WAT工艺参数测试
新片WAT测试讲解课件
未来的WAT测试将实现实时反馈和预测性维护，能够在测试过程中及时发现问题并给出解决方案，同时预测可能 出现的故障和风险，提高系统的可靠性和稳定性。
对于新片WAT测试行业的未来展望与思考
新片WAT测试行业的未 来发展前景
随着新技术的发展和新片WAT测试技术的 不断成熟，新片WAT测试行业将迎来更加 广阔的发展空间，未来的发展前景非常乐观 。
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研发专用测试设备
针对特定复杂环境和严苛条件，研发专用测试设 备，以适应各种复杂环境和严苛条件下的测试需 求。
加强与科研机构的合作
与科研机构合作，引入先进的测试技术和方法， 以应对复杂环境和严苛条件下的测试需求。
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制定应急预案
针对可能出现的意外情况和不可抗力因素，制定 应急预案，确保测试工作能够迅速恢复正常。
高低温试验箱、振动台、恒温恒湿箱 、亮度计、色度计、测试软件等。
测试方法
将手机屏幕放置在高低温试验箱中， 设置温度范围为-20℃~60℃，循环 次数为10次，每次持续2小时。在每 个温度下，测试屏幕的亮度、色度、 对比度等参数，观察是否存在偏差。 在振动台上进行振动测试，模拟手机 在日常使用中可能遇到的振动情况， 检测手机屏幕是否存在损坏或脱落现 象。
WAT测试的发展历程和应用领域
WAT测试最初起源于半导体产业发达的美国，随着半导体技 术的不断发展，WAT测试逐渐成为行业内的标准流程。近年 来，随着中国半导体产业的快速发展，WAT测试在国内的应 用也越来越广泛。
WAT测试主要应用于半导体芯片制造领域，包括集成电路、 模拟电路、数字电路等。随着技术的发展和应用领域的扩展 ，WAT测试也逐渐应用于其他领域，如光电、传感器等半导 体相关产业。
WAT-电性参数介绍(WAT-Parameters-introduction)说课讲解
Test site and Test line location
TST1 TST7
TST3 TST8 TST9
TST5
(in=13206.24614.8) (out=13326.24734. 8) TST2
TST4
TST6
(0.0)
frame=120x120
3
Device Categorization
Device Part:
1) Gm (Vth,Current Gain) 2) Idsat (Asym) 3) Ioff 4) Swing 5) Gamma factor 6) BKV 7) Isub 8) Leff,Rext,Weff 9) Field Device test 10) Capacitance
Pad1
Spacing:(P1,P2,M1,M2,M3) Pad2
Width:(P1,P2,M1,M2,M3)
6
Process Part:
(2) Continuity (Open)
Continuity 的值可反映出Metal,Poly 1 or Poly 2 CD 的控制能力！一般来说，此项参数 要与Spacing要同时来看，如此才能判定 Layer的status是否正常！
WAT-电性参数介绍(WATParameters-introduction)
Why WAT?
Debug the Process Error. Monitor Process Window. Check Design Rule. Control the Process Parameters(SPC). Reliability Characterization. Device Modeling for Circuit Design. Develop next Generation.
不管你工艺掌握多少，一定马上要会的技能，WATPCM手动测试
不管你工艺掌握多少，一定马上要会的技能，WATPCM手动测试对于很多传统行业，如机械，汽车，船舶，钢铁，铸造，冶金，煤炭等等，做的怎么样，做的好坏，基本上用肉眼就可以看的到的，发现问题可以及时纠正，然而，半导体行业却做不到，它属于微电子范畴，并不是“微店”，做微店的出门左转，找你的朋友，推销给他/她比较靠谱，东西好的话，口口相传还是可以做起来的，微电子不同，从第一个晶体管发明到现在，短短的70年时间，半导体行业已经从宏观可见，经历微米量级，再到亚微米，知道纳米量级，现在已经发展到了10nm量产阶段，说半导体行业是朝阳行业可以，毕竟刚开始70年，说它是夕阳行业，也说得通，10nm工艺已经只有世界上介个寡头还能做了，到7nm，5nm甚至更高的级别，恐怕单个公司已经无力支付如此大的研发投入，到时候只能几个公司联合开发了，这个过程会越来越慢，最终“摩尔定律“一定会停止，18寸晶圆到现在都没办法量产就是研发投入过大造成的，同样，到更小的级别的时候，投入产出比过低时，如果还没有其它替代工艺出现，那么，“摩尔定律”终结之日不远了。
有点跑题了，回到微电子工艺过程中部分看得见，部分看不见，基本摸不着这个特点，要监控几百上千步的工艺步骤，就需要一些手段，其中在线一般会有光刻线宽测试，刻蚀线宽测试，套偏测试，薄膜厚度测试，薄膜应力测试，薄膜电阻率测试，薄膜反射率测试，还会有offline的光刻胶的接触角测试，光刻线宽准确与否的比对图形校准，注入计量的监控测试电阻，刻蚀速率的监控，不同膜层刻蚀速率选择比对比，均匀性测试，湿法腐蚀速率测试，栅氧可动离子测试，带掺杂元素的薄膜的掺杂元素含量测试，以及缺陷控制测试等等等等，有点晕是不是没关系，这些都是module工程师的范畴，会分别由各个部门的module工程师负责各自的一块，module工程师其实应该要多了解一些PIE做的事情，自己的module在整个flow中的作用，会对哪些参数其作用，敏感性如何等等，而PIE要了解各个module的东西，因此要求更复杂一些，这些inline/offline的平时多了解些，出问题了知道要查什么就可以了，module要对自己的module严格把控，不要把异常点草草的重测了事，出现异常点除了测试错误其他都有可能是设备除了问题造成的，要有这种觉悟才不会犯错误，否则早晚要中招的。
wat中测电阻方法
wat中测电阻方法【原创实用版4篇】《wat中测电阻方法》篇1在Wat 中，测量电阻的方法通常使用伏安法。
伏安法是一种通过测量电阻两端的电压和电流来计算电阻值的方法。
在Wat 中，可以使用电流表和电压表来测量电阻。
具体步骤如下：1. 将电阻连接到电路中，使用电流表测量通过电阻的电流，使用电压表测量电阻两端的电压。
2. 根据欧姆定律，电阻值R 等于电压V 与电流I 的比值，即R = V/I。
3. 使用伏安法计算电阻值，需要多次测量不同电流和电压下的电阻值，然后计算出平均值作为最终结果。
需要注意的是，在Wat 中测量电阻时，需要使用理想的电流表和电压表，并且电路中应该没有其他元件的影响。
《wat中测电阻方法》篇2在Wat 中，有多种方法可以测量电阻。
以下是其中两种常见的方法：1. 使用万用表的电阻档位直接测量电阻。
万用表通常有多个电阻档位，可以选择适当的档位来测量不同范围内的电阻值。
使用万用表测量电阻时，需要将电阻连接到电路中，并将万用表的电阻测量端子连接到电路的两个端口上。
然后，读取万用表上显示的电阻值即可。
2. 使用伏安法测量电阻。
伏安法是一种基于欧姆定律的测量电阻的方法。
使用伏安法测量电阻时，需要将电阻连接到电路中，并将电流表和电压表连接到电路的两个端口上。
然后，通过改变电流表和电压表的读数，可以得到多个电流和电压的值。
根据这些值，可以使用欧姆定律计算出电阻值。
需要注意的是，在测量电阻时，应该选择适当的电路连接方式，以避免测量误差。
《wat中测电阻方法》篇3在Wat 中，测量电阻的方法通常使用伏安法。
伏安法是一种通过测量电压和电流来计算电阻的方法。
具体步骤如下：1. 使用一个多用表的电阻档测量电阻。
多用表通常有一个欧姆档，可以用来测量电阻。
2. 将多用表连接到电路中，使电阻与电源、开关、电流表和电压表串联。
电压表应该与滑动变阻器并联。
3. 调整滑动变阻器的电阻值，记录下每个电阻值对应的电流和电压表读数。
wat测试专业术语-概述说明以及解释
wat测试专业术语-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分是文章的引言部分，用于引入主题并简要介绍文章内容。
在"wat测试专业术语"的概述部分，你可以按照以下内容进行撰写：概述部分：随着信息技术的不断发展，软件测试在软件开发过程中扮演着至关重要的角色。
在软件测试领域，测试人员使用各种测试技术和工具来验证和确认软件的质量，以确保软件能够满足用户的需求和期望。
而其中一种值得关注的测试技术便是WebAssembly测试（wat测试）。
WebAssembly是一种用于在现代网络浏览器中运行高性能代码的开放标准。
它提供了一种新的运行时环境，允许开发者使用多种编程语言编写性能高效的Web应用程序。
然而，由于WebAssembly的特殊性，传统的软件测试方法和技术不能直接应用于WebAssembly代码的测试。
因此，需要深入研究和探索wat测试专业术语，以提供有效的测试方法和策略来保证WebAssembly代码的质量和可靠性。
本文将深入介绍wat测试专业术语，包括Wat代码的编写规范、常用的wat测试工具和框架、wat测试中的常见术语等。
通过对这些专业术语的详细解读和说明，读者将能够更好地理解wat测试的原理和方法，并能够在实际项目中运用它们。
此外，本文还将提供一些实际案例和经验分享，以帮助读者更好地运用wat测试技术来提高软件的质量和性能。
总之，本文旨在为读者提供一个全面的wat测试专业术语指南，并帮助他们更好地了解和掌握这一领域。
读者将通过本文的阅读，能够在实际项目中运用wat测试技术，提高软件的质量和可靠性，同时也能够对软件测试领域有更深入的了解和认识。
1.2 文章结构文章结构可以分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分主要对文章的主题进行概述，并给出文章的目的和结构。
正文部分是文章的核心部分，通过分点说明文章的内容。
结论部分对正文部分的主要观点进行总结，并提出一些结论或建议。
接下来将对文章结构的三个部分进行详细介绍。
WAT工艺参数测试
3.2.2产品片的放置
测试产品片之前首先要将该产品做账到WAT并通过主机台查看该批产品相关信息;产品的的批号，产品的工艺（这里主要工艺有0。18um，0。35um,0.5um等)片数及片号，核实片号是否正确，是否有片号没有放入相应的槽位顺序是否颠倒，片号是否与槽号一致。放片时先将测试机台的盖子打开用两只手钳住casstte将其缓慢的放入盖内并按下绿色按钮将其固定，再将盖子盖上。
1.2课题意义
晶圆可靠性参数测试(简称WAT测试)大多以完成制成、待出货的芯片为测试对象。如果wafer在WAT站点由于测试问题造成报废对工厂是很大损失，所以减少由于测试问题影响的wafer片数可以大大降低由此所产生的成本消耗。也降低工厂的成本,提高获利.在中芯国际上海厂原来的三个厂由于之前是分别发展，系统有所区别，不同的系统会浪费公司的很多资源需要更多的工程师进维护.对系统进行统一，可降低工程师的维护成本，提高系统的可靠性,降低新人训练所需时间。
WAT-电性参数介绍(WAT-Parameters-introduction)
Measurement method: 一般测量法不外乎Force V/I and measure I/V
Poly Gate
1. Force V and measure I:
Sweep Volt on Poly gate,and Vb=ground
then measure Ig(about~pA),If Ig increase to 1uA,this Sweep Volt is BKV(normal large 7 V)
Active Device
MOSFET(N/P),Field Transistor,BJT,Diode
Passive Device
Resistor,Capacitors
Design rules
Isolation,lines(Spacing,Continuity) contact,extension
Resistor
WELL
2. Force I and measure V:
Force 1uA on Poly gate then measure Voltage PS:测量方式取决于Pattern design (common pad issue)
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Process Part:
(8) Extension rule check
2. From Linear function set Id=0then Vth=Vgs-V
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Device Part:
2) Idsat (Asym)
3) Define: Idsat=Ids at Vgs=Vds=Vcc
4) Ids Measure method:
5) Step1:Vs=Vb=0,Vd=Vcc and Sweep Vg
晶圆可接受度测试（WAT）
晶圆可接受度测试（WAT）晶圆⽣产出来后，在出晶圆⼚之前，要经过⼀道电性测试，称为晶圆可接受度测试（WAT）。
这个测试是测试在切割道（Scribe Line）上的测试键（TestKey）的电性能。
测试键通常设计有各种原件，例如不同尺⼨的NMOS、PMOS、电阻、电容以及其他⼯艺相关的特性。
这⼀道可以当做是初选。
那些有严重⽣产问题从⽽使得测试键的电性能超出规格之外的晶圆会在这⼀道被筛选出来，报废掉。
这⼀道报废掉的晶圆，因为还没有出货到客户⼿⾥，所以是不收取客户钱的，由晶圆⼚⾃⼰吸收。
WAT测试结束后，晶圆⼯艺就算完成。
下⼀步就是来到测试⼚这⾥进⾏测试。
第⼀道晶圆切割前的测试我们称为CP (Chip Probing）, 因为这⼀道测试是在完整的晶圆上测的，⽤到的机台，我们称作Prober。
每⼀个产品，都会有针对⾃⼰设计的Prober Card, 上⾯根据芯⽚的测试焊盘（Pad）的位置装有对应的测试探针及电路与测试台连接。
每次测的时候，测试头从上⾯压下来，探针就会扎到Pad上，然后供电进⾏测试。
两期我们聊了芯⽚的封装和测试问题，包括CP测试，FT测试和系统级测试（没看过的朋友可以点击这⾥你不知道的那些芯⽚测试和测试⿊幕和你了解芯⽚封装技术吗？）。
这⼀次我们聊⼀下半导体中良率的问题。
良率是个啥？有什么⽤？良率是什么？准确的说，就是总共的芯⽚（可以是⼀⽚wafer，可以是⼀个批次，可以是⼀个产品，或者是⼀段时间内有多少芯⽚等等）。
在这些芯⽚测试完成后，有哪些芯⽚是通过测试的，两者相除就是良率，为了聊起来⽅便，我们就拿晶圆级测试（CP）来做例⼦。
下⾯是⼀⽚foundry寄给测试⼚的wafer，现在要进⾏CP测试了。
现在我们假设这⽚wafer总共有100颗芯⽚，在完成CP1，CP2，CP3之后，只有92颗芯⽚是通过的。
所以说，我们把这⼀⽚的良率称作是92%（92/100）。
那你可能会问，那⼜怎么了，有92颗芯⽚能⽤，我就⽤92颗呗，可不是这样哦。
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直接点击Manual Teaching，台盘上的WAFER传至PROBER中心。圆片边缘定位：Stage控制菜单的图形窗依次显示出WAFER边缘左上角、右上角以及右下角3个位置，确保十字对位标志停在与圆片边缘的交角位置后，分别按OK。3个边缘定位点都确认后，十字对位标志停在圆片的中心位置。低倍图形输入：将十字对位标志移至中心区域上、下、左、右四个DIE十字划片槽的中心位置，按OK，图形窗依次显示出X轴的相同十字划片槽位置的3个图形，分别按OK；
2.2ＷＡＴ测试参数介绍
一般来说WAT参数测试分为两大类，一类和器件相关的，包括MOS开启电压饱和电流，关闭电流，击穿电压等。另一类和工艺相关的，包括结膜层接触电阻栅氧华层电性厚度隔离等。
开启电压为MOS从关闭状态到开启状态时，栅极上的电压，开启电压分线性区开启电压和饱和区开启电压，线性开启电压测试条件为源和衬底接地，漏极接小电压通常为0.1伏。NMOS为正，PMOS为负，栅极从0伏扫到工作电压，在漏极电流达到一个给定值的时候栅极的电压就是开启电压，饱和区线性开其电压和线性区开启电压测试条件类似，区别在于漏极电压为开启电压，开启电压如果则再有微小的情况容易打开，造成错误。图1为MOS击穿电压图。
3.2 测试操作流程
3. 2.1针卡放置
测试产品时首先要看产品片子类型，即决定用哪类针卡测试该批片子针卡的真确与否关系片子的测试结果的好坏。测试之前先将测试机台的探头抬起待抬起后将针卡放入探针机的槽中，拿针卡时注意双手千万不要碰到针卡的针尖以免将针头碰弯或划伤，针卡放入槽中要将针卡上的箭头朝自己的方向放置(正确的放置方法）。
（2）击穿电压：使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在相同温度下,其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后,由U1-U2=Ed知,击穿场强决定了击穿电压。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。提高电容器的耐压能力起关键作用的是电介质的介电强度。附表为各种电介质的相对介电常量εr和介电强度。
图2测试机台4070
图3 CP测试机台
测试机主要为WAT测试机台（4070）它的内部主要具有各种电压源和电流源。主要功能为为芯片提供直流源信号，和精密测量单元。测量输出参数，再与工艺预设好的参数做比较。测试结果为合格和不合格两种，用图形文件记录将不合格的芯片打点作标记，经工艺查看分析过后，再进行复测方可流入下一站。CP测试机Correctness Proofs正确性证明。它是软件工程中软件测试的一种方法，该方法采用一种数学技术，也就是一种数学证明过程（即数字认证）针卡用于不同产品的测试测试需求需要不同的针卡，这里常用的针卡主要有测试DMOS所用的2根针，测试GOI所用的8根针以及测试正常片子所用的16根针和18根针；测试时每天都要清针卡，目的是为了保证产品的良率。产品良率越高产品的质量也就越好。
表1 P8操作流程
3.3P-8 WAFER文件编程操作步骤
编程P-8 WAFER文件时，首先找到与所编产品对应的坐标文件，并在显微镜下确定平边朝向，在显微镜下观察PCM测试图形，测试模块应与人成垂直角度，测试模块名在测试图形的下方；此时圆片平边的方向即为编程时圆片平边的方向。确保P-8处于正常状态时，点击Main Menu上的Setup按钮，出现操作界面。在操作界面上，要进行圆片尺寸、圆片厚度等参数和探针卡的设置。
（3）探针卡的设置
探针卡的设置主要包括：设置探针卡参数设置、针尖定位和检查卡的对位信息三个步骤。
探针卡参数设置是在操作界面内逐项输入探针卡各项参数（Probe Type：WPC；其他各项使用系统默认值）针尖定位：点击右下方的“Teach Card”按钮，台盘显微镜将自动移至探针卡中心区，同时STATE出现如下的控制菜单界面，并显示出针尖的模糊图像（显微镜为低倍状态Macro）。
图1MOS击穿电压图
（1）饱和电压：以硅二极管为例，它的饱和电压就大概在0.7V左右，当二极管两端加上顺向电压时(可以用电源供应器串接一个电阻)，就会产生电流，在二极管的两端就会有电压差，当这个电流由小变大时，电压差也会逐渐变大，但大到接近饱和电压以后，电压差就不再明显的随电流上升而上升，这时，这个电压差就是二极管的饱和电压。
3.2.3测试窗口的打开
测试窗口主要反映测试产品的各项性能指标。如测试电压，测试电流，方块电阻等近二十项参数。若测试窗口不小心被关掉了，可以从新将其打。主要操作如下；先输入rmb再按回车，过后在输入大写START后回车counitue方可打开测试菜单窗口。
3.2.4P8测试程序的介绍
规范P-8探针台（Prober）新品编程操作流程，统一PCM测试人员操作流程，保证产品在探针台上的正常测试。测试范围仅适用于在P-8探针台上测试的所有工艺圆片。PCM编程人员:指PID测试工程师、技术员PCM测试人员：PCM课作业员以及PCM编程人员。Chuck：指探针台盘；Stage：位于P-8探针台的右侧，是控制整个探针台操作的微处理系统Cassette:位于P-8探针台显示屏的下方，用来放待测试/编程WAFER的片盒的架。：P-8新品WAFER FILE程序以及完成相关产品测试需求。PCM区域编程人员负责所编制的WAFER文件准确无误；编制WAFER文件的过程中如果遇到异常情况，需及时通知相关工艺工程师；新品文件编制完成后，PCM编程人员必须测试一片圆片验证程序的正确性；编程完成后必须由确认人员确认程序的正确性。PCM课作业员按操作流程完成P-8上产品的测试。
第二章ＷＡＴ测试介绍
2.1ＷＡＴ的作用
WAT在代工厂中处于比较特殊地位，位于所有加工工艺之后出货品质检测之前，所有wafer必须经过WAT的测试，并且测试结果必须面满足客户给出的规格要求WAT在集成电路芯片测试过程中显得尤为重要.
WAT测试出来的窗口数据，除了作为出货的判断依据外，还有很多方面的用途，包括检测工艺窗口，对工艺进行除错，对可靠性刻画，对电路设计进行器件建模，开发下一代产品。WAT数据使用者包括：工艺整合工程，工艺工程，产品工程，器件工程师。
3.4显微镜的使用
可以使用控制界面上的“Change Fields”来调节显微镜是低倍还是高倍的；使用“Change Lighting”来调节图形的明暗场；使用Light Up和Light Down来调节可视区的光亮度，使用Automatic Light Adjustment来自动调节视区的光亮度；INDEX：步长（STEP）按Block的X，Y值移动；JOG：步长（STEP）按最小值（1um）移动；SCAN：步长（STEP）按中间值（如100um）移动；Cont Mode可设定步长是否为连续的方式移动。使用Z Pos下方的“↓”箭头调节图象的焦距，到能看到针尖的大致图象时按控制面板上的“Auto Focus”按钮，直至图像窗口出现清晰的针尖图像。使用各方向箭头将十字对位标记移到第一个定位针尖的中心后按OK，接着继续按界面提示设置第2，3，4个定位针尖位置（最多可设置4个）。之后台盘显微镜自动转为高倍状态，视窗上陆续出现刚才定位的4个针尖高倍图像，将十字对位标记依次对到这些高倍定位针尖中心点按OK。
3.2.5主要操作流程
当p8选完之后按操作界面上的开始按钮即开始测试此时操作者开始将测试相关的信息输入测试窗口主要信息有测试项，测试名，片子的的批号，以及工艺。当输入片号时一定要检查片号输入是否正确若输入有误将会带来不可预见的的损失。轻则产品结构异常重则整批全部报废。则将给公司以及个人带来巨大损失。所以输入片号时一定要细心认真。测试操作如表1）所示。
3.2.2产品片的放置
测试产品片之前首先要将该产品做账到WAT并通过主机台查看该批产品相关信息;产品的的批号，产品的工艺（这里主要工艺有0.18um，0.35um，0.5um等）片数及片号，核实片号是否正确，是否有片号没有放入相应的槽位顺序是否颠倒，片号是否与槽号一致。放片时先将测试机台的盖子打开用两只手钳住casstte将其缓慢的放入盖内并按下绿色按钮将其固定，再将盖子盖上。
（1）圆片尺寸设置
6寸片点击数字6；8寸片点击数字8；Flat Orientation：圆向设置，平边朝上选择0°；平边朝右选择90°；平边朝下选择180°；平边朝左选择270°；Die Size X和Die Size Y：输入产品BLOCK的横坐标X与纵坐标Y的尺寸大小（当平边朝上或朝下时，X，Y尺寸与坐标文件上的值相同；当平边朝左或朝右时，X，Y尺寸与坐标文件上的值相反）
（2）圆片厚度设置
输入圆片厚度（不需要很精确，普通圆片输入700左右即可）AlignmentAxis：选择BLOCK尺寸中值较小的X或Y坐标Edge Collection：圆片边缘不完整BLOCK是否设定。（70%即可）Preset Address X和PresetAddress Y：输入参考点的坐标，直接使用默认值。Overdriver：针压的深度（为了避免误操作，此时输入-20um）点击右下方的“Wafer Parameters”,界面出现下级项目选择菜单，需要确认修改以择FLAT；8寸片选择NOTCH；然后选择OKProbe Area Select（Page2）:选择NO；然后选择OK Reference Die Setting（Page2）：选择Yes；然后选择OKBump Alignment（Page3）：选择No；然后选择OK完成上述以上“Wafer Parameters”设置后按提示点击两次OK，界面直接转入“Sepup Prober”子菜单界面。
1.2课题意义
晶圆可靠性参数测试（简称WAT测试）大多以完成制成、待出货的芯片为测试对象。如果wafer在WAT站点由于测试问题造成报废对工厂是很大损失，所以减少由于测试问题影响的wafer片数可以大大降低由此所产生的成本消耗。也降低工厂的成本，提高获利。在中芯国际上海厂原来的三个厂由于之前是分别发展，系统有所区别，不同的系统会浪费公司的很多资源需要更多的工程师进维护。对系统进行统一，可降低工程师的维护成本，提高系统的可靠性，降低新人训练所需时间。