陶瓷电容器技术要点
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全
陶瓷电容器基础知识简介陶瓷电容器使用要点大全谈论起陶瓷电容器，我们会想到电子元件器工业。
电子元件器工业在在20世纪出现并得到飞速发展，使得整个世界和人们的工作、生活习惯发生了翻天覆地的变化。
继电器、二极管、电容器、传感器等产品的出现，给我们的生活带来了极大地便利。
而电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。
英文名称：capacitor。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
文章开篇所提到的陶瓷电容器（ceramiccapacitor；ceramiccondenser）就是用陶瓷作为电介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成。
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状。
一、陶瓷电容器基础知识简介1、陶瓷电容器是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
2、陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。
低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。
高频瓷介电容器适用于高频电路。
3、陶瓷电容器有四种材质分类：这四种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)。
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大。
104陶瓷电容
104陶瓷电容摘要：1.陶瓷电容的概述2.陶瓷电容的特性与优点3.陶瓷电容的分类4.陶瓷电容的应用领域5.陶瓷电容的发展前景正文：【陶瓷电容的概述】陶瓷电容，又称为陶瓷介质电容，是一种常见的电子元器件。
它是由陶瓷材料作为介质，并以金属作为电极的一种电容器。
陶瓷电容在我国的电子产业中有着广泛的应用，其性能稳定、工作温度范围宽、可靠性高等优点使其成为众多电子设备的重要组成部分。
【陶瓷电容的特性与优点】陶瓷电容具有许多优良的特性，这使得它在电子领域有着广泛的应用。
首先，陶瓷电容的工作温度范围很宽，一般可以达到-55℃至+125℃。
其次，陶瓷电容的稳定性能好，其电性能在长时间工作下不会发生明显的变化。
此外，陶瓷电容的抗干扰能力强，对于电磁干扰和射频干扰具有很好的抑制作用。
【陶瓷电容的分类】根据陶瓷材料的不同，陶瓷电容可以分为以下几种类型：1.钽电解电容：由钽作为阳极，以陶瓷作为阴极的电容器。
2.铌电解电容：由铌作为阳极，以陶瓷作为阴极的电容器。
3.氧化铝电容：由氧化铝作为介质的陶瓷电容。
4.氧化钛电容：由氧化钛作为介质的陶瓷电容。
5.氮化钽电容：由氮化钽作为介质的陶瓷电容。
【陶瓷电容的应用领域】陶瓷电容广泛应用于各种电子设备和电子产品中，如通信设备、计算机、家电、工业控制等领域。
陶瓷电容在这些领域中发挥着重要的作用，如存储电能、滤波、耦合、去耦等。
【陶瓷电容的发展前景】随着科技的不断发展，陶瓷电容也在不断地进行技术创新。
未来，陶瓷电容将会朝着微型化、高容量、高频率、低损耗等方向发展。
同时，新型陶瓷材料的研究与应用也将为陶瓷电容带来更多的发展空间。
详解MLCC技术及材料未来发展
详解MLCC技术及材料未来发展
一、什么是MLCC技术？
MLCC（Multilayer Ceramic Capacitors），是指由多层陶瓷层压而成的陶瓷电容器，具有高频率及高功率的优势，是电子产品中最常应用的一种电容器。
目前，其主要用于固定频率、宽带滤波电路、串行存储器、高抗干扰和减少电磁干扰等应用之中。
二、MLCC技术的优势
1、体积小：MLCC电容器可以制成很小的尺寸，有助于更有效的利用芯片的空间。
2、高频率：MLCC电容器可以支持高频率的电路，因此可以实现更快的数据处理。
3、高功率：MLCC电容器可以支持高功率的电路，因此可以实现更高的电压稳定性。
4、低噪声：MLCC电容器容阻较低，因此可以减少电磁干扰，从而降低电子产品的噪音。
三、MLCC材料的未来发展
1、增强阻容特性：由于现有的MLCC电容器存在着温度老化现象，因此将采取措施增强其耐热抗衰老阻容特性，以满足更高耐压稳定和更高温度的要求。
2、改善制备工艺：MLCC是一种多层结构，因此制备工艺要求较为复杂。
为了提升其制备效率，将针对其各制备步骤，进行改进，以实现更低的成本和更高的制备速度。
3、提升尺寸：为了满足更多的设计需求，未来将会研究研发出更大尺寸的MLCC电容器，以满足更大容量的需求。
mlcc陶瓷电容的工作原理
mlcc陶瓷电容的工作原理MLCC陶瓷电容，全称为Multilayer Ceramic Capacitor，是一种电子元件，常用于电子设备中的电路连接和信号传输。
它具有体积小、重量轻、容量大、频率响应范围广、温度稳定性好等特点，在现代电子设备中广泛应用。
MLCC陶瓷电容的工作原理是基于电介质的极化效应。
在MLCC陶瓷电容中，电介质层是由陶瓷材料构成的，而电极则是由导电材料构成的。
当施加电压时，电介质层会极化，形成正负电荷分布，从而形成电场。
电场的强度与施加的电压成正比。
MLCC陶瓷电容的容量取决于电介质的特性以及电容器的结构。
陶瓷材料被选择为电介质的原因是因为陶瓷材料具有高介电常数，能够存储更多的电荷。
而MLCC陶瓷电容的结构是多层叠压而成的，每一层都有电介质层和电极层，通过多层的叠压，可以使得电容器的容量大大增加。
MLCC陶瓷电容在电子设备中具有重要的应用。
首先，它常用于电源滤波电路中，用于消除电源中的噪声和电磁干扰，保证电子设备的稳定工作。
其次，MLCC陶瓷电容还常用于信号耦合和解耦合，用于提高信号传输的质量和稳定性。
此外，它还可以用于电路的隔离和保护，防止电路之间的相互干扰和破坏。
MLCC陶瓷电容的工作原理使其具有很多优点。
首先，它具有快速响应的特性，能够在电路中迅速充放电。
其次，MLCC陶瓷电容具有高频率响应的特点，适用于高频电路和高速信号传输。
此外，它还具有温度稳定性好的特点，能够在不同的工作温度下保持稳定的电容值。
然而，MLCC陶瓷电容也存在一些限制。
首先，由于其结构的特殊性，MLCC陶瓷电容在大容量时体积较大，不适用于特别小型化的电子设备。
其次，MLCC陶瓷电容在高温和高湿环境下容易发生失效，因此在一些特殊环境下需要选择其他类型的电容器。
总的来说，MLCC陶瓷电容是一种重要的电子元件，具有体积小、容量大、频率响应范围广、温度稳定性好等特点。
它的工作原理基于电介质的极化效应，通过电介质层的极化形成电场。
mlcc烧结工艺
mlcc烧结工艺MLCC（多层陶瓷电容器）是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备中。
MLCC的制造过程中，烧结工艺是其中关键的一环。
烧结工艺是指将陶瓷粉末通过高温加热处理，使其在一定时间内发生烧结反应，形成致密的陶瓷结构。
这个过程中，陶瓷粉末中的颗粒相互结合，形成强度高、电性能稳定的陶瓷基片。
而对于MLCC来说，烧结工艺是决定其电性能和可靠性的关键因素之一。
烧结工艺包括原料制备、成型、烧结和后处理等环节。
首先，原料制备是烧结工艺中的第一步，主要是将陶瓷粉末和其他添加剂按照一定比例混合，并进行筛分和干燥处理，以保证原料的纯度和均匀性。
接下来，通过成型工艺将原料制备成具有特定形状和尺寸的陶瓷基片。
常见的成型方法有注塑成型、压制成型和挤出成型等。
制备好的陶瓷基片经过成型后，需要进行烧结处理。
烧结是将成型后的陶瓷基片置于高温炉中，在一定时间内进行加热处理。
烧结温度和时间的控制非常重要，过低的温度和时间无法使陶瓷颗粒充分结合，而过高的温度和时间则可能导致过度烧结和损坏。
因此，烧结的过程参数需要经过精确的控制和调整，以确保陶瓷基片的质量和性能。
烧结完成后，还需要进行后处理工艺。
后处理工艺主要是对烧结后的陶瓷基片进行表面处理，以提高其电性能和可靠性。
常见的后处理工艺有镀银、镀镍和涂覆介质等。
这些处理能够提高陶瓷基片的导电性能和抗氧化性能，从而提高MLCC的整体性能。
总结起来，MLCC烧结工艺是通过高温加热处理陶瓷粉末，使其形成致密的陶瓷基片的过程。
这个工艺中包括原料制备、成型、烧结和后处理等环节。
通过精确控制和调整烧结过程的温度和时间，以及进行适当的后处理工艺，可以获得质量稳定、性能优良的MLCC产品。
烧结工艺的优化和改进对于提高MLCC的性能和可靠性具有重要意义，也是MLCC制造过程中不可或缺的一步。
100uf陶瓷电容
100uf陶瓷电容100uf陶瓷电容是一种常见的电子元件，用于电路中的储能和滤波等功能。
在本文中，我将介绍100uf陶瓷电容的特点、应用领域以及相关注意事项。
一、100uf陶瓷电容的特点100uf陶瓷电容具有以下特点：1. 容量大：100uf表示该电容的容量为100微法（微法是电容的单位），容量较大，可以存储较多的电荷。
2. 陶瓷材质：100uf陶瓷电容采用陶瓷材质制成，具有优良的性能和稳定性。
3. 小巧轻便：100uf陶瓷电容体积较小，重量较轻，适合于小型电子设备的应用。
4. 高频性能好：100uf陶瓷电容在高频电路中具有优异的性能，能够有效地滤除高频噪声。
100uf陶瓷电容在各个领域都有广泛的应用，主要包括以下几个方面：1. 电源滤波：在电源电路中，100uf陶瓷电容可以起到滤波的作用，去除电源中的噪声，保证电路的稳定性和可靠性。
2. 信号耦合：在放大电路中，100uf陶瓷电容可以用于信号的耦合，将输入信号和输出信号进行耦合传递。
3. 电路解耦：在集成电路中，100uf陶瓷电容可以用于解耦电路，降低电路之间的相互干扰。
4. 电路隔离：在某些特殊电路中，100uf陶瓷电容可以用于隔离电路，防止电路之间的相互影响。
5. 电压稳定：在稳压电源中，100uf陶瓷电容可以用于调整电压，保持电路稳定工作。
三、100uf陶瓷电容的注意事项在使用100uf陶瓷电容时，需要注意以下几点：1. 极性问题：100uf陶瓷电容是无极性元件，不需要区分正负极性，可以正反插入电路。
2. 频率特性：100uf陶瓷电容的频率响应范围有限，对于超过其额定频率的信号，可能会引起电容的损耗或失效。
3. 温度特性：100uf陶瓷电容的性能会受到温度的影响，需要根据具体的工作环境选择适合的温度范围。
4. 额定电压：100uf陶瓷电容有一定的额定电压范围，超过其额定电压可能会导致电容损坏或泄漏。
5. 安装方式：100uf陶瓷电容可以通过插入式安装或表面贴装方式安装在电路板上，需要根据具体要求选择合适的安装方式。
《陶瓷储能电容器》课件
密封技术
采用先进的密封材料和工艺，提高储能 电容器的防水、防尘、防震等性能，保 证其在各种恶劣环境下的稳定运行。
VS
集成化封装
将多个储能电容器集成在一个封装内，实 现模块化、阵列化的封装方式，便于电路 设计和应用。
05
陶瓷储能电容器的市场前景
市场需求分析
总结词
随着科技的发展和新能源市场的扩大，陶瓷 储能电容器的市场需求呈现出不断增长的趋 势。
储能容量
陶瓷储能电容器的储能容量取决于介质材料的介电常数、电极面积和施加电压的 大小。随着材料和制造工艺的不断改进，陶瓷储能电容器的储能容量不断提高。
03
陶瓷储能电容器的应用
电子设备领域的应用
消费电子
陶瓷储能电容器在消费电子领域中主 要用于提供瞬时大电流，确保电子设 备如智能手机、平板电脑等在开机、 关机、唤醒等操作时能够快速响应。
陶瓷储能电容器的重要性
陶瓷储能电容器在电力系统中具有重 要的作用，它可以提高电力系统的稳 定性、改善电能质量、降低损耗等。
在新能源领域，陶瓷储能电容器可以 用于储存太阳能、风能等可再生能源 产生的电能，实现能源的合理利用和 有效管理。
陶瓷储能电容器的发展历程
陶瓷储能电容器的发展经历了多个阶段，从最早的纸质电容 器到后来的陶瓷电容器，再到现在的复合陶瓷电容器，其性 能和可靠性不断提高。
随着科技的不断进步和应用需求的增加，陶瓷储能电容器的 应用领域越来越广泛，未来还有很大的发展空间和应用前景 。
02
陶瓷储能电容器的原理
电容器的原理
电容器的基本原理
电容器是一种能够存储电荷的电子元件，其基本原理是利用两块相对的导电板 之间的电场来存储电能。
电容器的充放电过程
陶瓷电容耐压临界
陶瓷电容耐压临界
【原创实用版】
目录
1.陶瓷电容的耐压值
2.陶瓷电容的标识方法
3.陶瓷电容的测试方法
4.陶瓷电容的选用原则
正文
一、陶瓷电容的耐压值
陶瓷电容是一种常见的电容器类型，其耐压值是指电容器能够承受的最高电压。
一般来说，陶瓷电容的耐压值在几十到几百伏特之间。
例如，用在 220V 交变电源输入端的抗高频干扰的瓷介电容耐压值通常是 400V 左右。
二、陶瓷电容的标识方法
陶瓷电容的标识方法主要有直标法、色码表示法等。
直标法就是直接标出电容的容量和耐压值，例如，如果数字是 0.001，那它代表的是
0.001uf（1nf），如果是 10n，那么就是 10nf，同样 100p 就是 100pf。
色码表示法是通过电容引线方向上的不同颜色来表示电容量，如 350 为350pf，3 为 3pf，0.5 为 0.5pf。
三、陶瓷电容的测试方法
测试陶瓷电容的耐压值，可以使用一个带显示电压的电压调节器和一个测电流的器械。
接通后，把电压调节器从零逐渐调大，直到电容损坏，这样就可以测试出电容可以承受的最高电压。
为了提高测试结果的可靠性，可以进行多次测试。
四、陶瓷电容的选用原则
在选择陶瓷电容时，需要根据电路设计的需求来确定电容的容值、耐压值等参数。
例如，在每芯片的供电电源上，我们通常会并联一个 0.1uf 的电容，几个芯片的供电电源上并联一个 10uf 的电容，以保证芯片的可持续供电和滤掉高频杂波得到平滑的电源。
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一、定义：由两金属极板加以绝缘物质隔离所构成的可储存电能的组件称为电容器。
二、代号：“C”
三、单位：法拉(F) 微法(uF) 纳法(nF) 皮法(pF)
1F=106 uF =109nF=1012 pF
四、特性：通交流、阻直流
因电容由两金属片构成，中间有绝缘物，直流电无法流过电容，但通上交流电时，由于电容能充放电所致，所以能通上交流
五、作用：滤波、耦合交变信号、旁路等
六、电容的串联、并联计算
1.串联电路中，总容量=1÷各电容容量倒数之和
2.并联电路中，总容量=各电容容量之和
七、电容的标示：
1.直标法：直接表示容量、单位元、工作电压等。
如1uF/50V
2.代表法：用数字、字母、符号表示容量、单位元、工作电压等
如：“104”表示容量为“100000pF”
“Z”表示容量误差“+80% -20%”
“”表示工作电压“50V”
八、电容的分类
1.按介质分四大类
1).有机介质电容器(极性介质与非极性介质，一般有真合介质、漆膜
介质等)
2).无机介质电容器(云母电容器、陶瓷电容器、波璃釉电容器
3).电解电容器(以电化学方式形式氧化膜作介质，如铝Al2O3钽Ta2O5)
4).气体介质电容器(真空、空气、充气、气膜复合)
2.按结构分四大类
1).固定电容器2).可变电容器3).微调电容器(半可变电容器) 4).电解电容器
3.按用途分
1).按电压分低压电容器、高压电容器
2).按使用频率分低频电容器(50周/秒或60周/秒)和高频电容器(100K 周/秒)
3).按电路功能分：隔直流、旁路、藕合、抗干扰(X2)、储能、温度补偿等
电解电容(E/C)
一、概述
电解电容的构造是由阳箔、阴箔、电解纸、电解液之结合而成的，阳箔经化成后含有一高介电常数三氧化铝膜(Al2O3)，此氧化膜当作阳箔与阴箔间的绝缘层，氧化膜的厚度即为箔间之距离(d)，此厚度可由化成来加以控制，由于氧化膜的介电常数高且厚度薄，故电解电容器的容量较其它电容高。
电解电容的实值阳极是氧化膜接触之电解液，
而阴箔只是将电流传屋电解液而已，电解纸是用来帮助电解液及避免阳箔、阴箔直接接触因磨擦而使氧化膜磨损。
即电解电容器是高纯度之铝金属为阳极，以阳极氧化所开氧化膜作为电介质，以液体电解液为电解质，另与阴极铝箔所构成之电容器。
二、基本结构：套管、铝壳、胶水或胶带、电解纸、电解液、阳极
箔、阴极箔、铝端子、封口橡胶盖。
三、特点：容量大、体积大、有极性。
四、用途：它且有极性，一般用于直流电路中作滤波、整流。
五、工作电压：6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、
160V、200V、300V、400V
工作温度：6.3V～100V(-40℃～+105℃)；100V 以上(-40℃～+85℃)
六、电气测试的四大参数：
1.静电容量(CAP)：电容器是用来储存电荷的组件，电容器所能
储存电荷之能力，称之为电容器的容量。
计算公式：C= εKS／1.8πd
式中：C表示容量；S表示金属片面积；K表示腐蚀系数；
d表示介质厚度(两金属片距离)；ε表示介电系数从公式可以看出：C与S成正比；C与d成反比。
测试条件：120HZ 0.25V 25℃单位“uF”或“F”“nF”
2.损失角(DF)：电容器在电场作用下，单位时间内因发热而消耗
的能量称之为DF。
测试条件：120HZ 0.25V 25℃一般用“%”表示
3.泄漏电流(LC)：阳箔化成膜如不遭破坏，则阳极与阴极间应没
有电流流过，而在实际生产中化成膜并非十分完整，常会受到
轻微的污染、磨损，致使两极间有一少许电流流通，此电流叫
泄漏电流。
计算公式：6.3V～160V 容量*电压*0.01 (单位uA)
160V以上容量*电压*0.03(不足3uA计算) 测试条件：加电压达到工作电压，充电1分钟，20℃环境
4.等效串联电阻(LOW ESR)：任何物体都存在一定的电阻
计算公式：ESR=DF/2πfc
公式中：ESR单位为Ω；f表示频率(100KHZ)；C表示容量(F)
测试条件：100KHZ 0.25V
七、电解电容的制作流程及流程中应注意事项
阳极箔使用厚度约50～100mm，纯度99.99%以上，阳极箔厚
20～60mm，纯度99.80%以上
(原箔不纯物含量过多时，氧
)
电蚀的目的在于增加铝原箔之有效面积，以增加其单位元面积
阳极电蚀铝箔置于化成液中，利用电气化学原理使阳极电蚀铝
箔表面生成气化膜，此过程称为化成。
氧化膜厚度决定电容器两
极板间距离，故控制化成条件，可竿所容量，方式有：定电压化
成法及定电流上升定电压化成法。
硼酸化成液(适用于高电压化成) 化成液可分
磷酸系化成液(适用于150V 以下之低电压化成)
乙二酸系化成液(适用于低电压化成
)
氧化膜厚度与化成电压成正比，单位元面积电容量(化成电压成
反比)
不可有毛边(即毛刺)，会刺穿电解纸，发生短路或接触不良现
象
钉拉之铆钉花瓣应整齐规则，压紧应紧密，使铝箔与端子线间
(钉接阻抗)降至最低为理想，如钉接不良，会产生电容器
DF 值过大等严重不良后果(钉接阻抗需在0.5m Ω以
下)
阳极箔与阴极箔中间夹入宽度比铝箔稍宽之隔离纸，将其卷绕
大，卷钉应愈小愈好，否则会产生DF值偏大，CAP变小和不稳定等严重不良影响
电容器素子需保持适当而充分电解液量。
含浸在制造过程中有
DF、LC、寿命试验等特性(含浸前素子先干燥)
铝壳组合，每利用封口机将
外观、静电容量、损失角、泄漏电流、等效串联电阻
陶瓷电容(C/C)
一、构造：在磁质电体及银电极所构成之素子电极上焊接导线而成，
以银面为两极，以银片为两极，以陶瓷为介质，以镀锡铜线为
引线，用绝缘涂料包封(主要材料为瓷片，绝缘涂料一般为酚醋
树脂)
二、特点：容量小、耐压高
三、按特性分类可分为四大类
I类：温度补偿类(DCT) II类：高诱电率类(DCH) III类：半导体类(DLS) IV类：中高压型(DHK)
四、陶瓷电容的表示：
1.如：Y5P－102/1KV－K
1).“Y5P”是指在使用温度范围内它的容量变化率
“Y”：表示温度范围为-30℃～+85℃
“5”：表示温度上限85℃
“P”：表示容量变化率±10%
那么，“Y5P”就表示在-30℃～+85℃使用温度范围内，容量变化率为±10%
A.温度特性使用范围及变化率
代号使用温度范围变化率
Z5V：+10℃～+85℃+22%～82%
Z5U：+10℃～+85℃+22%～56%
Y5V：-30℃～+85℃+22%～82%
Z5V：-30℃～+85℃+22%～56%
X7R：-55℃～+125℃±15%MAX(一般为积层电容)
B.SL：-25℃～+85℃+350～1000PPM/℃
(此类为温度补偿类，是以静电容在温度系数公称值及此公称值的容许误差来表示的。
)
2).“102”是指容量：在25℃温度下所测出的容量，“102”即表
示“1000pF”
3).“1KV”指工作电压：是指规定之温度范围条件内能持续加诸
于电器而不致产生任何异常现象之最高电压而言。
4).“K”指容许误差：标称容量与实际容量之间有一定差别，这
偏差在容许范围内称容许误差，“K”表示“±10%”。
另外常用的有“M”表示“±20%”、“Z”表示“+80% -20%”。
五、制作流程：
压片→烤瓷片→清洗→烘干→涂银→烘干→TEST.C.DF→引脚与瓷片组合→焊锡→涂装→烘干→烘烤→打印MARK→TEST.C.DF.耐压→打腊→包装入库
六、我司常用陶瓷电容有常说有一般陶瓷电容、Y电容、积层电容、
SMD电容
1.一般陶瓷电容有湿式与干式两种
湿式：瓷粉+水密度低低压颜色为土黄色
干式：中高压耐压好颜色为蓝色接近Y电容
干式陶瓷电容与Y电容的区别：
Y电容本体标示有安规符号；干式陶瓷电容未标示安规符号。
2.Y电容：即交流陶瓷电容，属于安规电容。
特点是：安全性好
(对地跨接过高压时，对后面线路起保护作用)。
我厂所使用Y电容等级分Y1与Y2等级，区别首先看本体标示，一般Y1电容本体φ径较Y2本体φ径大。
3.积层电容：属陶瓷电容，不同之处：内部结构分层且紧密，目
的增大容量，温度特性为“X7R”
4.SMD电容：即为多层陶瓷电容器。