模拟电子技术作业补充题

补充题1：图1所示电路中，二极管导通电压U D =0.6V 。根据以下条件分别求解V O 、I 、I D1、I D2、I D3。（1）V 1=V 2=0；（2）V 1=5V ，V 2=2V 。

图 1

补充题2：

电路如图2所示，已知晶体管的U BE =0.7V ，β=300，r bb ’=200Ω。V CC =12V 。（1）当开关K 位于1位置时，求解静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ ；

（2）分别求解开关K 位于1、2、3位置时的电压放大倍数

u A ，比较这三个电压放大倍数，并说明发射极电阻是如何影响电压放大倍数的。

图 2

补充题3：

（1）图3所示电路中增强型PMOS 管参数为U GS(th)= -1.5V ，k ’p =25μA/V 2，L =4μm 。求使I D =1mA 同时U SD =2.5V 的沟道宽度W 和电阻R 。

图 3

（2）图4电路中，耗尽型PMOS管参数为U GS(off)=1.5V，K p=0.5mA/V2。设计电路使得静态时U SD=2.5V，要求偏置电阻R1、R2中的电流不能超过漏极电流的10%。

图4

（3）图5电路中，已知恒流源I Q=2mA，U GS(off)=2.5V，I DSS=6mA。（1）确定使P沟道JFET工作在恒流区的V DD的范围。（2）求V S。

图5

补充题4：图6电路中，增强型NMOS 管参数为U GS(th)=0.8V ，K n =0.85mA/V 2，耦合电容和旁路电容对交流信号可视为短路。（1）为使I DQ =0.1mA 且最大不失真输出电压峰值为1V ，试求R S 、R D 的值。（2）求电压放大倍数?

u A 。

图 6

补充题5：

基本放大电路如图7（a ）（b ）所示，图（a ）方框内为共射放大电路Ⅰ，图（b ）方框内为共集放大电路Ⅱ，其开路（不带负载）电压放大倍数o u A ?

及输入电阻R i 、输出电阻R o 如图中所示。由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图（c ）、（d ）、（e ）所示，它们均正常工作。试说明通常情况下图（c ）、（d ）、（e ）所示电路中

（1）哪些电路的输入电阻比较大；（2）哪些电路的输出电阻比较小；

（3）哪个电路的s u A ?

=s o ?

U U 最大。

（说明：以上三问不需要计算即可判断出来结果）

图7

补充题6：图8所示BiCMOS 电路中，电路参数V +=10V ，V GG = 4.5V ，R D1= R E2=10k ?，R L =1.8 k ?。已知增强型NMOS 管M 1参数为U GS(th)=1V ，K n =0.4mA/V 2；晶体管Q 2参数为β=100，U BE =0.7V 。（1）求静态时NMOS 管参数U DSQ 、I DQ ，晶体管参数I CQ 、U ECQ 。（2）求电压放大倍数?

u A 、输出电阻R o 。

图8

补充题7：图9所示差分放大电路中，漏极电阻失配。已知增强型NMOS 管参数为U GS(th)=1V ，K n =0.15mA/V 2。电路参数V +=10V ，V - = -10V ，R S =75k ?，R D =50 k ?。设静态时v 1=v 2=0，? R =500?。（1）求静态时NMOS 管的U GSQ 、I DQ 。（2）求A d 、A c 、K CMR 。

图9

补充题8：图10所示电流源电路中，JFET参数为U GS(off)= - 4V，I DSS=4mA。（1）为使电流

I O=2mA，求R的阻值。（2）求使JFET工作在恒流区的V D的范围。

图10

补充题9：图11所示电流源电路中，电路参数V +=2.5V，R=15k?。已知增强型NMOS管

M1、M2参数均为U GS(th)=0.5V，k’n=0.08mA/V2，W/L=6。求电流I REF、I O。

图11

补充题10：

图12所示电路中，已知R1=10kΩ，R2=20kΩ，R=10kΩ，C=0.01μF，稳压管的稳压值为6V，U R E F=0。

（1）分别求输出电压u O和电容两端电压u C的最大值和最小值。

（2）计算输出电压u O的周期，对应画出u O和u C的波形，标明幅值和周期。

（3）若增大R1的阻值，将如何影响u O的幅值和周期。

（4）若增大R的阻值，将如何影响u O的幅值和周期。

（5）若增大U Z，将如何影响u O的幅值和周期。

（6）若U R E F=3V，将如何影响u O的幅值和周期。

=±6v

图12

补充题11：

图13所示电路中，已知R w的滑动端位于中点。选择填空：

A. 增大

B. 不变

C. 减小

当R1增大时，u O1的占空比将，振荡频率将，u O2的幅值将；当R2增大时，

u O1的占空比将，振荡频率将，u O2的幅值将；当U z增大时，u O1的占空比将，

振荡频率将，u O2的幅值将；若R W的滑动端向上移动，则u O1的占空比将，振

荡频率将，u O2的幅值将。

u O2

图13

补充题12：图14所示由互补MOSFET 组成的乙类输出级电路中，电路参数V +=10V ，V - =

- 10V ，R L =5k ?。已知增强型NMOS 管M n 参数为U GS(th)=0V ，K n =0.4mA/V 2，增强型PMOS 管M p 参数为U GS(th)=0V ，K p =0.4mA/V 2。（1）求最大输出电压U om ，并求此时的i L 和v i 的值。（2）求最大输出功率和效率。

图14

模拟电子技术课程设计

模拟电子技术课程设计 ——线性F/v转换1．设计任务和要求 ------------------2 2.总体方案选择的论证 ------------------3 3．单元电路的设计 ------------------7 4．绘出总体电路图 ------------------14 5．组装与调试 ------------------15 6.所用元器件的购买清单 ------------------16 7.列出参考文献 ------------------16 8.收获、体会和建议 ------------------17

一．课程设计与要求（1）设计任务选取基本集成放大器 LF353、555定时器、二极管和电阻、电容等元器件，设计并制作一个简易的线性F/V转换器。首先，在EWB软件平台环境下进行电路设计和原理仿真，选取合适的电路参数，通过输出的波形的直流电压测试线性F/V转换器的运行情况。其次，在硬件设计平台上搭建电路，并进行电路调试，通过数字万用表观测电路的实际输出电压值。最后，将该实际电压值与理论分析和仿真结果进行比较，分析产生误差的原因，并提出改进方法。（2）设计要求 1.性能指标要求。 ①输入频率为0~10KHz、幅度为20mV（峰峰值）的交流信号。 ②线性输出0~10V的交流信号。 ③转换绝对误差小于20mV（平均值）。 ④1KHz时的纹波小于50mV。 2.设计报告要求。 ①根据电路性能指标要求设计完成电路原理图，计算元件参数，写出理论推导工程，并分析各单元电路的工作原理。 ②利用EWB软件进行仿真调试。 ③绘出总体电路图 ④记录实验结果和调试心得，判断误差原因，万恒实验结果分析。

湘潭大学模拟电子技术练习题

模拟电子技术练习题一、填空题 1、当希望放大300Hz~3400Hz 的信号时，应选用滤波器；当希望抑制40KHz 以上信号时，应选用滤波器。 2、PN 结加正向电压时,由形成电流，其耗尽层；PN 结加反向电压时,由形成电流，其耗尽层。 3、放大电路中的三极管电位分别为：基极2.8V 、发射极2.1V 、集电极2.4V ，试分析该三极管的类型为、工作在状态。 4、如图所示波特图中低频截止频率 Hz ，通带放大倍数，高频截止频率 Hz 。 5、正弦信号产生电路的起振条件是、振荡频率取决于。 6、三极管电流放大系数α=0.98，则β= 。 7、电流源作有源负载的特点是直流等效电阻、交流等效电阻。 8、负反馈放大电路，为了实现电压-电流转换，应引入负反馈；为了实现电流-电压转换，应引入负反馈；为了实现电流-电流转换，应引入负反馈；为了减小从电压信号源索取电流又增强带负载能力，应引入负反馈。二、简答题 1、电路如图所示，试回答：指出Vo1、Vo2的波形类型；电容C 增大频率如何变化；电阻R1增大Vo2的幅值如何变化。 2、简述基本放大电路出现饱和失真或截止失真的原因。 3、简述简单稳压二极管电路的结构。输入电压波动时如何实现稳压？ 4、简述单门限比较器和滞回比较器的主要区别。

三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。试求该电路的输出电压V o 与所有输入电压的关系式。 Vi1 Vi2 四、单电源功率放大电路如图所示，K 点为两个三极管发射极的中点，功放管的饱和压降忽略不计。 ⑴ 静态时K 点的电压为多少？ ⑵ 该电路的最大功率P 0max 。 ⑶ 对功率管的最大容许管耗P cm 有何要求。五、放大电路如图，电流放大倍数为β。 ⑴ 求电路的静态工作点Q ；⑵ 画出微变等效电路；⑶ 计算0,,R R A i V 。 Vs

(完整版)电子技术基础复习题及答案

电子技术基础一、选择题： 1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( ) (A) 掺入杂质的浓度、 (B) 材料、 (C) 温度 2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( ) (A) 放大状态、 (B) 饱和状态、 (C) 截止状态 3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( ) (A) 约为原来的1/2倍 (B) 约为原来的2倍 (C) 基本不变 4．在OCL电路中，引起交越失真的原因是( ) (A) 输入信号过大 (B) 晶体管输入特性的非线性 (C) 电路中有电容 5．差动放大器中,用恒流源代替长尾R e是为了( ) (A) 提高差模电压增益 (B) 提高共模输入电压范围 (C) 提高共模抑制比 6．若A+B=A+C，则（） (A) B=C； (B) B=C；(C)在A=0的条件下，B=C 7．同步计数器中的同步是指（）（A）各触发器同时输入信号；（B）各触发器状态同时改变；（C）各触发器受同一时钟脉冲的控制 8．由NPN管组成的单管基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真，这种失真是（）（A）饱和失真（B）截止失真（C）频率失真 9．对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）（A）多数载流子（B）少数载流子（C）既有多数载流子又有少数载流子 10．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（）（A）增加（B）减少（C）不变 11．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（） A、输入电阻高 B、输出电阻低

C 、共模抑制比大 D 、电压放大倍数大 12．对于桥式整流电路，正确的接法是( ) 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 13．将代码(10000011)8421BCD 转换成二进制数为（） A 、(01000011)2 B 、(01010011)2 C 、(10000011)2 D 、(000100110001)2 14．N 个变量的逻辑函数应该有最小项（） A 、2n 个 B 、n2个 C 、2n 个 D.、(2n-1)个 15．函数F=B A +AB 转换成或非－或非式为（） A 、 B A B A +++ B 、B A B A +++ C 、B A B A + D 、B A B A +++ 16．图示触发器电路的特征方程Qn+1 =（） A. n n Q T Q T + B. Q T +TQn C. n Q D. T 17．多谐振荡器有（） A 、两个稳定状态 B 、一个稳定状态，一个暂稳态 C 、两个暂稳态 D 、记忆二进制数的功能 18．本征半导体电子浓度______空穴浓度，N 型半导体的电子浓度______空穴浓度，P 型半导体的电子浓度 ______空穴浓度（） A 、等于、大于、小于 B 、小于、等于、大于 C 、等于、小于、大于 19．稳压管构成的稳压电路，其接法是（）

模拟电子技术练习题(专升本)

《模拟电子技术》练习题一、填空题 1．在N 型半导体中，是多数载流子，是少数载流子。 2．电路如图1-1所示，设二极管的导通电压U D ＝，则图1-1（a ）中U O ＝ V ，图1-1（b ）中U O ＝ V 。（a ）（b ）图1-1 3．图1-2中二极管为理想器件，则VD 1工作在状态；VD 2工作在状态；电流 O I mA 。 4．PN 结具有特性；稳压二极管的稳压区在其伏安特性曲线的区内。 5．在晶体管放大电路中，测得一晶体管三个管脚1、2和3 对地的直流电位分别为U 1 = -5 V ，U 2 = -8 V ，U 3 = V ，则与该晶体管对应的电极是：管脚1为极，2为极，3为极，晶体管为型（PNP 或NPN ），所用材料为（硅或锗）。 6. 电压放大电路要求是要有较的输入电阻和较的输出电阻。 7．在由NPN 管构成的基本共射放大电路中，若静态工作点设置得过高，则将产生失真；乙类功率放大电路的缺点是存在失真；直接耦合放大电路的最大问题是存在现象。 8．共射放大电路的输出电压与输入电压的相位（填“相同”或“相反” ）；共集放大电路的输出电压与输入电压的相位。 9．射极输出器具有输入电阻和输出电阻的特点。。 10．为稳定输出电压，应引入负反馈；为提高输入电阻，应引入负反馈；当信号源的内阻较大时，为增强负反馈的效果，应引入负反馈；由集成运 I O

放构成线性放大电路时，应引入反馈（填“正反馈”或“负反馈” ）。 11．集成运放有两个工作区，即线性区和非线性区，则图1-3（a ）所示的集成运放工作于区，图（b ）所示的集成运放工作于区。图1-3 二、单项选择题（每小题3分，共15分） 1．如图2-1所示电路，二极管D 1和D 2的工作状态为（）。 A ．D 1截止，D 2导通 B ．D 1导通，D 2截止 C ．D 1和D 2均导通 D ．D 1和D 2均截止 2．在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V ，，，则这三个极分别为（）。 A ．C ， B ，E B ． C ，E ，B C ．E ，C ，B D ．B ， E ，C 3．在图2-2中，V CC =12V ，R C =3kΩ，β=50，U BEQ 可忽略不计，若使U CEQ =6V ，则R B 应为（）。 A ．360 kΩ B ．300 kΩ C ．300 Ω D ．400 kΩ 4．工作在放大区的某晶体管当i B 从20μA 增大到30μA 时，i C 从2mA 增大到4mA ，那么它的值约为（）。 A. 50 B. 200 C. 20 D ．100 5．射极输出器（）。 A ．有电流放大作用，没有电压放大作用 B ．有电压放大作用，没有电流放大作用图2-1 4V 0V +V CC 图2-2 R B

电子技术复习题及答案

一、填空题 1、右图中二极管为理想器件， V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。 2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。 3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。 4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。 5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。 6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。 7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。 8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。 9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。 1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。 2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是 7B 。 3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。 4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H 和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为： 66H 。 5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。 6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片 1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。 2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。 3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。 4、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。 5、三态门的“三态”指输出高电平，输出低电平和输出高阻态。 6、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2) 7、用一个称为时钟的特殊定时控制信号去限制存储单元状态的改变时间，具有这种特点的存储单元电路称为触发器。 8、时序电路分为组合电路和存储电路两种。二、选择题 1、离散的，不连续的信号，称为（B ） A、模拟信号 B、数字信号 2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。 A．译码器B．编码器 C．全加器D．寄存器

模拟电子技术教程习题答案

第6章习题答案 1. 概念题：（1）由运放组成的负反馈电路一般都引入深度负反馈，电路均可利用虚短路和虚断路的概念来求解其运算关系。（2）反相比例运算电路的输入阻抗小，同相比例运算电路的输入阻抗大，但会引入了共模干扰。（3）如果要用单个运放实现：A u＝－10的放大电路，应选用 A 运算电路；将正弦波信号移相＋90O，应选用 D 运算电路；对正弦波信号进行二倍频，应选用 F 运算电路；将某信号叠加上一个直流量，应选用 E 运算电路；将方波信号转换成三角波信号，应选用 C 运算电路；将方波电压转换成尖顶波信号，应选用 D 运算电路。 A. 反相比例 B. 同相比例 C. 积分 D. 微分 E. 加法 F. 乘方（4）已知输入信号幅值为1mV，频率为10kHz～12kHz，信号中有较大的干扰，应设置前置放大电路及带通滤波电路进行预处理。（5）在隔离放大器的输入端和输出端之间加100V的电压会击穿放大器吗？（不会）加1000V的交流电压呢？（不会）（6）有源滤波器适合于电源滤波吗？（不适用）这是因为有源滤波器不能通过太大的电流或太高的电压。（7）正弦波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（一定）矩形波发生电路中，输出端的晶体管一定工作在放大区吗？（不一

定）（8）作为比较器应用的运放，运放一般都工作在非线性区，施密特比较器中引入了正反馈，和基本比较器相比，施密特比较器有速度快和抗干扰性强的特点。（9）正弦波发生电路的平衡条件与放大器自激的平衡条件不同，是因为反馈耦合端的极性不同，RC正弦波振荡器频率不可能太高，其原因是在高频时晶体管元件的结电容会起作用。（10）非正弦波发生器离不开比较器和延时两个环节。（11）当信号频率等于石英晶体的串联谐振或并联谐振频率时，石英晶体呈阻性；当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时，石英晶体呈感性；其余情况下石英晶体呈容性。（12）若需要1MHz以下的正弦波信号，一般可用 RC 振荡电路；若需要更高频率的正弦波，就要用 LC 振荡电路；若要求频率稳定度很高，则可用石英晶体振荡电路。（13）设计一个输出功率为20W的扩音机电路，若用乙类互补对称功率放大，则应选至少为 4 瓦的功率管两个。（14）对于甲类变压器音频功率放大电路，在没有输入信号时，扬声器不发声，这时管子的损耗最小。对吗？（不对，此时管子功耗最大）（15）线性电源的调整管工作在放大区，所以称为线性电源，

模拟电子技术课程设计报告

课程设计报告题目方波、三角波、正弦波信号发生器设计课程名称模拟电子技术课程设计院部名称机电工程学院专业10自动化班级10自动化学生姓名吉钰源学号1004104001 课程设计地点 C206 课程设计学时 1周指导教师赵国树金陵科技学院教务处制成绩

目录 1、绪论 (3) 1.1相关背景知识 (3) 1.2课程设计目的 (3) 1.3课程设计的任务 (3) 1.4课程设计的技术指标 (3) 2、信号发生器的基本原理 (4) 2.1总体设计思路 (4) 2.2原理框图 (4) 3、各组成部分的工作原理 (5) 3.1 正弦波产生电路 (5) 3.1.1正弦波产生电路 (5) 3.1.2正弦波产生电路的工作原理 (6) 3.2 正弦波到方波转换电路 (7) 3.2.1正弦波到方波转换电路图 (7) 3.2.2正弦波到方波转换电路的工作原理 (8) 3.3 方波到三角波转换电路 (9) 3.3.1方波到三角波转换电路图 (9) 3.3.2方波到三角波转换电路的工作原理 (10) 4、电路仿真结果 (11) 4.1正弦波产生电路的仿真结果 (11) 4.2 正弦波到方波转换电路的仿真结果 (11) 4.3方波到三角波转换电路的仿真结果 (13) 5、电路调试结果 (13) 5.1正弦波产生电路的调试结果 (13) 5.2正弦波到方波转换电路的调试结果 (14) 5.3方波到三角波转换电路的调试结果 (14) 6、设计结果分析与总结 (15)

1、绪论 1.1相关背景知识由于物理学的重大突破，电子技术在20世纪取得了惊人的进步。特别是近50年来，微电子技术和其他高技术的飞速发展，致使农业、工业、科技和国防等领域发生了令人瞩目的变革。与此同时，电子技术也正在改变着人们日常生活。在电子技术中，信号发生器是一种能够产生多种波形,如三角波、锯齿波、矩形波（含方波）、正弦波的电路被称为函数信号发生器。函数信号发生器在电路实验和设备检测中具有十分广泛的用途，可以用于生产测试、仪器维修和实验室，还广泛使用在其它科技领域，如医学、教育、化学、通讯、地球物理学、工业控制、军事和宇航等。它是一种不可缺少的通用信号源。 1.2课程设计目的通过本次课程设计所要达到的目的是：增进自己对模拟集成电路方面所学知识的理解，提高自己在模拟集成电路应用方面的技能，树立严谨的科学作风，培养自身综合运用理论知识解决实际问题的能力。通过电路设计初步掌握工程设计方法，逐步熟悉开展科学实践的程序和方法，为后续课程的学习和今后从事的实际工作提供引导性的背景知识，打下必要的基础。 1.3课程设计的任务 ①设计一个方波、三角波、正弦波函数发生器； ②能同时输出一定频率一定幅度的三种波形：正弦波、方波和三角波； ③用±12V电源供电；先对课程设计任务进行分析，及根据参数的确定选择出一种最适合本课题的方案。在达到课题要求的前提下保证最经济、最方便、最优化的设计策略。然后运用仿真软件Multisim对电路进行仿真，观察效果并与课题要求的性能指标作对比。仿真成功后，用实物搭建电路，进行调试，观测示波器输出的波形。 1.4课程设计的技术指标 ①设计、组装、调试信号发生器； ②输出波形：正弦波、方波、三角波； ③频率范围在10Hz~10000Hz范围内可调； ④比较器用LM339,运算放大器用LM324，双向稳压管用两个稳压管代替。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

+ + +++ + ------Rb1 Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1 +2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3 图2-6 图2-4 图2-5图3-1 + + ++++ ------D2R Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V B=50 Ui Rf Re1 Re2 Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R R R R R R 2R 2R 2R Uo1Uo2Uo3Uo4+-Uo +1+2+4A1A2A3 A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5图3-1 图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃ B 1：ｃ、2：e 、3：ｂ C 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅ D 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。 A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。 A 可能 B 不能 7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。 A 差 B 和 C 算术平均 8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。 A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况 9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。 A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联 10、设图2-10所示电路中二极管D1、D2为理想二极管，判断它们是导通还是截止？（） A D1导通，D2导通 B D1导通，D2截止 C D1截止，D2导通 D D1截止，D2截止三、判断题（）1、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。（）2、结型场效应管通常采用两种偏置方式，即（源极）自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式。（）3、共集电极电路没有电压和电流放大作用。（）4、用电流源代替R e 后电路的差模倍数增加。（）5、集成运放内部第一级是差分放大电路，因此它有两个输入端。（）6、只有两个晶体管的类型相同（都为NPN 管或都为PNP 管时）才能组成复合管。（）7、RC 桥式振荡电路只要R ｆ≤2R １就能产生自激振荡。（）8、一个理想的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。（）9、电压负反馈可以稳定输出电压。（）10、直流电源是一种电能形式转换电路，将交流电变为直流电。四、分析题电路如图所示：

模拟电子技术习题及答案定稿版

模拟电子技术习题及答案 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 时会损坏。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U =0.7V，试写出各电路的输出电压 D(on) Uo值。

《模拟电子技术》课程教学大纲资料

《模拟电子技术》课程教学大纲适用专业：通信工程编写日期：2015.10 适用对象：本科执笔：彭小娟学时数：72 审核：一、课程性质、目的和要求模拟电子技术基础课程是电气、通讯、计算机等电类专业本科生在电子技术方面入门性质的技术基础课，具有自身的体系和很强的实践性。本课程通过对常用电子器件、模拟电路及其系统的分析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基本知识、基本理论和基本技能，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。本课程72学时, 其中实验10学时。本课程主要介绍半导体器件、放大电路的基本原理、放大电路的频率响应、集成运算放大电路、放大电路中的反馈、模拟信号运算电路、信号处理电路、波形发生电路、功率放大电路、直流电源,为反映科学技术的发展，在内容安排上侧重于基础理论和集成电路及其应用。先修课程：高等数学、大学物理、电路二、教学内容与要求第一章半导体器件主要内容是：半导体的特性、半导体二极管、双极型三极管、场效应管重点：PN结的单向导电性与各种电子器件的主要特性及主要参数难点：各种电子器件的主要特性第二章放大电路的基本原理主要内容是：放大的概念、单管共发射极放大电路、放大电路的主要技术指标、放大电路基本分析方法、工作点的稳定问题、放大电路的三种基本组态、场效应管放大电路、多级放大电路。要求：了解基本放大电路的组成；理解共射极单管放大电路的基本结构、工作原理、设置静态工作点的意义及简化小信号模型。掌握电压放大倍数、源电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的估算，了解输入电阻、输出电阻的概念。理解射极输出器的特点和应用，了解共基极放大电路的原理和特点。了解场效应管基本放大电路的原理和特点。了解直接耦合、阻容耦合、变压器耦合和光电耦合的基本原理及特点，理解多级放大电路动态参数的分析方法。重点：各种放大电路的设置静态工作点的意义及简化小信号模型，掌握电压放大倍数、

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题 1、在N 型半导体中，多数载流子是；在P 型半导体中，多数载流子是。 2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。 3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。 4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。 5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。 6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。 7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。二、选择题 1、利用二极管的（）组成整流电路。 A 正向特性 B 单向导电性 C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。 A 空穴 B 三价元素硼 C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。 A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型 D N 沟道耗尽型MOS 型 E N 沟道结型 F P 沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。 ++ + - ---D1 D2R Rb Rc Rb Rb1Rb2Re1Re2 Rc RL C1Ce C1C2L 15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1-2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1 Uo2Uo4 + +1A1 A2 A4 图2-1 图2-2图2-3 图2-6 图2-4 图2-5++ + + + --- --D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1 Re2 Rc RL C1 Ce C1 C2 L 15V 8V 50K 2.5K B=50Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc Ucc Ucc C2 Ugs+10-1 -2 id Ubs us Rs R R R 2R Uo1Uo2 Uo4++1A1 A2A4图2-1 图2-2 图2-3图2-6 图2-4图2-5

模拟电子技术教程课后习题答案大全

第1章习题答案 1. 判断题：在问题的后面括号中打√或×。（1）当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。（√）（2）当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。（×）（3）线性电路一定是模拟电路。（√）（4）模拟电路一定是线性电路。（×）（5）放大器一定是线性电路。（√）（6）线性电路一定是放大器。（×）（7）放大器是有源的线性网络。（√）（8）放大器的增益有可能有不同的量纲。（√）（9）放大器的零点是指放大器输出为0。（×）（10）放大器的增益一定是大于1的。（×） 2 填空题：（1）放大器输入为10mV电压信号，输出为100mA电流信号，增益是10S。（2）放大器输入为10mA电流信号，输出为10V电压信号，增益是1KΩ。（3）放大器输入为10V电压信号，输出为100mV电压信号，增益是0.01 。（4）在输入信号为电压源的情况下，放大器的输入阻抗越大越好。（5）在负载要求为恒压输出的情况下，放大器的输出阻抗越大越好。（6）在输入信号为电流源的情况下，放大器的输入阻抗越小越好。（7）在负载要求为恒流输出的情况下，放大器的输出阻抗越小越好。（8）某放大器的零点是1V，零漂是+20PPM，当温度升高10℃时，零点是 1.0002V 。（9）某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V，其最大不失真正电压输出+U OM是14V，最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。（10）某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内，增益是100V/V，在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V，该放大器的下限截止频率f L是0HZ，上限截止频率f H是250KHZ，通频带 f BW是250KHZ。 3. 现有：电压信号源1个，电压型放大器1个，1K电阻1个，万用表1个。如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗，请写出实验步骤。解:提示：按照输入阻抗、输出阻抗定义完成，电流通过测电阻压降得到。 4. 现有：宽频信号发生器1个，示波器1个，互导型放大器1个，1K电阻1个。如通过实验法求放大器的通频带增益、上限截止频率及下限截止频率，请写出实验步骤。解: 提示：放大器输入接信号源，输出接电阻，从0HZ开始不断加大频率，由示波器观测输入信号和输出信号的幅值并做纪录，绘出通频带各点图形。第2章习题答案

模拟电子技术课程设计心得体会

模拟电子技术课程设计心得体会此次设计也让我明白了思路即出路，有什么不懂不明白的地方要及时请教，做课程设计要有严谨的思路和熟练的动手能力，我感觉自己做了这次设计后，明白了总的设计方法及思路，通过这次尝试让我有了更加光火的思路，对今后的学习也有莫大的好处。一、设计目的 1、学习基本理论在实践中综合运用的初步经验，掌握模拟电路设计的基本方法、设计步骤，培养综合设计与调试能力。 2、学会直流稳压电源的设计方法和性能指标测试方法。 3、培养实践技能，提高分析和解决实际问题的能力。 1．电路图设计方法（1）确定目标：设计整个系统是由那些模块组成，各个模块之间的信号传输，并画出直流稳压电源方框图。（2）系统分析：根据系统功能，选择各模块所用电路形式。（3）参数选择：根据系统指标的要求，确定各模块电路中元件的参数。（4）总电路图：连接各模块电路。（5）将各模块电路连起来，整机调试，并测量该系统的各项指标。（6）采用三端集成稳压器电路，用输出电压可调且内部有过载保护的三端集成稳压器，输出电压调整范围较宽，设计一电压补偿电路可实现输出电压从 0 V起连续可调，因要求电路具有很强的带负载能力，需设计一软启动电路以适应所带负载的启动性能。该电路所用器件较少，成本低且组装方便、可靠性高。二、总体设计思路

1、直流稳压电源直流稳压电源是一种将220V工频交流电转换成稳压输出的直流电压的装置，它需要变压、整流、滤波、稳压四个环节才能完成。直流稳压电源方框图图2 直流稳压电源的方框图 2、整流电路（1）直流电路常采用二极管单相全波整流电路，电路如图3所示。图3 单相桥式整流电路 3、滤波电路——电容滤波电路采用滤波电路可滤除整流电路输出电压中的交流成分，使电压波形变得平滑。常见的滤波电路有电容滤波、电感滤波和复式滤波等。在整流电路的输出端，即负载电阻RL两端并联一个电容量较大的电解电容C，则构成

模拟电子技术练习题-2012

2012模拟电子技术练习题一、填空题 1、正弦波信号发生器的类型有和两大类。产生1MHz 以下的是。 2、负反馈放大电路，级数多、反馈深度大的容易产生自激振荡，防止产生自激振荡采用破坏同时满足振幅条件和相位条件，其幅值裕度和相位裕度临界值分别为 dB 和度。 3、P 型半导体掺入价元素，其多数载离子是。PN 结具有导电性，呈现扩散电容为主时是处于状态。 4、滤波器按频率参数分为、、、、。 5、负反馈放大电路中，可以实现电压电流变换的是负反馈，可以实现电流电压变换的是负反馈。 6、集成运放工作在线性状态时，分析方法是依据，工作在非线性状态时，分析方法是依据。 7、已知某集成运放，开环增益120dB 、带宽0-10Hz ，用此设计带宽0-100KHz 的放大器，单片可以实现的放大倍数是倍。若需要放大倍数1000倍，需要片级联。二、简答题 1、二极管稳压电路中电阻R 的作用？其取值与哪些因素有关？ 2、正弦波振荡电路的频率是多少？Rt 与Rf 的关系？Rt 的温度特性？ R Vi Vo

Vi Vi 图a图b 3、什么是零点漂移现象？如何克服零点漂移？ 4、两个电路中的运放分别工作在什么状态？其电路功能分别是什么？三、电路如图所示，设图中运放均为理想运放。试分别推导出Vo1、Vo2、Vo 与Vi1、Vi2的关系式。四、电路如图所示，Vcc=12V，RL=8Ω，C的电容量很大，Vi为正弦波，忽略管子饱和压降。（1）静态时，C2两端电压是多少？（2）动态时，如果出现交越失真，如何解决？（3）最大输出功率是多少？

《电子技术与实践》选复习题

说明：综合考试包括理论笔试和实验操作两个部分，考核范围是课堂各单元对应的理论和实验操作内容，特别是上课例题、作业本、做在书上的习题以及实验报告内容，另以下习题供大家复习练习。一、填空题 1、杂质半导体有型和型之分。 2、PN结加正向电压，是指电源的正极接区，电源的负极接区，这种接法叫。 3、二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”，锗管约为，硅管约为。 4、二极管的类型按材料分和。 5、单相半波整流电路中，利用二极管的特性，可以将正弦交流变成单方向脉动的直流电。 6、硅稳压二极管主要工作在。 7、硅二极管导通电压为________伏，锗管为_________伏。 8、测量三级三极管放大电路，得其第一级电路放大倍数为－30，第二级电路放大倍数为30，第三级电路放大倍数为0.99，输出电阻为60 ，则可判断三级电路的组态分别是、、。 9、放大电路在工作时若进入输出特性曲线的和，就会造成非线性失真，静态工作点过高，易造成失真；静态工作点过低，易造成失真。 10、在放大电路中引入负反馈，虽然使放大电路的放大倍数，但能提高放大倍数的，非线性失真。 11、测得某放大电路中三极管三个极电位分别为：U1=3.5V、U2=2.8V、U3=15V。判断该管材料是；管型是；1、2、3三个极分别对应为极、极极。 12、在三种三极管基本放大电路中共集电极放大电路的特点：电压放大倍数，又称。而输入电阻，输出电阻。（填大、小） 13、多级放大电路的耦合方式有、、。总的电压放大倍数是各级电压放大倍数之。 14、三种三极管基本放大电路中，电路的输出与输入反相位；电路的输入电阻最大。 15、三极管正常的工作状态有：状态、状态和状态。 16、PN结具有（）。当它加（）电压时，导通；加（）电压时，截止。 17、二极管的伏安特性可分三段：（）、（）、（）。稳压管工作在（）。硅二极管导通电压大约（）V。 18、在放大电路中引入负反馈，虽然使放大电路的放大倍数，但能放大倍数的稳定性，非线性失真，拓展；当引入的是反馈时，能使放大电路的输出电压稳定且使输出电阻。 19、功放的主要任务有：、和。 20、直流稳压电源一般由、、和组成。 21、理想集成运算放大电路的特点是：开环电压放大倍数为，输入电阻，输出电阻等。 22、在数字电路中常见的计数进制有、、和

模拟电子技术习题及答案

模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。 3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。 5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。 7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷

2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。( × ) F 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 1．4 分析计算题 =，试写出各电路的输出电压Uo值。1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压U D(on) ＝(6—V＝ V。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U

《模拟电子技术》课程

《模拟电子技术》精品课程

目录单元1 晶体二极管的特性与应用 1.1理论：半导体物理的基本知识和晶体二极管的特性 1.2实验：晶体二极管的伏安特性测试和简单应用单元2 晶体三极管的特性 2.1理论：晶体三极管的输入、输出特性 2.2实验：晶体三极管的输入、输出特性测试单元3 晶体三极管共发射极基本放大器 3.1理论：晶体三极管共发射极放大器的性能指标和分析方法3.2实验：晶体三极管共发射极基本放大器性能指标测试单元4 晶体三极管共集电极基本放大器 4.1理论：射极跟随器的性能指标分析 4.2实验：射极跟随器的性能指标测试单元5 晶体三极管多级放大器 5.1理论：多级放大器的耦合方式和分析方法 5.2实验：阻容耦合两级放大器的性能指标测试单元6 负反馈放大器 6.1理论：反馈组态的判断和负反馈对放大器性能的影响 6.2实验：电压串联负反馈对放大器性能的影响单元7 正弦波振荡器

7.1理论：正弦波振荡器的起振条件和平衡条件 7.2实验：RC分立元件文氏电桥正弦波振荡器单元8 差分放大器 8.1理论：差分放大器的工作原理和性能指标 8.2实验：差分放大器的性能指标测试单元9 集成运算放大器 9.1理论：集成运算放大器的理想化条件和应用 9.2实验：集成运算放大器的应用单元10 功率放大器 10.1理论：甲、乙类功率放大器的工作原理和性能指标 10.2实验：OTL功率放大器的性能指标测试单元11 直流稳压电源 11.1理论：直流稳压电源的工作原理和性能指标 11.2实验：串联直流稳压电源的性能指标测试单元12 场效应管的特性及放大电路 12.1理论：结型场效应管的特性曲线和性能指标 12.2实验：结型场效应管特性曲线和放大电路性能指标的测试

模拟电子技术综合练习题(答案)

《模拟电子技术及应用》综合练习题（答案） 2题答案：(1) I BQ≈20μA，I CQ≈I EQ≈2mA，U CEQ≈6V. (2) r be≈1.5kΩ，A u≈-130，R i≈1.36kΩ，R0≈3kΩ；(3) A us≈-75. 3.题答案：A u≈-1.3。 4题答案：(1) I BQ≈27μA，I CQ≈I EQ≈3.2mA，U CEQ≈8.8V. (2) r be≈1.2kΩ，A u≈1，R i≈51kΩ，R0≈18Ω. 5题答案：A u≈1066，即≈60.6dB，R i≈5.7kΩ，R0≈4.7kΩ. 6题答案： 7题答案：开环电压放大倍数A uo＝200，反馈系数F＝0.01，闭环电压放大倍数A uf＝66.67 输出电压U o＝1.33V 8题答案：(1)根据U O＝1.2U2，得到变压器二次电压U2＝16.7V，变压比220:16.7≈13:1 (2)负载电流I O＝ＵＯＲＬ＝0.5A，二极管整流电流I D＝I O＝0.25A 二极管正向电流I F≥(2～3) I D＝(0.5～0.75)A，最高反向电压U RM＞U2≈24V (3)根据R L C≥(3～5),可令R L C≈2T，周期T=0.02，得C≈1000μF 9题答案：CW317的基准打压U21＝1.25V，U O＝1.25(1＋R P/R1)，其中R P＝0～3kΩ，所以U O＝1.25～20V。 10题答案：对于单电源供电的功放电路来说，最大输出交流电压的幅度U om≈CC3V，所以，最大输出功率P om≈，图(g)中负载R L＝8Ω，P om≈0.56W；图(h)中负载R L＝4Ω，P om≈1.12W.