晶圆(Wafer) 制程工艺学习
晶圆(Wafer) 制程工艺学习
晶圆（Wafer）制程工藝學習晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。
一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。
一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅晶棒，约需2天半时间长成。
经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。
光学显影光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。
小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。
由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。
因此俗称此区为黄光区。
干式蚀刻技术在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。
干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。
电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。
首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。
此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。
晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。
芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。
基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。
如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。
2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。
化学气相沉积技术化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。
晶圆制造工艺流程9个步骤
晶圆制造工艺流程9个步骤嘿，朋友们！今天咱来聊聊晶圆制造工艺流程的那9 个神奇步骤呀！你想想看，就像盖房子得先打地基一样，晶圆制造也是个精细活儿。
第一步呢，就是要准备好那片晶圆衬底，这就好比是房子的根基呀，得稳稳当当的。
然后呢，就要在上面进行氧化啦，给它穿上一层“保护衣”，就像我们冬天要穿厚棉袄一样。
接下来呀，是光刻！这可重要了，就像是在晶圆这个大画布上精心描绘图案，得特别仔细，不能有一点儿差错呢。
然后就是刻蚀啦，把不需要的部分去掉，就好像雕刻大师在精心雕琢一件艺术品。
离子注入这一步呢，就像是给晶圆注入了特别的力量，让它变得更强大、更有本领。
薄膜沉积呢，就像是给晶圆披上了各种好看的“外衣”，让它变得更加丰富多彩。
化学机械抛光这一步呀，就像是给晶圆来个彻底的“美容”，让它变得光滑又亮丽。
测试这一步可不能少，就像我们考试一样，得看看晶圆合不合格呀。
最后一步，就是封装啦，把晶圆好好地保护起来，让它能安全地去发挥自己的作用。
你说这晶圆制造工艺流程是不是特别神奇呀！从一块普通的衬底，经过这么多步骤的精心打造，最后变成了能在各种电子设备里大显身手的重要部件。
这就跟一个小娃娃慢慢长大，变成一个有本事的大人一样呢！每个步骤都那么重要，少了哪一个都不行。
想象一下，如果其中一个步骤出了问题，那整个晶圆不就毁了吗？所以呀，那些制造晶圆的人可得特别细心、特别专业才行。
他们就像是一群神奇的魔法师，用他们的双手和智慧创造出了这些小小的晶圆，却有着大大的能量。
咱平时用的手机呀、电脑呀，里面可都有这些晶圆的功劳呢。
它们在背后默默地工作着，让我们的生活变得更加便利和精彩。
所以呀，可别小看了这小小的晶圆制造工艺流程，它可是科技世界里的大功臣呢！怎么样，是不是对晶圆制造工艺流程有了更深的了解啦？嘿嘿！。
晶圆制造工艺流程
晶圆制造工艺流程晶圆制造是指通过一系列工艺步骤来制作半导体芯片的过程。
以下是典型的晶圆制造工艺流程。
1.单晶片生长：晶圆制造的第一步是将纯度很高的硅材料通过化学气相沉积或其他方法生长为单晶片。
这个步骤是整个工艺流程的基础。
2.晶圆切割：在单晶片生长完成后，将其切割成薄片，即晶圆。
通常使用金刚石刀进行切割，切割后的晶圆具有相对平整的表面和一定的厚度。
3.光刻：光刻是晶圆制造中关键的步骤之一、在此步骤中，通过光刻机将需要形成的图案转移到晶圆表面。
这通常涉及到在晶圆表面涂覆光刻胶，然后通过光刻机的曝光和显影过程来形成所需的图案。
4.晶圆清洗：在光刻步骤完成后，晶圆需要进行清洗，以去除光刻胶的残留物和其他杂质。
晶圆清洗通常会使用化学溶液和超声波的作用来清洁晶圆表面。
5.电镀：在一些情况下，需要对晶圆进行电镀，以增加其表面的导电性和减小电阻。
这个步骤通常涉及将晶圆浸入含有金属离子的溶液中，在电流作用下使金属离子沉积在晶圆表面。
6.氧化：氧化是将晶圆表面涂覆一层氧化物的过程。
这个步骤可以在大气中进行，也可以通过化学气相沉积来完成。
氧化的目的是改善晶圆表面的质量，并为后续步骤提供一定的保护。
7.形成电极和连线：在晶圆上制作电极和连线是将芯片的不同部分连接起来的关键步骤。
这个步骤通常涉及使用光刻和电镀等技术，将导电材料沉积在晶圆表面，并通过化学蚀刻来形成所需的电极和连线。
8.打磨和抛光：在制造晶圆过程中，由于一些原因，晶圆表面可能会有一些不平整和缺陷。
为了修复这些问题，晶圆需要经过打磨和抛光，使其表面更加平整和光滑。
9.测试和封装：在晶圆制造完毕后，需要对芯片进行测试，以确保其正常工作。
测试通常会使用特定的测试设备和测试程序来进行，包括电性能测试、可靠性测试等。
然后，芯片会进行封装，即将其放入塑料或金属封装中，以保护芯片并为其提供适当的引脚。
以上是晶圆制造的典型工艺流程。
当然，实际的晶圆制造可能会因不同应用领域和制造工艺的差异而略有不同。
wafer晶圆 制造原理
wafer晶圆制造原理
晶圆，即Wafer，是半导体组件“晶片”或“芯片”的基材。
其制造原理主要包含以下几个步骤：
1. 硅材料的制备：首先，从沙子中提取出高纯度的硅材料。
这一过程需要经过电弧炉的提炼、盐酸氯化以及蒸馏等步骤，最终制成高纯度的多晶硅，纯度高达%。
2. 单晶硅的制备：将多晶硅融解后，再在融液里种入籽晶，然后慢慢拉出，形成圆柱状的单晶硅晶棒。
这个过程被称为“长晶”，由于籽晶的晶面取向确定，使得硅晶棒具有一致的晶体结构。
3. 晶圆的制备：从单晶硅晶棒上切下圆形薄片，这些薄片就是晶圆。
这些薄片经过进一步的处理和加工，就可以成为芯片的基材。
4. 芯片的制造：在晶圆上，通过一系列复杂的制程，包括光罩、感光、蚀刻、金属蒸着等步骤，制造出各种微型组件和微细线路。
这些制程使得在独立的“晶粒”（Die）上完成各种微型组件及微细线路的制造。
5. 背面处理：在晶圆的背面蒸着上黄金层，作为晶粒固着（Die Attach）于脚架上的用途。
以上流程完成后，就可以得到制造芯片所需的晶圆。
建议查询相关资料了解具体流程细节或咨询芯片制作专业人士。
晶圆制程工艺流程
晶圆制程工艺流程晶圆制程工艺流程是半导体制造中非常重要的一环。
它涉及到了从晶圆材料的准备到最终产品的制备过程。
下面我将介绍一下晶圆制程工艺流程的主要步骤。
晶圆制程的第一步是准备晶圆材料。
晶圆材料通常是由硅单晶片制成，需要经过去除杂质、清洗和抛光等步骤，以确保材料的纯净度和平整度。
接下来是光刻步骤。
光刻是将设计好的电路图案转移到晶圆上的关键步骤。
首先，在晶圆表面涂上光刻胶，然后使用光刻机将光刻胶上的电路图案通过光刻掩膜投射到光刻胶上。
之后，使用化学溶剂去除未曝光的光刻胶，形成电路图案。
然后是刻蚀步骤。
刻蚀是将光刻胶上的电路图案转移到晶圆表面的关键步骤。
通过将晶圆放入刻蚀机中，使用化学气体对晶圆表面进行刻蚀，去除未被光刻胶保护的区域，从而在晶圆上形成电路结构。
接下来是沉积步骤。
沉积是在晶圆表面沉积一层薄膜，用于形成电路的不同层次。
常见的沉积方法有化学气相沉积和物理气相沉积等。
通过这一步骤，可以在晶圆上逐层形成电路的结构。
然后是清洗步骤。
在晶圆制程中，由于各种步骤的进行，晶圆表面会有一些污染物和残留物。
因此，需要将晶圆放入清洗机中，使用化学溶液进行清洗，以确保晶圆的纯净度。
最后是封装步骤。
封装是将制备好的芯片封装成最终产品的步骤。
在封装过程中，芯片会被封装在塑料封装体中，并进行焊接和封装密封等步骤，以保护芯片并提供电气连接。
晶圆制程工艺流程是一个复杂而关键的过程，它涉及到了多个步骤，包括晶圆材料的准备、光刻、刻蚀、沉积、清洗和封装等。
每个步骤都需要精确的控制和严格的质量检测，以确保最终产品的质量和性能。
晶圆制程工艺的不断改进和创新，对于半导体行业的发展起着重要的推动作用。
wafer 制程工艺流程
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晶圆制作工艺
晶圆制作工艺一、晶圆制作工艺概述晶圆制作是半导体工艺中最关键的环节之一，它涉及到多个步骤，包括晶体生长、切割、抛光、清洗等。
本文将详细介绍晶圆制作的各个步骤。
二、晶体生长1.单晶生长方法单晶生长是指将多晶硅材料通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法，通过化学反应或物理过程得到高纯度的单晶硅。
在这个过程中，需要使用石英炉和高温炉等设备。
2.单晶生长过程在单晶生长过程中，需要使用高纯度硅片和硫酸铜等材料。
首先将硫酸铜溶液加入到反应釜中，并加热至100℃左右。
然后将高纯度硅片放入釜内，使其与溶液接触。
在适当的温度下，硫酸铜会与硅片发生反应，生成一定厚度的氧化层。
接着，在高温下进行还原处理，使氧化层脱落并形成单晶硅。
3.单晶生长注意事项在单晶生长过程中，需要注意控制反应温度、时间和气体流量等参数，以确保得到高质量的单晶硅。
此外，还需要定期清洗设备和更换材料，以避免杂质对单晶硅质量的影响。
三、切割1.切割方法切割是将单晶硅材料切成薄片的过程。
常用的切割方法包括线锯、内部分离（ID）和外部分离（OD）等。
其中，线锯是最常用的切割方法。
2.线锯切割过程线锯切割需要使用特殊的设备——线锯机。
首先将单晶硅材料放置在线锯机上，并通过旋转钻头来进行切割。
在这个过程中，需要使用冷却液来降低温度，以避免损坏单晶硅。
3.线锯切割注意事项在进行线锯切割时，需要注意控制钻头旋转速度、冷却液流量和压力等参数。
此外，在选择钻头时也需要考虑其直径、形状和材料等因素。
四、抛光1.抛光方法抛光是将切割后的单晶硅薄片进行平整化处理的过程。
常用的抛光方法包括机械抛光和化学机械抛光等。
其中，化学机械抛光是最常用的方法。
2.化学机械抛光过程化学机械抛光需要使用特殊的设备——CMP机。
首先将单晶硅薄片放置在CMP机上，并加入一定量的研磨液体。
然后通过旋转盘和压力来进行研磨和平整化处理。
3.化学机械抛光注意事项在进行化学机械抛光时，需要注意控制研磨液体配比、旋转速度和压力等参数。
Wafer制程及IC封装制程
化学气相沉积（CVD）
较为常见的的CVD薄膜有：二氧化硅、氮化硅、多晶硅耐火金属与这类 金属的硅化物
物理气相沉积(PVD)
电化学气相沉积
微影制程
• 原理：在晶片表面上覆上一层感光材料，透过光罩的图形，使晶片表 面的感光材料进行选择性的感光。
• 光学微影技术是一个图案化的制程，用紫外线把光罩设计好的图案转 印在涂布晶圆表面的光阻上。
曝光：利用光源透过关罩图案照射在光阻上，以实现图案的转移
显影：将曝光后的光阻层以显影剂将光阻层所转移的图案显示出来
硬烘烤：加强光阻的附着力，以便利于后续的制程
蚀刻制程
• 在半导体制程中，通过蚀刻将封光阻 底下的薄膜或是基材进行选择性的蚀 刻。（将某种材质从晶圆表面上移除 ，留下IC电路结构）
湿式蚀刻 利用化学溶液将未被光阻覆盖的
包装 Pack
晶圆研磨
• 晶片从背面磨至适当厚度以配合产品结构和封装的需 求。
• 晶圆正面贴上UV tape，再以机械的方式对晶圆研背 面进行研磨，至所需之晶圆厚度，再以紫外线曝照胶 带，使其由晶圆正面剥离取出。
晶圆切割
晶圆安装
切割
晶粒检查
上片准备
目的：将前段制程加工完成的晶圆上一颗颗晶粒切割
由于晶粒与晶粒之間距很小，而且晶粒又相当脆弱， 因此晶片切割机精度要求相当高，切割的过程中会产生很 多的小粉屑，因此在切割過程中必須不断地用纯水冲洗残 屑，以避免污染到晶粒。
总检
目的：在完成封裝动作后，尽管IC之前已通过前段晶圆针測，但为 了确保IC不因前述个封裝流程影响其原有功能，所以必须进行百分 之百的电性功能检验以避免客户拿到不良品。 最终测试（FT）主要是针对封装完成的半导体晶片，再次进行电性 功能测试及各类动作。
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晶圆(Wａｆｅr) 制程工藝學習晶圆（Waｆｅｒ）得生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉得提炼还原成冶炼级得硅,再经由盐酸氯化，产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状得「多晶硅」。
一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。
一支８5公分长,重76、6公斤得８吋硅晶棒，约需２天半时间长成。
经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。
ﻫ光学显影光学显影就是在光阻上经过曝光与显影得程序，把光罩上得图形转换到光阻下面得薄膜层或硅晶上。
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光与显影等程序。
小尺寸之显像分辨率,更在ＩC 制程得进步上，扮演着最关键得角色。
由于光学上得需要,此段制程之照明采用偏黄色得可见光。
因此俗称此区为黄光区。
干式蚀刻技术在半导体得制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。
干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)就是目前最常用得蚀刻方式,其以气体作为主要得蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应。
ﻫ电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面得影响。
首先,电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料得高活性分子。
此外,电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。
晶圆系置于带负电得阴极之上,因此当带正电荷得离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,会以垂直角度撞击到晶圆表面。
芯片制造商即就是运用此特性来获得绝佳得垂直蚀刻，而后者也就是干式蚀刻得重要角色。
基本上,随着所欲去除得材质与所使用得蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行: ﻫ1、电浆内部所产生得活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。
如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出。
ﻫ2、电浆离子可因加速而具有足够得动能来扯断薄膜得化学键,进而将晶圆表面材质分子一个个得打击或溅击(sｐuttｅｒiｎg)出来。
ﻫ化学气相沉积技术化学气相沉积就是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜（filｍ)得技术,所沉积出得薄膜可能就是介电材料(绝缘体)（dieleｃｔriｃs)、导体、或半导体。
在进行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子得气体,会被导入受到严密控制得制程反应室内。
当这些原子在受热得昌圆表面上起化学反应时,会在晶圆表面产生一层固态薄膜。
而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率)。
CＶＤ制程产生得薄膜厚度从低于0、5微米到数微米都有,不过最重要得就是其厚度都必须足够均匀。
较为常见得CＶD薄膜包括有: ﻫ■二气化硅(通常直接称为氧化层）ﻫ■氮化硅ﻫ■多晶硅■耐火金属与这类金属之其硅化物可作为半导体组件绝缘体得二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层（pｌasmas niｔrｉde ｄｉｅlectricｓ)就是目前ＣVD技术最广泛得应用。
这类薄膜材料可以在芯片内部构成三种主要得介质薄膜:内层介电层(ILD)、内金属介电层(IＭD)、以及保护层。
此外、金层化学气相沉积(包括钨、铝、氮化钛、以及其它金属等)也就是一种热门得CVD应用。
物理气相沉积技术如其名称所示,物理气相沉积(ＰhysicａｌＶaｐor Ｄeｐｏｓｉｔｉon）主要就是一种物理制程而非化学制程。
此技术一般使用氩等钝气,藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后,可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来得材质(通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面。
制程反应室内部得高温与高真空环境,可使这些金属原子结成晶粒,再透过微影图案化(ｐaｔter ｎeｄ)与蚀刻,来得到半导体组件所要得导电电路。
解离金属电浆(IMP)物理气相沉积技术解离金属电浆就是最近发展出来得物理气相沉积技术,它就是在目标区与晶圆之间，利用电浆,针对从目标区溅击出来得金属原子,在其到达晶圆之前,加以离子化。
离子化这些金属原子得目得就是，让这些原子带有电价，进而使其行进方向受到控制,让这些原子得以垂直得方向往晶圆行进,就像电浆蚀刻及化学气相沉积制程。
这样做可以让这些金属原子针对极窄、极深得结构进行沟填,以形成极均匀得表层，尤其就是在最底层得部份。
高温制程多晶硅(poly)通常用来形容半导体晶体管之部分结构：至于在某些半导体组件上常见得磊晶硅（ｅpi)则就是长在均匀得晶圆结晶表面上得一层纯硅结晶。
多晶硅与磊晶硅两种薄膜得应用状况虽然不同,却都就是在类似得制程反应室中经高温(600℃至1200℃)沉积而得。
即使快速高温制程(Ｒapid Thｅｒmal Prｏcessing， RTP)之工作温度范围与多晶硅及磊晶硅制程有部分重叠,其本质差异却极大。
ＲTP并不用来沈积薄膜,而就是用来修正薄膜性质与制程结果。
RTP将使晶圆历经极为短暂且精确控制高温处理过程,这个过程使晶圆温度在短短得1０至20秒内可自室温升到1０00℃。
ＲTP通常用于回火制程(anｎealinｇ),负责控制组件内掺质原子之均匀度。
此外RＴP也可用来硅化金属,及透过高温来产生含硅化之化合物与硅化钛等。
最新得发展包括,使用快速高温制程设备在晶极重要得区域上,精确地沉积氧及氮薄膜。
ﻫﻫ离子植入技术ﻫ离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件得特定区域上,以获得精确得电子特性。
这些离子必须先被加速至具有足够能量与速度,以穿透(植入)薄膜,到达预定得植入深度。
离子植入制程可对植入区内得掺质浓度加以精密控制。
基本上,此掺质浓度(剂量)系由离子束电流(离子束内之总离子数)与扫瞄率(晶圆通过离子束之次数)来控制,而离子植入之深度则由离子束能量之大小来决定。
ﻫ化学机械研磨技术ﻫ化学机械研磨技术（Cｈemical MeｃhａnicaｌＰｏｌisｈｉnｇ, CＭP）兼其有研磨性物质得机械式研磨与酸碱溶液得化学式研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性得平坦化，以利后续薄膜沉积之进行。
ﻫ在CMＰ制程得硬设备中,研磨头被用来将晶圆压在研磨垫上并带动晶圆旋转,至于研磨垫则以相反得方向旋转。
在进行研磨时，由研磨颗粒所构成得研浆会被置于晶圆与研磨垫间。
影响ＣMP制程得变量包括有：研磨头所施得压力与晶圆得平坦度、晶圆与研磨垫得旋转速度、研浆与研磨颗粒得化学成份、温度、以及研磨垫得材质与磨损性等等。
ﻫ制程监控在下个制程阶段中,半导体商用CD-ＳＥM来量测芯片内次微米电路之微距,以确保制程之正确性。
一般而言,只有在微影图案(photoｌithogｒａphic paｔtｅｒninｇ）与后续之蚀刻制程执行后,才会进行微距得量测。
光罩检测(RｅticaｌＩnｓpecｔiｏn）光罩就是高精密度得石英平板，就是用来制作晶圆上电子电路图像,以利集成电路得制作。
光罩必须就是完美无缺,才能呈现完整得电路图像,否则不完整得图像会被复制到晶圆上。
光罩检测机台则就是结合影像扫描技术与先进得影像处理技术,捕捉图像上得缺失。
当晶圆从一个制程往下个制程进行时,图案晶圆检测系统可用来检测出晶圆上就是否有瑕疵包括有微尘粒子、断线、短路、以及其它各式各样得问题。
此外,对已印有电路图案得图案晶圆成品而言，则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。
一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。
再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来得光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。
ﻫﻫ切割晶圆经过所有得制程处理及测试后，切割成壹颗颗得ＩC。
举例来说：以0、2 微米制程技术生产,每片八吋晶圆上可制作近六百颗以上得64M DRAM。
ﻫ封装ﻫ制程处理得最后一道手续,通常还包含了打线得过程。
以金线连接芯片与导线架得线路,再封装绝缘得塑料或陶瓷外壳，并测试IC功能就是否正常。
由于切割与封装所需技术层面比较不高, 因此常成为一般业者用以介入半导体工业之切入点。
3００ｍm为协助晶圆制造厂克服30０ｍm晶圆生产得挑战,应用材料提供了业界最完整得解决方案。
不但拥有种类齐全得30０ｍm晶圆制造系统,提供最好得服务与支持组织,还掌握先进制程与制程整合得技术经验;从降低风险、增加成效,加速量产时程，到协助达成最大生产力，将营运成本减到最低等,以满足晶圆制造厂所有得需求。
应用材料得300ｍｍ全方位解决方案，完整得产品线为: ﻫ高温处理及离子植入设备(Thｅrｍal Procｅsses ａnｄＩmpｌａnt) ﻫ介质化学气相沉积（DCＶD:Diｅlecｔric Chemｉcａl Ｖapor Deposｉtｉｏｎ）金属沉积(Ｍｅtal Depｏsition) ﻫ蚀刻(Eｔcｈ) ﻫ化学机械研磨(CMP:Chemｉcaｌ Mechａniｃal Ｐoｌishｉｎg）检视与量测（Inｓpection & Metrology) ﻫ制造执行系统(MＥS:Manｕｆactｕriｎｇ ExeｃutiｏｎＳｙstem）服务与支持(Ｓervｉｃe & Ｓuｐporｔ）ﻫ铜制程技术在传统铝金属导线无法突破瓶颈之情况下，经过多年得研究发展,铜导线已经开始成为半导体材料得主流,由于铜得电阻值比铝还小,因此可在较小得面积上承载较大得电流,让厂商得以生产速度更快、电路更密集，且效能可提升约30-４0%得芯片。
亦由于铜得抗电子迁移(eｌeｃtro-ｍｉgratiｏn)能力比铝好,因此可减轻其电移作用,提高芯片得可靠度。
在半导体制程设备供货商中,只有应用材料公司能提供完整得铜制程全方位解决方案与技术,包括薄膜沉积、蚀刻、电化学电镀及化学机械研磨等。
ﻫ应用材料公司得铜制程全方位解决方案在半导体组件中制造铜导线,牵涉不仅就是铜得沉积，还需要一系列完整得制程步骤,并加以仔细规划,以便发挥最大得效能。
应用材料公司为发展铜制程相关技术,已与重要客户合作多年,具有丰富得经验;此外在半导体制程设备所有供货商中,也只有应用材料公司能够提供铜导线结构得完整制程技术,包括薄膜沉积、蚀刻、电化学电镀及化学机械研磨等。