国家半导体照明工程研发及产业联盟(精)

国家半导体照明工程研发及产业联盟

LED联盟〔2006〕005号

关于编辑出版《中国半导体照明产业发展年鉴

（2006）》的通知

各有关单位：

经过“十五”国家半导体照明工程的实施，我国半导体照明在技术、产业、人才、环境等各个方面都取得了较大进展，快速发展的半导体照明新兴产业正在形成。为了全面、客观反映我国半导体照明产业发展的状况，为业界提供翔实、准确的信息资料，促进我国半导体照明产业自主创新与可持续发展，在国家半导体照明工程协调领导小组办公室支持下，国家半导体照明工程研发及产业联盟发起成立《中国半导体照明产业发展年鉴（2006）》（以下简称《年鉴》）编辑委员会，编辑出版《年鉴》。

作为我国第一部半导体照明领域全景式工具书，《年鉴》将重点突出权威性与实用性。请相关单位积极参与，做好《年鉴》的编辑出版工作，共同促进我国半导体照明产业的健康快速发展。

附件：1、《中国半导体照明产业发展年鉴（2006）》出版说明

2、《中国半导体照明产业发展年鉴（2006）》编纂框架

国家半导体照明工程研发及产业联盟

二00六年十月八日

附件1：

《中国半导体照明产业发展年鉴（2006）》

出版说明

1、编纂定位：

我国半导体照明领域第一部集权威性与实用性于一体的全景式参考工具书。

2、组织机构：

在国家半导体照明工程协调领导小组办公室支持下，由国家半导体照明工程研发及产业联盟发起成立《中国半导体照明产业发展年鉴》编辑委员会，编委会以国内知名院士、技术与行业管理专家为主，并将邀请台湾、香港资深专家参与撰稿和编制工作。届时，编辑委员会将邀请国家半导体照明工程协调领导小组主要成员从不同角度为《年鉴》撰稿。

3、出版发行：

《年鉴》拟以大16开本，约600页，80万字，计划于2007年第一季度面向全国统一出版发行。发行对象主要包括：

●相关产业制造商、经销商、运营商、供应商、采购商

●政府主管部门（含产业化基地）

●科研院所及相关测试服务机构

●各类投资机构、信息与咨询等中介服务机构

●各国使领馆及境外企业驻华机构

4、主要特色：

（1）资料信息突出全面性

《年鉴》力求翔实完整。将从技术、政策、产业、市场、投资、区域、服务等各个方面，全方位收整集成行业最新资料信息，供业界参考。

（2）数据观点突出权威性

《年鉴》力求论述精准。将围绕技术创新和产业发展的关键性、瓶颈性问题，博采众长，科学发布，权威论述，为各级政府和相关机构科学决策提供有力支撑。（3）使用查阅突出实用性

《年鉴》力求方便实用。将以索引、附录等形式，系统集中企业、机构、专家、成果、专利、标准、论文等各方面资料信息，以备业内外人士查阅和使用。

附件2：

《中国半导体照明产业发展年鉴（2006）》

编纂框架

序

第一部分综述篇

第一章，特别评述

第二章，回顾与展望

第二部分创新篇

第一章，科技政策

介绍国家半导体照明工程发展战略和“十一五”863计划“半导体照明工程”重大项目指南及管理办法等创新科技政策

第二章，技术创新

介绍技术创新最新进展情况

第三章，专利

介绍我国专利发展策略和专利布局，以及国际专利诉讼案分析等内容

第四章，标准

介绍行业相关标准的制订与修订进展情况，以及国内半导体照明公共测试平台的建设等内容

第三部分产业篇

第一章，产业发展

从产业角度，介绍国内外产业发展最新态势

第二章，区域发展

从区域角度，介绍全国各大区域及产业化基地发展建设情况

第三章，市场应用

从市场角度，介绍产业应用和市场潜力状况

第四章，工程案例

从工程案例分析角度，介绍国家及地方重点工程案例的应用示范情况

第四部分索引篇

第一章，企业索引

包括大陆、台湾、香港企业

第二章，机构索引

包括政府机构、科研机构、主要测试机构、中介机构等

第三章，专家索引

包括院士、专家、企业家等业界精英人士

第四章，专利索引

第五章，标准索引

第六章，成果索引

第七章，论文索引

第五部分纪事篇

附录

编后记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记

全球和中国半导体产业发展历史和大事记 1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。 1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。 1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。 1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI （甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。 1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。 1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。 1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。 1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂

光电探测器原理

光电探测器原理及应用光电探测器种类繁多，原则上讲，只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的，是变光信号为电信号的元件。光电效应分两类，内光电效应和外光电效应。他们的区别在于，内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料内部轰击出来，而只是将光电材料内部的光电子从低能态激发到高能态。于是在低能态留下一个空位——空穴，而高能态产生一个自由移动的电子，如图二所示。硅光电探测器是利用内光电效应的。由入射光子所激发产生的电子空穴对，称为光生电子空穴对，光生电子空穴对虽然仍在材料内部，但它改变了半导体光电材料的导电性能，如果设法检测出这种性能的改变，就可以探测出光信号的变化。无论外光电效应或是内光电效应，它们的产生并不取决于入射光强，而取决于入射光波的波长λ或频率ν，这是因为光子能量E只和ν有关： E=hν（1）式中h为普朗克常数，要产生光电效应，每个光子的能量必须足够大，光波波长越短，频率越高，每个光子所具有的能量hν也就越大。光强只反映了光子数量的多少，并不反映每个光子的能量大小。目前普遍使用的光电探测器有耗尽层光电二极管和雪崩光电二极管，是由半导体材料制作的。半导体光电探测器是很好的固体元件，主要有光导型，热电型和P—N结型。但在许多应用中，特别是在近几年发展的光纤系统中，光导型探测器处理弱信号时噪声性能很差；热电型探测器不能获得很高的灵敏度。而硅光电探测器在从可见光到近红外光区能有效地满足上述条件，是该波长区理想的光接收器件。一、耗尽层光电二极管在半导体中，电子并不处于单个的分裂能级中，而是处于能带中，一个能带有许多

(完整版)光电材料

目录目录 ------------------------------------------------------------------------------------------- 1 1前言----------------------------------------------------------------------------------------- 2 2 有机光电材料 ------------------------------------------------------------------------------ 2 2.1光电材料的分类 --------------------------------------------------------------------- 2 2.2有机光电材料的应用 ---------------------------------------------------------------- 3 2.2.1有机太阳能电池材料--------------------------------------------------------- 3 2.2.2有机电致发光二极管和发光电化学池 --------------------------------------- 4 2.2.3有机生物化学传感器--------------------------------------------------------- 4 2.2.4有机光泵浦激光器 ----------------------------------------------------------- 4 2.2.5有机非线性光学材料--------------------------------------------------------- 5 2.2.6光折变聚合物材料与聚合物信息存储材料 ---------------------------------- 5 2.2.7聚合物光纤------------------------------------------------------------------- 6 2.2.8光敏高分子材料与有机激光敏化体系 --------------------------------------- 6 2.2.9 有机光电导材料 ------------------------------------------------------------- 6 2.2.10 能量转换材料 -------------------------------------------------------------- 7 2.2.11 染料激光器----------------------------------------------------------------- 7 2.2.12 纳米光电材料 -------------------------------------------------------------- 7 3 光电转化性能原理 ------------------------------------------------------------------------- 7 4 光电材料制备方法 ------------------------------------------------------------------------- 8 4.1 激光加热蒸发法 ------------------------------------------------------------------- 8 4.2 溶胶-凝胶法 ---------------------------------------------------------------------- 8 4.3 等离子体化学气相沉积技术（PVCD）------------------------------------------ 9 4.4 激光气相合成法 ------------------------------------------------------------------ 9 5 光电材料的发展前景---------------------------------------------------------------------- 10

国家半导体产品命名规则

美国国家半导体(NS)产品命名规则概述美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号。下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。特别代码标准制造信息（第一行）小组件制造信息（第一行）典型元件描述（第二行）其他的信息（第三行和第四行）极小组件标记军用/航空标记强化塑料标记其他标记晶圆制造厂代码装配厂代码制造日期代码裸片批次代码元件系列，产品线和元件类型电气等级信息温度范围代码封装代码 ROM 代码标记特别代码元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”

的真正字元。 NS = 标准NS商标 U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程样品“ES” * - 假如空间容许标准制造信息（第一行）元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。顶端小组件制造信息（第一行）在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。

半导体器件参数(精)

《党政领导干部选拔任用工作条例》知识测试题（二）姓名：单位：职务：得分：一、填空题（每题1分，共20分）： 1、《党政领导干部选拔任用工作条例》于年月发布。 2、《党政领导干部选拔任用工作条例》是我们党规范选拔任用干部工作的一个重要法规，内容极为丰富，共有章条。 3、干部的四化是指革命化、知识化、年轻化、专业化。 4、，按照干部管理权限履行选拔任用党政领导干部的职责，负责《条例》的组织实施。 5、党政领导班子成员一般应当从后备干部中选拔。 6、民主推荐部门领导，本部门人数较少的，可以由全体人员参加。 7、党政机关部分专业性较强的领导职务实行聘任制△I称微分电阻 RBB---8、政协领导成员候选人的推荐和协商提名，按照RE---政协章程和有关规定办理。 Rs(rs----串联电阻 Rth----热阻结到环境的热阻

动态电阻本机关单位或本系统 r δ---衰减电阻 r(th--- Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间、对决定任用的干部，由党委（党组）指定专人同本人 tg---电路换向关断时间 12 Tj---和不同领导职务的职责要求，全面考察其德能勤绩廉toff---。 tr---上升时间13、民主推荐包括反向恢复时间 ts---存储时间和温度补偿二极管的贮成温度 p---发光峰值波长 △λ η---

15、考察中了解到的考察对象的表现情况，一般由考察组向VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压）、正向压降（正向直流电压） △政府、断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---17、人民代表大会的临时党组织、人大常委会党组和人大常委会组成人员及人大代表中的党员，应当认真贯彻党委推荐意见 VGRM---门极反向峰值电压，带头（AV 履行职责交流输入电压最大输出平均电压

美国国家半导体功放芯片详解

美国国家半导体功放芯片详解前言：自从多媒体音箱采用了免前级设计，音箱的后级功放芯片就成为了人们关注的重点。实际上，与传统音响系统一样，有源多媒体音箱的设计也经历了前后级的数度变革，而即便前级设计如何变化，后级依然是必要且必须的。所谓的多媒体音箱后级在功用上与音响后级功放类似，其作用是将前级输出的信号进行功率放大，以便单元能够按照设计规格进行发声运动。今天我们就先为大家介绍功率芯片名厂——美国国家半导体公司出品常用于多媒体音箱的功率芯片。美国国家半导体公司简介：美国国家半导体公司成立于1959年，是著名的模拟和混合信号半导体制造商，也是半导体工业的先驱。公司总部设在美国加州。国家半导体公司致力于利用一流的模拟和数字技术为信息时代创造高集成度的解决方案。它的生产网点遍布全球，在美国德克萨斯州、缅因州和苏格兰建有晶片制造厂，在马来西亚和新加坡建有检验中心和装配厂。主要生产的产品有放大器、比较器、显示电路、接口电路、传感器等通用模拟电路和汽车电路、微处理器及军用航空用产品等等。近年来，随着便携设备的盛行，国家半导体的产品方向已经偏向消费类数码移动产品，不过其在音频领域的芯片研发能力依然强悍。下面我们来看看国家半导体的音频功率放大器家族。国家半导体的音频功率放大器芯片家族：

上图列表的Excel文档可点击这里下载附件从上面的列表我们可以看到，美国国家半导体的功率放大芯片家族分为四个较大的系列：LM18xx 系列；LM19xx系列；LM38xx系列以及LM47xx系列。型号的后两位数字用来区分同系列中不同封装、功能的产品。从国内多媒体音箱厂商的实际应用情况看，目前我们最常见的国家半导体功率放大器系列为 LM18xx系列；LM38xx系列以及LM47xx系列。而具体应用得最多的则是LM1875、LM3886和LM4766。下面我们就为大家详细介绍这三款IC。相信通过我们的介绍，大家举一反三就能进一步了解该公司的其他衍生产品了。盛极一时的LM1875： LM1875是美国国家半导体器件公司生产的单声道音频功放芯片，采用V型5 脚单列直插式塑料封装结构。该集成电路静态电流约70mA，工作于甲乙类放大状态，在±25V电源电压RL=4Ω时可获得20W的输出功率，在±30V电源8Ω负载获得30W的功率，谐波失真为0.03%，增益为26dB，输入灵敏度为630mV，并沿袭了国家半导体的优良传统内置多种保护电路。广泛应用于汽车立体声收录音机、中功率音响设备，具有体积小、输出功率大、失真小等特点。

国家半导体照明工程南昌产业化基地

国家半导体照明工程南昌产业化基地 1．成立时间 2004年5月南昌市被科技部批准为“国家半导体照明工程产业化基地”。 2．空间分布南昌半导体照明产业基地建设的总体布局是以南昌高新技术产业开发区内的联创光电公司为依托，形成“一个中心、两个园区、多点扩展、众星捧月”的产业发展布局。 “一个中心”——即成立“南昌国家半导体照明工程研究中心”，以南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心为龙头，实行政府支持，其它企业、高校、行业管理机构等共同投资，其主要职能为：孵化光电子中小企业，培训光电子专业技术人员，与北京大学、南京大学合作建立光电子专业博士后工作站，开展半导体照明共性及关键技术的研究、光电子产品的检测及标准制定工作。中心面向社会开放，服务于基地内的光电子企业及科研机构，协调及促进基地内光电子产业及技术的发展。 “两个园区”——一个是一期工程已完工并投入使用的以半导体发光材料、芯片及器件封装上中游产品为主的占地面积达300亩的“联创光电科技园”，近期园区面积将扩大至400亩；另一个是以半导体照明应用为主的联创博雅产业园，占地面积500余亩，并预留1000亩地作为2008年以后半导体照明产业发展用地。 “多点扩展”——在南昌经济技术开发区、小蓝工业园规划一定面积的扩展区。扩展区主要以半导体照明用高性能荧光粉、高性能铜基散热材料、照明灯具各种配件及其它辅助材料为主要发展方向。利用江西丰富的稀土资源、铜矿资源及铜冶炼技术优势及低廉的劳动力成本优势，重点研究、生产半导体照明用高效率荧光粉和高性能铜基散热材料，为国内主要半导体照明产品生产企业配套。同时发展照明光源、灯具配件及辅助材料的生产企业。 “众星捧月”——产业基地建设以重点企业为核心，努力引进和不断做强做大核心企业，带动众多中小企业协作配套发展，形成集聚效应和较为完整的产业链。 3．经济总量基地内现有半导体照明企业15家，其中基地落户南昌以后新增企业7家。2004年基地销售收入突破15亿元，比上年增长44%，占地方工业比重达2.77%。 4．产业链情况南昌基地已初步形成以江西联创光电科技股份有限公司的外延片为上游产业，南昌欣磊光电科技有限公司的芯片制造为中游产业，江西联创光电科技股份有限公司、南昌联众电子有限公司、南昌永兴电子有限公司的芯片封装和联创博雅科技有限公司的光源、灯具、LED显示屏、联创致光科技有限公司的手机背光源、南昌晶明电子有限公司的LED点阵块为下游产业，南昌宏森高科光电子有限公司的LED支架为配套产业的一个较为完整的产业链。 5．技术水平以及人才情况基地拥有一支富有创新敬业精神的LED专业化管理、技术研发和工艺技术人才队伍，拥有精干的LED企业管理人员、一流的专业技术人才和技术熟练的技术工人。南昌LED产业从业人员3200余人，其中技术人员近千人，占从业人员的比例高达32%，直接从事新产品开发的人员近500人，占从业人员的比例达15%，具有高级职称的技术人员占技术人员比例的9%，中级以上技术职称的人员占技术人员总数的28%，具有初级以上技术职称的人员占技术人员总数的65%。同时，为了加快半导体照明产业的发展，基地内龙头企业江西联创光电科技股份有限公司、南昌欣磊光电科技有限公司相继成立了企业技术中心，主要负责企业半导体照明前瞻性、基础性技术的研究及半导体照明用功率型LED芯片，功率型LED器件、特种及装饰照明用半导体照明光源、灯具及照明系统集成开发，LED产品的检测、分析。 6．重点科研院所及其研究方向南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心——该中心是南昌大学材料物理与化学国家重点学科、材料物理与化学博士点、材料科学与工程博士后科研流动站，拥有仪器设备近3000万元，有进口生产型GaN-MOCVD系统、自制开发型ZnO-MOCVD系统。拥有GaN基蓝光、绿光、紫光LED外延材料生产技术。中心已在ZnO半导体发光材料、硅基片上生长氮化镓外延材料及芯片方面取得突破性进展，成功研制出高亮度硅衬底GaN-LED蓝、白光二极管材料及器件。现已拥有GaN基蓝光、绿光、紫光LED 外延材料生产技术。其中，高亮度硅衬底GaN-LED白光二极管材料及器件这一项目已完成小试，现正在进行中试研究及产业化论证。 7．公共创新平台建设（1）启动南昌光电子科技综合服务大楼建设。建成后的光电子科技大楼主要用于建立光电子专业博士后工作站、南昌光电子工程技术中心、半导体照明公共技术服务平台、南昌半导体照明行业生产力促进中心、半导体照明行业中小企业孵化器、半导体照明技术人才培训等公共技术服务。

半导体产业现状、发展路径与建议

半导体产业现状、发展路径与建议摘要：在当前数字时代、智能时代，半导体无处不在，对科技和经济发展、社会和国家安全都有着重大意义。半导体产业属于高度资本密集+高度技术密集的大产业，经历了由美国向日本和美日向韩国、中国台湾的两次产业转移，每次转移均伴随着全球消费需求周期变化以及产业垂直精细化分工。而当前中国已成为全球最大的半导体消费国，同时也是全球消费电子制造中心，这会推动半导体产业进一步向中国移转。在已经到来的半导体行业第三次产业转移中，中国将成为最大获益者。准确把握半导体行业发展趋势，正确制定支持策略，对于半导体行业业务机遇、加强服务实体经济和科技创新的能力具有重要意义。关键词：半导体产业；现状；发展路径；建议 1我国半导体产业的发展现状 1.1技术处于追赶期，仍有相当差距据中国半导体行业协会统计，中国半导体呈现“设计-制造-封测”两头大中间小的格局。分领域看，国内芯片设计业增速最快，为27%，与美国等全球先进企业差距不断缩小。封测业因成本和市场地缘优势，发展相对较早，具有较强的国际竞争力。但是在制造方面，国内企业与全球先进水平还存在较大差距，难以掌握核心技术和关键元件，生产线采用的技术落后于国际先进水平至少一代，核心技术甚至要落后三代。例如，台湾地区就明令禁止向大陆相关工厂提供最尖端的生产工艺，只允许引进落后一代的技术。从芯片制造领域细分来看，目前处理器市场已有中国公司具备参与国际竞争的能力，但在存储芯片市场，国内企业几乎是一片空白。目前中国三大存储芯片企业——长江存储、合肥长鑫、福建晋华等正加紧建设存储芯片工厂，最快在2018年开始投产，不久的将来中国将成为与日韩比肩的存储芯片生产地。其中，规模最大的为紫光集团旗下的长江存储，主要采用3DNANDFlash技术；合肥长鑫、福建晋华则以DRAM存储芯片为主。 1.2中国半导体行业迎来黄金发展期从行业趋势判断，中国半导体行业正面临前所未有的战略机遇，可谓是天时地利人和。天时，首先是摩尔定律已近极限，为后来者提供了追赶的空间。摩尔定律揭示了信息技术进步的速度，尽管这种趋势已经持续了超过半个世纪，摩尔定律仍应该被认为是观测或推测，而不是一个物理或自然法则。由于硅半导体的发展趋近物理极限，芯片性能不可能无限制翻番，其性能的提升越来越困难。当芯片发展到7纳米以后，发展速度会降低。在2013年年底之后，晶体管数量密度预计只会每三年翻一番，该定律一般预计将持续到2015年或2020年。而在向新的发展方向和领域突破时，半导体行业重新划定了新的起跑线，这为后来者提供了追赶的时机。其次，随着数字经济的发展，芯片不仅仅应用于电脑、手机，还包括云计算服务器，无人驾驶的智能汽车上，以及物联网上的芯片，芯片应用领域的迅速扩大，为后来者站稳市场脚跟创造了新的机会。地利，中国已经成为全球最大的半导体消费市场，本土化、国产化需求成倍增长。同时，中国芯片制造领域也在持续发力，经过多年自主创新和国际并购，在半导体行业积累了一定的技术和人才，在产业布局和个别环节上出现了具有一定竞争力的企业，为后续实现赶超和跨越式发展打下了良好基础。人和，中国具有稳定的政治环境和政策基础，支持半导体行业的发展已经被提升到国家战略高度，出台了明确的发展规划，在政策和资金上给予大力扶持。 1.3国家战略支持

半导体光电探测器(精)

半导体光电探测器摘要：本文介绍了光电与系统的组成、一些半导体光电探测器的结构和工作原理，最后阐述了光电导探测器与光伏探测器的区别。关键词：半导体光电探测器，光电系统，光电导探测器，光伏探测器 Semiconductor photoelectric detector Abstract：This paper introduces the composition of photoelectric and system, the structure and working principle of some semiconductor photoelectric detector，finally describes the distinction of photoconductive detector and photovoltaic detector. Key words：semiconductor photoelectric detector，photoelectric system，photoconductive detector，photovoltaic detector 引言光电探测器是一种受光器件，具有光电变换功能。光敏器件的种类繁多，有光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光晶闸管、集成光敏器件等；有雪崩型的及非雪崩型的；有PN结型、PIN结型及异质结型的等。由于光电探测器的响应速度快，体积小，暗电流小，使之在光纤通讯系统、光纤测试系统、光纤传感器、光隔离器、彩电光纤传输、电视图象传输、快速光源的光探测器、微弱光信号的探测、激光测距仪的接收器件、高压电路中的光电测量及光电互感器、计算机数据传输、光电自动控制及光测量等方面得到了广泛应用。半导体光电探测器是用半导体材料制作的能接收和探测光辐射的器件。光照射到器件的光敏区时，它就能将光信号转变成电信号，是一种光电转换功能的测光元件。它在国防和工农业生产中有着重要和广泛的应用。半导体光电探测器可分为光电导型和光伏型两种。光电导型是指各种半导体光电导管，即光敏电阻；光伏型包括光电池、P-N结光电二极管、PIN光电二级管、雪崩光电二极管、光电三级管等。本文首先介绍了光电系统的组成，然后分别介绍了各元件的结构和工作原理，最后将这两类探测器进行比较。一、光电子系统的组成现代光电子系统非常复杂，但它的基本组成可用图1-1-1来说明：待传送信号经过编码器编码后加到调制器上去调制光源发出的光，被调制后的光由发射光学系统发送出去。发射光学系统又称为发射天线，因为光波是一种电磁波，发射光学系统所起的作用和无线电发射天线所起的作用完全相同。发送出去的光信号经过传输介质，如大气等，到达接收端，由接收光学系统或接收天线将光聚焦到

全球10大半导体厂商排名及简介

[2011-11-09] 全球10大半导体厂商排名及简介全球10大半导体厂商排名: 1.英特尔(Intel) 2.三星(Samsung) 3.德州仪器(TI) 4.东芝(Toshiba) 5.台积电(TSMC) 6.意法半导体会(ST) 7.瑞萨科技(Renesas) 8.海力士(Hynix) 9.索尼(Sony) 10.高通(Qualcomm） 1.美国英特尔（Intel）公司，以生产CPU芯片闻名于世！ 2.三星(Samsung)电子公司成立于1969年，初期主要生产家用电子产品，如电视机和录像机等。七十年代始进入国际市场，逐渐发展成为全球五大电子公司之一，产品也由家电扩展到计算机、通讯等诸多方面。九十年代由于经济方面的原因，三星公司进行了大规模的战略重组。1978年，三星半导体从三星电子公司分立出来而成为独立的实体，1983年起随着成功发展了64K DRAM超大规模集成电路，从此在单一家电类半导体产品基础上发展了许多新的半导体产品，逐渐成为全球领先的半导体厂商。它的半导体产品主要有DRAM、SRAM、闪速存储器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 3.德州仪器(TI)公司总部位于美国德克萨斯州达拉斯城，是一家全球性的半导体公司，是世界领先的数字信号处理和模拟技术的设计商、供应商，是推动电子数字化进程的引擎。主要IC产品有：数字信号处理器、模拟和混合信号器件、数字逻辑、ASIC、微控制器、语音和图形处理器、可编程逻辑、军用器件等。 4.东芝(Toshiba)在国际市场上盛名远扬，家喻户晓。在日本之外，东芝拥有100多家子公司和协作公司的庞大全球网络，仅海外子公司便拥有40,000 多名雇员，他们遍及全球各地，从事着从科研到采购、生产、销售以及市场调研等工作。分布在世界各地的39个厂家构成东芝的生产网络，制造品种繁多的产品，包括最先进的半导体元件、显象管、彩色电视机、移动式计算个人电脑、光?磁存储、消耗品及工业用发电机和变电装置。这些技术和设备均处世界领先地位的东芝生产厂家,强有力地保障着公司技术和整体能力的发展，推动着电子工业的进步；同时也提供了更多的就业机会，进一步促进了当地经济的蓬勃发展。 5.台积电(TSMC)成立于1987年，是全球最大的专业集成电路制造服务公司。身为专业集成电路制造服务业的创始者与领导者，TSMC在提供先进晶圆制程技术与最佳的制造效率上已建立声誉。自创立开始，TSMC即持续提供客户最先进的技术；2006年的总产能超过七百万片约当八寸晶圆，全年营收约占专业集成电路制造服务领域的百分之五十。

国家半导体照明工程研发及产业联盟职业资格管理中心

半导体照明应用产品初级工程师职业资格认证全国统一考试考核大纲（试行）【适用对象】适用于半导体照明应用产品工程师的光学、热学、电学与控制、系统设计方向的职业资格考核。【考核内容】考核内容按照半导体照明应用产品工程师的初级制定，各方向分为基础和专业知识。【命题依据】依据《半导体照明应用产品工程师职业资格规范》（包括应用产品—光学、应用产品—热学、应用产品—电学与控制、应用产品—系统设计）中对半导体照明应用产品工程师的理论知识和技能要求制定。【考核方式及分值设置】 1、半导体照明应用产品初级工程师全国统一考试分笔试和实操（上机操作）两种形式。 2、半导体照明应用产品初级工程师全国统一考试笔试 100 分+实操 100 分，总分 200 分。 3、笔试 1 份，实操（上机操作）1 份。 4、笔试部分分为填空题（ 15 分）、选择题（ 15 分）、判断题（ 10分）、简答题（ 20 分）、计算题（ 10 分）、论述题（ 30 分），共 100 分。 5、评估要求：笔试+实操每份试卷分数达卷面分 60%以上视为合格。【考试时间】半导体照明应用产品初级工程师职业资格认证全国统一考试时间为 4 月、8 月、12月第三周周六、周日两天。【考试安排】考核内容时间安排笔试（1 天）《综合考试》 8:30 - 11:30 实操考试（1天）《上机操作》 8:30 - 11:30

【考核大纲】考核方向光学方向考核项目鉴定内容鉴定比重分值备注综合考试基础知识光的本质光的定量描述色度学基础光与人的关系 LED 基础 LED 照明标准与检测 LED 照明标准 LED 灯具测试方法照明设计基础 10% 10 光学设计基本概念原理光通量光强平方反比定律配光曲线坐标变换 15% 15 光学材料与加工光学玻璃光学晶体光学塑料光学辅料光学材料加工技术 5% 5 LED 光源光特性光度学特性色度学特性一次配光 15% 15 参数计算球带系数法蝙蝠翼光通量计算朗伯光通量计算 25% 25 LED 灯具光学系统设计室内照明室外照明便携式照明汽车用灯手机应用景观照明交通信号 30% 30 上机操作基础实验灯具测试实验照明设计基础实验 40% 40 专业实验灯具光学器件设计灯具光学器件测试 60% 60

半导体光电催化技术.

半导体光电催化第一章 1.原子轨道相互交迭情况原子钟的电子分布在内外层电子轨道上，每一层轨道对应确定的能量。当原子相互接近并形成晶体时，不同原子的内外壳层。电子轨道之间就有一定的交迭，相邻原子最外层轨道交迭最多，内层轨道交迭最少。当原子组成晶体后，由于原子轨道的交迭，电子不再完全局限在某一个原子钟，它可以转移到相邻原子上去，而且可以从邻近的原子轨移到更远的原子上去，以致任何一个电子可以在整个晶体中以一个原子转移到另一个原子，不再属于某个原子所有，这即晶体中的电子共有化运动。 2.用能级的形式解释能带禁带：在相邻两个能带之间的区域中，不存在电子占有的能级，将这两个能带间的区域称为禁带。每个能带和禁带的宽度是由各种晶体的具体原子结构和晶体结构所决定的。禁带宽度为零点几到几个电子伏。由于可得出①同一晶体的某个能带，其宽度一定，这是因为能带宽度主要取决于电子轨道的交迭程度。对同一晶体，原子间距是常数，所以各轨道的交迭程度一定。②同一晶体的不同能带，上面的宽，下面的窄。这是因为上面的能带与原子的外层轨道相对应，外层轨道交迭多，能带就宽，内层轨道交迭少，能带就窄。由此可见，能带的宽窄实际上反映了电子共有化的自由程度。 3.满带：能带全部被电子填满。内层电子轨道对应的能带。零带：能带中可占据能级全部是空的。价带：价电子所处的能带，最高电子占有能带。（HDMO），可能是全部填满或部分填满。导带：最低空能带（LLIMO） 4.能带对不同材料的解释（对导体，半导体电导率的差别）按电阻来分：金属导体p<10-6Ω·m绝缘体p>107Ω·m半导体10-6

光电探测器原理

美国半导体元件命名规则

标准制造信息（第一行）元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。小组件制造信息（第一行）在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。典型元件描述（第二行）标记的第二行描述封装中的特定电路。下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。

车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括：顶端其他信息, 第三行和第四行根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括： ?元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳） ?特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号 ?与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项其它标记由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息： ?特殊可靠性工艺处理 (/A+) ?处理MIL-STD-883C (/883) ?指示可调整的输出元件 (-ADJ) ?指示输出电压级别 (-5.0) ?指示工作频率 (-33) ?产品推出状态代码 (ES) ?上面各项以外的其它信息

制造日期代码单位日期代码：单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。4 位日期代码通常用于军事/航空元件。3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。商用元件：定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。 6 周日期代码如下所示。 2007200620052004 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0706 706 71 S0606 606 61 J0506 506 51 A0406 406 41 S 0712 712 72 T0612 612 62 K0512 512 52 B0412 412 42 T 0718 718 73 U0618 618 63 L0518 518 53 C0418 418 43 U 0724 724 74 V0624 624 64 M0524 524 54 D0424 424 44 V 0730 730 75 W0630 630 65 N0530 530 55 E0430 430 45 W 0736 736 76 X0636 636 66 60536 536 56 F0436 436 46 X 0742 742 77 Y0642 642 67 P0542 542 57 G0442 442 47 Y 0748 748 78 Z0648 648 68 80548 548 58 H0448 448 48 Z 0752 752 79 =0652 652 69 R0552 552 59 90452 452 49 = 2003200220012000 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0306 306 31 J0206 206 21 A0106 106 11 S0006 006 01 J 0312 312 32 K0212 212 22 B0112 112 12 T0012 012 02 K 0318 318 33 L0218 218 23 C0118 118 13 U0018 018 03 L 0324 324 34 M0224 224 24 D0124 124 14 V0024 024 04 M 0330 330 35 N0230 230 25 E0130 130 15 W0030 030 05 N

半导体照明工程师职业资格规范(封装)

半导体照明工程师职业资格规范封装（第一版） 2011-3-7 发布 2011-3-7 实施国家半导体照明工程研发及产业联盟发布

目录前言 (2) 1 半导体照明封装工程师职业定义 (3) 2 半导体照明封装工程师职业等级 (3) 3 半导体照明封装初级工程师职业资格 (3) 3.1 基本要求（需满足以下条件之一） (3) 3.2 就职方向 (3) 3.3 工作职责 (3) 3.4 能力要求 (3) 4 半导体照明封装中级工程师职业资格 (4) 4.1 基本要求（需满足以下条件之一） (5) 4.2 就职方向 (5) 4.3 工作职责 (5) 4.4 能力要求 (5) 5 半导体照明封装高级工程师职业资格 (8) 5.1 基本要求（需满足以下条件之一） (8) 5.2 就职方向 (8) 5.3 工作职责 (8) 5.4 能力要求 (9) 6 半导体照明封装工程师鉴定方式 (10)

前言在相关国家标准正式出台以前，为适应半导体照明产业快速发展需要，满足产业人才开发需求，国家半导体照明工程研发及产业联盟组织制定专业技术人才的职业资格规范，以规范专业技术人员的技能标准，正确引导半导体照明产业的人才培养和人才评价。） ” 《规范》《<半导体照明工程师职业资格规范> 封装（第一版）》（以下简称 “ 定义了半导体照明封装初、中、高级工程师的职业资格要求、工作内容和能力要求，可作为半导体照明产业评定、招聘和培养封装专业技术人才的推荐性标准。本《规范》由国家半导体照明工程研发及产业联盟组织国内外行业专家以及人力资源管理专家，在基于大量的半导体照明企业实际岗位分析的基础上，建立的关键技术岗位能力素质模型。本《规范》的制定遵循了企业实际要求，既保证了《规范》体例的规范化，又体现了以职业活动为导向、以职业能力为核心的特点，同时也使其具有根据科技发展进行调整的灵活性和实用性，符合半导体照明应用产品电学与控制方向技术人才培训、鉴定和就业工作的需要。本《规范》是半导体照明专业技术人员系列职业资格规范之一。本《规范》由国家半导体照明工程研发及产业联盟归口管理。