柠檬酸浓度对化学浴沉积硫化铟薄膜形成机理的影响研究
一种提高硫化铟光催化的方法[发明专利]
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201810886192.9(22)申请日 2018.08.06(71)申请人 济南大学地址 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号(72)发明人 丁梦 陈磊 杨红岑 徐锡金 (74)专利代理机构 济南圣达知识产权代理有限公司 37221代理人 孙维傲(51)Int.Cl.B01J 27/04(2006.01)B01J 35/00(2006.01)C02F 1/30(2006.01)C02F 101/38(2006.01)C02F 101/34(2006.01)(54)发明名称一种提高硫化铟光催化的方法(57)摘要本发明涉及一种提高硫化铟光催化效率的方法，所述方法包括合成硫化铟后对其进行水热处理，其中，水热处理的时间为4-24小时。
经水热处理的硫化铟光催化效率显著提升。
权利要求书2页 说明书4页 附图3页CN 108993539 A 2018.12.14C N 108993539A1.一种提高硫化铟光催化效率的方法，所述方法包括合成硫化铟后对其进行水热处理，其中，水热处理的时间为4-24小时。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水热处理的时间为4小时或16-24小时。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述合成硫化铟的方法包括以下步骤：将氯化铟溶液逐滴加入到柠檬酸水溶液中，溶剂为去离子水，在滴加的过程需要搅拌，滴加后在恒定的磁力搅拌下；然后将硫化钠溶液逐滴加入到氯化铟和柠檬酸的溶液体系中，磁力搅拌，得到黄色的悬浮液；然后，将产物离心，无水乙醇和去离子水反复洗涤，真空干燥，研磨后得到橘红色的硫化铟粉末颗粒。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述合成硫化铟的方法包括以下步骤：将氯化铟溶液逐滴加入到柠檬酸水溶液中，溶剂为去离子水，在滴加的过程需要搅拌，滴加后在恒定的磁力搅拌下搅拌2个小时；然后将硫化钠溶液逐滴加入到氯化铟和柠檬酸的溶液体系中，磁力搅拌1小时，得到黄色的悬浮液；然后，将产物离心，无水乙醇和去离子水反复洗涤4-5次，在60℃的真空干燥箱干燥，最后经过研钵研磨后得到橘红色的硫化铟粉末颗粒。
利用超声波和化学淀积技术制备NiO薄膜的研究
利用超声波和化学淀积技术制备NiO薄膜的研究随着现代科技的不断发展，各种新材料的研究成为了当今的热点话题。
针对材料制备技术，超声波和化学淀积技术因其优越的技术特性和制备效果受到了人们的广泛关注。
其中，利用超声波和化学淀积技术制备NiO薄膜是一个备受关注的研究领域，其目的是通过这种制备方式来获得高质量、优良性能的NiO薄膜，从而在电子元器件、光催化、光电池等方面得到广泛应用。
1. 超声波技术在NiO薄膜制备中的应用超声波技术是将高频机械振动波通过水或其他溶液介质传导到制备介质中，产生液体流动和抗菌作用，从而实现制备过程的加速和效果的提升。
在NiO薄膜制备过程中，使用超声波技术可以将Ni(OH)2沉淀物直接还原为NiO薄膜，并在过程中实现表面微观结构的优化，进一步提高NiO薄膜的性质和稳定性。
2. 化学淀积技术在NiO薄膜制备中的应用化学淀积技术主要是利用化学还原等反应机理将Ni2+离子还原成NiO薄膜。
该技术易于实现和控制，能够减少和避免残留的溶液中物质的影响，并可通过调节溶液中的反应物浓度、pH值等参数来调控NiO薄膜的形貌和性能。
因此，化学淀积技术也被广泛应用于NiO薄膜的制备中。
3. 超声波和化学淀积技术联合制备NiO薄膜的优势和应用将超声波和化学淀积技术同时应用于NiO薄膜的制备过程中，能够发挥两种技术的长处，实现制备过程的快速、高效和优化。
在该制备过程中，超声波将化学反应物与Ni(OH)2沉淀物混合均匀，实现Ni2+离子的溶解，进而通过化学还原机理将Ni2+离子还原成NiO薄膜。
同时，超声波也能够加速Ni(OH)2沉淀物在溶液中的分散、碾磨和退火过程，从而实现NiO薄膜表面的微观结构优化和性能的提升。
因此，超声波和化学淀积技术联合制备NiO薄膜具有制备速度快、效果优良等优点，并在电子元器件、光催化等领域得到广泛应用。
4. 结论综上所述，利用超声波和化学淀积技术制备NiO薄膜是一种前沿的研究领域，该制备技术具有制备速度快、效果优良等优点，并在电子元器件、光催化等领域广泛应用。
低含铟浸出渣中铟的氧压酸浸实验及动力学研究
低含铟浸出渣中铟的氧压酸浸实验及动力学研究李学鹏;刘大春;王娟【摘要】采用氧压酸浸的方法浸出低含铟浸出渣中的铟,研究铟的氧压酸浸过程及动力学;研究搅拌速率、浸出温度、初始硫酸浓度、氧分压、物料粒度对铟浸出率的影响.研究结果表明:在浸出温度为220℃,物料粒度为75～80μm,硫酸浓度为1.53 mol/L,转速为650 r/min,氧分压为0.60 MPa时,铟、锌和铜的浸出率分别为99.5％,95.36％和95.94％;铟的浸出过程符合未反应收缩核模型,前期受化学反应控制,然后转为混合控制,后期受固体产物层扩散控制;化学反应控制和固体产物层扩散控制过程的表观活化能分别为46.09 kJ/mol和11.62 kJ/mol.【期刊名称】《中南大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2018(049)008【总页数】9页(P1869-1877)【关键词】铟;氧压浸出;浸出渣;动力学【作者】李学鹏;刘大春;王娟【作者单位】昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南昆明,650093;昆明理工大学真空冶金国家工程实验室,云南昆明,650093;云南大学数理与统计学院,云南昆明,650093【正文语种】中文【中图分类】TQ013.2铟是具有良好光化学性能的低熔点金属，在电子、半导体、航空航天、医药、化工等方面应用广泛[1−3]。
铟属于稀散金属，在地壳中的质量分数为1×10−7。
铟的独立矿物极少，主要伴生于其他矿物中，生产铟的原料通常为冶炼副产物或含铟二次资源。
铟的提取原料主要有锌冶炼渣、冶炼二次烟尘、瓦斯灰、铟锡氧化物(ITO)废靶、含铟元器件等[3]。
目前，铟的富集方法主要有氧化造渣富集法、挥发富集法和湿法浸出富集法[4−7]。
氧化造渣富集法是在含铟粗铅物料加入锌，在800~900 ℃鼓入空气氧化，锌铟以浮渣的形式与铅分离，浮渣经过浸出—萃取—反萃—电解后得到精铟[8]。
挥发富集法是依据铟及铟的氧化物可挥发的性质，采用还原挥发、硫酸化焙烧挥发、真空蒸馏的方法将铟与其他金属分离[9−11]。
硫化铟浸出动力学研究
硫化铟浸出动力学的研究
摘要
本文在介绍了铟资源现状、应用前景及硫化铟的性质，总结了氧化浸出 在湿法冶金浸出中的应用等研究的基础上，以人工合成的高纯度硫化铟为研 究对象，用硫酸作为浸出剂，高锰酸钾作为氧化剂，分别研究硫化铟的常规 浸出和氧化浸出动力学。 本研究首先属浸出最佳搅拌速度，考虑了粒度的影响，然后研究常规浸 出和氧化浸出方式下，反应温度、浸出剂浓度、反应时间等因素对铟浸出率 的影响，考查了硫化铟浸出的行为；对比硫化铟在常规浸出和氧化浸出的浸 出效果；同时用 XRD 分析方法测定了原料在常规前后的物性变化并研究其 变化规律。并得出以下结果： （1）由活化能和反应级数上看，常规分别为 35.34 kJ/mol，0.72，氧化 分别为 17.32 kJ/mol，0.64，说明氧化浸出是强化硫化铟浸出的有效方法，浸 出效果明显优于常规浸出。 （2）氧化浸出不仅铟的回收率高，而且污染环境少。 （3）铟铁酸锌浸出过程符合 Sharp, H.J.模型，可用 Avrami 方程的积分形 式描述。其动力学方程可以写为： 常规浸出： ln(1 xIn ) 705.863exp(35340 / ( RT ))C 0.72t 0.6052 氧化浸出： ln(1 xIn ) 10.414exp(17320 / ( RT ))C 0.64t 0.4556 关键词：硫化铟 常规浸出 氧化浸出 动力学
II
equation, and the
广西大学学士学位论文
硫化铟浸出动力学的研究
Normal leaching, ln(1 xIn ) 705.863exp(35340 / ( RT ))C 0.72t 0.6052 Oxidative leaching, ln(1 xIn ) 10.414exp(17320 / ( RT ))C 0.64t 0.4556 KEY WORDS: Indium sulfide; normal leaching; oxidative leaching; kinetics
化学溶液沉积法制备铁掺杂镍酸镧薄膜的结构及电学性能研究
Ｋ ｅ ｒ ｓ： Ｌ Ｆ Ｏ３ ＬＮＦｅ ；ｃ ｍｉ ａ ｏｕ ｉｎ ｄ ｐ ｓｔｏ ｔ ｏ ｙ ｗｏ ｄ ａ】 ｅ Ｎｉ Ｏ— ｈｅ ｃ ｌｓ ｌ ｔｏ ｅ ｏ ｉｉｎ ｍｅ ｈ ｄ；ＣＳ Ｄ
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最近 ２ ３ ０～ ０年 间 ，铁 电薄膜 受 到 了 日益 广泛
的关 注 。尤 其在 存储 器件领 域 ，铁 电存 储器 由于其 较快 的读写 速 度 ，非 易 失性 和 较 高 的抗 辐 照 能力 ，
摘 要 ：采用化学溶液沉积法 ， （０ ）取向单晶硅衬底上制备铁掺杂镍酸镧 （ａ ｉ Ｆ Ｎ ｅ —）薄 在 １０ ＬＮ。 ｅＯ ，Ｌ ＦＯ 一
膜 ，研究了其结构和室温下的导电特性 。Ｘ射线衍射测试结果表明 ，经 ７ ０ｏ ０ １ｈ退火 的薄膜呈钙钛 矿结 构 ，没 Ｃ 有可以观察到的杂相生成。薄膜表 面平整 、致密 ，没有微裂痕出现。随着铁含量 的增加 ，薄膜 电阻率 由 １７ｍ ｌ ． ｆ
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水浴温度对化学浴沉积制备的Cd_xZn_(1-x)S薄膜光电性能的影响
水浴温度对化学浴沉积制备的Cd_xZn_(1-x)S薄膜光电性能的影响焦静;沈鸿烈;李金泽【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2015(44)8【摘要】采用氯化镉,氯化锌,硫脲,柠檬酸钠和氨水构成的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜,采用SEM、EDS、XRD和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、组分、相结构和光学性能,测试了薄膜的光电流响应曲线进而对薄膜的光电性能进行了分析。
结果表明,在65~85℃水浴温度下均可以制备CdxZn1-xS薄膜,随着水浴温度升高,薄膜中Zn的原子比例相对增加,光学带隙增大;制备的薄膜均显示了明显的光电导现象。
75℃制备的薄膜的表面最为平整致密,结晶性最好,光学带隙为2.72 e V,光暗电导比为1.20;光源关闭后电流下降过程最快,关闭10 s后电流下降了约69.39%。
【总页数】6页(P2051-2056)【关键词】化学浴沉积;CdxZn1-xS薄膜;光电流响应;光电导【作者】焦静;沈鸿烈;李金泽【作者单位】南京航空航天大学材料科学与技术学院,江苏省能量转换材料与技术重点实验室,南京210016【正文语种】中文【中图分类】O484【相关文献】1.退火温度对化学水浴沉积CdS薄膜性能的影响 [J], 薛钰芝;管玉鑫2.水浴温度对化学水浴法制备的CdS薄膜结构及性能的影响 [J], 张正杰;刘贵山;马铁成;薛成;胡志强3.溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响 [J], 焦静;沈鸿烈;张三洋;李金泽;王威4.溶液pH值对化学浴法制备的Cd_xZn_(1-x)S薄膜光电性能的影响 [J], 姚函妤;沈鸿烈;焦静;张三洋;李金泽;王威因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
化学水浴沉积制备高质量Zn(O,S)薄膜及其性能研究
化学水浴沉积制备高质量Zn(O,S)薄膜及其性能研究
孙祺;赵颖;李博研;陈静允;赵子铭;钟大龙
【期刊名称】《太阳能学报》
【年(卷),期】2024(45)4
【摘要】为获得铜铟镓硒薄膜太阳电池中高质量Zn(O,S)无镉缓冲层薄膜,该研究阐述了柠檬酸三钠作为络合剂制备Zn(O,S)薄膜的成膜机理,系统性研究了该体系下各反应参数对薄膜化学水浴沉积的影响。
研究表明,柠檬酸三钠的浓度值显著影响反应类型,异质反应更有利于生成高质量薄膜。
同时,柠檬酸三钠与金属离子浓度的比值直接影响成膜质量和成膜速率,适合的pH溶液环境有助于提高Zn(O,S)薄膜沉积的质量。
此外,通过工艺参数的优化,获得了电学性能接近传统CdS/CIGS太阳电池的Zn(O,S)/CIGS电池器件。
【总页数】7页(P482-488)
【作者】孙祺;赵颖;李博研;陈静允;赵子铭;钟大龙
【作者单位】北京低碳清洁能源研究院;北京市纳米结构薄膜太阳能电池工程技术研究中心
【正文语种】中文
【中图分类】TQ03-3
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1.三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究
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3.联氨浓度对化学水浴沉积ZnS薄膜性能的影响
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LNMO薄膜的化学溶液法制备研究
个 峰是 单 晶 Ｌ ＡＯ 的（ ０ ） 射 峰 ， ｈ ０衍 由于 晶格 常数 很 接 近 ， ＮＭＯ 薄 膜 的 （ ０ ） 射 峰 紧 靠 着 基 底 Ｌ Ｉ ｈ０ 衍 ＡＯ 的
峰 ， 膜沿 基 底 的 （ ０ ） 向生 长 ， 中 （ ０ ） 强 ， 薄 ｈ０ 方 其 ２０ 最
下降 ， 显示 了绝 缘行 为．
学 院 学 报
２１ ０ ２年
第 ２ ３卷
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图 ３ Ｌ ＮＭＯ 薄膜 的 电 阻 率 ～温 度 曲 线
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图 ３中的嵌 入 图为磁 电阻 ＭＲ（ｐ － ｐ） ｐ） （ｎ 。 ／ｏ 随温 度 Ｔ的变化 曲线 ． 外 加 磁 场 ０ ５Ｔ 下 ， 以看 见 明 在 ． 可
在 ８ ０℃ 的温度 下退火 ２ｈ 最 后 随炉 冷 却． 复甩 胶 ０ ， 重
和烧 结几 次 ， 至所需 薄膜 的厚 度 ， 直 最终得 到我们需 要 的薄 膜．
２ 结 果 与讨 论
Ｌ ＮＭＯ薄膜 的 ＸＲ Ｄ衍射 图 如图 １所示 ．
图 ２ Ｌ Ｍ Ｏ 薄 膜 （ ２ ） 射 峰 的 Ｐ ｉ 描 结 果 Ｎ ２０衍 ｈ扫
文献 标 志码 ： Ａ Ｄ ： ０ ３ ６ ／． ｓ ． ６ １ ９ ６ ２ １ ． ２ ０ ６ ＯＩ １ ． ９ ９ ｊｉ ｎ １ ７ —６ ０ ． ０ ２ ０ ． ０ ｓ
中 图分 类 号 ： ０６ １ ４ １ ．
钙钛 矿结 构 Ｍｎ基氧 化物 庞磁 电阻材 料 因其 潜在 的巨大 应用前 景 和丰 富 的物 理 内涵而 引起 了人们 极大 的兴趣 ． Ｉ 。 Ａ Ｍｎ 体 系 中 ， 多 数研 究是 在 Ａ 在 ｒ … Ｏ。 ａ 大
有机配体对电沉积CuInSe_2薄膜质量的影响
有机配体对电沉积CuInSe_2薄膜质量的影响
牛振江;杨东文;董振华;刘祖明;王东诚
【期刊名称】《云南民族大学学报：自然科学版》
【年(卷),期】1994(0)2
【摘要】研究并讨论了三乙醇胺、柠檬酸、酒石酸和甘氨酸作为配位体对电沉积ＣｕＩｎＳｅ＿２薄膜的组成及表面质量的影响，结果显示三乙醇胺、柠檬酸和酒石酸能较好的改善薄膜的质量，与其能在阴极上吸附的性质有关。
【总页数】4页(P28-30)
【关键词】有机配体;电沉积;CuInSe_2薄膜
【作者】牛振江;杨东文;董振华;刘祖明;王东诚
【作者单位】云南民族学院化学系,云南师范大学太阳能研究所
【正文语种】中文
【中图分类】O484
【相关文献】
1.有机配体对电沉积CuInSe2薄膜质量的影响 [J], 牛振江
2.稀土镧对DMSO有机溶剂体系电沉积铋−碲热电薄膜的影响 [J], 李菲晖;苟勇华;巩运兰;高镜涵
3.热处理工艺对超声电沉积制备CuInSe_2薄膜的影响 [J], 邹正光;聂小明;龙飞;陈壁滔
4.正交法优化电沉积CuInSe_2薄膜条件的研究 [J], 徐玲;刘昌龄;吴世彪;童彬;陈
少华;徐立红
5.电沉积制备CuInSe_2薄膜及性能研究 [J], 周学东;赵修建;夏冬林;李建庄
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硫化铟氧化酸浸与常规酸浸的动力学比较
硫化铟氧化酸浸与常规酸浸的动力学比较韦岩松;黎铉海;马宸【摘要】为了提高硫化铟的浸出率,从研究硫化铟常规酸浸、高锰酸钾或双氧水氧化酸浸的晶粒参数、表观活化能、反应级数的变化规律入手,对不同状态下硫化铟的浸出动力学进行了研究.结果表明:①硫化铟浸出反应的表观活化能、反应级数、晶粒参数,在常规酸浸状态下分别为35.6 kJ/mol、0.770、0.576,高锰酸钾氧化酸浸状态下分别为13.9 kJ/mol、0.390、0.366,双氧水氧化酸浸状态下分别为17.5 kJ/mol、0.220、0.466.②硫化铟常规酸浸的铟浸出率对浸出温度、硫酸初始浓度的变化比较敏感;而硫化铟氧化酸浸的表观活化能和反应级数均大幅度下降,化学活性显著增强,反应速率明显加快,浸出温度和硫酸初始浓度对铟浸出影响的敏感度下降.③硫化铟的常规酸浸及氧化酸浸动力学模型符合n＜1的Avrami方程,常规酸浸受化学反应与扩散混合控制,而氧化酸浸则受扩散控制,因此,强化搅拌扩散有利于提高铟浸出率.【期刊名称】《金属矿山》【年(卷),期】2014(000)003【总页数】6页(P165-170)【关键词】硫化铟;常规浸出;氧化浸出;动力学模型;Avrami方程【作者】韦岩松;黎铉海;马宸【作者单位】河池学院化学与生物工程学院,广西宜州546300;广西大学化学化工学院,广西南宁530004;广西大学化学化工学院,广西南宁530004【正文语种】中文【中图分类】TD925.6;TD926.4铟是一种珍贵的稀散金属,在地壳中的储量只有黄金的1/6。
由于铟锡氧化物是生产电脑、电视、手机等液晶屏或接触屏所不可或缺的原材料，因此，2000年以来，全球铟的需求量年均增速高达30%以上[1]。
铟具有亲硫性，其硫化物常伴生于铅、锌、锡等金属矿物中。
在主金属冶炼过程中，硫化铟最终以铟氧化物、铟硫化物和铟铁酸锌等形式富集在炉渣和烟尘中[2]。
为了从含铟矿物中高效提取铟，不少学者研究后提出了多种强化铟浸出的手段[3-4]，但铟浸出率始终不高。
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１ 北京 工 业大 学材 料科 学与 工程 学 院 ， 北京 １ ０ ２ ） ０ １４
（衡 水 学 院应 用化 学 系 ， 水 衡
０ ３０ ） ５０ ０
摘 要 ：以柠 檬 酸 为配 位 剂 ， 酸 性 条 件 下 采 用化 学浴 沉 积 方 法 在 Ｆ Ｏ 玻 璃 衬 底 上 制 得 硫 化 铟 薄膜 ， 别 采 用 Ｘ Ｄ、Ｅ Ｕ 在 Ｔ 分 Ｒ Ｓ Ｍ、 Ｖ等 手 段 对 薄 膜 相 结 构 、 貌 和 薄膜 的透 光 率 进 行 了表 征 。 结 果 表 明 薄 膜 为 立 方结 构 的 ． ２ 薄 膜 均 一 连 续 ， 网状 表 面 形 貌 ， 形 Ｉ Ｓ， ｎ 呈 透 光 率 随 厚 度 增 加 而 递 减 ， 隙宽 度 介 于 ２５ ２６ｅ 之 间 。 带 ． ． Ｖ ～ 主要 研 究 了配 位 剂 的浓 度 对 薄 膜 形 成 机 理 的 影 响 ， 果 表 明 ： 檬 酸 浓 结 柠 度 较 低 时 ， 檬 酸 根 与 铟离 子 的 配 位 平 衡 是 整 个 反 应 的速 控 步 骤 ； 柠 当柠 檬 酸 浓度 较 高 时 ， 代 乙 酰胺 与 酸 作 用 生 成 硫 离 子 的 反 硫 应是整个反应的速控步骤。
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关 键 词 ： 学 浴 ；薄膜 ； 化 铟 ； 檬 酸 ； 成 机 理 化 硫 柠 形
中图分 类号 ： ６ ４３ Ｏ １．７
文献标识码 ： Ａ
文章 编号：１０ ．８ １ ０ １ ９ １８ —６ ０ １ ６ （ １） —６ ５０ ４ ２ ０
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第２ ７卷 第 ９期
２１ ０ １年 ９月
无
机
化
学
学
报
Ｖｏ ．７ Ｎｏ９ １ ． ２ １８ ．６ ０ ６ ５１９
Ｃ ＮＥＳ ＯＵＲＮＡＬ ＯＦ Ｉ ＨＩ ＥＪ ＮＯＲＧＡＮＩ Ｃ ＣＨＥＭＩ Ｔ Ｓ ＲＹ
柠檬酸浓度对化学浴沉积硫化铟 薄膜形成机理 的影响研究