的集成度、组装效率、更小的 体积及重量、降低功耗,信号传输速度增加等优点。
(3)MCM 是高密度组装产品,芯片面积占基板面积 减少20%以上,互连线长度极大缩短,封装延迟时间 缩小,易于实现组件高速化。 (4)MCM 避免了单块 IC 封装的热阻、引线及焊接等 一系列问题,使产品的可靠性获得极大提高。 (5)MCM 集中了先进的半导体 IC 的微细加工技术, 厚、薄膜混合集成材料与工艺技术,厚膜、陶瓷与 PCB 的多层基板技术以及 MCM 电路的模拟、仿真、 优化设计、散热和可靠性设计、芯片的高密度互连与 封装等一系列新技术。
3、系统成品率和可靠性问题
系统成品率是单个元器件成品率的函数;MCM的系 统成品率与芯片、基板和键合工艺等参数密切相关, 其中芯片的成本占MCM成本的首位。因此,往往要通 过 KGD 方法来保证裸芯片的成品率,否则,复杂的 MCM系统成品率难以保持很高。
4、功率及散ห้องสมุดไป่ตู้问题
元器件的MCM基板上的组装密度高产生了散热问题, 因而,MCM的热设计自然就成为MCM设计中的关键 内容之一。
CSP(Chip Scale Package,芯片尺寸封装)的出现 很好地解决了这一问题。 CSP不仅具有封装IC芯片的 优点;还具有裸芯片的优点,因为它的尺寸只有芯片 大小;有的 CSP 还可以实现大圆片的“封装”,大圆 片工艺完成后与普通芯片一样划片。 可以说,各类CSP真正解决了单芯片IC已确认的优 质芯片问题,同时也解决了组装 MCM 的后顾之忧, 大大提高MCM的成品率,其成本也会大为降低。 CSP的引脚间距按SMT的要求(如0.5-1.27mm)布 置 Pb/Sn 焊接凸点,因此可使用常规的 SMT 在厚、薄 膜多层基板上或 PCB 多层基板上对 CSP 进行贴装并再 流焊,使 MCM 的工业化成为可能,也使 SMT 提高到 一个新的水平。
MCM-L :采用层压有机基材,制造采用普通印制板 的加工方法,即采用印刷和蚀刻法制铜导线,钻出盲孔、 埋孔和通孔并镀铜,内层的互连由EDA软件设计来定。 由于采用普通印制电路板的加工方法,MCM-L具有低成 本、工期短、投放市场时间短等绝对优势。 MCM-C:采用陶瓷烧制基材,导体是由一层层烧制金 属制成的,层间通孔互连与导体一块生成,电阻可在外 层进行烧制,最后用激光修整到精确值,所有导体和电 阻都印刷到基板上,加工方法颇为复杂。 MCM-D:采用薄膜导体沉积硅基片,制造过程类似于 集成电路;基片是由硅和宽度在 1um-1mm之间的导体构 成,通孔则由各种金属通过真空沉积而形成。
3.MCM的物理设计
物理设计是使电路或系统原理图变为直观、可 操作的图形,它是在组件规范的基础上,增加系统 制造中可能用到的几何信息,包括元器件位置参数、
互连尺寸、位置参数以及通孔的尺寸和位置参数。
4.组件的可靠性分析
电子系统的可靠性既取决于硬件,也取决于软件。 由于故障返修的费用上涨很快,几乎与电子系统成本 的下降速度一样,因此对很多系统,包括廉价的消费 类电子产品来说,可靠性将是一个最重要的设计目标。 可靠性是一种系统特性,必须使它成为设计中的重 要部分,因为在产品研制生产之后,其可靠性也就基 本确定了。
因此,在考虑MCM的设计时,必须充分把握以下几点:
1、电性能问题 在传统的电子封装中,与互连有关的寄生参数包括采 用WB技术将芯片连接到封装基板上的寄生电阻、寄生 电容、寄生电感以及焊接引脚或表面安装封装的电阻、 电感、电容。 2、成本问题 由MCM主要用于高性能、高速度及高可靠领域时, 其成本是特别重要的因素。
8.2.2 MCM的设计分析
1.组件的尺寸和布线分析
组件的尺寸决定着关键的网状互连线的长度,这些 长度又影响系统的电性能以及长期可靠地工作。封装 时芯片封装密度决定着组件的功耗密度,功耗密度决 定组件如何经济有效地散热。 因此,影响组件尺寸的因素除了元器件的物理尺寸 外,还包括布线密度、布线能力、焊区节距、布线方 式、功率密度、组件对外连接形式以及元器件的排列 等。
2.组件的电学分析
由于MCM组件具有多功能、高速度的特点,其电 特性与通常单个的芯片相差较大。MCM组件内部的 分布参数效应,即高速脉冲信号在芯片间的传输存在 电磁场。 由于时钟频率的提高,MCM芯片间互连线传播的 时间和脉冲信号的时间参量相当,在这种情况下,互 连线的分布参数效应和波的传播性质明显,各种封装 结构将对信号的传输产生明显影响。
7.1.3 应用及发展趋势
目前,实现系统集成的技术途径主要有两个:一是半导 体单片集成技术;二是 MCM 技术。前者是通过晶片规模 的集成技术,将高性能数字集成电路(含存储器、微处理器、 图像和信号处理器等 )和模拟集成电路 ( 含各种放大器、变 换器等)集成为单片集成系统;后者是通过三维多芯片组件 技术实现集成的功能。 MCM早在80年代初期就曾以多种形式存在,但由于成 本昂贵,只用于军事、航天及大型计算机上。 近年来,随着技术的进步及成本的降低, MCM 在计算 机、通信、雷达、数据处理、汽车行业、工业设备、仪器 与医疗等电子系统产品上得到越来越广泛的应用,已成为 最有发展前途的高级微组装技术。