国外集成电路命名方法
集成厂商命名方法
日本三菱电机公司(MITSUBISHI)的集成电路命名方法日本三菱电机公司集成块命名方法由电特性：公司标志、温度范围、仿制系列名称标志、原产品系列、电路功能、封装形式六部分组成。
温度范围：5工业用／商业用9军用原产品系列：0 CMoS1 线性电路3 TTL10～19 线性电路仿制系列名称(厂商)K Mosteek公司MK系列L Inter公司系列T 德克萨斯公司系列G 通用仪器公司系列封装形式：K 玻璃——陶瓷封装P 塑料封装S 金属——陶瓷封装日本富士通有限公司集成电路命名方法日本富士通有限公司(FUJITSU)集成电路命名由电路性能、速度、电路序号、微型组件四部分组成。
电路性能：NEHL低功率封装：(供定货用)c 陶瓷M 标准型(塑料)z 陶瓷双列直插日本电气公司集成块命名方法日本电气公司(NEC)集成块命名一般由五部分组成，第一部分UP表示微型器件，第二部分表示电路种类，第三部分为电路序号，第四部分表示封装形式，第五部分表示是否为改进型。
电路种类：A 分立器件B 数字双极器件C 线性电路D 数字CMoS封装形式：C 塑料封装D 陶瓷或陶瓷双列直插松下电器公司集成电路命名方法日本松下电器公司命名由电路种类+电路序号两部分组成。
电路种类：AN 模拟DN 数字M·J 研制型号MN MoS电路日本三洋公司集成电路命名方法日本三洋公司集成电路命名由电路种类及电路序号两部分组成：电路种类：LA 双极线性电路LB 双极数字电路LD CMOS电路STK 厚膜电路电路序号：用四位数字表示，其中前二位区分电路主要功能，后二位是序号。
其中“12 ××”表示高频头放大器集成电路；“32××”表示前置放大集成电路；“33××”表示FM解调器集成电路；“41 ××～45××”表示功率放大集成电路；“55××”表示直流电机速度控制电路。
半导体集成电路型号命名法
半导体集成电路型号命名法1．集成电路的型号命名法集成电路现行国际规定的命名法如下：（摘自《电子工程手册系列丛书》A15，《中外集成电路简明速查手册》TTL，CMOS电路以及GB3430）。
器件的型号由五部分组成，各部分符号及意义见表1。
2．集成电路的分类集成电路是现代电子电路的重要组成部分，它具有体积小、耗电少、工作特性好等一系列优点。
概括来说，集成电路按制造工艺，可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和由二者组合而成的混合集成电路。
按功能，可分为模拟集成电路和数字集成电路。
按集成度，可分为小规模集成电路（SSI，集成度＜10个门电路〉、中规模集成电路（MSI，集成度为10～100个门电路）、大规模集成电路（LSI，集成度为100～1000个门电路）以及超大规模集成电路（VLSI，集成度＞1000个门电路）。
按外形，又可分为圆型（金属外壳晶体管封装型，适用于大功率），扁平型（稳定性好、体积小）和双列直插型（有利于采用大规模生产技术进行焊接，因此获得广泛的应用）。
目前，已经成熟的集成逻辑技术主要有三种：TTL逻辑（晶体管－晶体管逻辑）、CMOS 逻辑（互补金属－氧化物－半导体逻辑）和ECL逻辑（发射极耦合逻辑）。
TTL逻辑：TTL逻辑于1964年由美国德克萨斯仪器公司生产，其发展速度快，系列产品多。
有速度及功耗折中的标准型；有改进型、高速及低功耗的低功耗肖特基型。
所有TTL 电路的输出、输入电平均是兼容的。
该系列有两个常用的系列化产品，CMOS逻辑：CMOS逻辑器件的特点是功耗低，工作电源电压范围较宽，速度快（可达7MHz）。
ECL逻辑：ECL逻辑的最大特点是工作速度高。
因为在ECL电路中数字逻辑电路形式采用非饱和型，消除了三极管的存储时间，大大加快了工作速度。
MECL I系列产品是由美国摩托罗拉公司于1962年生产的，后来又生产了改进型的MECLⅡ，MECLⅢ型及MECL10000。
3．集成电路外引线的识别使用集成电路前，必须认真查对和识别集成电路的引脚，确认电源、地、输入、输出及控制等相应的引脚号，以免因错接而损坏器件。
国际集成电路的命名方法及定义
国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明ANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。
A/D；品；A、B、C：（多层陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）℃；E：芯片载体；D/A。
的产品。
（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）℃。
G：PGA封装（针栅阵列）；H：金属圆壳气密封装；M：金属壳双列密封计算机部件；N：塑料双列直插；Q：陶瓷浸渍双列（黑陶瓷）；CHIPS：单片的芯片。
同时采用其它厂家编号出厂产品。
缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）通用器件型号举例说明模拟器件产品型号举例说明首标器件编号温度范围封装筛选水平H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；（0-70）℃；P：塑封；/QM：MIL-STD-A、B、C：（-25-85）℃；G：陶瓷。
883产品。
R、S、T、V：（-55-125）℃。
军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）首标器件编号温度范围封装高可靠性等级V：（-55-125）℃；M：金属的；MIL-STD-883B。
U：（-25-85）℃；L：芯片载体。
W：（-55-125）℃。
DAC的型号举例说明首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示V:(-55-125)℃；CBI：互补二进制V：电压输出；U：（-25-85）℃。
输入；I：电流输出。
COB：互补余码补偿二进制输入；CSB：互补直接二进制输入；CTC：互补的两余码输入。
首标的意义：放大器转换器ADC：A/D转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样/保持的A/D转换器；INA：仪用放大器；DAC：D/A转换器；PGA：可编程控增益放大器；MPC：多路转换器；ISO：隔离放大器。
国外集成电路命名方法
缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明TL728首标器件编号首标温度范围首标符号意义AC：改进的双极电路；TIEF：跨导放大器；JANB：军用B级IC；TMS：MOS存储器/微处理器；SNC：IV马赫3级双极电路；TC：CCD摄像器件；RSN：抗辐射电路；TIL：光电电路；TAC：CMOS逻辑阵列；TIBPAL：双极可编程阵列逻辑。
同时采用仿制厂家的首标。
封装符号J、JT、JW、JG：陶瓷双列；LP：塑料三线；DBB、DGV：薄的超小型封装；RA：陶瓷扁平封装；P：塑料双列；N、NT、NW、NE、NF：塑封双列；PAG、PAH、PCA、PCB、PM、PN、PZ：塑料薄型四列扁平封装；FH、FN、FK、FC、FD、FE、FG、FM、FP：芯片载体。
数字电路系列符号GTL：Gunning Transceiver Logic；CBT：Crossbar Technology；ABTE：先进BiCMOS技术/增强收发逻辑；没标者为标准系列；H：高速系列；S：肖特基二极管箝位系列；AS：先进肖特基系列；ALS：先进低功耗肖特基系列；ABT：先时BiCMOS技术。
速度标志（MOS电路用）15：150ns MAX取数；25：250 ns MAX取数；2：200 ns MAX取数；温度范围数字和接口电路系列：55、54：（-55~125）℃；75、74：（0~70）℃；CMOS电路74表示（-40~85）℃；76：（-40~85）℃。
E温度范围LS系列SN：标准的数字电路；TIES：红外光源；TAT：STTL逻辑阵列；JBP：双极PMOS 883C产品；TBP：双极存储器；SNM：IV马赫1级电路；TIED：经外探测器；SMJ：MIL-STD-883B MOS电路；TIFPLA：双极扫描编程逻辑阵列；PH、PQ、RC：塑料四列扁平封装；D、DW：小引线封装；DBV：小引线封装；KA、KC、KD、KF：塑料功率封装；JD：黄铜引线框陶瓷双列；MC：芯片；L：低功耗系列；AHC/AHCT：先进高速CMOS逻辑；LS：低功耗肖特基系列；F：F系列（FAST）；HC/HCT：高速CMOS逻辑；17：170 ns MAX取数；35：350 ns MAX取数；3：350 ns MAX取数；双极线性电路：M：（-55~125）℃；E：（-40~85）℃；I：（-25~85）℃；C：（0~70）℃。
部分国际公司TTL集成电路型号命名规则
部分国际公司TTL集成电路型号命名规则(1)(美国)德克萨斯公司(TEXAS)例：SN 74 LS 20 J①②③④⑤说明：①表示德克萨斯公司标准电路②表示工作温度范围54系列：(一55～+125) ℃，74系列：(0～+70)℃③表示系列LS：低功耗肖特基系列ALS：先进的低功耗肖特基系列AS：先进的肖特基系列<空白>：标准系列，H：高速系列，L：低功耗系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。
⑤表示封装形式J：陶瓷双列直插N：塑料双列直插T：金属扁平W：陶瓷扁平(2)(美国)摩托罗拉公司(MOTOROLA)例：MC 74 194 P（注）①②③④说明：①表示摩托罗拉公司封装的集成电路②表示工作温度范围4，20，30，40，72，74，83：(0～+75)℃5，2l，3l，43，82，54，93：(－55～+125)℃③表示品种代号，表征了逻辑功能。
④表示封装形式F：陶瓷扁平L：陶瓷双列直插P：塑料双列直插(注：LS—TTL的型号同德克萨斯公司一致，如：SN74LSl94J)(3)(美国)国家半导体公司(NATIONAL SEMICONDUCTOR)例：DM 74 LS 161 N①②③④⑤说明：①表示国家半导体公司单片数字电路②表示工作温度74，80，8l，82，85，87，88：(0～+70)℃54，70，7l，72，75，77，78，93，96：(－55～+125) ℃83，96：(0～+75) ℃③表示系列<空白>：标准系列，H：高速系列，L：低功耗系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。
⑤表示封装形式D：玻璃——金属双列直插F：玻璃——金属扁平J：低温陶瓷双列直插N：塑料双列直插W：低温陶瓷扁平(4)(日本)日立公司(HITACHI)例：HD 74 LS 191 P①②③④⑤说明：①表示日立公司数字集成电路②表示工作温度范围74：(－20～+75)℃③表示系列<空白>：标准系列，LS：低功耗肖特基系列，S：肖特基系列④表示品种代号，表征了逻辑功能。
集成电路的命名
集成电路的命名目前，集成电路的命名国际上还没有一个统一的标准，各制造公司都有自己的一套命名方法，给我们识别集成电路带来很大的困难，但各制造公司对集成电路的命名总还存在一些规律。
下面列出一些常见的集成电路生产公司的命名方法供大家参考。
1.National Semiconductor Corp.（国家半导体公司〕AD：A/D转换器；DA：D/A转换器；CD：CMOS数字电路；LF：线性场效应；LH：线性电路（混合〕；LM：线性电路〔单块〕；LP：线性低功耗电路。
2.RCA Corp. (美国无线电公司)CA、LM：线性电路；CD：CMOS数字电路；CDM；CMOS大规模电路。
3.Motorola Semiconductor Products,Inc. (摩托罗拉半导体公司)MC：密封集成电路；MMS：存储器电路；MLM：引线于国家半导体公司相同的线性电路。
4.NEC Electronics,Inc. (日本电气电子公司)uP: 微型产品。
A：组合元件； B：双极型数字电路；C：双极型模拟电路； D：单极型数字电路。
例：uPC、uPA等。
5.Sanyo Electric Co.,Ltd. (三洋电气有限公司)LA：双极型线性电路；LB：双极型数字电路；LC：CMOS电路；STK：厚膜电路。
6.Toshiba Corp. (东芝公司)TA：双极型线性电路；TC：CMOS电路；TD：双极型数字电路；TM：MOS电路。
7.Hitachi,Ltd. (日立公司)HA：模拟电路；HD：数字电路；HM：RAM电路； HN：ROM电路；8.SGS Semiconductor Corp. (SGS半导体公司)TA、TB、TC、TD：线性电路； H：高电平逻辑电路；HB、HC：CMOS电路。
例：TD A 后\\\'A\\\'为温度代号。
部分集成电路制造公司名称及型号前缀先进微器件公司〔美国〕AM模拟器件公司〔美国〕 AD仙童半导体公司〔美国〕F、uA富士通公司〔日本〕 MB、MBM日立公司〔日本〕HA、HD、HM、HN英特尔公司〔美国〕 I英特西尔公司〔美国〕 ICL、ICM、IM松下电子公司〔日本〕 AN史普拉格电气公司〔美国〕 ULN、UCN、TDA三菱电气公司〔日本〕 M摩托罗拉半导体公司〔美国〕 MC、MLM、MMS国家半导体公司〔美国〕LM、LF、LH、LP、AD、DA、CD 日本电气有限公司〔日本〕 uPA、uPB、uPC新日本无线电有限公司〔日本〕NJM冲电气工业公司〔日本〕MSM飞利浦元件公司〔荷兰〕HEF、TBA、TDA三星半导体公司〔韩国〕KA、KM、KS山肯电气有限公司〔日本〕 STR三洋电气有限公司〔日本〕 LA、LB、LC、STKSGS电子元件公司〔意大利〕TDA、H、HB、HC夏普电子公司〔日本〕 LH、LR、IX西门子公司〔德国〕 SO、TBA、TDA西格乃铁克斯公司〔美国〕 NE、SE、ULN索尼公司〔日本〕BX、CX东芝公司〔日本〕TA、TC、TD、TM。
集成电路命名方法
1、日本松下电器公司集成电路命名方法（PANASONIC）AN（电路种类）XXXX（电路序号）电路种类：AN：模拟，DN：数字M．J：研制型号，MN：MOS电路2、日本三洋公司命名方法（SANYO）LA（电路种类）XXXX（电路序号）电路种类：LA：双极线性电路，LB：双极数字电路LD：CMOS电路，STK：厚膜电路3、日本东芝公司集成电路命名方法（TOSHIBA）TA（电路种类）XXXX（电路序号）A（是否改进型）P（封装形式）电路种类：TA：双极线性电路，TC：CMOS电路TD：双极数字电路，TM：MOS电路4、日本电气公司集成电路命名方法（NEC）UP（微型器件）C（电路种类）XXXX（电路序号）C（封装形式）X（改进型）电路种类：A：分立器件B：数字双极器件C：线性电路，D：数字CMOS封装形式：C：塑料封装，陶瓷或陶瓷双列直插5、欧洲电子联盟荷兰飞利浦公司（PHILIPS）TDA（模拟电路）XXXX（电路序号）P（封装形式）6、德克萨斯仪器公司（TEXAS INSTRUMENTS CO）商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：N，NE—塑封DIP AC—先进双极IC NT—塑封DIP，24脚SN—标准IC FN—塑料单层四方芯片载体TAC—CMOS逻辑阵列DJ—小外形封装TL—线性电路TMS—MOS存储器/微处理器TC—CCD图像器7、仙童公司（FAIRCHILD CO.）商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：F—扁平封装F—仙童P—塑封DIPSH—混合T—小型DIPuA—线性D—陶瓷DIP8、RCA公司商标略！前缀字母含义：后缀字母含义：E—双列直插CA—线性IC EN—窄双列直插CD —CMOS数字IC M—小型外塑封PA—门阵列D—陶瓷双列直插SC—标准单元9、国家半导体公司10、模拟器件公司（）11、摩托罗拉公司（）来自于93年无线电合订本522页。
国外集成电路命名方法(二)
国外集成电路命名方法(二)
国外集成电路命名方法(电路系列缩写符号,介绍了国外集成电路命名方法)
缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明
缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明
缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司
缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）
器件型号举例说明
缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明
器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）
缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）器件型号举例说明。
集成电路型号命名
集成电路型号命名国产IC各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志（详情请看IC前缀与厂家介绍），同类产品序号也不一样，有的IC型号、序号与引进的一样。
与国际同类品种一致二、日本松下公司半导体集成电路型号的命名1、双极型线性集成电路：XX XX XX X第4 部分，2个字母第3 部分，2个数字第2部分，2个数字第1部分，1个字母例：AN 12 34 S（1）、第1部分双极型集成电路有两个标志（包括AN及DN）是按照电路类型而划分的。
AN 双极型集成电路、线性集成电路（模拟电路）DN 数字集成电路MN MOS电路EP 两个字母表示微型计算机或小批量生产（2）、第2部分这部分数字与应用领域有关（有一些例外），对于专用集成电路，在数字后面加上1～2个字母作为特性的区分（常规的集成电路不用这些字母。
对于稳压电源，根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母，例：AN78L04。
对于三极管阵列，根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母，例ANB00。
第2部分的数字与其应用领域有关,例：第2部分数字应用领域10～19 运算放大器、比较电路20～25 摄像机26～29 电视唱片30～39 录像机40～49 运算放大器50～59 电视机60～64 录像机及音响65 运算放大器及它66～68 工业用及家用电器69 比较器及其它70～76 音响方面的用途78～80 稳压器81～83 工业用及家用电器90 三极管阵列（3）、第3部分用二位数字，其范围一般为00～99，例如AN4321（4）、第4部分一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况下大致用大致字母S、P、N。
AN××××S：字母S是指小型扁平封装；AN××××K：使用收缩双列直插式封装；AN××××P：使用普通塑料封装；AN××××N：字母N表示改进型（5）、其它：OM200：（助听器）是上述线性集成电路标志的例外。
集成电路型号的命名方法
集成电路型号的命名方法概述纵观集成电路的型号，大体上包含这些内容：公司代号、电路系列或种类代号、电路序号、封装形式代号、温度范围代号和其他一些代号。
这些内容均用字母或数字来代表。
一般情况下，世界上很多集成电路制造公司将自己公司名称的缩写字母或者公司的产品代号放在型号的开头，表示该公司的集成电路产品。
例如：日本东芝公司产品型号用字母T开头，如图9-4(a)所示，TA7687AP即为型号。
三菱公司的产品型号开头字母为M，M50560即为型号，如图9-4(b)所示。
美国摩托罗拉公司产品型号的开头字母为MC，如图9-4(c)所示，MC14017BCP为型号。
对于此类集成电路，只要知道了该集成电路是哪个国家、哪个公司的产品，按相应的集成电路手册去查找即可。
图9-4 集成电路型号标注法(一)此外，识别集成电路还可用先找出产品公司商标的办法。
因为有不少厂商或公司的集成电路，其型号的开头字母不表示厂商或公司的缩写、代号，而是表示功能、封装或种类等。
例如，以生产计算机芯片著称于世的美国英特尔公司，其型号的第一个字母表示使用范围，如M表示军用，I表示工业用，不标则为商业用;第二个字母表示封装，如P为塑封，D为密封等。
图9-5(a)所示为塑封8031单片微处理器芯片;图9-5(b)中集成电路为日本松下公司的产品，它的开头字母表示器件类型，AN 表示模拟电路，DN 表示数字电路。
对于此类集成电路，可以先找到芯片上的商标，确定生产厂商或公司后，再查找相应的手册。
图9-5 集成电路型号标注法(二)国产集成电路型号命名方法根据国家标准BG 3430——1989 的规定，集成电路的型号由以下 5部分组成，如图9-6所示。
图9-6 国产集成电路型号命名的组成各部分表示方法的规定见表9-1～表9-4。
▼表9-1 表示器件类型的主要字母表▼表9-2 器件系列品种的表示规定▼表9-3 表示器件工作温度范围的字母表▼表9-4 表示器件封装形式的字母表注：表中括号内字母为国外表示方法。
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国外集成电路命名方法器件型号举例说明( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）)
器件型号举例说明( 缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）)
通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB 译名：布尔-布朗公司（美）)
模拟器件产品型号举例说明( 缩字字符：BUB译名：布尔-布朗公司（美）)
器件型号举例说明( 缩写字符：CYSC译名：丝柏（CYPRESS）半导体有限公司)
缩写字符：HAS 译名：哈里斯公司（美）
80C86系列型号举例说明
缩写字符：INL 译名：英特希尔公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：MOTA 译名：摩托罗拉公司（美）
器件型号举例说明
缩写符号：MPS 译名：微功耗系统公司（美）器件型号举例说明
缩写字符：NECJ译名：日本电气公司（日）
NECE日本电气公司美国电子公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：NSC译名：国家半导体公司（美）器件型号举例说明
缩写字符：PHIN译名：菲利浦公司（荷兰）器件型号举例说明
缩写字符：PMI译名：精密单片公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：PRSC译名：特性半导体有限公司器件型号举例说明
缩写符号：QSI 译名：高级半导体公司
器件型号举例说明
缩写字符：ZIL译名：吉劳格公司（美）
器件型号举例说明
缩写字符：RCA译名：美国无线电公司（现为GE－RCA公司）
器件型号举例说明
缩写符号：SGL译名：硅通用公司（美）器件型号举例说明
缩写字符：SGSI译名：意大利国家半导体公司
器件型号举例说明（采用欧洲共同体、PRO、ELECTRON的符号）
缩写符号：SANYO（TSAJ）译名：三洋公司（日）
器件型号举例说明
缩写符号：SIC 译名：西格尼蒂克公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：SIEG 译名：西门子公司（德）
器件型号举例说明（与欧共体相一致）
缩写符号：THEF译名：汤姆逊公司（法）器件型号举例说明（与欧共体相一致）
老产品型号举例说明
汤姆逊公司其它部分首标的型号举例说明
缩写符号：TII 译名：得克萨斯公司（美）器件型号举例说明
缩写符号：VTC译名：VTC公司器件型号举例说明
缩写字符：TOSJ译名：东芝公司（日）
器件型号举例说明
缩写符号：MATJ译名：松下电气公司（日）
器件型号举例说明
缩写符号：HITJ译名：日立公司（日）器件型号举例说明
缩写符号：IDT译名：集成器件技术公司器件型号举例说明。