不同单晶硅衬底的多孔硅的拉曼和光致发光谱研究
微电子技术中的半导体薄膜材料
微电子技术中的半导体薄膜材料摘要：本文着重介绍了用于微电于技术的非晶态、宽带隙、纳米相、超晶格、量子微结构以及多孔硅等半导体薄膜材料并指出，原子组态的无序化，材料禁带的宽带隙化，能带剪裁的任意化以及人工结钩的低维化和量子化，集中体现了半导体薄膜材料的发展特点。
关键词：薄膜材料，结构性质，发展特点1 引言薄膜材料是发展微电子技术的先导条件和制造微电子器件的物质基础，近半个世纪以来，随着各种成膜方法的长足进步，半导体薄膜材料从体单晶到非晶态，从非晶态到纳米相，从窄禁带到宽带隙，从常规制备到人工设计，涌现出了一大批高质量和有重要实用价值的新材料。
目前，关于半导体薄膜材料物理与工艺的研究，已成为真空、微电子和材料科学中一个极其活跃的领域[1]。
半导体薄膜材料研究的核心为新材料的研究和传统材料性能的提高。
前者是按照人为的意志构想新的结构形式和设计新的化学组分，并通过现代超薄层外延技术加以实现；后者则是利用适宜的工艺方法改变材料的微观结构，使其呈现出常规材料所不具有的全新原子组态。
2 不同结构类型的半导体薄膜材料2.1 非晶态材料非晶态半导体是一门在凝聚态物理领域中占据着重要地位且发展十分迅速的新兴学科，研究非晶态材料的意义不仅是在科学技术上获得大量的新材料和新器件，而且可以开拓和加深人们对固体物理领域中许多基本问题的认识与理解。
以促进固体物理学的发展，同时对其许多周边物质，如非晶态合金及多层异质结、超微粒子、多孔硅以及硅系高分子等的研究也将产生积极而深远的影响。
原子结构的无序性和化学组分的多样化，使非晶态半导体具有许多显著不同于晶态半导体的物理特性[2]。
对于大多数非晶态材料而言，其组成原子都是由共价键结合在一起，形成了一种连续的共价键无规网络结构；在非晶态半导体中可以实现连续的物性控制，当连续改变其化学组成时，其禁带宽度、电导率和相变温度等都随之连续变化；在热力学上，非晶态处于一种亚稳状态，仅在一定条件下才可以转变成晶态；此外，非晶态材料的结构特性、电学及光学性质都灵敏地依赖制备方法与工艺条件。
多孔硅
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多孔硅的荧光特性
1. 多孔硅的孔度与荧光波长的关系 荧光波长随多孔硅的孔度增加而移向短波段,即光子能量随孔度 荧光波长随多孔硅的孔度增加而移向短波段, 孔度增加 的增加而增大. 的增加而增大. 低孔度 60% % 70% 70%以上 80%以上, %以上, 2. 蓝移现象 多孔硅的电化学处理结束之后切断电源,继续在 中进行化学腐 多孔硅的电化学处理结束之后切断电源,继续在HF中进行化学腐 开路腐蚀, 继续向短波波段移动; 这被称作开路腐蚀 光谱可以继续向短波波段移动 蚀,这被称作开路腐蚀,光谱可以继续向短波波段移动; 或者化学处理结束后,将样品从 溶液中取出后 溶液中取出后, 或者化学处理结束后,将样品从HF溶液中取出后,光谱也会移向 短波段.这是由于多孔硅的样品上吸附了大量的HF溶液 溶液, 短波段.这是由于多孔硅的样品上吸附了大量的 溶液,化学腐 蚀依然在进行,这种现象称蓝移现象. 蚀依然在进行,这种现象称蓝移现象.
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多孔硅发光的基本理论
分子在势能面间的"跳跃"过程称为跃迁, 分子在势能面间的"跳跃"过程称为跃迁,相应于电子从一个 跃迁 轨道跳跃到另一个轨道. 轨道跳跃到另一个轨道. 辐射跃迁:即跃迁过程伴随着光子的放出,包括荧光和磷光过程; 辐射跃迁:即跃迁过程伴随着光子的放出,包括荧光和磷光过程; 荧光 过程 非辐射跃迁:即跃迁过程没有光子参与, 非辐射跃迁:即跃迁过程没有光子参与,能量以热或者其他形式 耗散,包括内转换,系间窜越等. 耗散,包括内转换,系间窜越等.
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多孔硅(Porous Silicon) 多孔硅
硅在HF溶液中经电化学腐蚀, 硅在 溶液中经电化学腐蚀,成为多孔 溶液中经电化学腐蚀 多孔硅. 状——多孔硅. 多孔硅 孔度:电化学处理时, 孔度:电化学处理时,腐蚀掉的硅的质量分 数. 低孔度多孔硅: 低孔度多孔硅:主要用于集成器件的隔离和 SOI材料的绝缘衬底; 材料的绝缘衬底; 材料的绝缘衬底 高孔度多孔硅(高于 % :可用作发光材料, 高孔度多孔硅 高于70%):可用作发光材料, 高于 孔度越高,发射光的波长就越短 波长就越短. 孔度越高,发射光的波长就越短.
多孔硅的制备
多孔硅的制备与表征[摘要]多孔硅（Porous Si）是一种具有纳米多孔结构的材料，可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。
多孔硅由于原料储备大，制作工艺简单，是一种很有潜力的材料。
同时，多孔硅作为一种硅基纳米发光材料，由于具有与现有硅芯片集成容易、研制成本低以及发射光均匀、多色等优点而被国内外科学家广泛研究，现已成为20世纪90年代以来硅基纳米材料的主要代表。
本论文在进行大量的文献调研基础上，对多孔硅的发展历史、形成机理、分类方法、制备方法及应用方向等进行了简要概述。
本论文研究了多孔硅的制备技术和表征，用比较简单且经济实惠的方法制备了多孔硅，并比较了在不同条件下制得的多孔硅形貌特征和结构差异。
[关键词]多孔硅；电化学方法；结构；光致发光Preparation and Characterization of the Porous Silicon Electronic Information Engineering Specialty SI Wen-fang Abstrac t: Porous silicon(PS) is a material with nanoporous structure. It can be obtained through the crystalline silicon or amorphous silicon anodic oxidation in hydrofluoric acid. Because of its big raw materials reserve and simple manufacturing process, porous silicon is a potential material. At the same time, as a silicon-based material with light-emitting function, porous silicon has been widely researched by scientists all of the world and becomes a represent of silicon-based nanometer materials because of its merits, such as easy integrating with silicon chips, low cost, several colors light emitting etc.Based on a lot of literature investigation, the development history, the forming mechanism, classification, preparation method and the applied direction of the porous silicon is briefly reviewed in this paper. The preparation technology and characterization of porous silicon is researched in this paper. A simple and economical method of the preparation is used in the experiment. Besides, the appearance characteristics and structural differences of the porous silicon in different conditions are discussed in this paper.Key words: Porous silicon; electrochemical method; structure; photoluminescence目录1 引言 (1)2 多孔硅基本原理与概述 (1)2.1 多孔硅发展历史 (1)2.2.1 Beale耗尽模型 (2)2.2.2 扩散限制模型 (2)2.2.3 量子限制模型 (2)2.3 多孔硅的分类 (4)2.4 多孔硅的制备方法 (5)2.4.1 阳极腐蚀法 (5)2.4.2 水热腐蚀法 (6)2.4.3 火花放电法 (7)2.4.4 化学腐蚀法 (7)2.5 多孔硅的应用 (7)3 多孔硅制备的实验过程 (8)3.1 仪器和试剂 (8)3.2 单晶硅片清洗 (8)3.3 多孔硅制备 (8)3.4 多孔硅表面处理 (9)3.4.1 阳极氧化表面处理法 (10)3.4.2 阴极还原表面处理法 (10)4 多孔硅的微结构研究 (10)4.1 制备多孔硅的实验结果对比 (10)4.2 多孔硅微表面和横截面形貌研究 (11)4.2.1 多孔硅AFM表面形貌研究 (12)4.2.2 多孔硅表面三维形貌研究 (12)4.2.3 多孔硅表面二维形貌研究 (13)4.3 多孔硅SEM截面形貌研究 (15)4.4 多孔硅SEM表面形貌研究 (18)5 多孔硅光电特性的分析 (19)5.1 概述 (19)5.2 多孔硅的光致发光. (20)5.2.1 多孔硅发光谱研究 (20)5.2.2 多孔硅发光机理 (21)结束语 (23)参考文献 (24)致谢 (25)1引言多孔硅（PS）是一种具有纳米多孔结构的材料，可以通过晶体硅或非晶硅在氢氟酸中进行阳极氧化来获得。
单晶硅片的光致发光和电致发光研究
单晶硅片的光致发光和电致发光研究单晶硅片是一种常见的材料，因其具有较高的光学和电学性能而在光电子器件领域得到广泛应用。
其中，光致发光和电致发光是单晶硅片的两个重要研究领域。
本文将依次介绍单晶硅片的光致发光和电致发光的研究进展和应用。
光致发光指的是将光能转化为光子能量的过程。
在单晶硅片中，通过在材料中加入掺杂的杂质，可以实现光致发光的效果。
典型的掺杂元素包括铱、锰和镓。
当单晶硅片受到光的照射时，掺杂元素会吸收外界光的能量，并在材料中产生激发态。
激发态通常是高能量的电子态，它会迅速退激并释放出能量差，形成光子并辐射出去。
这样就实现了光致发光的现象。
单晶硅片的光致发光具有很多应用。
最常见的是在LED器件中，通过将掺杂元素引入单晶硅片，可以实现不同颜色的光致发光效果。
LED器件具有高效、节能、寿命长等优点，因此在照明、显示等领域得到广泛应用。
此外，光致发光还可以用于光电探测、生物医学成像等领域。
电致发光是指在外加电场作用下，单晶硅片产生的发光现象。
与光致发光不同的是，电致发光是由电能转化为光能的过程。
在单晶硅片中，所加入的杂质通常是可控的，通过控制材料中杂质的浓度和分布，可以实现电致发光的效果。
当单晶硅片中的掺杂元素在外加电场的作用下，电子受到激发并跃迁到高能级激发态。
随后，电子从高能级激发态退激并释放出能量差，形成光子并辐射出去。
电致发光在显示技术中具有重要的应用。
例如，有机发光二极管（OLED）就是一种常见的电致发光器件，它由一系列有机化合物形成了多层薄膜结构。
当外加电场通过OLED材料时，电子从低能级跃迁到高能级并产生激发态，最终形成光致发光效果。
OLED器件具有自发光、超薄、柔性等优点，在平板显示器、手机屏幕等领域得到广泛应用。
总结而言，单晶硅片的光致发光和电致发光研究是光电子器件领域的热门研究方向。
通过在单晶硅片中引入掺杂元素，并在光或电场作用下实现激发态的形成和退激，可以实现光致发光和电致发光效果。
单晶硅拉曼数值-概述说明以及解释
单晶硅拉曼数值-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述单晶硅是一种常用的半导体材料，具有优良的电学和光学性质。
拉曼光谱技术是一种非侵入性的表征方法，能够提供物质的结构和化学成分信息。
通过数值模拟单晶硅的拉曼光谱，可以更加深入地了解其光学性质和振动行为。
本文将重点介绍单晶硅拉曼数值模拟的原理和方法，探讨其在材料研究中的重要性和应用前景。
的内容1.2 文章结构本文主要分为引言、正文和结论三个部分。
在引言部分，会介绍单晶硅和拉曼光谱技术的背景知识，以及本文的研究目的。
在正文部分，将详细介绍单晶硅的性质、拉曼光谱技术的原理和应用，以及单晶硅拉曼数值模拟的方法和研究进展。
在结论部分，将对单晶硅拉曼数值模拟的重要性进行总结，展望未来的研究方向，并得出结论。
整篇文章结构严谨、逻辑清晰，旨在为读者提供对单晶硅拉曼数值模拟的全面了解和深入思考。
1.3 目的:本文旨在探讨单晶硅拉曼数值模拟的重要性与应用，通过对单晶硅的性质、拉曼光谱技术以及数值模拟方法的详细介绍，希望能够深入理解单晶硅在不同条件下的拉曼光谱特性。
同时，通过数值模拟的方法，可以更好地解释实验结果，揭示单晶硅的微观结构与性质之间的关系。
通过展示单晶硅拉曼数值模拟的重要性和价值，旨在为相关领域的研究提供参考和借鉴，推动单晶硅材料的深入研究和应用。
2.正文2.1 单晶硅的性质单晶硅是一种非常常见的材料，具有许多独特的性质，使其在科学和工程领域中得到广泛应用。
以下是单晶硅的一些重要性质：1. 晶体结构：单晶硅具有钻石晶体结构，每个硅原子通过共价键与四个相邻原子相连，形成稳定的晶格结构。
这种结构使得单晶硅具有高度的结晶性和稳定性。
2. 光学性质：单晶硅是一种光学透明材料，在可见光和红外光范围内具有很高的透射率。
这种性质使得单晶硅在光学器件和半导体领域中具有重要应用价值。
3. 电学性质：单晶硅是一种半导体材料，具有较高的电阻率和较低的导电性。
通过掺杂和加工，单晶硅可以调控其电学性质，用于制备各种电子器件，如晶体管和集成电路。
多孔硅发光机制研究
三个 方 面的原 因 。
室 温下可 以发射 很 强 的可 见 光 ， 并用 量 子 限制 效 应
２１ 年 ４ ０１ 月
廊 坊 师 范学 院学 报 （ 自然 科 学 版 ）
Ｊｕｎｌ ｆ ａｇａ ｇＴ ａｈｒ Ｃ Ｕｇ（ ａ ｒａ Ｓｉ ｃ ｄ ｉ ） ｏｒａ ｏ ｎ ｆ ｅｃｅｓ ｏｅｅ Ｎ ｔ ｎｌ ｃ ｎｅＥ ｉｏ Ｌ ｎ ｕ ｅ ｔｎ
Ａｐｒ ２ ． ０１１ Ｖ０ ． Ｎｏ． １ １１ ２
４ ４ 表面 态模 型 ．
Ｋｏｈ４提 出 了该模 型 。 ｃｌ 多孔硅 的结构决 定 了它
具 有 巨大 的 比表 面积 ， 以表 面态 也应 该考 虑在 内。 所
性 。多孑 硅发 光性 质 复 杂 ， 响其 发 光 的 因素 也很 Ｌ 影 多 ， 多 的发光 模 型 在 各小 组 不 同 的实 验 基 础 上 被 众
４． 量 子 限制效 应模 型 １
该模 型最早 是 由 Ｃ ｎ ａ ａｈ ｍ提 出的 ｌ ， 为 多孔硅 】认 发光来源 于电化学腐 蚀过程 中形 成 的纳米硅 结构 。 主 要原 理是 ： 硅是 由纳米 硅单 元 组 成 ， 激 发 的 电 多孔 被
３ 多孔硅 的制备方法
制备 多孔 硅 的主要 方 法 是 阳极 氧 化 法 ， 外还 另
种 因素 去解释 ， 应该综合考虑各方面 的影响。多孔硅发光是量子 限制效应和表面态综合作用 的结果 。
【 关键词 】 多孔硅 ； 制备方法 ； 发光机制
掺铝多孔硅光致发光谱研究
上 ， 后 扩 散 进 钠 米 硅 粒 中 。测 量 掺 铝 多 孑 硅 的光 然 Ｌ
致 发 光 谱 时 ，在 室 温 下 ， 氩 离 子 激 光 器 的 用
５ ４ ５ ｍ 线 作 激 发 光 源 ， 率 约 为 ｌ ｍ ， 用 １ ．ｎ 功 ＯＷ 使
Ｓ Ｅ Ｉ０ 光 谱 仪 。 Ｐ Ｘ４ １
图 ２ 掺 铝 多 孔 硅 中 载 流 子 复 合 示 意 图
作 者 简 介 ： 清 （９６一） 女 ， 师 ， 事 物 理 教 学 与 研 究 【作 。 薛 １６ ， 讲 从
维普资讯
２０ ０ ２年 第 ４期
薛 清 等 ： 铝 多 孔 硅 光 致 发 光 谱 研 究 掺
Ｖｏ ． Ｎｏ． １１ ４ Ａｕ ２ ０２ ｇ． ０
掺 铝 多 孔 硅 光 致 发 光 谱 研 究
薛 清 李 定 珍
（ 阳 理 工 学 院 计 算 机 系 ， 南 南 阳 ４ ３０ ） 南 河 ７０ ４
摘 要 ： 道 了 多 孔 硅 掺 入 杂 质 铝 处 理 的 一 种 新 方 法 。 观 测 了处 理 后 多孔 硅 的 光 致 发 光 谱 ， 光 谱 出现 ４ 个 与 铝 杂 质 报 其 能级 有关 的发 光 带。我 们认 为与 杂质有 关 的发 光 带是 由载 流子 在 杂质 深能 级 上复 合所 致 。 关 键 词 ： 孔 硅 ； 致 发 光 ； 光 带 多 光 发 中 图 分 类 号 ：Ｏ ４ ３ ４ ３ ， 文 献标 识码 ： Ａ 文 章 编 号 ：６ １ １ ２ ２ ０ ） ４—０ ２ １７ —６ ３ （ ｏ ２ ｏ ０ ８—０ ２
测 值
我们 测 量 了掺 铝 多 孔 硅 的 瞬 态 深 能级 谱 ， 察 到 了 观 杂质 铝 引起 的 深 能 级 ， 与 上 面 的 数 据 基 本 吻 合 。 并 这些 实 验 结 果 表 明 ， 属 铝 离 子 进 入 了纳 米 硅 内 而 金
硅材料的微观结构特性及其制备工艺的优化
硅材料的微观结构特性及其制备工艺的优化摘要：由于传统的硅结构存在自身的缺陷，现在随着技术的进步与发展，微纳结构材料的硅被发现，它可以弥补传统硅结构的缺陷，这可以促进太阳能电池的发展。
关键词：微纳结构硅材料；太阳能电池研究前言本文就微纳结构硅材料及其太阳能电池研究进行探讨，分别介绍了微纳结构硅材料及其太阳能电池的研究进展，以供参考。
一、硅微纳结构的特性研究1.1多孔硅结构多孔硅在1990年以前科学家并没有发现其光致发光的特性，为此，其硅结构没有得到开发。
直到1990年，相关的人员意外发现多孔硅在室温下可以产生很强的光致发光特性，这才让多孔硅重回人们的视野，为此，相关的研究人员大力研究多孔硅，研究取得一些进步和成果。
由于多孔硅孔深和孔径可以观察极其微小的事物，会达到微米、纳米级别，为此，科学家常常利用电化学阳极氧化腐蚀法，观察微纳结构硅材料，在该方法中，常常用铂做阴极，硅片做阳极，在HF溶液中进行电化学腐蚀，一般采用恒电位模式或者恒电流模式。
1.2纳米线结构纳米材料具有热能稳定、具有光子传输性等特点。
另外，随着硅技术的发展，一维硅纳米线材料被广泛的开发和研究，由于一堆硅纳米线材料的物理性质独特，已经得到了相关人员的关注，未来对一堆硅纳米线结构的研究也将会增多。
而制备硅纳米线来说，一般采取“自下而上”（bottom—up）和“自上而下”（top—down）两类方法。
第一种是让硅化物借助催化剂还原结晶，从而生长出纳米线。
第二种方法则是将多余的硅原子进行剥离，剩下所需要的纳米线结构。
1.3金字塔结构为了提高电池的效率，增强电池的射光吸收率，一般会采取金字塔结构，利用金字塔结构可以对入射光进行很好的折射，增加电池对光能的吸收。
将这种思想应用在微纳结构材料研究过程中，可以增强硅表面的吸光率。
另外，为了提高电池效率，还可以利用表面制绒的方法，通过在硅表面覆盖一些薄膜，来增强电池的吸光率，减少光源折射率。
一般常用到的制绒方法是碱溶液腐蚀法。
无酸水热法制备多孔硅
无 酸 水 热 法 制 备 多孔 硅
朱利兵 ， 元洪 ， 唐 胡爱平 ， 良武 林
（ 湖南大学 材料科学与工程学院， 长沙 ４０８） １０２
摘 要 ： 报道一种在无酸性腐蚀液的条件下用反应釜制备多孔硅的新方法。实验采用扫描电镜、 拉曼光谱和光致发光谱对
样品表面形貌、 结构及发光性能进行表征 ， 并与用常规电化学阳极氧化法制出的多孔硅进行了对比研究， 研究结果表明用元 酸水热法制出的多孔硅表面平整， 孔的形状规则。 发光效能提高更多。
导体难 于实现高效 发光 的思想禁锢 ， 若能实 而且 Ｌ Ｄ Ｉ ］并 ｓ ６ 细加 工技术 的进一步 发展 受到 了很大 限制 ， 想进 现有效 的硅 可见 发 光 二极 管 （ Ｅ ） － ， 将它 就可望实现 低成本 步 提高超 大 规模 集 成 电路 的集 成 度则 变 得 十 和超大 规模集成工 艺相结合 ， 分困难 。在这种情况 下人们 认识 到 ； 若把光 子作 的全 硅基 光 电子集 成 。这将 会 是微 电子 和光 电 为一 种信息 的载体 引 入到 发 展得 非 常成 熟 的微 子技术 领域的一次新 的飞跃 。 目前 ， 制备多孔硅 电子 电路 里 ， 现光 子 和 电子 的集成 ， 实 即硅基 光 的方法 主要 有 ： 电化学 阳极腐 蚀 法 、 化学 染色腐 电子集 成 ， 有可能 突破 目前 集成 电路 的工作速 蚀 法 、 花腐 蚀法 和水 热腐 蚀法 ， 则 火 然而用 常规 方 法制 备 的多孔 硅表面粗糙 而且发光效率低 ［ ， １ 限 ］ 度 和信息储存量 的限制 ［ 。１ ９ １ ９ ０年 ， 国科学 家 ］ 英 Ｃ ｎａ ａｈｍ发现 的室温高效率 发射 可见 光 的多孔硅 制 了多 孔硅 在光 电子领 域 的应 用 。本 文尝 试 了 很快 在科学 界引起 了一个 研究 热潮 ［ 。１ ９ ｚ ９ ６年 ］ 种新 的方法——无酸水 热法 来制备多孔 硅 ， 与 底 ， ａ ｃｅ等 首 次将 光 电子 和微 电子 集 成 于 同 常规方 法 相 比， 酸水 热法 具有 设备简 单 ， 作 Ｆ ｕｈｔ 无 操 个硅 片上 ， 现 了全 硅光 电集 成 ， 用 的光 电 方 便 ， 污染 的优 点 ， ’ 实 所 无 而且 制各 出的多孔 硅 的表 子 材 料 就是 经 过处 理 的氧化 多 孔 硅 。 不仅 打 面更平 整 ， 它 孔形更 规则 、 发光效 率更高 。
非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱
非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱马希文;杨玉庆;张坤;何佳;张霞【摘要】以玻璃为衬底,利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜,然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜,采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析.结果表明:当激光功率达到某一阈值时,非晶硅样品发生了晶化,即由非晶硅转化成了结晶硅,特征峰发生了46.8 cm-1的位移,薄膜的结晶性质发生根本变化.而结晶硅样品在激光功率变化过程中仅因能量积聚造成了薄膜内应力变化,激光能量消散后内应力恢复原来的状态,特征峰在±5.4 cm-1位移内波动,薄膜的结晶性质并未发生明显变化,表明薄膜处于稳定的晶态结构.【期刊名称】《实验室研究与探索》【年(卷),期】2016(035)008【总页数】4页(P33-36)【关键词】非晶硅薄膜;结晶硅薄膜;准分子激光晶化;拉曼光谱;拉曼位移【作者】马希文;杨玉庆;张坤;何佳;张霞【作者单位】上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;上海工程技术大学材料工程学院,上海201620;上海工程技术大学材料工程学院,上海201620【正文语种】中文【中图分类】TN386.1;O484.4以非晶硅(α-Si)和多晶硅(nc-Si)薄膜为代表的半导体材料，在显示、存储和节能等领域均有广泛的应用[1-3]。
源漏极之间的非晶硅薄膜起到了传导电流、控制液晶分子旋转的作用。
硅薄膜的性质决定了晶体管的开关电流比以及液晶分子响应速度。
这直接影响到液晶显示屏的功耗以及画面显示的精细质量。
薄膜晶体管的核心是硅薄膜，主要包含非晶硅和多晶硅薄膜。
非晶硅薄膜一般采用等离子体化学气相沉积(PECVD)制备。
目前国内外的结晶化技术主要包括准分子激光晶化(ELA)、金属诱导晶化(MIC)等方式。