耐高温压力传感器研究现状与发展_张晓莉

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耐高温温度传感器 3000度

耐高温温度传感器 3000度

耐高温温度传感器3000度耐高温温度传感器是一种用于测量极高温度的传感器。

它能够稳定并准确地测量高达3000度的温度,因此在许多高温环境应用中起着重要的作用。

本文将介绍耐高温温度传感器的原理、应用领域、性能特点以及市场前景。

首先,我们来了解一下耐高温温度传感器的原理。

这种传感器主要利用高温下材料的热敏电阻性质来进行温度测量。

在高温环境下,传感器的电阻值会随着温度的变化而发生变化,通过测量电阻值的变化可以得到高温环境的温度值。

耐高温温度传感器通常采用耐高温材料制成,以确保其在极高温度下的工作稳定性和耐用性。

耐高温温度传感器广泛应用于多个领域。

首先,它在高温工业领域中具有重要的应用价值,如钢铁、冶金、电力等行业。

在这些行业中,高温是常态,因此需要可靠的高温测量设备。

耐高温温度传感器能够稳定测量高温炉内的温度,确保生产过程的安全和稳定。

其次,耐高温温度传感器在航空航天领域也有广泛应用。

在火箭发动机、航空发动机等高温环境下,需要精确测量温度以确保设备的正常运行。

耐高温温度传感器能够在这些极端环境下提供可靠的温度测量,为航空航天领域的研发和生产提供支持。

此外,耐高温温度传感器还可以在石油化工、玻璃制造、金属加工等行业中应用。

在这些行业中,高温环境下的工艺过程需要准确的温度控制,以确保产品质量和生产效率。

耐高温温度传感器可以提供高精度的温度测量,帮助企业实现高效、稳定的生产。

耐高温温度传感器具有一些重要的性能特点。

首先,它具有高精度的温度测量能力,能够在高温下提供稳定、准确的温度值。

其次,耐高温温度传感器具有较高的耐用性和长寿命,能够在恶劣的高温环境中工作数年而不损坏。

此外,耐高温温度传感器还具有较高的抗干扰能力,能够抵抗来自外部电磁和热辐射的干扰。

在市场方面,耐高温温度传感器具有广阔的前景。

随着工业技术的发展和需求的增加,高温测量的需求也在不断增长。

耐高温温度传感器的稳定性和可靠性使其成为高温环境下首选的温度测量设备。

传感器技术的研究现状

传感器技术的研究现状

传感器技术综述Luqingsong@摘要:本文简介了传感器技术的原理、分类和应用,以位移传感器为例概述了传感器技术的研究现状,在此基础上分析了我国传感器技术发展中存在的问题和解决方法,分析了传感器技术的发展方向。

关键词:传感器技术应用研究发展方向1传感器传感器是一种检测装置,一般由敏感元件、传感元件和其他辅助件组成,有时也将信号调节也转换电路、辅助电源作为传感器的组成部分。

能感受到被测量的信息,并能将感受到的信息,按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出,以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。

传感器通常可以按照一系列方法进行分类。

根据用途分类,传感器常以测别的物理量命名,如位移传感器、速度传感器、温度传感器、压力传感器等;根据工作原理分类,传感器可以依据工作原理进行命名,如振动传感器、磁敏传感器、生物感器等;按输出信号,可分为模拟传感器和数字传感器等;还可按照传感器的制造工艺、构成、作用形式等进行分类。

[1]随着微电子技术、微机械加工技术、光电科学以及当代生物科学等高新技术的推动下,传感器己经从过去单一功能转变为功能多样、科技含量高的新型产品。

传感器技术是当前代表国家综合科研水平的重要技术,传感器技术的具体应用是传感器技术转化的重要途径和方法。

其所涉及的知识领域非常广泛,研究和发展也越来越多地和其他学科技术的发展紧密联系。

2主要传感技术分类[2][5]2.1光电传感技术光电式传感器是以光为测量媒介、以光电器件为转换元件的传感器,它具有非接触、响应快、性能可靠等卓越特性。

随着光电科技的飞速发展,光电传感器己成为光电传感器己成为各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件,并在传感器应用中占据着重要的地位,其中在非接触式测量领域更是扮演者无法替代的角色。

光电传感器工作时,光电器件负责将光能(红外辐射、可见光及紫外辐射)信号转换为电学信号。

光电器件不仅结构简单、经济性好,且具有响应快、可靠性强等优势,在自动控制、智能化控制等方面应用前景十分广阔。

高温压力传感器结构设计及仿真 开题报告要点

高温压力传感器结构设计及仿真 开题报告要点

中北大学
毕业设计开题报告
学生姓名:学号:
学院、系:仪器与电子学院
专业:微电子科学与工程
设计题目:高温压力传感器结构设计及仿真指导教师:
2013 年 12月10 日
毕业设计开题报告
图1 压阻式压力传感器
图2 压力传感器的膜片
压阻式微型压力传感器的工作原理是单晶硅或多晶硅的压阻效应[20]。

一般情况下,通
图3,惠斯通电桥
毕业设计开题报告
图4,压阻式压力传感器结构示意图
在此类传感器中,弹性膜片越薄、平面尺寸越大、变形越剧烈则输出灵敏度越高。


毕业设计开题报告。

压阻式柔性压力传感器的研究进展

压阻式柔性压力传感器的研究进展
压阻式柔性压力传感器的研究 进展
01 引言
03 技术方案 05 结论与展望
目录
02 研究现状 04 实验结果 06 参考内容

引言
随着物联网、智能穿戴等技术的快速发展,柔性压力传感器作为一种能够感 知和检测压力的传感器,在许多领域中得到了广泛的应用。其中,压阻式柔性压 力传感器由于其灵敏度高、响应速度快、测量范围广等优点,成为了研究的热点。 本次演示将综述压阻式柔性压力传感器的研究现状、技术方案、实验结果以及结 论与展望。
1、石油化工:在石油化工行业中,需要对各种流体进行压力测量,以控制 生产过程和提高产品质量。陶瓷压阻式压力传感器能够适应高温、高压、腐蚀性 环境的要求,因此成为该领域的理想选择。
2、航空航天:在航空航天领域,需要对飞机的气动性能、发动机效率和舱 内压力等进行精确测量。陶瓷压阻式压力传感器具有可靠性高、稳定性好的特点, 因此得到广泛应用。
三、MEMS压阻式压力传感器的 研究现状
近年来,研究者们在MEMS压阻式压力传感器的设计、制造、封装和测试方面 进行了广泛的研究。在制造方面,一些研究者利用微影印刷技术制作出高精度的 硅膜片,以提高传感器的灵敏度和精度。在封装方面,研究者们致力于寻找更可 靠、更稳定的封装材料和工艺,以提高传感器的稳定性和耐用性。在测试方面, 研究者们通过建立数学模型和实验验证,对传感器的性能进行全面的评估和分析。
虽然本次演示已经取得了一定的研究成果,但是未来的研究方向还有很多。 例如,可以通过进一步优化敏感材料和制造工艺,提高压阻式柔性压力传感器的 性能和稳定性;可以研究多通道压阻式柔性压力传感器,以满足复杂应用场景的 需求;还可以将压阻式柔性压力传感器与其他类型的传感器相结合,实现多功能 集成化。
总之,压阻式柔性压力传感器作为一种重要的传感器类型,在未来的研究中 将会有更加广泛的应用和推广。我们相信随着科学技术的不断进步和研究的深入 进行,压阻式柔性压力传感器的性能将会得到进一步提升,为推动智能化、便携 化、多功能化的传感器技术的发展做出更大的贡献。

耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制综述

耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制综述

耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制1引言高温压力传感器是一类使用环境特殊的压力传感器,广泛用于航空航天、石油化工、汽车和兵器工业等领域高温环境下的压力测量。

如何研制适宜高温环境下应用的压力传感器一直备受关注。

单晶硅SOI结构耐高温压力传感器的敏感电阻做在绝缘层上,通过绝缘层实现电阻间的电气隔离,解决了pn结隔离压力传感器工作温度高于125℃时的失效问题,可以有效改善pn结隔离引起的非线性问题[4]。

此外,SOI结构压力传感器不易受光、电磁和ESD干扰1 引言高温压力传感器是一类使用环境特殊的压力传感器,广泛用于航空航天、石油化工、汽车和兵器工业等领域高温环境下的压力测量。

如何研制适宜高温环境下应用的压力传感器一直备受关注。

单晶硅SOI结构耐高温压力传感器的敏感电阻做在绝缘层上,通过绝缘层实现电阻间的电气隔离,解决了pn结隔离压力传感器工作温度高于125℃时的失效问题,可以有效改善pn结隔离引起的非线性问题[4]。

此外,SOI结构压力传感器不易受光、电磁和ESD干扰,同时与pn 相关的噪声被排除,这些有利于提高传感器的稳定性和可靠性。

本文在SIMOX技术商用SOI晶圆的基础上,设计耐高温SOI结构压力敏感芯片的结构,基于MEMS工艺制作敏感芯片,并在高温条件下对封装后的传感器进行静态测试。

2 高温压力传感器芯片设计与制作同常规扩散Si压力传感器相比,单晶硅SOI结构高温压力传感器芯片设计与制作的不同点体现在晶圆材料和电极引线上。

制备SOI材料的主流技术包括氧离子注入形成埋层(SIMOX)技术、硅片键合背面腐蚀(BFSOI)技术和智能剥离(smart-cut)技术等。

为保证工艺的重复性,本文采用新傲公司SIMOX技术制作的商用p型SOI晶圆,顶层硅厚度为230 nm,晶圆厚度为500μm。

传感器芯片采用方形膜片结构,依据有限元分析结果,设计敏感电阻在膜片上所处位置,如图1所示。

R1和R3沿(110)晶向排布,利用纵向压阻效应,R2和R4也沿(110>晶向排布,利用横向压阻效应,4个电阻接成惠斯登电桥结构,电路设计为半开环形式,以方便零点漂移和灵敏度漂移的补偿,采用1 mA恒流源供电。

高温压力传感器

高温压力传感器

高温压力传感器高温压力传感器是工业实践中最为常用的一种压力变送器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道送风、锅炉,熔炉等浩繁行业。

目录产品概述产品应用产品特性相关参数工作原理产品选型进展方向产品概述高温压力传感器是工业实践中最为常用的一种压力变送器,其广泛应用于各种工业自控环境,涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道送风、锅炉,熔炉等浩繁行业。

高温压力传感器是为了解决在高温环境下对各种气体、液体的压力进行测量。

重要用于测量锅炉、管道、高温反应容器内的压力、井下压力和各种发动机腔体内的压力、高温油品液位与检测、油井测压等领域。

目前,讨论比较多的高温压力传感器重要有SOS,SOI,SiO2,Poly2Si等半导体传感器,还有溅射合金薄膜高温压力传感器、高温光纤压力传感器和高温电容式压力传感器等。

半导体电容式压力传感器相比压阻式压力传感器其灵敏度高、温度稳定性好、功耗小,且只对压力敏感,对应力不敏感,因此,电容式压力传感器在很多领域得到广泛应用。

高温压力传感器由硅膜片、衬底、下电极和绝缘层构成。

其中下电极位于厚支撑的衬底上。

电极上蒸镀一层绝缘层。

硅膜片则是利用各向异性腐蚀技术,在一片硅片上从正反面腐蚀形成的。

上下电极的间隙由硅片的腐蚀深度决议。

硅膜片和衬底利用键合技术键合在一起,形成具有肯定稳定性的硅膜片电容压力传感器。

产品应用高温压力传感器广泛应用于各种工业自控环境,涉及石油管道、水利水电、铁路交通、智能建筑、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、机床、管道送风、锅炉,熔炉等浩繁行业。

产品特性1.传感器:能感受规定的被测量并依照肯定的规律转换成可用输出信号的器件或装置。

通常有敏感元件和转换元件构成。

①敏感元件是指传感器中能直接(或响应)被测量的部分。

SOI高温压力传感器的研究

SOI高温压力传感器的研究

与其他高温压力传感器相 比, 多晶硅高温压力传感 器具有多晶硅薄膜的成熟工艺、 与半导体平面工艺
兼容、 易于进行微机械加工 、 芯片易于批量制h o O1H ih Te p r t r e s r e s r s a c fS g m e a u e Pr s u e S n o
ZH AN G h — u , AN G e—i n SUO K a— 彻 , I X i— u n,ZHA NG h n —a , AO - n S uy ¨ Z W ila , i N U nh a S e gc i Y Suyig
关键 词 : 压力传感器;O ; SI 灵敏度; 有限元
中图分类 号 :N O .5T 22 1 T 35 9 ; P 1.
文 献标识 码 : A
文章 编号 :0419 (06 0-940 10 -69 20 )40 8-4
敏感器件 ( 传感器) 的作用就像人 的五官一样 , 信号的摄取 、 处理 和转换都离不 开它 。没有新型敏 感器件的开发和发展 , 自动控制 、 遥感遥测 、 空间科 学的研究就不可能达 到今天这样高度发达的水平 。 随着信息技术的深 入发展 , 传感器的作用也 日益显 出不可或缺的重要性 。科学的发展对传感器的要求 也越来越高 。但无论哪一种传感器, 应力膜应力分 布的情况都直接与传感器性能( 灵敏度 、 精密度、 可 靠性等) 密切相关 。随着信息技术深入发展 , 传感器 的作用 E益重要 , t 目前使用的半导体压力传感器压 敏 电桥 采用 P型扩散 电阻 , 弹性 膜时 n型硅衬底 , 电 阻间以及电阻与弹性膜之间靠反偏 Pn — 结隔离 , 当
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第1 9卷 第 4期 20 0 6年 8月
传 感 技 术 学 报

浅析压力传感器发展历程及国内外市场应用

浅析压力传感器发展历程及国内外市场应用

浅析压力传感器发展历程及国内外市场应用压力传感器是一种能够测量和监测压力的设备,广泛应用于工业控制、汽车工程、医疗仪器、环境监测等领域。

本文将从压力传感器的发展历程以及国内外市场应用两个方面进行分析,以期全面了解压力传感器的发展和应用现状。

一、压力传感器的发展历程20世纪初,压力传感器主要采用机械式结构,常见的有弹簧式压力计和气压计。

这些传感器结构简单,可靠性高,但存在重量大、体积大等问题,适用范围有限。

20世纪60年代,随着半导体技术的快速发展,压力传感器开始采用半导体敏感元件。

这些传感器能够将压力转化为电信号输出,具有灵敏度高、体积小、重量轻等优点。

但由于技术指标有限,主要应用于实验室研究和部分工业应用。

20世纪80年代,随着微电子技术的成熟,微电子压力传感器开始迅速发展。

利用微电子加工技术,将压力传感器微小化、集成化,大大提高了性能指标和可靠性,适用于更广泛的应用领域。

21世纪至今,随着微纳米技术的不断进步,微纳米压力传感器逐渐成为研究热点。

这些传感器利用纳米材料和纳米加工技术,实现了更高的灵敏度、更小的尺寸以及更低的功耗。

同时,新型材料和结构的应用也为传感器的应用带来了更多的可能性。

二、国内外市场应用情况1.工业控制领域:压力传感器在工业控制领域的应用非常广泛,用于测量和控制各种液体和气体的压力。

特别是在化工、石油、电力等行业,压力传感器的需求量较大。

2.汽车工程领域:汽车行业是压力传感器的重要应用领域之一、传感器用于监测和控制发动机燃油、涡轮增压、轮胎气压等参数,提高汽车的性能和安全性。

3.医疗仪器领域:压力传感器在医疗仪器中起着至关重要的作用,如呼吸机、血压计、体重测量仪等。

传感器能够准确测量患者体内的压力参数,为医生提供可靠的诊断和治疗依据。

4.环境监测领域:随着环境污染问题的日益突出,压力传感器在环境监测中的应用也越来越重要。

例如,用于大气压力、水源压力和土壤压力的监测,能够提供相关的环境数据以供科学研究和政策制定。

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2011年第30卷第2期 传感器与微系统(T r a n s d u c e r a n dM i c r o s y s t e mT e c h n o l o g i e s)综述与评论耐高温压力传感器研究现状与发展张晓莉1,陈水金2(1.江西理工大学机电工程学院,江西赣州341000;2.华南理工大学机械与汽车工程学院,广东广州510640)摘 要:现有商业化压力传感器绝大多数工作在常温条件下,工作温度高于200℃者尚不多见,远不能满足高温下的压力测量要求,因此对高温压力传感器的研究成为必然。

论述了国内外几类高温压力传感器的研究进展、关键技术及应用情况,并探讨了主要存在的问题和未来的发展趋势。

关键词:高温压力传感器;多晶硅;碳化硅;声表面波;光纤中图分类号:T H7 文献标识码:A 文章编号:1000—9787(2011)02—0001—04R e s e a r c h s t a t u s a n dp r o g r e s s o f h i g h-t e m p e r a t u r e r e s i s t a n c ep r e s s u r e s e n s o r sZ H A N GX i a o-l i1,C H E NS h u i-j i n2(1.S c h o o l o f Me c h a n i c a l a n dE l e c t r i c a l E n g i n e e r i n g,J i a n g x i U n i v e r s i t yo f S c i e n c e&T e c h n o l o g y,G a n z h o u341000,C h i n a;2.S c h o o l o f Me c h a n i c a l&A u t o m o t i v e E n g i n e e r i n g,S o u t hC h i n aU n i v e r s i t yo f T e c h n o l o g y,G u a n g z h o u510640,C h i n a)A b s t r a c t:A t p r e s e n t,m o s t p r e s s u r es e n s o r sw o r ka t n o r m a l t e m p e r a t u r e,a n ds e l d o m p r e s s u r es e n s o r w o r ka tt e m p e r a t u r e a b o v e200℃.I t i s f a r f r o mm e e t i n g t h e n e e d o f m e a s u r e m e n t r e q u i r e m e n t s o ns p e c i a l b a c k g r o u n d.S ot h e r e s e a r c ho f h i g h-t e m p e r a t u r er e s i s t a n c ep r e s s u r e s e n s o r i sn e c e s s a r y.S e v e r a l m a i nh i g h-t e m p e r a t u r e p r e s s u r es e n s o r i nw o r l d w i d ei sd i s c u s s e df r o m r e s e a r c hp r o g r e s s,k e yt e c h n o l o g ya n d a p p l i c a t i o n s.T h em a i np r o b l e me x i s t i n g a n d t h ef u t u r ed e v e l o p m e n t t r e n da r e a n a l y z e d.K e yw o r d s:h i g h-t e m p e r a t u r ep r e s s u r es e n s o r;p o l ys i l i c o n;s i l i c o nc a r b o n;s u r f a c ea c o u s t i cw a v e(S A W);o p t i c a l f i b e r0 引 言高温压力传感器以其优良的高温工作能力在压力传感器中一直受到高度重视,是传感器研究的重要领域之一,也是各国政府努力掌握的高科技技术之一。

高温压力传感器是指在高于125℃环境下能正常工作的压力传感器。

其在石油、化工、冶金、汽车、航空航天、工业过程控制、兵器工业甚至食品工业中都有着广阔的应用前景,例如:高温油井内的压力测量、各种发动机腔体内的压力测量、宇宙飞船和航天飞行器的姿态控制、高速飞行器或远程超高速导弹的飞行控制、喷气发动机、火箭、导弹、卫星等耐热腔体和表面各部分的压力测量。

尤其在武器系统中高温压力传感器是动力系统所不可缺少的。

因此,对高温压力传感器的研究与开发具有重要意义。

1 国内外研究现状1.1 S O I单晶硅高温压力传感器S O I(s i l i c o no n i n s u l a t o r)是新兴的半导体材料,最早应收稿日期:2010—05—13用于大功率半导体器件,S O I材料的特殊结构使之成为制作新型压力传感器的理想材料,也是国内外研究新型压力传感器的研究重点。

国外已有研制成功的S O I单晶硅压力传感器,如,美国K u l i t e公司采用B E S O I技术开发出超高温的压力传感器X T E H—10L A C—190(M)系列,工作温度为-55~480℃;法国L E T I研究所目前也正在开发工作温度达400℃的S O I高温压力传感器。

国内的研究也取得一些成绩,如西安交通大学采用先进的S I M O X技术成功研制出S O I耐高温微压力传感器,能在-30~250℃环境下完成1000M P a以下任意量程范围的压力测量,能承受2000℃瞬时高温冲击;天津大学也研制出了温度达300℃的S O I高温压力传感器。

S O I器件由于采用绝缘介质隔离,器件与衬底之间不存在电流通道,消除了体硅电路中常见的门锁效应,提高了电路的可靠性。

其材料的特殊结构使它克服了传统体硅材料的不足,具有良好的抗辐射特性即抗软失效能力,并可以1 传感器与微系统 第30卷抑制或消除体硅器件因特征尺寸减小而产生的各种不良效应,更充分地挖掘了硅集成技术与硅技术的潜力,是研究和开发高速、低功耗、高集成度、高可靠性超大规模集成电路和高性能的基础材料。

S O I 单晶硅压力传感器工艺是标准的集成电路平面工艺,这样就可以实现工作于恶劣环境的单片智能测压系统,成为高温压力传感器的主要研究方向之一[1]。

1.2 S i C 高温压力传感器S i C 是当前最有潜力的宽带隙半导体材料,是第三代直接跃迁型宽禁带的半导体材料。

它的宽禁带结构、高击穿电压和较高热导率等特点使其具有优良的抗辐射性能和高温稳定性,且具有良好的机械性能,优异的化学稳定性以及较大的压阻系数,这些优异的特性使其成为制造高温压力传感器的理想材料。

用S i C 高温器件制作压力传感器也是国内外一个非常热门研究领域。

国外如美国国家宇航局N A S A 的G a l e n n 研究中心已经研制出S i C 高温肖特基二极管和工作温度可达500℃的高温压力传感器[2];德国柏林技术大学采用U N I B O N D S O I 基片经I C P 刻蚀开发了3C —S i C 高温压力传感器,工作温度可达400℃[3]。

国内西安电子科技大学利用A P C V D 系统采用选择生长法成功的生长了3C —S i C 单晶薄膜与多晶薄膜,并开发了3C —S i C 高温压力传感器,具有良好的性能指标。

1.3 S 0S 结构高温压力传感器S 0S (s i l i c o n o ns a p p h i r e )结构高温压力传感器又称硅—蓝宝石压力传感器,是在20世纪80年代早期提出的一种应变式压力传感器结构。

它是以蓝宝石(单晶A l 2O 3)做绝缘衬底,在其上外延一层薄单晶硅。

此外延属异质外延,工艺方法有化学气相沉积(c h e m i c a l v a p o rd e p o s i t i o n ,C V D )法,分子束外延法和固相外延法。

S 0S 结构的优点是隔离漏电小,抗辐射等,它的局限性是:1)来自衬底的A l 掺杂对外延层电性能有影响,形成硅化铝界面;2)外延层缺陷密度高;3)蓝宝石的热膨胀系数接近硅的2倍;4)宝石衬底又硬又脆且具有高度化学惰性,膜片加工困难,传感器价格昂贵。

因此,S O S 压力传感器虽然出现较早,但进展缓慢。

目前,中国电子科技集团公司第四十九研究所研制出量程分别为60M P a 和100M P a 的S O S 压力传感器,工作温度范围为-50~350℃。

此外,日本B u r n s 公司和上海仪表晶体元件厂也有S O S 压力传感器的报道。

1.4 多晶硅(P o l y —S i )高温压力传感器多晶硅最早是作为自对准绝缘栅场效应晶体管的栅极材料,由B o w e r RW 和D i l l H G 于1966年在美国华盛顿特区举行的国际电子器件会议上提出的。

接下来的发展是极为迅速的,到1984年,1M 位的双层和三层多晶硅M O S 随机存储器己开发出来。

在集成电路中应用多年后,20世纪80年代中期,开始在传感器领域成为人们关注的焦点[5]。

近几年,由于多晶硅成为M E M S 中主要结构材料,人们对其特性的研究还在不断深入,例如:用单晶—多晶混合技术(H A R P S S )制造多晶硅振动陀螺,掺杂多晶硅层的热导率,高纵横比多晶硅微机械加工技术,用高温快速退火释放多晶硅薄膜中残余应力等。

目前,多晶硅薄膜的生长是采用低压化学汽相淀积(l o wp r e s s u r ec h e m i c a l v a p o r d e p o s i t i o n ,L P C V D )法。

目前,国际上只有两家公司有同类传感器产品,这两家公司是仪表巨头P h i l i p s 和F o x b o r o 。

F o x b o r o 公司的多晶硅压力传感器在1999年才有产品报道。

国内有天津大学、中国电子科技集团公司第四十九所、哈尔滨工业大学等。

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