多芯片组件(MCM)
芯片常见封装缩写解释
常见封装缩写解释bldh888 发表于: 2010-4-23 22:04 来源: 半导体技术天地1. DIP(dual in-line PACkage)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见Cerdip)。
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
SOP小型外引脚封装Small Outline Package r¬o0c[hi^M 4srs?}JSSOP收缩型小外形封装Shrink Small Outline Package P pBI%{p)与SOP的区别：近似小外形封装,但宽度要比小外形封装更窄,可节省组装面积的新型封装。
2. DIP(dual tape carrier PACkage)同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
QTCP(quad tape carrier PACkage)四侧引脚带载封装。
TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。
是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。
MCM
的传 统设 计 方法 因其 周期 长 、代 价 高等 弊端 将 彻底
失 去 地位 ，取 而 代 之 的 是 周 期 短 、 代 价 低 、 灵活 方便 的 ＣＡＤ 综 合 设计 技 术 。
随着 ＭＣ 技 术 的不 断发展 ，当前 普遍 采 用 的 Ｍ
２ ＭＣＭ 的组 装效 率 已达 到 ８ 以上 ，基 本 接 近 Ｄ． ５
二 维组 装 的 极 限密 度 。 为 了进 一 步提 高组 装 密度 ，
实现 更 小 的体积 和 更 多 的功 能 ，我们 必 须发 展 ３ Ｄ．
本 文 着 重研 究 ３ ＭＣＭ 的综 合 设计 技 术 ，提 Ｄ．
出 了一个 理 想 的 ＭＣＭ 综 合 设计 系统 结 构 。 它针 对
２ 综 合 设 计 系 统 要 求
３ Ｍ Ｃ 的综 合 设计 技 术 包 括 电性 能 设 计 技 Ｄ— Ｍ 术 、热 分 析 及 热 设 计 技 术 、 结 构 设 计 技 术 等 ， 各 部 分 相 对 独 立 又 互 相 关 联 、 密 不 可 分 ，是 一 种 设
车 电子 、消费类 电子 、医疗 电子 等方 面发 挥 着 巨大
的作 用 。它是将 多个集 成 电路 裸 芯片和 其 他 片式 元
器件 组装 在 同一 块 高密度 多层互 连基 板 上 ，然 后封
装 在 外 壳 内 。它 与 传 统 混 合 Ｉ 的主 要 区别 在 于 ， Ｃ
ＭＣＭ 采 用 多块裸 芯 片 与多 层布 线 基板 ， 并实 现 高
维普资讯
ＭＣＭ 综 合设 计 技 术研 究
杨 桂 杰 ， 杨 银 堂 ， 李 跃 进
（ 安 电子 科技 大 学微 电子 所 ， 陕 西 西安 ，７ ０ ７ 西 １ ０ １）
IC的各种封装
IC的各种封装1、BGA(ball grid array)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI 用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方；而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。
有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。
美国Motorola 公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC 和GPAC)。
2、BQFP(quad flat package with bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。
QFP 封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。
美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC 等电路中采用此封装。
引脚中心距0.635mm，引脚数从84 到196 左右(见QFP)。
3、碰焊PGA(butt joint pin grid array) 表面贴装型PGA 的别称(见表面贴装型PGA)。
4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP(数字信号处理器)等电路。
BGA多芯片组件及三维立体封装(3D)技术
BGA多芯片组件及三维立体封装(3D)技术2003-10-4 9:39:59 本文摘自《电子与封装》杨建生(天水永红器材厂，甘肃天水741000)摘要：本文主要对BGA多芯片组件技术和三维立体(3D)封装技术进行了浅析，同时简述了它们的主要特点及应用前景。
关键词：BGA多芯片组件；三维立体封装(3D)；特点中图分类号：TN305．94 文献标识码：A1引言目前半导体IC封装的主要发展趋势为多引脚、窄间距、小型、薄型、高性能、多功能、高可靠性和低成本，因而对系统集成的要求也越来越迫切。
通过由二维多芯片组件到三维多芯片组件(3D-MCM或MCM-V)技术，实现WSI的功能是实现系统集成技术的主要途径之一。
三维封装技术是现代微组装技术发展的重要方向，是微电子技术领域跨世纪的一项关键技术。
2 BGA多芯片组件多芯片组件最简单的定义是在封装(芯片载体)中有多于一个的芯片。
过去的几年已证明，在MCM的研究与开发方面出现了突飞猛进的增长现象，这是单芯片组件密度和性能受限的直接结果。
充分利用IC性能优点方面传统设计的基板结构，MCM把好几个IC芯片结合成为相当于一百多个高性能IC的功能。
复杂的基板结构是MCM技术的核心。
运用薄膜、厚膜、共烧及分层等方法，可把它装配于各类多层陶瓷、聚合物、各类金属、玻璃陶瓷和PCB上等。
电子电路互连封装协会(IPC)已给出了MCM的标准定义，确定了三种主要的MCM的类型。
MCM-C是使用厚膜技术诸如可共烧金属以形成导体图形的多芯片组件。
整个构成材料为陶瓷或玻璃一陶瓷材料或介电常数高于5的别的材料。
一言以蔽之，即在陶瓷或玻璃瓷板上形成MCM-C。
MCM-L是使用叠层结构和印制电路板技术以形成主要的铜导体及通孔的多芯片组件。
这些构造也许有时包含热膨胀控制金属层。
简言之，MCM-L使用加强的塑料叠层PCB技术。
MCM-D 就是在多芯片组件上或在硅、陶瓷或金属支撑的介电常数低于5的未加强介电材料上，通过薄膜金属淀积而形成的多层信号导体。
微组装技术简述及工艺流程及设备
2.优点——MCM技术有以下主要优点。
1）使电路组装更加高密度化，进一步实现整机 的小型化和轻量化。与同样功能的SMT组装 电路相比，通常MCM的重量可减轻 80%~90%，其尺寸减小70~80%。在军事应 用领域，MCM的小型化和轻量化效果更为明 显，采用MCM技术可使导弹体积缩小90%以 上，重量可减轻80%以上。卫星微波通信系 统中采用MCM技术制作的T/R组件，其体积 仅为原来的1/10~1/20。
3)淀积型MCM（MCM-D，其中D是“淀积”的英 文名Deposition 的第一个字母），系采用高密度 薄膜多层布线基板构成的多芯片组件。其主要特 点是布线密度和组装效率高，具有良好的传输特 性、频率特性和稳定性.
4)混合型MCM-H（MCM-C/D和MCM-L/D，其中 英文字母C、D、L的含义与上述相同），系采用 高密度混合型多层基板构成的多芯片组件。这是 一种高级类型的多芯片组件，具有最佳的性能/价 格比、组装密度高、噪声和布线延迟均比其它类 型MCM小等特点。这是由于混合多层基板结合了 不同的多层基板工艺技术，发挥了各自长处的缘 故。特别适用于巨型、高速计算机系统、高速数 字通信系统、高速信号处理系统以及笔记本型计 算机子系统。
2)厚膜陶瓷型MCM（MCM-C，其中C是“陶瓷 ”的英文名Ceramic的第一个字母），系采用 高密度厚膜多层布线基板或高密度共烧陶瓷 多层基板构成的多芯片组件。其主要特点是 布线密度较高，制造成本适中，能耐受较恶 劣的使用环境，其可靠性较高，特别是采用 低温共烧陶瓷多层基板构成的MCM-C，还 易于在多层基板中埋置元器件，进一步缩小 体积，构成多功能微电子组件。MCM-C主 要应用于30~50MHz的高可靠中高档产品。 包括汽车电子及中高档计算机和数字通信领 域。
以日常生活常见的电子产品为例,分析不同的封装层级
以日常生活常见的电子产品为例,分析不同的封装层级电子封装的基本概念所谓电子封装是个整体的概念，包括了从集成电路裸片（Die）到电子整机装联的全部技术内容。
在国际上，微电子封装是个很广泛的概念，包含组装和封装的多项内容。
微电子封装所包含的范围应包括单芯片封装（SCP）设计和制造、多芯片封装（MCM）设计和制造、芯片后封装工艺、各种封装基板设计和制造、芯片互连与组装、封装总体电性能、机械性能、热性能和可靠性设计、封装材料、封装工模夹具以及绿色封装等多项内容。
电子封装可以分为广义封装与狭义封装。
狭义的电子封装（Package），是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把Foundry（晶圆代工）生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把引脚引出来，然后固定包装成为一个整体。
封装具有保护芯片、增强电热性能、方便整机装配的重要作用。
以双列直插式（DualIn-LinePackage，DIP）为例，如下图所示，晶圆上划出的裸片，经过检测合格后，将其紧贴安装在基底上，再将多根金属导线（BondingWire，一般用金线）把裸片上的金属接触点跟外部的引脚通过焊接连接起来，然后埋入树脂，用塑料管壳密封起来，形成芯片整体。
双列直插芯片的封装广义的电子封装，应该是狭义的封装与实装工程及基板技术的总和。
是指将半导体和电子元器件所具有的电子的，物理的功能，转变为能适用于设备或系统的形式，并使之成为人类社会服电子封装的三个级别谈到微电子封装，首先我们要叙述一下三级封装的概念。
一般说来，微电子封装分为三个级别（也有文献上将从集成电路裸片（Die）到电子整机的整个电子装联过程细分为从零级到5级的6个级别）。
所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后，将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来，并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合（WB）、载带自动键合（TAB）和倒装芯片键合（FCB）连接起来，使之成为有实用功能的电子元器件或IC组件。
MCM封装技术新进展
MCM封装技术新进展胡燕妮【摘要】MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在Z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点.介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D.其中MCM-L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低.MCM-C热稳定性好且单层基板价位低,但难以制成多层结构.MCM-D为薄膜封装技术的应用,它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一.最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展.【期刊名称】《电子与封装》【年(卷),期】2016(016)003【总页数】3页(P12-14)【关键词】封装;MCM-L;MCM-C;MCM-D【作者】胡燕妮【作者单位】武汉船舶职业技术学院,武汉430000【正文语种】中文【中图分类】TN305.94近年来，随着新技术的发展，尤其是封装技术的迅猛发展，MCM集成电路尤其是低成本的消费类MCM集成电路已经大批量进入市场。
MCM可以将裸芯片在Z 方向叠层，这样就可以更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。
这就是MCM封装产生的背景。
2.1 MCM封装技术概述MCM封装即多芯片组件，如图1所示，其内部结构图如图2所示，它使用多层连线基板，再以打线键合、载带自动键合技术或控制塌陷芯片连接方法将多个IC芯片与基板连接，让它们成为具有特定功能的组件。
其主要优点是电路连接密度及封装效率更高；且与SMT相比，MCM封装提升了可靠度，SMT封装如图3所示。
其缺点是制造成本高，功率提升速度慢，且没能根本解决KGD（Known Good Die已知之良好芯片）来源问题。
MCM封装技术可以分为3类：叠层型多芯片组件（MCM-L）；共烧陶瓷型多芯片组件（MCM-C），其中的LTCC技术是MCM封装中最有发展前途的一种；淀积薄膜型多芯片组件（MCM-D）[1]。
2.2 MCM封装工艺分析MCM-L型中的L代表“Laminate”，意为层压制品。
芯片封装分类
芯⽚封装分类芯⽚封装分类⼤全【1】双列直插封装(DIP)20世纪60年代，由于IC集成度的提⾼，电路引脚数不断增加，有了数⼗个I/O引脚的中、⼩规模集成电路(MSI、SSI)，相应的封装形式为双列直插(DIP)型，并成为那个时期的主导产品形式。
70年代，芯⽚封装流⾏的是双列直插封装(DIP)、单列直插封装(SIP)、针栅阵列封装(PGA)等都属于通孔插装式安装器件。
通孔插装式安装器件的代表当属双列直插封装，简称DIP(Dualln-LinePackage)。
这类DIP从封装结构形式上可以分为两种：其⼀，军品或要求⽓密封装的采⽤陶瓷双例直插DIP；其⼆，由于塑料封装具有低成本、性价⽐优越等特点，因此，封装形式⼤多数采⽤塑料直插式PDIP。
塑料双便直插封装(PDIP)是上世纪80年代普遍使⽤的封装形式，它有⼀个矩形的塑封体，在矩形塑封体⽐较长的两侧⾯有双列管脚，两相邻管脚之间的节距是2．54mm，引线数为6-84，厚度约为2.0~3．6，如表2所⽰。
两边平等排列管脚的跨距较⼤，它的直插式管脚结构使塑封电路可以装在塑料管内运输，不⽤接触管脚，管脚从塑封体两⾯弯曲⼀个⼩⾓度⽤于插孔式安装，也便于测试或器件的升级和更换。
这种封装形式，⽐较适合印制电路板(PCB)的穿孔安装，具有⽐50年代的TO型圆形⾦属封装，更易于对PCB布线以及操作较为⽅便等特点。
这种封装适合于⼤批量低成本⽣产，便于⾃动化的线路板安装及提供⾼的可靠性焊接。
同时，塑料封装器件在尺⼨、重量、性能、成本、可靠性及实⽤性⽅⾯也优于⽓密性封装。
⼤部分塑封器件重量⼤约只是陶瓷封装的⼀半。
例如：14脚双列直插封装(DIP)重量⼤约为1g，⽽14脚陶瓷封装重2g。
但是双列直插封装(DIP)效率较低，⼤约只有2％，并占去了⼤量有效安装⾯积。
我们知道，衡量⼀个芯⽚封装技术先进与否的重要指标是芯⽚⾯积与封装⾯积之⽐，这个⽐值越接近1越好。
【2】四边引线扁平封装(QFP)20世纪80年代，随着计算机、通讯设备、家⽤电器向便携式、⾼性能⽅向的发展；随着集成电路技术的进步，⼤规模集成电路(LSI)I／O引脚数已达数百个，与之相适应的，为了缩⼩PCB板的体积进⽽缩⼩各种系统及电器的体积，解决⾼密度封装技术及所需⾼密度引线框架的开发，满⾜电⼦整机⼩型化，要求集成电路封装在更⼩的单位⾯积⾥引出更多的器件引脚和信号，向轻、薄、短、⼩⽅向发展。
28种芯片封装技术的详细介绍
28种芯片封装技术的详细介绍1、BGA|ball grid array也称CPAC(globe top pad array carrier)。
球形触点陈列，表面贴装型封装之一。
在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI 芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。
也称为凸点陈列载体(PAC)。
引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。
封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。
例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。
而且BGA不用担心QFP 那样的引脚变形问题。
该封装是美国Motorola 公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，随后在个人计算机中普及。
最初，BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm，引脚数为225。
现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。
BGA 的问题是回流焊后的外观检查。
美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为MPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC。
2、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。
例如，CDIP 表示的是陶瓷DIP。
是在实际中经常使用的记号。
3、COB (chip on board)COB (chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。
4、DIP(dual in-line package)DIP(dual in-line package)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
欧洲半导体厂家多用DIL。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
ANSYS的APDL分网技术在多芯片组件中的应用
ｒ ｅ ｓ ｏ ｕ ｒ ｃ ｅ ｓ ． Ｔｈ ｅ ｇ ｉｄ ｒ ｏ ｆ ｓ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｉ ｖ ｅ ｐｏ ｉ ｎｔ ｎｅ ｔ ｓ ｔ ｅ ｃ ｈｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ ｍｅ ｅ ｔ ｔ ｈ ｅ ｐ ｒ ｅ ｃ ｉ ｓ ｉ ｏ ｎ ｗｉ ｔ ｈ ｌ ｅ ｓ ｓ ｃ ｏ ｍｐ ｕ ｔ ｉ ｎ ｇ ｔ ｉ ｍｅ ， Ｓ Ｏ ｔ ｈ ｉ ｓ ｗａ ｙ ｉ ｓ ａ ｍｏ ｒ ｅ ｉ ｄ ｅ ａ ｌ ｐ ｏ ｉ ｎ ｔ ｓ ｎ ｅ ｔ ｓ ｔ ｅ ｃ ｈｎ ｏ ｌ ｏ ｙ ． ｇ Ｋｅ ｙ ｗｏ ｒ ｄｓ ： ｍｕ ｌ ｔ ｉ ｃ ｈ ｉ ｐ ｍｏ ｄｕ ｌ ｅ； ＡＰＤＬ ｌ ａ ｎ ｇ ｕ ａ ｇ ｅ； ｎｅ ｔ ｓ ｔ ｅ ｃ ｈｎ ｏ ｌ ｏ ｙ ； ｇ ｆ ｉ ｎ ｉ ｔ ｅ ｅ ｌ ｅ ｍｅ ｎｔ ； ｔ ｈ ｅ ｒ ｍａ ｌ ｓ ｉ ｍｕｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ
（１ ． Ｊ ｉ ｙ ｕａ ｎ Ｖｏ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ａ ｌ ａ ｎ ｄ Ｔｅ ｃ ｈ ｎ ｉ ｃ ａ ｌ Ｃｏ ｌ ｌ ｅ ｇ ｅ ， Ｊ ｉ ｙ ｕ ａ ｎ Ｈｅ Ｎａ ｎ ４５ ４ ６５ ０， Ｃｈ ｉ ａ ｎ ２ ． Ｉ ｎ ｆ ｏ ｒ ｍａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ｅｎ ｇ ｉ ｎｅ ｅ ｉｎｇ ｒ Ｕｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ Ｐｅ ｏ ｐ ｌ ｅ ＇ ｓ Ｌｉ ｂ ｅ ｒ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ Ａｒ ｍｙ ， Ｚｈｅ ｎ ｇ ｚ ｈ ｏ ｕ Ｈｅ Ｎａ ｎ ４ ５ ００ ０１ ， Ｃｈｉ ｎａ ）