半导体激光器的应用与分类
半导体激光器LD

B 输出的波长为:
2 B
2ne Le
(m 1 / 2) m是纵模的阶数
谢谢
激光测距、医疗军事等领域得到广泛的应用。在光信息处理、光计算等新领 域也将发挥重要的作用。
二、半导体激光器的工作原理
1.受激吸收:在电流或光作用下,价带中的电子获得能量跃迁的导
带中,在价带中留下一个空穴,称为受激吸收。这就必须要有足够强 的电流注入,即有足够的粒子数反转,粒子数反转程度越高,得到的 增益就越大,即要求必须满足一定的电流阈值条件。
三、半导体激光器的一般构成
光反馈装置 输出光 有源区 频率选择元件 光波导
LD的通用结构 构成部分: 1.有源区 有源区是实现粒子数反转分布、有光增益的区域。 2.光反馈装置 在光学谐振腔内提供必要的正反馈以促进激光振荡。 3.频率选择元件 用来选择由光反馈装置决定的所有纵模中的一个模式。 4.光波导 用于对所产生的光波在器件内部进行引导。
2.自发辐射与受激辐射:导带的电子不稳定,向价带跃迁与空穴
复合而放出光子——光辐射。如果跃迁是自发的,则光子具有随机的 方向、相位及偏振态,称为自发辐射;如果受到入射光子的激励,辐 射的光子与入射光子有相同的方向、相位及偏振态,称为 - E1 = hv hv
E2 E1 (a) 受激跃迁
天津大学电子信息工程学院 School of Electronic Information Engineering
半导体激光器
朱守奎 ,马小品 2014年11月7日
一、简单介绍
1. 激光:英文LASER是Light Amplification by Stimulated Emission
of Radiation (受激辐射放大光)的缩写。
半导体激光器的应用与分类

半导体激光器的应用与分类半导体光发射器是电流注入型半导体PN结光发射器件,具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽,转换效率高、高可靠和易于集成等特点,被广泛应用。
按照其发光特性,可分为激光二极管(又称半导体激光器或二极管激光器,Laser Diode,LD),通常光谱宽度不]于5nm(采取专门措施可不大于0.1nm);发光二极管(Light Emitting Diode,LED),光谱宽度一般不小于50nm;超辐射发光二极管(Superluminescent Dmde,SLD),光谱宽度不大于5nm(采取专门措施可不大于0.1nm);发光二极管(Light Emiltting,LED),光谱宽度一般不小于50nm;超辐射发光二极管(Superluminescent SLD),光谱宽度为30~50nm,本节重点介绍几种半导体激光器,钽电容简要介绍超辐射发光二极管。
半导体激光器的分类有多种方法。
按波长分:中远红外激光器、近红外激光器、可见光激光器、紫外激光器等;按结构分:双异质结激光器、大光腔激光器、分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器;按应用领域分:光通信激光器、光存储激光器、大功率泵浦激光器、引信用脉冲激光器等;按管心组合方式分:单管、阵列(线阵、面阵);按注入电流工作方式分:脉冲、连续、准连续等。
LD主要技术摄技术指标有光功率、中心波长、光谱宽度、阈值电流、工作电流、工作电压、斜率效率和电光转换效率等。
半导体激光器的光功率是指在规定驱动电流条件下输出的光功率,该指标直接与工作电流对应,这体现了半导体激光器的电流驱动特性。
如果是连续驱动条件,T491T336M004AT则输出功率就是连续光功率,如果是脉冲驱动条件,输出的光功率可用峰值功率或平均功率来衡量。
hymsm%ddz半导体激光器的中心波长是指激光器所发光谱曲线的中心点所对应的波长,通常用该指标来标称激光器的发光波长。
光谱宽度是标志个导体激光器光谱纯度的一个指标,通常用光谱曲线半高度对应的光谱全宽来表示。
半导体激光器的应用

半导体激光器的应用医疗领域是半导体激光器的主要应用领域之一、激光器可以通过光热效应将光能转化为热能,用于治疗皮肤病、血管瘤、青春痘等病症。
此外,激光刀也是目前广泛使用的治疗癌症的手术工具,激光光束能够定点破坏癌细胞,保护周围健康组织,达到肿瘤切除的目的。
通信领域是半导体激光器的另一个重要应用领域。
半导体激光器可以产生高度单色的光束,被广泛应用于光纤通信中的光源。
激光器可将电信号转化为光信号,通过光纤传输,具有传输距离远、带宽大等优点。
目前,光纤通信已经成为主要的通信方式,而激光器又是光纤通信的关键设备之一激光显示器也是一种半导体激光器的应用。
激光显示器利用激光束扫描方式进行图像显示,能够实现高清晰度和高亮度的图像效果。
与传统液晶显示器相比,激光显示器具有色彩饱和度高、对比度大等优势,并且能够生产超薄、柔性显示器,因此广受关注。
材料加工领域也是半导体激光器的重要应用之一、激光束的光能可以在物体上产生高温,从而实现快速切割、焊接、打孔等加工工艺。
激光加工具有加工速度快、无接触、操作灵活等特点,被广泛应用于制造业中的精密加工、微细加工等领域。
半导体激光器还在军事领域、光电子器件领域、生物医学领域、环境监测领域等得到广泛应用。
例如,激光雷达可以实现精确测距,被广泛应用于军事侦察、安防监控等领域;激光测距仪可以应用于仪器仪表、工程测量等领域;激光扫描仪可以实现三维重建,被广泛应用于航空测绘、地质勘探等领域。
总之,半导体激光器在各个领域中都有着重要的应用,随着科技的不断进步和发展,半导体激光器的应用前景也将越来越广阔。
半导体激光的原理和应用

半导体激光的原理和应用引言半导体激光是一种重要的光学器件,具有广泛的应用领域。
本文将介绍半导体激光的工作原理及其在通信、医疗、制造业等领域的应用。
工作原理半导体激光的工作原理基于半导体材料的特性。
当电流通过半导体材料时,会激发出光子并形成发光。
具体工作原理如下:1.pn结构:半导体激光器的基本结构是由p型半导体和n型半导体组成的pn结构。
在pn结构中,p区和n区之间形成空间电荷区,也称为p-n 结。
2.电流注入:当通过pn结施加适当的电压,电子从n区向p区流动,形成电流注入。
这些电子与空穴在p区与n区之间复合,产生光子。
3.光反射:在激光器的两侧,通常会使用反射镜,以确保光子在激光器内部多次反射,增加激射效果。
4.放大效应:在光子多次反射后,激光器中的光子会被放大,形成激光束。
5.激光输出:当光子放大到一定程度时,会通过激光输出端口输出,形成一束聚焦强度高的激光。
应用领域半导体激光广泛应用于下述领域:1. 通信领域•光纤通信:半导体激光器的小体积、高效率和调制速度的优势,使其成为光纤通信中的关键元件。
它们被用于发送和接收信号,实现高速、稳定的数据传输。
•光纤传感器:半导体激光器可以用于光纤传感器中的光源,通过测量光的特性实现温度、压力和应变等参数的监测。
2. 医疗领域•激光眼科手术:半导体激光器可以用于激光眼科手术,如LASIK手术。
它们通过改变角膜的形状来矫正近视、远视和散光等眼科问题。
•激光治疗:半导体激光器可以用于激光治疗,如治疗疱疹病毒感染、减少毛囊炎症等。
3. 制造业领域•材料加工:半导体激光器用于材料加工,如切割、焊接和打孔等。
由于激光束的高能量密度和聚焦性,它们可以实现高精度的材料加工。
•激光制造:半导体激光器可以用于激光制造,如3D打印、激光烧结等。
它们可以实现复杂结构的制造,提高生产效率。
4. 科研领域•光谱分析:半导体激光器可以用于光谱分析,如拉曼光谱和荧光光谱。
它们可以提供高分辨率和高灵敏度的光谱结果,帮助科研人员研究物质的性质。
半导体激光器的原理及其应用

半导体激光器的原理及其应用半导体激光器(Semiconductor Laser)是一种将电能转化为光能的电器器件,它利用特定材料中的半导体结构实现激光的放大和产生。
半导体激光器在通信、医疗、信息技术、材料处理等领域中有着广泛的应用。
本文将详细介绍半导体激光器的工作原理及其在不同领域中的应用。
首先,受激辐射是激光器产生激光的基本原理。
半导体激光器利用电子和空穴在半导体材料中的受激跃迁过程产生激光。
当电子从高能级跃迁到低能级时,会放出能量,产生光子。
激光的频率由能带结构决定,不同材质的半导体激光器可以产生不同频率的激光。
其次,光放大是激光器中的一个过程,它使得光子得以在介质中反复穿过并放大。
半导体激光器中利用光子在半导体材料中的受激辐射过程反复放大,产生激光。
半导体材料通常是由n型和p型半导体构成的p-n结构,在这个结构中,通过电流激活半导体材料,使得电子和空穴在材料中产生受激跃迁。
最后,频谱调制是调整激光器输出频率的过程。
通过对激光器中的电流进行调制,可以改变激光器输出的光频率,实现不同应用需求下的频谱调制。
半导体激光器在通信领域中有着广泛应用。
将半导体激光器与光纤相结合,可以实现高速、长距离的光通信系统。
半导体激光器的小体积和低功耗使其成为光通信系统中的理想光源。
在光通信系统中,半导体激光器可以用于光纤通信、光纤传感和激光雷达等方面。
此外,半导体激光器在医疗领域中也有重要应用。
激光手术、激光治疗和激光诊断等技术中,半导体激光器可以提供高效、精确的激光光源,对人体组织进行准确的切割、焊接和光疗。
与传统治疗方法相比,激光器手术可以实现非侵入性、精细化的治疗,减少患者的痛苦和恢复时间。
此外,半导体激光器还广泛应用于信息技术领域。
它可以作为光纤传输中的光源,用于高速数据传输。
在信息存储和显示技术中,半导体激光器可以用于光盘、激光打印和激光投影等设备中。
此外,半导体激光器还可以用于材料加工和材料科学研究中。
半导体激光器ppt课件

应用:
半导体激光器应用十分广泛,主要分布在军事、生产和医疗方面:
军事:Ⅰ)激光引信。半导体激光器是唯一能够用于弹上引信的激光器。 Ⅱ)激光制导。它使导弹在激光射束中飞行直至摧毁目标。 Ⅲ)激光测距。主要用于反坦克武器以及航空、航天等领域。 Ⅳ)激光雷达。高功率半导体激光器已用于激光雷达系统
目录
CONTENTS
1 基本介绍及发展 2 基本原理及构成
3 主要特性
4 分类、应用及发展前景
基本介绍及发展
高能态电子束>低能态电子束
高能态
低能
态
同频同相
的光发射
同频同相光 谐振腔内多次往返
放大
激光
激光:通过一定的激励方 式,实现非平衡载流子的 粒子数反转,使得高能态 电子束大于低能态电子束, 当处于粒子数反转状态的 大量电子与空穴复合时, 便产生激光。
激光具有很好的方向性和 单色性。用途十分广泛
高功率半导体激光器
① 、1962年9月16日,通用电气公司的罗伯特·霍尔 (Robert Hall) 带领的研究小组展示了砷化镓(GaAs)半导体的红外发射, 首个半 导体激光器的诞生。 ②、70年代,美国贝尔实验室研制出异质结半导体激光器,通过对光 场和载流限制,从而研制出可在室温下连续运转且寿命较长的激光器。 ③、80年代,随着技术提升,出现了量子陷和超晶格等新型半导体激 光器结构; 1983年,波长800nm的单个输出功率已超过100mW,到 了1989年,0.1mm条宽的则达到3.7W的连续输出,转换效率达39%。 ④、90年代在泵浦固体激光器技术推动下,高功率半导体激光器出现 突破进展。。1992年,美国人又把指标提高到一个新水平:1cm线阵 连续波输出功率达121W,转换效率为45%。
半导体激光器分类

半导体激光器分类半导体激光器是一种利用半导体材料发射激光的器件,广泛应用于通信、医疗、材料加工等领域。
根据工作原理和结构特点的不同,半导体激光器可以分为多种类型。
一种常见的分类方法是按照激光器的发射波长来划分。
根据波长的不同,可以将半导体激光器分为红外激光器、可见光激光器和紫外激光器。
红外激光器的波长范围通常在850纳米以上,可见光激光器的波长范围在400-700纳米之间,而紫外激光器则在400纳米以下。
不同波长的激光器在应用中具有各自的优势,红外激光器常用于光通信和激光雷达,可见光激光器常用于显示技术和医疗美容,紫外激光器则常用于半导体制造和科学研究领域。
另一种常见的分类方法是按照激光器的结构来划分。
半导体激光器的结构多样,常见的包括边发射激光器、面发射激光器和垂直腔面发射激光器。
边发射激光器是最早出现的半导体激光器,其激光沿着半导体材料的边缘传播。
面发射激光器则通过在半导体材料表面刻蚀出反射镜结构来实现激光输出。
垂直腔面发射激光器是一种结构复杂但性能优越的半导体激光器,其激光从器件的顶部垂直发射,具有较高的功率和较窄的光谱宽度。
半导体激光器还可以根据工作方式来分类。
常见的工作方式包括连续波激光器和脉冲激光器。
连续波激光器持续不断地输出激光,适用于需要稳定输出功率的应用,如医疗激光手术和材料加工。
脉冲激光器则以脉冲的形式输出激光,适用于需要高峰值功率的应用,如激光雷达和激光打印。
总的来说,半导体激光器是一种功能强大、应用广泛的光电器件,不同类型的半导体激光器在波长、结构和工作方式上各有特点,可以根据具体应用需求选择合适的类型。
随着科技的不断发展,半导体激光器将在更多领域展现出其独特的优势,为人类生活和工作带来更多便利和可能。
半导体激光器的原理及应用论文

半导体激光器的原理及应用论文半导体激光器是使用半导体材料作为激光活性介质的激光器。
其工作原理主要是通过半导体材料中的电子与空穴的复合过程产生光辐射,然后通过光放大与反射来形成激光输出。
半导体激光器具有小体积、高效率、快速调谐和易集成等特点,广泛应用于光通信、激光雷达、光储存等领域。
半导体激光器的基本结构包括激活区、pn结以及光反射与光增强结构。
激活区是半导体材料的核心部分,通过电流注入产生电子空穴复合过程来产生光辐射。
pn结是半导体激光器的结电阻,通过透明导电薄膜使电流从n区流入p区,进而在激活区形成电子空穴复合。
光反射与光增强结构包括反射镜和波导,用于增加激光器输出的光强度与方向性。
半导体激光器具有广泛的应用领域。
在光通信领域,半导体激光器被广泛用于光纤通信和光纤传感器系统。
半导体激光器通过调制光信号,可以实现高速传输,并且具有高能效和稳定性。
在激光雷达领域,半导体激光器用于提供高亮度、窄线宽和快速调谐的激光源,用于实现高分辨率的距离测量和目标识别。
在光储存领域,半导体激光器用于光盘、蓝光光盘等储存介质的读写操作,具有高速、高信噪比和长寿命等特点。
近年来,半导体激光器的研究重点主要是提高其性能和功能。
例如,通过调制技术可以实现高速调制,将半导体激光器应用于光通信的需要;通过外腔技术可以实现单纵模输出,提高激光的空间一致性和色散特性,扩展其应用领域;通过量子阱技术可以实现更高的量子效率和辐射效率,提高激光器的功率和效能。
总之,半导体激光器作为一种重要的激光器件,在光通信、激光雷达、光储存等领域具有广泛的应用前景。
随着相关技术的不断发展与进步,半导体激光器的性能与功能将得到进一步的提升,为相关领域的应用带来更多的机遇和挑战。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
半导体激光器的应用与分类
半导体光发射器是电流注入型半导体PN结光发射器件,具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽,转换效率高、高可靠和易于集成等特点,被广泛应用。
按照其发光特性,可分为激光二极管(又称半导体激光器或二极管激光器,Laser Diode,LD),通常光谱宽度不]于5nm(采取专门措施可不大于0.1nm);发光二极管(Light Emitting Diode,LED),光谱宽度一般不小于50nm;超辐射发光二极管(Superluminescent Dmde,SLD),光谱宽度不大于5nm(采取专门措施可不大于0.1nm);发光二极管(Light Emiltting,LED),光谱宽度一般不小于50nm;超辐射发光二极管(Superluminescent SLD),光谱宽度为30~50nm,本节重点介绍几种半导体激光器,钽电容简要介绍超辐射发光二极管。
半导体激光器的分类有多种方法。
按波长分:中远红外激光器、近红外激光器、可见光激光器、紫外激光器等;按结构分:双异质结激光器、大光腔激光器、分布反馈激光器、垂直腔面发射激光器;按应用领域分:光通信激光器、光存储激光器、大功率泵浦激光器、引信用脉冲激光器等;按管心组合方式分:单管、阵列(线阵、面阵);按注入电流工作方式分:脉冲、连续、准连续等。
LD主要技术摄技术指标有光功率、中心波长、光谱宽度、阈值电流、工作电流、工作电压、斜率效率和电光转换效率等。
半导体激光器的光功率是指在规定驱动电流条件下输出的光功率,该指标直接与工作电流对应,这体现了半导体激光器的电流驱动特性。
如果是连续驱动条件,T491T336M004AT则输出功率就是连续光功率,如果是脉冲驱动条件,输出的光功率可用峰值功率或平均功率来衡量。
hymsm%ddz
半导体激光器的中心波长是指激光器所发光谱曲线的中心点所对应的波长,通常用该指标来标称激光器的发光波长。
光谱宽度是标志个导体激光器光谱纯度的一个指标,通常用光谱曲线半高度对应的光谱全宽来表示。
半导体激光器的光场是发散的而且是不对称的。
在垂直PN结平面方向(快轴方向),发散角较大,通常在20°~45°之间;在平行PN结平面方向(慢轴方向),发散角较小,通常在6°~12°之间。
由此可以看出,半导体二极管激光器的光场在空间分布呈椭圆形。
半导体激光器阈值电流是指只有驱动电流高于该阈值电流,激光器才会有激光输出,这一特点也是激光器区别于发光管的一个特点,发光管没有阈值特性。
半导体激光器的工作电流是指激光器正常工作时所对应的工作电流,工作电压是指正常工作时PN结两端或正负极之间的电压。
导体激光器的斜率效率是指PN曲线的斜率,单位为W/A。
它表征激光器注入单位电流转换为光功率的能力。
电光转换效率是指注入单位电功率转换为光功率的比值,这一指标是激光器内量子效率、外量子效率、串联电阻等指标的综合体现。
LD的主要光电指标均对温度敏感,随工作温度升高性能下降,波长随温度升高而向长波方向发生移动。
对输出功率和波长稳定性有较高要求时,需要进行功率和温度控制,通常把LD做成一个发射组件,即在LD后腔面集成一个光电二极管用于监测光功率;在热沉的适当位置设置热敏电阻,监测光源工作温度。
主要有光纤通信、激光引信、激光雷达、激光测距、激光制导、核爆模拟等。
(1)光纤通信用半导体激光器
1310nm半导体激光器、1550mn分布反馈(Distributing Feedhaek,DFB)半导体激光器和980nm半导体激光器为光纤通信的三个主导产品。
其中1310nm和1550nm分别对应石英光纤低色散和低损耗窗口,可实现光纤通信大容量、长距离传输。
若将980nm激光器为泵源的掺铒光纤放大器引入到1550nm光纤通信系统,可实现无中继的直接光放大,系统传输距离达300km以上。
半导体激光器性能的提高有力地推动着信息技术的发展。
(2)蓝、绿光半导体激光器T491C476K004AT
蓝、绿光激光在海水中传播时,损耗低,在水下100m传播时的损耗要比其他波长的光低约20dB;蓝、绿光在水中的穿透能力达600m,因此,利用它可实现海中潜艇之间的通信。
(3)泵浦源大功率半导体激光器
不同波长的连续、准连续大功率半导体激光器商用进程的加快,源于量子阱( Quantum Well,QW)和应变量子阱(Strain Layer QW,SL - QW)新
型外延技术突破。
量子阱材料生长技术将大功率半导体激光器的指标提高到一个新水平:1cm线阵LD连续波输出功率达121W,转换效率为45%,输出功率最高达到200W以上。
输出功率为600W、lkW、1.5kW、3kW等高功率LD阵列系列均商用化。
美国准连续LD阵列最高输出功率达42kW。
高效率、高功率LD及其列阵性能的迅速提高也推动了全固态激光器的迅猛发展。
(4)高速激光器
高速激光器可实现微波信号或数字信号在光纤中的传输,是高速光通信、高速数字信号传输、光纤延迟线、光控相控阵天线和机载雷达装置中光纤同步系统的理想光源。
射频信号由SMA插头经微带传输线加载到激光器上,产生调制光输出。
2.5Gb/s,1310nmDFB激光器组件具有直接凋制动态单模特性,边模抑制能力强,数字电信号强度可调制LD变成光脉冲在光纤系统中传输。
美、日、德等国的短波长激光器的调制频率已达到20G~30GHz 以上。
应变层量子阱激光器足新一代高速宽频带光源,根据理论讣算,应变In x Ca1-
/A s/InP/MQW LD的3dB本征带宽可达到90GHz。
x
(5)超辐射发光二极管
大功率宽光谱超辐射发光二极管为弱相干光源,具有较大的光输出功率,光斑尺寸与激光光斑尺寸相近,作为光纤陀螺的光源,能有效地与单模光纤耦合,其大功率可提高系统信噪比;宽发射光谱可降低瑞利噪声,减小由偏振交叉耦合和克尔效应引起的相干误差,KEMET从而提高陀螺的灵敏度和检测精度,采用八针蝶式SLD光纤陀螺结构紧凑,功耗低,可靠性高。