光电探测实验讲义

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光电探测实验讲义

光电技术实验讲义

--光电探测部分

目录

实验a 光电倍增管的静态和时间特性的测试 (2)

实验b 光电探测器响应时间的测试 (9)

验a 光电倍增管的静态和时间特性的测试

光电倍增管是一种基于外光电效应(光电发射效应)的器件,由于其内部具有电子倍增系

统,所以具有很高的电流增益,从而能够检测到极微弱的光辐射。 光电倍增管的另一大优点是响应速度很快,因此其时间特性的描述和测量都与其它光电器件有所不同。 此外,光电倍增管的光电线性好,动态范围大,因而被广泛应用于各种精密测量仪器和装备中。由于光电发射需要一定的光子能量,所以大多数光电倍增管工作在紫外和可见光波段,目前在近红外波段也有应用。由于使用面广,现已有多种结构、多种特性的管子可供选择。

一、实验目的

(1)熟悉光电倍增管的静态特性和时间特性,掌握光电倍增管的正确使用方法。 (2)学习光电倍增管的基本特性测量方法。 二、实验内容

(1)测量光电倍增管静态特性参数; (2)测量光电倍增管时间特性参数。

三、基本原理 1.光电倍增营的主要特性和参数 光电倍增管的特性参数,有灵敏度、电流增益、光电特性、阳极特性、暗电流等效噪声功率和时间特性等。下面介绍本实验涉及到的特性和参数。

(1)灵敏度 灵敏度是标志光电倍增管将光辐射信号转换成电信号能力的一个参数,一般指积分灵敏度,即白光灵敏度,单位取μA/lm 。通常,光电倍增管的使用说明书中都分别给出了它的阴极灵敏度和阳极灵敏度,有时还需要标出阴极的蓝光、红光或红外灵敏度。

①阴极灵敏度 S k 阴极灵敏度S k 是指光电阴极本身的积分灵敏度。测量时光电阴极为

一极,其它各电极连在一起为另一极,在其间加上100~300V 电压,如图1-1所示。照在阴极上的光通量通常选在10-9~10-2lm 的数量级,因为光通量过小会由于漏电流的影响而使光电流的测量准确度下降,而光通量过大也会引起测量误差。

②阳极灵敏度S A 阳极灵敏度S A 是指光电倍增管在一定工作电压下阳极输出电流与照在阴极面上光通量的比值。它是一个经过倍增以后的整管参数,在测量时为保证光电倍增管处于正常的线性工作状态,光通量要取得比测阴极灵敏度时小,一般在10-10~10-5lm 的数量 级。

因为倍增极材料的δ值是所加电压的函数,所以光电倍增管的阳极灵敏度与整管工作电压有关。在使用时,往往标出在指定的阳极灵敏度下所需的整管工作电压。

(2)放大倍数(电流增益)在一定的工作电压下,光电倍增管的阳极信号电流和阴极信号电流的比值称为该管的放大倍数或电流增益,以符号G 表示,则

G =I A /I K (1-1)

式中I A 为阳极信号电流;I K 为阴极信号电流。放大倍数G 主要取决于系统的倍增能力,因 比它也是工作电压的函数。上述的阳极灵敏度就包含了放大倍数的贡献,于是放大倍数也可 由在一定工作电压下阳极灵敏度和阴极灵敏度的比值来确定,即

G =S A /S K (1-2) (3)阳极伏安特性 当光通量Φ一定时,光电倍增管阳极电流I A 和阳极与阴极间的总电V H 之间的关

系为阳极伏安特性,如图1-2所示。因为光电倍增管的增益G 与二次倍增极电压E 之间的关系为 G =(bE )n

其中n 为倍增极数b 为与倍增极材料有关的常数。所以阳极电流I A 随总电压增加而急剧上升,使用管子时应注意阳极电压的选择。另外由阳极伏安特性可求增益G 的数值。

(4)暗电流 当充电倍增管完全与光照隔绝,在加上工作电压后阳极仍有电流输出,其输出电流的直流成份称为该管的暗电流,光电倍增管的最小可测光通量就取决于这个暗电流的大小。 引起暗电流的主要因素有:欧姆漏电、热电子发射、反馈效应(离子反馈和光反馈)、场致发射、放射性同位素的核辐射及宇宙射线的切仑可夫辐射。

图1-3示出了931-A 型光电倍增管的暗电流各分量与极问电压的关系。在50V /级以下的低电压下,暗电流实际上全部为电极问的欧姆漏电流。当电压升到100-110V /级,即在光电倍增管的正常工作范围内暗电流的主要成份是光电阴极和前级倍增极的热发射电流。电压继续升高时就出现了离子反馈、光反馈甚至场致发射等造成不稳定状态,这也就是使用电压的极限值。

由于光电倍增管的暗电流是工作电压的函数,所以在给出某管的暗电流时,必须说明是在达到某一

给定的阳极灵敏度所需的多大工作电压下测得的。

(5)时间特性 光电倍增管的渡越时间定义为光电子从光电阴极发射经过倍增极上阳极的时间。由于电子在倍增过程的统计性质以及电子的初速效应和轨道效应,从阴极同时发

出的电子到达阳极的时间是不同的,即存在渡越时间分散。因此,当输入信号为δ函数形式

的光脉冲时,阳极输出的电脉冲是展宽的。在闪烁计数应用中,如果入射射线之间的时间间隔极短,则因这种展宽将使输出脉冲发生重叠而不能被分辨。因此对输出脉冲波形的时间特性要用以下几个参数表示(见图1-4):

①脉冲上升时间t r 定义为用δ函数光脉冲照射整个光电阴极时,从阳极输出脉冲幅度 的0.1上升至脉冲幅度的0.9所需要的时间(ns )。

②脉冲响应宽度t n 即脉冲半宽度,指阳极输出脉冲半幅度点之间的时间间隔。

③渡越时间分散 Δt 因为它是造成阳极输出脉冲展宽的主要原因,所以有时就用它来代表时间分辨率。Δt 定义为当用重复的δ函数光脉冲照射到管子的阴极时,在阳极回路中所产生的诸输出脉冲上某一指定点(如半幅点)出现时间的变动,测量时通过时间幅度转换器把时间变动量转换成具有一定幅度的时间谱,取其半宽度来表示时间分辨率,单位为ns 。

进行光电倍增管的时间参数测试时,需要利用δ函数脉冲光源。

极间电压/V

10

1010-810暗电流/A

图1-3 931-A 型光电倍增管的暗电流分量

与极间电流的关系

1— 经过放大后的热发射电流; 2

— 漏电流;3—暗电流的总和; 4—不稳定状态的区域

I H

图1-2 典型阳极特性曲线

δ函数脉冲光源指的是能够提供具有有限积分光通量和无限小宽度的光脉冲光源光,在进行光电倍增管的时间参数测试时,只要光源的上升时间和下降时间和半宽度FWHM 均不超过管子输出脉冲的相应时间参数的三分之一,则该光源即可称为δ函数脉冲光源。目前可作为δ函数脉冲光源的有发光二极管、激光二极管、汞湿式火花光源、切仑可夫光源和钇铝石榴石锁模激光器等。

2.供电电路

(1)电源的连接方

式 光电倍增管的供电方式有两种,即

负高压接法

(阴极接电源负高压,电源正端接地)和正高压接

法(阳极接电

源正高压,而电源负端接

地)。

正高压级法的特点

是可使屏蔽光、磁、电的屏蔽罩直接与管子外壳相连,甚至可制成一体,因而屏蔽效果好,暗电流小,噪声水平低。但这时阳极处于正高压,会导致寄生电容增大。如果是直流输出则不仅要求传输电缆能耐高压,而且后级的直流放大器也处于高电压,会产生一系列的不便;如果是交流输出测需通过耐高压、噪声小的隔直电容。

负高压接法的优点是便于与后面的放大器连接且既可以直流输出,又可以交流输出,操作安全方便。缺点在于因玻壳的电位与阴极电位相接近,屏蔽罩应至少离开管子玻壳l -2cm 。这样系统的外形尺寸就增大了。否则由于静电屏蔽的寄生影响,暗电流与噪声都会增大。

(2)分压器 光电倍增管极间电压的分配一般是由如图1-5所示的电阻链分压来完成 的。最佳的极间电压分配取决于三个因素,即阳极峰值电流、允许的电压波动以及允许的非线性偏离

①.级间电压分配 光电倍增管的极间电压可按前级区、中间级、和末级区加以考虑。前级区的收集电压必须足够高,以使第一倍增级有高的收集效率和大的次级发射系数。中间级区的各级间通常具有均匀分布的级间电压,以使管子给出最佳的增益。由于末级区各级特别是末级支取较大的电流,所以末级区各级间电压不能过低,以免形成空间电荷效应而使 管子失去应有的直线性。

②分压电流 当阳极电流增大到与分压器相比拟时,将会导致末级区各级间电压的大幅度下降,从而使光电倍增管出现严重的非线性。为防止级间电压的再分配以保证增益稳定,分压器电流至少为最大阳极平均电流的20倍。对于直线性要求很高的应用场合,分压器电流应至少为最大阳极平均电流的100~500倍。

③分压电阻 确定了分压器电流 就可以根据光电倍增管的最大阳极电压算出分压器的总电阻再按

图1-5 光电倍增管的分压电路

H 光强

出电

图1-4 光电倍增管的时间特性示意图

照适当的级间电压分配,由总电阻求出各分压电阻的阻值。

(3) 输出电路 光电倍增管的输出是电荷,且其阳极几乎可作为一个理想的电流发生器来考虑。因此输出电流与负载阻抗无关。但实际上,对负载的输入阻抗却存在着一个上限, 因为负载电阻上的电压降明显地降低了末级倍增极与阳极之间的电压,因而会降低放大倍数,致使光电特性偏离线性。

①直流输出电路 对于直流信号,光电倍增管的阳极能产生达数十伏的输出电压,因此可使用大的负载电阻。检流计或电子微电流计可直接接至阳极,此时就不再需要串接负载电阻。

②脉冲输出电路 光电倍增管输出电压的相应等效电路是电流源与负载电阻的R L 和输出电容C L 并联的电路,如图1—6所示。

阳极电路对地的电容C L 起着R L 的旁路作用,从而使输出波形畸变,对于宽度很窄的脉冲,时间常数τ=RC 应远小于光脉冲的宽度。

四、实验装置

光电倍增管静态特性参数测试装置 静态特性参数测试装置如图1—7所示。 这是一个光屏蔽的暗箱,分光源室和测试室两部分。

图1—7 光电倍增管特性参数测试装置

白炽灯放置在光源室中,位于透镜的焦点上。白炽灯灯光经过透镜后成为平行光射入测试室中,在平行光路里放置了若干抽插式的中性衰减片。最后照射到光电倍增管的阴极面上。光电倍增管的输出电流可有检流计测出,也可由数字电压表测量负载的电压得到。

本实验选用GDB-24型光电倍增管,它的管脚和名称见附录。

五、实验步骤

1. 测阴极伏安特性

(1)将光电倍增管插入阳极特性测试所用的分压器中,其特性是以阴极作阴极,以第—倍增极做阳极,

其余倍增极和阳极与第一倍增极连接一起。

(2)把光电倍增管放入测试室中,并连接好电源线及输出线。抽出衰减片,检查光屏蔽。

(3)在与阳极测量时同样的光强下,接通直流稳压电源,测量阴极电流与电压的关系。如果采用标准

光源或直接测出光通量则可同时输出灵敏度。 2.测阳极伏安特性

(1)点亮白炽灯,并记下此时的光源电压;

(2) 打开光电倍增管电源,测出倍增管阳极电流和倍增管电压的关系; (3)断开光电倍增管电源,并关端白炽灯。 在开启高压电源时请注意:

i(t) R L C L Vo(t)

图1-6 光电倍增管输出等效电路

在开启开关前,首先要检查各输出旋钮是否已调到最小。打开电源开关,一定要预热1分钟后再输出高压。关机程序和开机相反。

六、实验报告

(1)作出暗电流与阳极电压之间的关系曲线

(2)作出某一光强下阳极电流与阳极电压之间的关系曲线。

(3)作出与第(3)项同样光照下,阴极电流和外加电压的关系曲线。

注:测试阴极红外响应(1.06μm处)采用如下标准:

①光源色温为2859K;②阴极有效直径ф25mm;③在阴极和光源之间加一红外滤光片(滤光片特

定标准,中心波长为1.06μm),在规定积分光通量下,阴极的直流输出电流即为阴极红外响应。

表2-3 管脚说明

极间电压分配:

图1-7 管脚

使用注意事项:

(1)光电倍增管对光的响应极为灵敏,因此在没有完全隔绝外界干扰光的情况下切勿对管子施加工作电压,否则会导致管内倍增极的损坏。

(2)使管子处在非工作状态,也要尽可能减少光电阴极和倍增极的不必要的曝光,以免对管子造成不良的影响。

(3)光电阴极的端面是一块粗糙度数值极小的玻璃片,要妥善保护。

(4)使用时必须预先在暗处邀见—段时间管基要保持清洁干燥同的要满足规定的环境条件,切勿超过所规定的电压最大值。

(5) 管子导电片与管脚应接触良好插上、拔下时务必要用力于胶木管基,否则易造成松动

或炸裂。

(6)在有磁场影响的场合,应该用高导磁金属进行磁屏蔽。

(7)与光电阴极区的外壳相接触的任何物体应处于光电阴极电位。

(8)该管用电阻分压器对各电极供电,典型分压器示于表1—4。对于每一个具体管子,若在典型分压器的

基础上再仔细地调节前级和末级几个分压电阻的数值,可获得最佳分压状。

实验b 光电探测器响应时间的测试

通常,光电探测器的输出的电压信号在时间上都要落后于作用在其上的光信号,即光电探测器的输出相对于输入的光信号要发生沿时间轴的扩展。扩展的程序可由响应时间来描述。光电探测器的这种响应落后于作用信号的特性称为惰性。由于惰性的存在,会使先后作用的信号在输出端相互交叠,从而降低了信号的凋制度。如果探测器观测的是随时间快速变化的物理量,则由于惰性的影响会造成输出严重畸变。因此,深入了解探测器的时间响应特性是十分必要的。

一、实验目的

(1)了解光电探测器的响应度不仅与信号光的波长有关,而且与信号光的调制频率有关;

(2)掌握发光二极管的电流调制法;

(3)熟悉测量探测器响应时间的方法。

二、实验内容

(1)用探测器的脉冲响应特性测量响应时间

(2)利用探测器的幅频特性确定其响应时间。

三、基本原理

表示时间响应特性的方法主要有两种,一种是脉冲响应特性法,另一种是幅频特性法。

1.脉冲响应响应落后于作用信号的现象称为弛豫。对于信号开始作用时的弛豫称为

上升弛豫或起始弛豫,信号停止作用时的弛豫称为衰减弛豫。弛豫时间的具体定义如下:如用阶跃信号作用于器件,则起始弛豫定义为探测器的响应从零上升为稳定值的(1 – 1/e)(即63%)时所需的时间。衰减弛豫定义为信号撤去后,探测器的响应下降到稳定值的1/e(即37%)所需的时间。这类探测器有光电池、光敏电阻及热电探测器等。另一种定义弛豫时间的方法是起始弛豫为响应值从稳态值的10%上升到90%时所用的时间;衰减弛豫为响应从稳态值的90%下降到10%时所用的时间。这种定义多用于响应速度很快的器件如光电二极管、雪崩光电二极管和光电倍增管等。

若光电探测器在单位阶跃信导作用下的起始阶跃响应函数为[1?exp(?t / τ1 ) ],衰减响

应函数为exp(?t / τ1 ),则根据第一种定义,起始弛豫时间为τ1,衰减弛豫则间为τ2。

此外如果测出了光电探测器的单位冲激响应函数,则可直接用其半值宽度来表示时间持

性。为了得到具有单位冲激函数形式的信号光源,即δ函数光源,可以采用脉冲式发光二极

管、锁模激光器以及火花源等光源来近似。在通常测试中,更方便的是采用具有单位阶跃函数形式亮度分布的光源。从而得到单位阶跃响应函数,进而确定响应时间。

2.幅频特性由于光电探测器惰性的存在,使得其响应度不仅与入射辐射的波长有关,

而且还是入射辐射调制频率的函数。这种函数关系还与入射光强信号的波形有关。通常定义

光电探测器对正弦光信号的响应幅值同调制频率间的关系为它的幅频特性。许多光电探测器

的幅频特性具有如下形式。

A(ω)=1 / (1+ω2τ2 )1/2 (3–1) 式中A(ω)表示归一化后的幅频特性;ω=2π?为调制圆频率;?为调制频率;τ为响应时间。

在实验中可以测得探测器的输出电压V(ω)为

V(ω)= V0 / (1+ω2τ2 )1/2 (3–2) 式中V0为探测器在入射光调制频率为零时的输出电压。这样,如果测得调制频率为?1时的输出信号电压V1和调制频率为?2时的输出电压信号V2 ,就可由下式确定响应时间

τ=1/2π[(V12-V22)/((V2f2)2-(V1f1) 2)]1/2 (3–3)

为减小误差,V1与V2的取值应相差10%以上。

由于许多光电探测器的幅频特件都可出式(3—1)描述,人们为了更方便地表示这种特性,引出截止频率?c。它的定义是中输出信号功率降至超低频一半时,即信号电压降至超低频信号电压的70.7%时的调

制频率。故?c 频率点又称为三分贝点或拐点。由式(3—1)可知 ?c =

21 (3–4)

实际上,用截止频率描述的时间特性是由式(4—1)定义的τ参数的另—种形式。

在实际测量中,对入射辐射调制的方式可以是内调制,也可以是外调制。外调制是用机械调制盘在光源外进行调制,因这种方法在使用时需要采取稳频措施,而且很难达到很高的调制频率,因此不适用于响应速度很快的光电探测器,所以具有很大的局限性。内调制通常采用快速响应的电致发光元件作辐射源。采取电调制的方法可以克服机械调制的不足,得到稳定度高的快速调制。

四、实验仪器

光电探测器时间常数测试实验箱;20M 的双踪示波器;毫伏表。

在光电探测器时间常数测试实验箱中,提供了需测试两个光电器件峰值波长为900nm 的光电二极管和可见光波段的光敏电阻。所需的光源分别由峰值波长为900nm 的红外发光管和可见光(红)发光管来提供。光电二极管的偏压与负载都是可调的,偏压分5V 、10V 、15 V 三挡,负载分100殴姆 、1k 殴姆、10k 殴姆、50k 殴姆和100k 殴姻五档。根据需要,光源的驱动电源有脉冲和正弦波两种,并且频率可调。

图3-1响应时间测试装置框图

下面简要介绍CS-1022型示波器的外触发工作方式和10%到90%的上升响应时间的测试方法。

1. 外触发同步工作方式 当示波器的触发源选择ext 档时,CS-1022型示波器右下角的外触发输入插座上的输入信号成为触发信号。在很多应用方面,外触发同步更为适用于波形观测,这样可以获得精确的触发而与馈送到输入插座CH1和CH2的信号无关。因此,即使当输入信号变化时,也不需要再进一步触发。

2. 10%到90%的上升响应时间的测试

(1) 将信号加到CH1输入插座,置垂直方式于CH1。用V/div 和微调旋钮将波形 峰峰值调到6div 。

(2) 用▲/▼位旋钮和其他旋钮调节波形,使其显示在屏幕垂直中心。将t /div 开关调到尽可能

快的档位,能同时观测10%和90%两个点。将微调置于校准档。

(3) 用?/?位旋钮调节10%点,使之与垂直刻度线重合,测量波形上10%到90%点之间的距

离(div )。将该值乘以t /div ,如果用“×10扩展”方式,再乘以1/10。

请正确使用10%、90%线。在CS-1022型示波器上,每个0%、10%、90%、100%测量点都标记在示波器屏幕上。

使用公式:上升响应时间t r =水平距离为4(div )×t /div 档位ד×10扩展”的倒数(1/10)。

100

30

图3-2 上升响应时间测量举例

【举例】

例如,水平距离为4div,t/div是2μs(见图3-2)。带入给定值:

上升响应时间t r =4.0(div)×2(μs )=8μs

五、实验步骤

1.用脉冲法测量光电二极管的响应时间

首先要将本实验箱面板上的“偏压”档和“负载”分别选通一组。然后将“波形选择”开关拨至脉冲档,“探测器选择”开关拨至光电二极管档,此时在“输入波形”的二极管处(黄导线)应可观测到方波,由“输出”处引出的输出线(白导线)即可得到光电二极管的输出波形,其频率可通过“频率调节”处的方波旋钮来调节。然后按照要求分别测量一定偏压下不同负载时其响应时间及一定负载下不同偏压时其响应时间。

(1)选定负载为10 kΩ,按照下表改变其偏压。观察并记录在零偏(不选偏压即

可)及不同反偏下光电二极管的响应时间,并填入表3—l。

(2)在反向偏压为15V时,改变探测器的偏置电阻,观察探测器在不同偏置电阻时的脉冲响应时间。记录填入表3—2。

表3—2 硅先电三极口的响应时同与负载电阻的关系

2.用脉冲法测量光敏电阻的负载响应时间

光敏电阻所加偏压力15V,负载是10k,是不可调的。故“偏压”档和负载挡在此时不起作用。

将实验箱面板上“波形选择”开关拨至脉冲档,“探测器选择”开关拨至光敏电阻挡,此时由“输入波形”的光敏电阻处(黄导线)应可观测到方波,由“输出”处引出的输出线(青导线) 即可得到光敏电阻的输出波形,调节“频率调节”旋钮使频率为20Hz,测出其响应时间并记录。

3.用幅频特性法测量CdSe光敏电阻的响应时间

(1)将本实验箱面板上“波形选择”开关拨至正弦档,“探测器选择”开关拨至光敏电阻挡,此时由“输人波形”的光敏电阻处(红导线)应可观测到输入的正弦波形由“输出”处引出的输出线(青导线)即可得到光敏电阻的输出波形,其频率可通过改变“频率调节”处的正弦旋钮来调节。然后改变光波信号频率,测出不同频率下CdSe的输出电压(至少测三个频率点)并记录,计算出其响应时间。

4.用截止频率测量CdSe光敏电阻的响应时间

将本实验箱面板上“波形选择”开关拨至正弦档,“探测器选择“开关拨至光敏电阻档,此时由”输入波形“的光敏电阻处(红导线)应可观测到输入的正弦波形,由“输出”处引出的输出线(青导线)即可得到光敏电阻的输出波形,其频率可通过改变“频率调节”处的正弦旋钮来调节。改变正弦波的频率,可以发现随着调制频率的改变,CdSe负载电阻两端的信号电压将发生变化。测出其衰减到超低频的

70.7%时(即3分贝处)的调制频率?c,并确定响应时间τ。

六、实验报告

(1)列出表3—1、表3—2并解释光电二极管的响应时间与负载电阻和偏置电压的关系。

(2)列出用脉冲响应法测得的CdSe光敏电阻的响应时间,并与用幅频特性法测出的响应

时间相比较。

(3)写出用截止频率测得的CdSe的响应时间。并比较这三种方式的特点。

七、思考题

(I) CdSe光敏电阻在弱光和强光照射下的响应时间是否相同?为什么?

(2)如欲测量响应速度更快的光电探测器的响应时间,则必须提高光源的调制频率,试想还有哪些方

法。

照度实验报告

照度实验报告 一、背景 作业场所的合理采光与照明,对生产中的效率、卫生和安全都有重要的意义。它是工作 场所设计中的重要项目,无论是天然采光还是人工照明,其主要目的都是给人们的生活和生 产提供必需的视觉条件。 适当的照度设计应遵循工效学的原则,使照度设置达到保证物体的轮廓立体视觉,有利 于辨认物体的高低,深浅,前后远近及相对位置,有利于眼睛的辨色能力,有利于大视野, 降低疲劳、减少错误和工伤事故的发生。提高照度值可以提高识别速度和主体视觉,从而提 高工作效率和准确度。但照度值提高到使人产生眩光时,会降低工作效率。此外,利用照明 设计对人的情绪的影响,根据场所功能的需求,可使光环境对人产生兴奋或抑制的作用。在 绿色照明理念的指导下,人工照明应考虑节能和环保的要求。 二、实验目的 正确熟悉和使用照度计,采集光环境数据,并通过分析数据来判断光环境的照度是否合 理,假如不合理则提出合理的改善措施。 三、实验场所 上海海洋大学图书馆二楼大厅自习室(室外) 四、实验要求 1、照度采集 2、对自习室的照度情况进行分析 3、分析光照度合理性,并提出改善措施 五、分析 1、主观分析 (1)、主观评价调查数据 (2)、主观评价结果分析 a、计算每个项目的评分s(n): s(n)= 式中,s(n)为第n个项目的评分 p(m)为第m个状态的分值,其中,p(1)=0,p(2)=10,p(3)=50,p(4)=100, v (n,m)为第n个评价项目的第m个状态所得的票数。所以: s(1)= s(2)= s(3)= s(4)= s(5)= s(6)= =16.4 =10.8 =12.4 =12.6 =12.4 =12.6 s(7)= s(8)= s(9)= s(10)= b、计算总的光环境指数 s s= =9.2 =8.2 =9.4 =10 式中,w(n)为第n个评价项目权值,设其权值均为1 所以: s=11.4 为了便于分析和确定评价结果,本方法将光环境质量按光环境的指数范围分为四个质量 等级,其质量等级的划分及其含意如下表所示: 因为10<11.4<=50所以根据上表的结论,本实验的光环境质量等级为3,含义是: 问题较大 2、客观分析(照度数据采集及分析)(1)、照度采集现场 在进行照度值测量的时间点上我们选择了一个晴朗的下午2点~3点之间,光照十分充足, 因为时间和条件的限制就没有对阴天和晚上进行测量和分析。 图书馆二楼自习室现场

硅光电池特性测试实验报告

硅光电池特性测试实验报告 系别:电子信息工程系 班级:光电08305班 组长:祝李 组员:贺义贵、何江武、占志武 实验时间:2010年4月2日 指导老师:王凌波 2010.4.6

目录 一、实验目的 二、实验内容 三、实验仪器 四、实验原理 五、注意事项 六、实验步骤 七、实验数据及分析 八、总结

一、实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池伏安特性测试实验 5、硅光电池负载特性测试实验 6、硅光电池时间响应测试实验 7、硅光电池光谱特性测试实验 设计实验1:硅光电池光控开关电路设计实验 设计实验2:简易光照度计设计实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台 四、实验原理 1、硅光电池的基本结构 目前半导体光电探测器在数码摄像﹑光通信﹑太阳电池等领域得到广泛应用,硅光电池是半导体光电探测器的一个基本单元,深刻理解硅光电池的工作原理和具体使用特性可以进一步领会半导体PN结原理﹑光电效应理论和光伏电池产生机理。 零偏反偏正偏 图 2-1. 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 图2-1是半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区,当P型和N型半导体材料结合

光电管特性的研究讲义

课题光电管特性的研究 1.了解光电效应实验的基本规律和光的量子性; 教学目的 2.测定光电管的伏安特性,研究光电流强度与加在光电管两极间电压的关系; 3.测定光电管的光电特性,研究光电流强度与照在光电管阴极上光通量的关系。重难点 1.光电管的伏安特性和光电特性; 2.最小二乘法处理数据。 教学方法讲授、讨论、实验演示相结合。 学时 3个学时 一、前言 光电效应是指在光的作用下,从物体表面释放电子的现象,所逸出的电子称为光 电子。这种现象是1887年赫兹研究电磁波时发现的。在光电效应中,光不仅在被吸 收或发射时以能量h 的微粒出现,而且以微粒形式在空间传播,充分显示了光的粒 子性。 1905年爱因斯坦引入光量子理论,给出了光电效应方程,成功地解释了光电效应 的全部实验规律。1916年密立根用光电效应实验验证了爱因斯坦的光电效应方程,并 测定了普朗克常量。爱因斯坦和密立根都因为光电效应方面的杰出贡献,分别获得 1921年和1923年诺贝尔物理学奖。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域,例 如利用光电效应制成的光电管、光电倍增管等光电转换其间,把光学量转换成电学量 来测量。光电元件已成为石油钻井、传真电报、自动控制等生产和科研中不可缺少的 元件。 二、实验仪器 暗匣(内装光电管及小灯泡及米尺);光电效应实验仪(包括24V稳压电源、12V 可调稳压电源、1 3位数子电压表和电流表,分别指示光电管电压、光源电流和光电 2 流、调节光电管电压的电位器、调小灯电流的可变电阻)。

三、实验原理 金属或金属化合物在光的照射下有电子逸出的现象,称为光电效应,或称为光电发射。产生光电发射的物体表面通常接电源负极,所以又称为光电阴极,光电阴极往往不由纯金属制成,而常用锑钯或银氧钯的复杂化合物制成,因为这些金属化合物阴极的电子逸出功远较纯金属小,这样就能在较小光照下得到较大的光电流。把光电阴极和另一个金属电极-阳极仪器封装在抽成真空的玻璃壳里就成了光电管。光电管在现代科学技术中如自动控制、有声电影、电视、以及光讯号测量等方面都有重要的应用。 1905年爱因斯坦提出“光子”概念,光是由一些能量E h ν=的粒子组成的粒子流。按照光子理论,光电效应是光子与电子碰撞,光子把全部能量(h ν)传给电子,电子获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的束缚,另一部分成为该电子(光电子)逸出金属表面后的动能。根据能量守恒有 2 max 12 h mv W ν=+ 该式就是著名的爱因斯坦光电效应方程。由于 一个电子只能吸收一个光子的能量,该式表明光电子的初动能与入射光的频率呈线性关系,与入射光子数无关。 本实验是利用真空光电管来研究这一实验的基本规律,验证爱因斯坦的光电子理论。实验原理图如图5.12-1所示,C 为光电管的阴极,A 为光电管的阳极,调节R ,可在A 、C 两极间获得连续变化的电压。光的强弱决定于光子的多少,当用一定强度的光照射到光电管阴极时,光子(h ν)流 射到C 上打出光电子,阴极释放的电子在电场的作用下向阳极迁移,回路中将形成光电流。光电流的大小与光电管两极间电压及光电管阴极的光通量(光通量与光强成正比)都有关。

逸出功的测定实验报告

光电效应测普朗克常数 在近代物理学中,光电效应在证实光的量子性方面有着重要的地位。1905 年爱因斯坦在普朗克量子假说的基础上圆满地解释了光电效应,约十年后密立根以精确的光电效应实验证实了爱因斯坦的光电效应方程,并测定了普朗克常数。而今光电效应已经广泛地应用于各科技领域,利用光电效应制成的光电器件(如:光电管、光电池、光电倍增管等)已成为生产和科研中不可缺少的器件。 【实验目的】 1. 测定光电效应的基本特性曲线,加深对光的量子性的理解; 2. 学习验证爱因斯坦光电方程的实验方法,并测定普朗克常数。 【实验仪器】 ZKY—GD1光电效应测试仪、汞灯及电源、滤色片(五个)、光阑(两个)、光电管、测试仪(含光电管和微电流放大器) 图1 实验仪器实物图 【实验原理】 1.光电效应与爱因斯坦方程 用合适频率的光照射在某些金属表面上时,会有电子从金属表面逸出,这种现象叫做光电效应,从金属表面逸出的电子叫光电子。为了解释光电效应现象,爱因 斯坦提出了“光量子”的概念,认为对于频率为的光波,每个光子的能量为

式中,为普朗克常数,它的公认值是=6.626。 按照爱因斯坦的理论,光电效应的实质是当光子和电子相碰撞时,光子把全部能量传递给电子,电子所获得的能量,一部分用来克服金属表面对它的约束,其余的能量则成为该光电子逸出金属表面后的动能。爱因斯坦提出了著名的光电方程: (1)式中,为入射光的频率,为电子的质量,为光电子逸出金属表面的初速 度,为被光线照射的金属材料的逸出功,为从金属逸出的光电子的最大初动能。 由(1)式可见,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能必然也越大,所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流,甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极,直至阳极电位低于某一数值时,所有光电 子都不能到达阳极,光电流才为零。这个相对于阴极为负值的阳极电位被称为光电效应的截止电压。 显然,有 (2)代入(1)式,即有 (3)由上式可知,若光电子能量,则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是,通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功,因

光电探测技术实验报告

光电探测技术实验报告 班级:08050341X 学号:28 姓名:宫鑫

实验一光敏电阻特性实验 实验原理: 光敏电阻又称为光导管,是一种均质的半导体光电器件,其结构如图(1)所示。由于半导体在光照的作用下,电导率的变化只限于表面薄层,因此将掺杂的半导体薄膜沉积在绝缘体表面就制成了光敏电阻,不同材料制成的光敏电阻具有不同的光谱特性。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 实验所需部件: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、 各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(由用户选配) 实验步骤: 1、测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩 盖,用万用表测得的电阻值为暗电阻 R暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的 阻值为亮电阻,暗电阻与亮电阻之差为光电阻,光 电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻, 试作性能比较分析。 2、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图(3)接线,电源可从+2~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮则暗电流L暗=V暗/R L,亮电流L亮=V亮/R L,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 分别测出两种光敏电阻的亮电流,并做性能比较。 图(2)几种光敏电阻的光谱特性 3、伏安特性: 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系。 按照图(3)分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V、12V时的光电流,并尝试高照射光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果填入表格并作出V/I曲线。 注意事项: 实验时请注意不要超过光电阻的最大耗散功率P MAX, P MAX=LV。光源照射时灯胆及灯杯温度均很高,请勿用手触摸,以免烫伤。实验时各种不同波长的光源的获取也可以采用在仪器上的光源灯泡前加装各色滤色片的办法,同时也须考虑到环境光照的影响。

《光电子技术实验》指导书

《光电子技术实验》指导书 北京航空航天大学 仪器科学与光电工程学院 2010年12月 实验规则及注意事项 由于本实验课所用设备属于高技术实验系统,许多组件价格昂贵,易于损坏,所以实验者在做实验前应该充分复习实验大纲上的内容,实验者在做实验时应注意以下几点事项: 1.操作光纤时应注意不能用力拉扯光纤,不能随意弯曲光纤。实验时不要用手碰动与实验无关的光纤部分。 2.实验调节电流时注意不要使工作电流超过限额。电流过大有可能损坏光源和光探测器以及其它有源器件。 3.不能直视光纤、激光器出射的光束! 4.调节光学微调架时要小心、轻力,严禁强力搬拧光学微调架。 目录 实验1:光源与光纤耦合调整及光纤损耗特性测量实验 (4) 实验2:光纤温度传感系统特性实验 (8) 实验一.光源与光纤耦合调整及光纤损耗特性测量实验 一.实验目的 (1)了解提高光源与光纤耦合效率的原理及方法。重点掌握光路调整及光纤处理的基本方法。

(2) 了解光纤损耗的定义,掌握光纤衰减的测试方法。 二. 实验原理 1. 光源与光纤耦合调整实验原理 (1) 直接耦合:这种方法将光纤的端面直接靠近光源的发光面,为了保证耦合 的效率,光纤的端面必须经过特殊处理,而且光纤端面与光源发光面的距离要尽可能的近。光源的发光面不应该大于纤芯的横截面面积,这是为了避免较大的耦合损耗。通常带尾纤的光源都使用这种耦合方式。这种耦合方法对光源耦合封装工艺技术要求较高。 (2) 使用透镜耦合:具体方法描述如下——将光源发出的光通过透镜聚焦到光 纤的纤芯上,可以使光源与光纤的耦合效率提高。具体原理见图1。 五维调节架五维调节架 图1.透镜耦合 (3) 利用五维调节架对光纤入端及出端进行位置调整,使输出功率达到最大。 (4) 耦合效率的计算(适合所有的耦合方法): 2 1P P ≡η 其中P 1为输出功率,P 2为输入功率。 2. 光纤损耗特性测量实验 光纤衰减是光纤中光功率减少量的一种度量,它取决于光纤的工作波长类型和长度,并受测量条件的影响。

光电子技术实验讲义

《光电了技术实验》 实验讲义 光信息教研室

2012年9月

目录 实验一LD/LED 的P-I-V 特性曲线测试............. - 2 -实验二光纤数值孔径测量实验................ - 8 - 实验三光源调制与解调实验 (10) 实验四电光调制实验 (15) 实验五声光调制实验 (19) 实验六、APD特性参数的测量 (25)

实验一 LD/LED 的P-I-V 特性曲线测试 、实验目的 1、通过测试LD/LED 的功率一电流(P-I )特性曲线和电压一电流(V-I )特性曲线,计算阈 值电流(I th ),掌握LED 发光二极管和LD 半导体激光器的工作特性。 、实验内容 1、测试LD/LED 的功率一电流(P-I )特性曲线和电压一电流(V-I )特性曲线。 三、 实验仪器 1、 LD 激光二极管(带尾纤输出, FC 型接口) 1 只 2、 LED 发光二极管 1 只 3、 LD/ LED 电流源 1 台 4、 光功率计 1 台 5、 万用表 1 台 四、 实验原理 激光器是使工作物质实现粒子数反转分布产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放 大而产生激光振荡的。激光,其英文 LASER 就是 Light Amplification by Stimulated Emission of Radiatio n (受激辐射的光放大)的缩写。 1、半导体激光器的结构 半导体是由大量原子周期性有序排列构成的共价晶体,由于邻近原子的作用,电子所处的能 态扩展成能级连续分布的能带,如下图( a )所示,能量低的能带称为价带,能量高的能带称为 导带,导带底的能量 Eu 和价带顶的能量E 之间的能量差E u E l E g 称为禁带宽度或带隙, 不同的半导体材料有不同的带隙。本征半导体中导带和价带被电子和空穴占据的几率是相同的, N 型半导体导带被电子占据的几率大, P 型半导体价带被空穴占据的几率大。如下图( b )、 (c ) 所示。 图1半导体激光器的电子和空穴分布 半导体激光器的结构多种多样,基本结构是下图所示的双异质结平面条形结构。这种结构由 三层不同类型半导体材料构成,中间层通常为厚度为 0.1?0.3卩m 的窄带隙P 型半导体,称为有 源层,作为工作介质,两侧分别为具有较宽带隙的 N 型和P 型半导体,称为限制层。具有不同带 隙宽度的两种半导体单晶之间的结构称为异质结。有源层与右侧的 导带 ? 4 * 4 ? ? ? ? ? ? ?* 带常 Eg 1 E L Q Q O 匚|_ O Q O O o O 卒征半导体 N 型半导体 a b N 层之间形成的是 P--N 异质 P 型半导体

光电检测实验报告(2)硅光电池

光电检测实验报告 实验名称:硅光电池特性测试实验实验者: 实验班级: 实验时间: 指导老师:宋老师

一:实验目的 1、学习掌握硅光电池的工作原理 2、学习掌握硅光电池的基本特性 3、掌握硅光电池基本特性测试方法 4、了解硅光电池的基本应用 二、实验内容 1、硅光电池短路电路测试实验 2、硅光电池开路电压测试实验 3、硅光电池光电特性测试实验 4、硅光电池负载特性测试实验 5、硅光电池光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、硅光电池综合实验仪 1个 2、光通路组件 1只 3、光照度计 1台 4、2#迭插头对(红色,50cm) 10根 5、2#迭插头对(黑色,50cm) 10根 6、三相电源线 1根 7、实验指导书 1本 8、20M 示波器 1台

四、实验步骤 1、硅光电池短路电流特性测试: (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-11所示的电路连接电路图 (5)记录下此时的电流表读数I即为硅光电池短路电流。 图2-11 硅光电池短路电流特性测试 2、硅光电池开路电压特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4

与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)按图2-12所示的电路连接电路图 (5)记录下此时电压表的读数u即为硅光电池开路电压。 图2-12 硅光电池开路电压特性测试 3、硅光电池伏安特性测试 (1)组装好光通路组件,将照度计显示表头与光通路组件照度计探头输出正负极对应相连(红为正极,黑为负极),将光源调制单元J4与光通路组件光源接口使用彩排数据线相连。 (2)“光照度调节”调到最小,连接好光照度计,直流电源调至最小,打开照度计,此时照度计的读数应为0。 (3)“光源驱动单元”的三掷开关BM2拨到“静态”,将拨位开关S1拨上,S2,S3,S4,S5,S6,S7均拨下。 (4)电压表档位调节至2V档,电流表档位调至200uA档,将“光照度调节”旋钮逆时针调节至最小值位置。

光电检测试验讲义

光电检测试验讲义

实验一 光敏电阻特性参数测量及暗光街灯实验 一、实验目的: 1、了解光敏电阻的电阻特性,掌握光敏电阻的伏安特性及其随光照强度的变化规律。 2、利用光敏电阻的电阻变化特性,将之作为街灯自动点亮与熄灭的传感器件,掌握基于光敏电阻的暗光街灯的工作原理及应用。 二、实验原理: 光敏电阻是最典型的光电效应器件,即其电导率随光照强度而发生变化。半导体光电导器件是利用半导体材料的光电导效应制成的光电探测器件。本实验旨在测定光敏电阻在不同光照环境下的电阻值,并测定其伏安特性随光照强度的变化规律。 根据实验测定,光敏电阻的电阻值随光亮度的增大而迅速减小。利用这一特性,设计了暗光街灯演示实验。其原理是当环境变暗时光敏电阻的阻值增大,当亮度降低到一定值时,即光敏电阻值增大到某一阈值时,光电传感电路系统自动点亮小灯泡,从而达到与暗光街灯相似的目的。 三、实验所需单元: 直流稳压电源,光敏电阻,数字电压表,电流(毫安)表,暗光街灯电路, 小灯泡(负载),万用表。 四、实验步骤: (一)光敏电阻特性测试 万用表 图 1.1 暗、 图 1.2 伏安 mA U I

(1) 光敏电阻的暗、亮电阻测定。如图3.1所示,用万用表从光敏电子两端测定它在不同光照条件下的电阻值,将测得的结果填入表格。 (2) 光敏电阻伏安特性测定。按图1.2所示连接各元件和单元,检查连接无误后,开启电源。用一挡光物(如黑纸片或瓶盖)遮住光敏电阻(视为全暗),分别接插不同的电压U 值(可调电压的获取:通过面板“电机控制1”或“电机控制2”的Vin 输入5V ,Vout 可输出如0.5,1.0,1.5,2.0,2.5,3.0,3.5,4.0, 4.5,5.0V 等不同电压值),利用电流表测定流过光敏电阻的电流值I ,数字电压表测定U 值。 改变光敏电阻的光照强度(如全暗、日光灯、手电筒、激光照射),重复测定I 与U 的关系,可得到图1.3所示的伏安特性关系曲线族。 (3) 分析上述测量结果, 进一步了解光敏电阻的光敏特性,掌握其中的变化规律。 光 照 状 况 全 暗 日光灯照射 手电筒斜照射 手电筒直照射 激光照射 光敏电阻值(k ) I U 图 1.3 光敏电 光照

实验讲义-光电效应-2013.9

实验4.3光电效应和普朗克常数的测量 1887年德国物理学家H.R.赫兹发现电火花间隙受到紫外线照射时会产生更强的电火花。赫兹的论文《紫外光对放电的影响》发表在1887 年《物理学年鉴》上。论文详细描述了他的发现。赫兹的论文发表后,立即引起了广泛的反响,许多物理学家纷纷对此现象进行了研究,用紫外光或波长更短的X 光照射一些金属,都观察到金属表面有电子逸出的现象,称之为光电效应。 对光电效应现象的研究,使人们进一步认识到光的波粒二象性的本质,促进了光量子理论的建立和近代物理学的发展,现在光电效应以及根据光电效应制成的各种光电器件已被广泛地应用于工农业生产、科研和国防等各领域。 【实验目的】 ① 通过实验加深对光的量子性的认识; ② 验证爱因斯坦方程,并测量普朗克常数以及阴极材料的“红限”频率。 【实验原理】 一、光电效应及其实验规律 当一定频率的光照射到某些金属表面上时,可以使电子从金属表面逸出,这种现象称为光电效应,所产生的电子称为光电子。 研究光电效应的实验装置如图4.3.1所示,入射光照射到阴极K 时,由光电效应产生的光电子以某一初动能飞出,光电子受电场力的作用向阳极A 迁移而构成光电流。一定频率的光照射阴极K 所得到的光电流I 和两极间的电压U 的实验曲线如图4.3.2所示。随着光电管两端电压的增大,光电流趋于一个饱和值m I ,当U ≤S U 时,光电流为零,S U 称为反向遏止电压。 总结所有的实验结果,光电效应的实验规律可归纳为: (1) 对于一种阴极材料,当照射光的频率确定时,饱和光电流m I 的大小与入射光的强度 成正比。 图4.3.1光电效应实验装置示意图 0 U S U 图4.3.2 U ——I 特性曲线

光电探测实验报告

光电探测技术 实验报告 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴

实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。 二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。

三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1接线,分别测得偏压为2V、4V、6V、8V、10V时的光电流,并尝试高照度光源的光强,测得给定偏压时光强度的提高与光电流增大的情况。将所测得的结果 填入表格并做出V/I曲线。 图1光敏电阻的测量电路 偏压2V4V6V8V10V12V 光电阻I 四、实验数据 实验数据记录如下: 光电流: E/V246810 U/V0.090.210.320.430.56 I/uA1427.54255.270.5 暗电流:0.5uA 实验数据处理:

光电检测实验报告

光电检测试验报告 专业:应用物理学 姓名:叶长军 学号:10801030125 指导教师:王颖 实验时间:2011.4 重庆理工大学光电信息学院

实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳 状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时,光敏电阻电导率的改变量为: p n p e n e σμμ?=???+??? ,e 为 电荷电量,p ?为空穴浓度的改变量,n ?为电子浓度的改变量,μ表示迁移率。当两端加上电压U 后,光电流为:ph A I U d σ=??? 式中A 为与电流垂直的表面,d 为电极间的间距。在一定的光照度下,σ?为恒定的值,因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示,不同的光照度可以得到不同的伏安特性,表明 电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下,电压越高,光电流也越大,光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻(选配单元)、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计(做光照特性测试,由用户自备或选配) 实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为 暗电阻R 暗,移开遮光罩,在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮,暗电阻 与亮电阻之差为光电阻,光电阻越大,则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻,试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5接线,分别在暗光及有光源照射下测出输出 电压暗和U 亮,电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R ,亮电流 与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线,电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用, 每次在一定的光照条件下,测出当加在光敏电阻上电压 为 +2V ;+4V ;+6V ;+8V ;+10V ;+12V 时电阻R 两端的电压U R ,

光电显示技术期末复习资料

光电显示技术期末复习资料 第一章绪论 (2) 1、光电显示器件有哪些分类? (3) 2、表征显示器件的主要性能指标有哪些? (3) 3、简述色彩再现原理。 (3) 4、人眼的视觉特性 (3) 5、简述人眼的视觉原理。 (4) 第二章液晶显示技术(LCD) (4) 1、简述液晶的种类与特点。 (4) 2、简述热致液晶分类和特点。 (5) 3、试述液晶显示器的特点。 (5) 4、什么是液晶的电光效应? (5) 5、LCD显示产生交叉效应的原因是什么? 用什么方法克服交叉效应? (5) 6、液晶有哪些主要的物理特性? (5) 7、简述TFT-LCD的工作原理。 (6) 8、简述TN-LCD的基本结构及工作原理。 (6) 9、液晶显示器驱动方法有哪几种方式? (7) 10、液晶显示控制器有哪些特性? (7) 11、自然光和偏振光的区别是什么?简述偏振光的分类及线偏振光的特点。 (7) 12、LCD结构和显示原理。 (7) 第四章发光二极管LED和有机发光二极管OLED显示技术 (10) 1、简述有机发光二极管显示器发光过程。 (10) 2、以ITO阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属阴极结构OLED为 例说明每一功能层的作用,并简述其工作原理。 (10) 3、简述影响OLED发光效率的主要因素和提高发光效率的措施。 (11) 4、OLED如何实现彩色显示? (11) 5、简述LED工作原理。 (11) 6、简述LED驱动方式。 (12) 7、OLED的结构与工作原理。 (12) 8、OLED的特点有哪些? (12) 第六章激光显示技术(LDT) (12) 1、激光具有哪些特性? (13) 2、激光用于显示具有哪些优势? (13) 第七章新型光电显示技术 (13) 1、场致发射显示(FED)结构及工作原理 (13) 2、真空荧光显示器(VFD)结构及工作原理 (14) 第八章大屏幕显示技术 (14) 1、DLP特点及工作原理 (14) 2、LCOS特点及工作原理 (15)

大学物理实验 光电效应测量普朗克常量

实验题目:光电效应测普朗克常量 实验目的: 了解光电效应的基本规律。并用光电效应方法测量普朗克常量和测定光电管的光电特性曲线。 实验原理: 当光照在物体上时,光的能量仅部分地以热的形式被物体吸收,而另一部分 则转换为物体中某些电子的能量,使电子逸出物体表面,这种现象称为光电 效应,逸出的电子称为光电子。 光电效应实验原理如图1所示。 1. 光电流与入射光强度的关系 光电流随加速电位差U 的增加而增加,加速电位差增加到一定量值后, 光电流达到饱和值和值I H ,饱和电流与光强成正比,而与入射光的频率无关。 当U= U A -U K 变成负值时,光电流迅速减小。实验指出,有一个遏止电位差U a 存在,当电位差达到这个值时,光电流为零。 2. 光电子的初动能与入射频率之间的关系 光电子从阴极逸出时,具有初动能,在减速电压下,光电子逆着电场力方向由K 极向A 极运动。当U=U a 时,光电子不再能达到A 极,光电流为零。所以电子的初动能等于它克服电场力作用的功。即 a eU mv 2 2 1 (1) 每一光子的能量为hv ,光电子吸收了光子的能量hν之后,一部分消耗于克服电子的逸出功A,另一部分转换为电子动能。由能量守恒定律可知:A mv hv 2 2 1 (2) 由此可见,光电子的初动能与入射光频率ν呈线性关系,而与入射光的强度无关。 3. 光电效应有光电存在 实验指出,当光的频率0v v 时,不论用多强的光照射到物质都不会产生光电效应,根据式(2), h A v 0,ν0称为红限。 由式(1)和(2)可得:A U e hv 0,当用不同频率(ν1,ν2,ν3,…,νn )的单色光分 别做光源时,就有:A U e hv 11,A U e hv 22,…………,A U e hv n n ,

光纤通信系统实验指导书

光纤通信系统实验指导书 光纤通信系统实验指导书 桂林电子科技大学信息科技学院 二零零九年三月 目录 实验一数字光纤传输测试系统实验 (2) 实验二SDH点对点组网2M配置实验 (9)

实验三SDH 链型组网配置实验 (17) 实验四SDH 环形组网配置实验 (27) 实验一数字光纤传输测试系统实验 概述 光纤通信是利用光波作为载波,以光纤作为传输媒质实现信息传输,是一种最新的通信技术。 光纤是光导纤维的简称。光纤通信是以光波为载频,以光导纤维为传输媒质

的一种通信方式。光纤通信使用的波长在近红外区,即波长800~1800nm,可分为短波长波段(850nm)和长波长波段(1310nm和1550nm),这是目前所采用的三个通信窗口。 通信发展过程是以不断提高载频频率来扩大通信容量,光是一种频率极高的电磁波(3×1014HZ),因此用光作载波进行通信容量极大,是过去通信方式的千百倍,具有极大的吸引力,是通信发展的必然方向。 光纤通信有许多优点:首先它有极宽的频带。目前我国已完成了10Gbps的光纤通信系统,这意味着在125um的光纤中可以传输大约11万路电话。其次,光纤的传输损耗很小,传统的同轴电缆损耗约在5dB/Km以上,站间距离不足10Km;而工作在1.55um的光纤最低已达到0.2dB/Km的损耗,站间无中继传输可达100Km以上。另外,光纤通信还具有抗电磁干扰、抗腐蚀、抗辐射等特点,它 。 在地球上有取之不尽,用之不竭的光纤原材料—SiO 2 光纤通信可用于市话中继线,长途干线通信,高质量彩色电视传输,交通监控指挥,光纤局域网,有线电视网和共用天线(CATV)系统。 波分复用技术(WDM)的出现,使光纤传输技术向更高的领域发展,实现信息宽带、高速传输。 光纤通信将会在光同步数字体系(SDH)、相干光通信、光纤宽带综合业务数字网(B—ISDN)、用户光纤网、ATM及全光通信有进一步发展。 光纤通信系统主要由三部分组成:光发射机、传输光纤和光接收机。其电/光和光/电变换的基本方式是直接强度调制和直接检波。实现过程如下:输入电信号既可以是模拟信号(如视频信号、电话语音信号、正弦波或三角波信号),也可以是数字信号(如计算机数据、PCM编码信号、数字信号源信号);调制器将输入的电信号转换成适合驱动光源器件的电流信号并用来驱动光源器件,对光源器件进行直接强度调制,完成电/光变换的功能;光源 输出的光信号直接耦合到传输光纤中,经一定长度的光纤传输后送达接收端;在接收端,光电检测器对输入的光信号进行直接检波,将光信号转换成相应的电信号,再经过放大恢复等电信号处理过程,以弥补线路传输过程中带来的信号损伤(如损耗、波形畸变),最后输出和原始输入信号相一致的电信号,从而完成整个传送过程。 根据所使用的光波长、传输信号形式、传输光纤类型和光接收方式的不同,光纤通信系统可分成:

光电效应讲义

实验三 光电效应 【实验目的】 1. 加深对光的量子性的认识。 2. 验证爱因斯坦方程,测定普朗克常数。 3. 测定光电管的伏安特性曲线。 【实验原理】 当一定频率的光照射到某些金属表面上时,可以使电子从金属表面逸出,这种现象称为光电效应.所产生的电子,称为光电子。光电效应是光的经典电磁理论所不能解释的。1905年爱因斯坦依照普朗克的量子假设,提出了光子的概念。他认为光是一种微粒 — 光子;频率为ν 的光子具有能量h ν,h 为普朗克常数,目前国际公认值为h =(6.6260755±0.0000040)×10-34 J ·s 。当金属中的电子吸收一个频率为ν 的光子时,便获得这光子的全部能量h ν,如果这能量大于电子摆脱金属表面的约束所需要的逸出功W ,电子就会从金属中逸出.按照能量守恒原理有: W v m h m +=22 1ν (3.1) 上式称为爱因斯坦方程,其中m 和v m 是光 电子的质量和最大速度,221m v m 是光电子逸 出表面后所具有的最大动能.它说明光子能 量h ν小于W 时,电子不能逸出金属表面, 因而没有光电效应产生;产生光电效应的入 射光最低频率ν0=W /h ,称为光电效应的极 限频率(又称红限)。不同的金属材料有不同 的逸出功,因而ν0也是不同的。 用光电管进行光电效应实验,测量普朗 克常数的实验原理如图3.1所示。图中K 为 图3.1光电效应实验原理图光电管的阴极,A 为阳极,微安表用于测量微小的光电流,电压表用于测量光电管两极间的电压,E 为电源,R 提供的分压可以改变光电管两极间的电势差。当单色光入射到光电管的阴极K 上时,如有光电子逸出,则当阳极A 加正电势,K 加负电势时,光电子就被加速;而当K 加正电势,A 加负电势时,光电子就被减速。当A 、K 之间所加电压U 足够大时,光电流达到饱和值I m ,当U ≤-U 0,并满足方程

光电探测实验报告

* * 光电探测技术 实验报告

* * 班级:10050341 学号:05 姓名:解娴 实验一光敏电阻特性实验 一、实验目的 1.了解一些常见的光敏电阻的器件的类型; 2.了解光敏电阻的基本特性; 3.测量不同偏置电压下的光敏电阻的电压与电流,并作出V/A曲线。

二、实验原理 伏安特性显示出光敏电阻与外光电效应光电元件间的基本差别。这种差别是当增加电压时,光敏电阻的光电流没有饱和现象,因此,它的灵敏度正比于外加电压。 光敏电阻与外光电效应光电元件不同,具有非线性的光照特性。各种光敏电阻的非线性程度都是各不相同的。 大多数场合证明,各种光敏电阻均存在着分析关系。这一关系为 I kα =Φ Φ 式中,K为比例系数;是永远小于1的分数。 光电流的增长落后于光通量的增长,即当光通量增加时,光敏电阻的积分灵敏度下降。 这样的光照特性,使得解算许多要求光电流与光强间必需保持正比关系的问题时不能利用光敏电阻。 光照的非线性特性并不是一切光敏半导体都必有的。目前已有就像真空光电管—样,它的光电流随光通量线性增大的光敏电阻的实验室试样。光敏电阻的积分灵敏度非常大,最近研究出的硒—鎘光敏电阻达到12A/lm,这比普通锑、铯真空光电管的灵敏度高120,000倍。 三、实验步骤 1、光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1接线,电源可从+2V~+8V间选用,分别在暗光和正常环境光照下测出输出电压V暗和V亮。则暗电流L暗=V暗/RL,亮电流L亮=V亮/RL,亮电流与暗电流之差称为光电流,光电流越大则灵敏度越高。 2、伏安特性 光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系即为伏安特性。按照图1

光电实验报告.

长春理工大学 光电信息综合实验一实验总结 名:赵儒桐 学号:S1******* 专业:信息与通信工程学院:电子信息工程2016年5月20号

实验一:光电基础知识实验 1、实验目的 通过实验使学生对光源,光源分光原理,光的不同波长等基本概 念有具体认识。 2、实验原理 本实验我们分别用了普通光源和激光光源两种。普通光源光谱 为连续光谱,激光光源是半导体激光器。在实验中我们利用分光三棱镜可以得到红橙黄绿青蓝紫等多种波长的光辐射。激光光源发射出来的是波长为630 纳米的红色光。 3、实验分析 为了找到光谱需要调节棱镜,不同的面对准光源找出光谱,棱镜的不同面对准光源产生的光谱清晰度不同,想要清晰的光谱就需要通过调节棱镜获得。 实验二:光敏电阻实验 1、实验目的 了解光敏电阻的光照特性,光谱特性和伏安特性等基本特性。 2、实验原理 在光线的作用下,电子吸收光子的能量从键和状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,这种现象称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照越强,器件自身的电阻越小。光敏电阻无极性,其工作特性与入射光光强,波长和外加电压有关。 3、实验结果

当 光敏电阻的工作电压(Vcc )为+5V 时,通过实验我们看出来 改变光照度的值,光源的电流值是发生变化的。光照度增加电流值也 是增加的。测得实验数据如表2-1 : 光敏电阻光照特性实验数据 光照度 (Lx ) 20 40 60 80 100 120 140 160 180 电流mA 0.37 0.52 0.68 0.78 0.88 1.00 1.07 1.18 1.24 表2-1光敏电阻光照特性实验数据 得到的光敏电阻光照特性实验曲线: 光敏电阻伏安特性实验数据 型号:G5528 电压 (U ) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 照度 (Lx ) 50 电流 (mA 0 0.05 0 .11 0. 17 0.2 4 0.29 0.35 0 1.42 0. 48 0.5 4 0.6 100 电流 (mA 0 0.09 0 .19 0. 28 0.3 3 0.48 0.58 0 .67 0. 77 0.8 7 0.95 150 电流 (mA 0.12 0 .24 0. 37 0.4 9 0.62 0.74 0.87 0. 98 1.1 2 1.19 通过实验我们看出光敏电阻的光电流值随外加电压的增大而增 大,在光照强度增大的情况下流过光敏电阻的电流值也是增大的, 得 到 数据如表2-2。 光敏电阻光照特性实验曲线 图2.1

光电显示技术实验讲义

实验一有机发光器件(OLED)参数测量 一、实验目的: 1.了解有机发光显示器件的工作原理及相关特性; 2.掌握OLED性能参数的测量方法; 二、实验原理简介: 1979年,柯达公司华裔科学家邓青云(Dr. C. W. Tang)博士发现黑暗中的有机蓄电池在发光,对有机发光器件的研究由此开始,邓博士被誉为OLED之父。 OLED (Organic Light Emitting Display,中文名有机发光显示器)是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象。OLED用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。辐射光可从ITO一侧观察到,金属电极膜同时也起了反射层的作用。 图1:OLED结构示意图 与LCD相比,OLED具有主动发光,无视角问题,重量轻,厚度小,高亮度,高发光效率,发光材料丰富,易实现彩色显示,响应速度快,动态画面质量高,使用温度范围广,可实现柔软显示,工艺简单,成本低,抗震能力强等一系列的优点。 如果一个有机层用两个不同的有机层来代替,就可以取得更好的效果:当正极的边界层供应载流子时,负极一侧非常适合输送电子,载流子在两个有机层中间通过时,会受到阻隔,直至会出现反方向运动的载流子,这样,效率就明显提高了。很薄的边界层重新结合后,产生细小的亮点,就能发光。如果有三个有机层,分别用于输送电子、输送载流子和发光,效率就会更高。

为提高电子的注入效率,OLED阴极材料的功函数需尽可能的低,功函数越低,发光亮度越高,使用寿命越长。可以使用Ag 、Al 、Li 、Mg 、Ca 、In等单层金属阴极,也可以将性质活泼的低功函数金属和化学性能较稳定的高功函数金属一起蒸发形成合金阴极。如Mg: Ag(10: 1),Li:Al (0.6%Li),功函数分别为3.7eV和3.2eV,合金阴极可以提高器件的量子效率和稳定性,同时能在有机膜上形成稳定坚固的金属薄膜。此外还有层状阴极和掺杂复合型电极。层状阴极由一层极薄的绝缘材料如LiF, Li2O,MgO,Al2O3等和外面一层较厚的Al组成,其电子注入性能较纯Al电极高,可得到更高的发光效率和更好的I-V特性曲线。掺杂复合型电极将掺杂有低功函数金属的有机层夹在阴极和有机发光层之间,可大大改善器件性能,其典型器件是ITO/NPD/AlQ/AlQ(Li)/Al,最大亮度可达30000Cd/m2,如无掺Li层器件,亮度为3400Cd/m2。 为提高空穴的注入效率,要求阳极的功函数尽可能高。作为显示器件还要求阳极透明,一般采用的有Au、透明导电聚合物(如聚苯胺)和ITO导电玻璃,常用ITO玻璃。 载流子输送层主要是空穴输送材料(HTM)和电子输运材料(ETM)。空穴输送材料(HTM)需要有高的热稳定性,与阳极形成小的势垒,能真空蒸镀形成无针孔薄膜。最常用的HTM均为芳香多胺类化合物,主要是三芳胺衍生物。TPD:N,N′-双(3-甲基苯基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺NPD: N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺。电子输运材料(ETM)要求有适当的电子输运能力,有好的成膜性和稳定性。ETM一般采用具有大的共扼平面的芳香族化合物如8-羟基喹啉铝(AlQ),1,2,4一三唑衍生物(1,2, 4-Triazoles,TAZ),PBD,Beq2,DPVBi等,它们同时又是好的发光材料。 OLED的发光材料应满足下列条件: 1)高量子效率的荧光特性,荧光光谱主要分布400-700nm可见光区域。 2)良好的半导体特性,即具有高的导电率,能传导电子或空穴或两者兼有。 3)好的成膜性,在几十纳米的薄层中不产生针孔。 4)良好的热稳定性。 按化合物的分子结构,有机发光材料一般分为两大类: 1) 高分子聚合物,分子量10000-100000,通常是导电共轭聚合物或半导体共轭聚合物,可用旋涂方法成膜,制作简单,成本低,但其纯度不易提高,在耐久性,亮度和颜色方面比小分子有机化合物差。 2) 小分子有机化合物,分子量为500-2000,能用真空蒸镀方法成膜,按分子结构又分为两类:有机小分子化合物和配合物。 有机小分子发光材料主要为有机染料,具有化学修饰性强,选择范围广,易于提纯,量子效率高,可产生红、绿、蓝、黄等各种颜色发射峰等优点,但大多数有机染料在固态时存在浓度淬灭等问题,导致发射峰变宽或红移,所以一般将它们以低浓度方式掺杂在具有某种载流子性质的主体中,主体材料通常与ETM和HTM层采用相同的材料。掺杂的有机染料,应满足以下条件: a. 具有高的荧光量子效率 b. 染料的吸收光谱与主体的发射光谱有好的重叠,即主体与染料能量适配,从主体到染料能有效地能量传递; c. 红绿兰色的发射峰尽可能窄,以获得好的色纯;

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