工业结晶-第六章-结晶器设计

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工业结晶过程与设备

工业结晶过程与设备
主要因素:晶体内部单元对晶面的各种应力; 晶面与周围环境的各种作用。
杂质:改变晶体和溶液之间界面的滞留层 特性,影响溶质长入晶体、改变晶体外形 、因杂质吸附导致的晶体生长缓慢;
搅拌:加速晶体生长、加速晶核的生成; 温度:促进表面化学反应速度的提高,增
加结晶速度;
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提高晶体质量的方法
过饱和曲线受搅 拌、搅拌强度、 晶种、晶种大小 和多少、冷却速 度的快慢等因素 的影响。
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稳定区和亚稳定区
在温度-溶解度关系图中,SS曲线下方为稳定区,在 该区域任意一点溶液均是稳定的;
而在SS曲线和TT曲线之间的区域为亚稳定区,此刻 如不采取一定的手段(如加入晶核),溶液可长时 间保持稳定;
L (AmBn+L)
A+L
B+L
A+ AmBn
AmBn+B
A AmBn
B
4.溶剂化合物熔化为异组成 液相的物系固液相图
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晶型转变型
L L+ αB

A+L
L+ βB -
A+ β-B
A
B
L
A+L
B+L
A+ α-B
A+ β-B
A
B
5.晶型转变温度高于低共熔点 6.晶型转变温度低于低共熔点
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(2)蒸发结晶:除去一部分溶剂,使溶液在常 压或减压下蒸发浓缩而达到过饱和。
由于晶胞参数不同,可决定晶体分为七种晶系。
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七种 晶系
14种 晶格
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结晶器设计计算

结晶器设计计算

通过结晶器的热流量通过结晶器放出热流,可用下列计算Q=LEVP{C1(Te-Tl)+lf+cs(Ts-To)} (3.1)式中:Q:结晶器钢水放出的热量,kj/min;L:结晶器横截面周长,4.012m;E:出结晶器坯壳厚度,0.012m;V:拉速,2.2m/min;P:钢水密度,7.4×10⒊kj/kg·℃;由此可得: Q=LEVP{C1(Te-Tl)+lf+cs(Ts-To)}=62218kj/min结晶器水缝面积计算结晶器的水缝面积与单位水流量(冷却强度)铸坯尺寸的大小以及冷却水流速有关,结晶器水缝面积可用下式计算:F=QkS×106/(3600V)(mm2)(3.2)式中:Qk:单位水流量m3/n·m,经验值取100-500m3/n·m;取100m3/n·m。

S:结晶器周边长度,4×120×103m;V:冷却水流速,取6-10m/s,实际取8m/s;即结晶器水缝面积为:F+QkS×106/(3600v)=1.67×103mm33.5 结晶器的冷却系统为使结晶器壁有较高的导热系数,在铜壁与冷却水之间不能产生水垢和沉淀物。

由于结晶器的热负荷很高,接触结晶器壁的冷却水有时会达到汽化的温度。

为了防止出现水垢,水必须经过软化处理或脱盐处理[9]。

结晶器内冷却水的流量,一般按断面周长长度每毫米2-2.5每毫米计算。

经过净化及软处理的水一般都是循环使用。

采用封闭式供水系统。

充分利用回水系压有利于节能。

3.5.1 结晶器的倒锥度钢水在结晶器内凝固是因坯壳收缩形成气隙,通常是将结晶器作成倒锥度,后者定义为:△ =(S上—S下)/S上×L (3.3)式中:△:结晶器的倒锥度 %/m;S上,S下:结晶器的上边口,下边口长;L:结晶器长度。

倒锥度取值不能太小,也不能太大。

过小则作用不大,过大则增大了拉坯阻力,甚至卡钢而不能出坯[9]。

工业结晶过程提纲

工业结晶过程提纲

工业结晶过程提纲Industrial Crystallization一、工业结晶概论Chapter 1 Overview of Industrial Crystallization二、成核Chapter 2 Nucleation三、晶体生长Chapter 3 Crystal Growth四、粒数衡算概念Chapter 4 Population Balance Concept五、混合悬浮混合产品排出结晶器:一种理想方式Chapter 5 Mixed Suspension Mixed Product Removal Crystallizer-An Idealized Configuration六、粒数影响因素Chapter 6 Population Functions七、结晶动力学推导Chapter 7 Derivation of Crystallization Kinetics八、结晶过程中的物理传递现象Chapter 8 Physical Transport Phenomena in Crystallization九、结晶系统取样和分析Chapter 9 Sampling and Analyzing Crystallizing Systems十、结晶器设计中基本原理的应用Chapter 10 The Use of Fundamental Principles in Crystallizer Design十一、设计用的结晶动力学:小型实验的结晶动力学用于结晶器设计Chapter 11 Design Oriented Crystallization Kinetics Obtained in Small Scale Experiments for Crystallization Design 十二、间歇结晶器设计Chapter 12 Design of Batch Crystallizers十三、连续搅拌槽式结晶器设计Chapter 13 Design of Continuous Stirred Tank Crystallizer 十四、强制循环蒸发结晶器设计Chapter 14 Design of Forced Circulation Evaporation Crystallizers十五、晶浆处理:结晶器-离心机-干燥器组成的系统分析Chapter 15 Slurry Handling: An Analysis of the System Crystallizer-Centrifuge-Dryer参考书目References:1.Mullin, J. W., Crystallisation, 2nd ed.. Butterworths, London, 1972. TQ026.5/YM1中译本:胡维杰、宁桂玲等编译,《结晶过程》。

工业结晶过程与设备课件

工业结晶过程与设备课件
2.1机理
晶体的扩散学说
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• 溶质通过扩散作用穿过靠近晶体表面的一个滞流层,从溶液中转移到晶体的表 面;
• 到达晶体表面的溶质长入晶面,使晶体增大,同时放出结晶热; • 结晶热传递回到溶液中。 根据以上扩散学说,溶质依靠分子扩散作用,穿过晶体表面的滞留层,到达晶体
表面;此时扩散的推动力是液相主体的浓度与晶体表面浓度差; 而第二步溶质长入晶面,则是表面化学反应过程,此时反应的推动力是晶体表面
由于晶胞参数不同,可决定晶体分为七种晶系。
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七种 晶系
14种晶 格
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几种典型的晶体结构
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2.晶体的粒度分布
晶体粒度分布(CSD):是晶体产品的重要质量 指标,指不同粒度的晶体质量(或粒子数目) 与粒度的分布关系。
中间粒度MS:筛下累计质量分数为50%时对应的 筛孔尺寸值。
变异系数CV:
CV 100 (r84% r16% ) 2r50%
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3.结晶过程及其在制药中的重要性
结晶的步骤
过饱和溶液的形成 晶核的形成 晶体生长
其中,溶液达到过饱和状态是结晶的前 提;过饱和度是结晶的推动力。
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• 饱和溶液:当溶液中溶质浓度等于该溶质在同等条件下的饱和溶解度时,该溶液 称为饱和溶液;
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提高晶体质量的方法
• 晶体质量包括三个方面的内容:
晶体大小、形状和纯度
• 影响晶体大小的因素: 温度、晶核质量、搅拌等
• 影响晶体形状的因素:
改变过饱和度、改变溶剂体系、杂质

溶液结晶的方法、结晶器结构与工作原理

溶液结晶的方法、结晶器结构与工作原理

溶液结晶的方法、结晶器结构与工作原理根据析出固体的方式不同,可将结晶分为溶液结晶、熔融结晶、升华结晶和沉淀结晶等多种类型。

工业上使用上最为广泛的是溶液结晶,采用降温或移除溶剂的方法使溶液达到过饱和状态,析出溶质作为产品。

此外,也可按照操作是否连续,将结晶操作分为间歇式和连续式,或按有无搅拌装置分为搅拌式和无搅拌式等。

一、溶液结晶的方法溶液结晶是指晶体从溶液中析出的过程。

溶液结晶的基本条件是溶液的过饱和,一般经过以下过程:不饱和溶液、饱和溶液、过饱和溶液、晶核的形成、晶体生长。

1、冷却法冷却法也称降温法,它是通过冷却降温使溶液达到过饱和的方法。

冷却结晶基本上不除去溶剂,靠移去溶液的热量以降低温度,使溶液达到过饱和状态,从而进行结晶。

这种方法适用于溶解度随温度降低而显著下降的情况。

冷却又分为自然冷却、间壁冷却和直接接触冷却。

自然冷却法是使溶液在大气中冷却结晶,其设备结构和操作均最简单,但冷却速率慢、生产能力低且难于控制晶体质量。

间壁冷却法是工业上广为采用的结晶方法,靠夹套或管壁间接传热冷却结晶,这种方式消耗能量少,应用较广泛,但冷却传热速率较低,冷却壁面上常有晶体析出,在器壁上形成晶垢或晶疤,影响冷却效果。

直接接触冷却器以空气或制冷剂直接与溶液接触冷却。

这种方法克服了间壁冷却的缺点,传热效率高,没有结疤问题,但设备体积庞大;采用这种操作必须注意的是选用的冷却介质不能与结晶母液中的溶剂互溶或者虽互溶但应易于分离,而且对结晶产品无污染。

2、蒸发法蒸发法是靠去除部分溶剂来达到溶液过饱和状态而进行结晶的方法,适用于溶解度随温度变化不大的情况。

蒸发结晶消耗的能量较多,并且也存在着加热面容易结垢的问题,但对可以回收溶剂的结晶过程还是合算的。

蒸发结晶设备常在真空度不高的减压下操作,目的在于降低操作温度,以利于热敏性产品的稳定,并减少热能损耗。

3、真空冷却法真空冷却法又称闪蒸冷却结晶法。

它是溶剂在真空条件下闪蒸蒸发而使溶液绝热冷却的结晶法。

十种常见的工业结晶器结构原理

十种常见的工业结晶器结构原理

⼗种常见的⼯业结晶器结构原理⼯业结晶的⽅法溶液结晶是指晶体从溶液中析出的过程。

对于⼯业结晶按照结晶过程中过饱和度形成的⽅式,可将溶液结晶分为两⼤类:移除部分溶剂的结晶和不移除溶剂的结晶。

⼀、不移除溶剂的结晶法不移除溶剂的结晶称冷却结晶法,它基本上不去除溶剂,溶液的过饱和度是借助冷却获得,故适⽤于溶解度随温度降低⽽显著下降的物系。

⼆、移除部分溶剂的结晶法按照具体操作的情况,此法⼜可分为蒸发结晶法和真空冷却结晶法。

蒸发结晶是使溶液在常压(沸点温度下)或减压(低于正常沸点)下蒸发,部分溶剂汽化,从⽽获得过饱和溶液。

此法适⽤于溶解度随温度变化不⼤的物系,例如NaCl及⽆⽔硫酸钠等。

真空冷却结晶是使溶液在较⾼真空度下绝热闪蒸的⽅法。

在这种⽅法中,溶液经历的是绝热等焓过程,在部分溶剂被蒸发的同时,溶液亦被冷却。

因此,此法实质上兼有蒸发结晶和冷却结晶共有的特点,适⽤于具有中等溶解度物系的结晶。

此外,也可按照操作连续与否,将结晶操作分为间歇式和连续式,或按有⽆搅拌分为搅拌式和⽆搅拌式等。

常见的⼯业结晶器⼀、冷却结晶器间接换热釜式冷却结晶器是⽬前应⽤最⼴泛的⼀类冷却结晶器。

冷却结晶器根据其冷却形式⼜分为内循环冷却式和外循环冷却式结晶器。

空⽓冷却式结晶器是⼀种最简单的敞开型结晶器,靠顶部较⼤的敞开液⾯以及器壁与空⽓间的换热,以降低⾃⾝温度从⽽达到冷却析出结晶的⽬的,并不加晶种,也不搅拌,不⽤任何⽅法控制冷却速率及晶核的形成和晶体的⽣长。

冷却结晶过程所需冷量由夹套或外部换热器提供。

①内循环冷却式结晶器内循环式冷却结晶器其冷却剂与溶剂通过结晶器的夹套进⾏热交换。

这种设备由于换热器的换热⾯积受结晶器的限制,其换热器量不⼤。

②外循环冷却式结晶器外循环式冷却结晶器,其冷却剂与溶液通过结晶器外部的冷却器进⾏热交换。

这种设备的换热⾯积不受结晶器的限制,传热系数较⼤,易实现连续操作。

⼆、蒸发结晶器蒸发结晶器与⽤于溶液浓缩的普通蒸发器在设备结构及操作上完全相同。

化工原理-结晶(原理、工业方法、设备 )

化工原理-结晶(原理、工业方法、设备 )

内容提纲
一、结晶基本概念 二、工业结晶方法与设备 三、结晶过程的计算
一、结晶机理
1、结晶概述 2、结晶过程的特点
结晶原理
3、晶体及特性 4、相平衡与溶解度
5、晶体的形成过程
一、结晶机理
1.什么是结晶
所谓结晶是指物质以晶体的状态从溶液、熔融混合物或蒸气中析出的过 程称为结晶(crystallization),结晶是生物化工生产中,获得纯固态物质
①内循环冷却式结晶器
内循环式冷却结晶器的构造如图所示,其冷却
原料液
剂与溶液通过结晶器的夹套进行热交换。
这种设备由于换热器的换热面积受结晶器的限 制,其换热量不大。
冷却剂
晶浆
②外循环冷却式结晶器 外循环式冷却结晶器的构造如 图所示,其冷却剂与溶液通过结晶 器外部的冷却器进行热交换。 这种设备的换热面积不受结晶 器的限制,传热系数较大,易实现 连续操作。
④对称性
由于晶体内部的微粒,在空间是按一定几何形
式进行有规律的排列,必然导致各种晶体都具有一 定的对称性。 在结晶操作中,我们常可依据晶体的形状及色
泽等外观粗略判断结晶产品的纯度。
NaCl晶体
例如:通过结晶得到的岩白菜素是白色疏松的针状结晶(干燥后会变成 粉末状晶体)。 又如:从天然材料中提取并通过结晶得到的
差及中等溶解度的物系。
4、盐析(溶析)结晶法
盐析(溶析)结晶:向溶液中加入某些物质,以降低溶质在原 溶剂中的溶解度,产生过饱和度的方法。 盐析剂的要求:能溶解于原溶液中的溶剂,但不(很少) 溶解被结晶的溶质,而且溶剂与盐析剂的混合物易于分 离(用蒸馏法)。 NaCl是一种常用的盐析剂,如在联合制碱法中,向 低温的饱和氯化铵母液中加入NaCl,利用同离子效应, 使母液中的氯化铵尽可能多地结晶出来,以提高结晶收 率。

结晶工业过程设计方法

结晶工业过程设计方法

结晶工业过程设计方法1.泵的选择在结晶过程中,会涉及到清液、晶浆的输送,此过程泵的选择至关重要。

先就一些通用规则介绍如下:清液输送:此类按照输送条件选择合适泵类型即可;比如清水泵、化工通道、容积泵等等特定行业,开发出系列专用泵,最好选择经过工业实践检验的专业专用泵;如碱泵、磷酸料泵、矿山、水泥等行业泵晶浆输送泵:在工业结晶过程中,以能输送晶浆、而且晶体破碎最小为最初考虑点。

结晶器排料最好用容积泵,工业上常用的主要是离心式渣浆泵、隔膜泵和正弦泵。

前两种我们在设计时都选用过,正弦泵还没用过,不过从其原理来看,应该是优选的。

结晶外循环泵:结晶过程中,循环流量一般较大,低扬程时,常选用轴流泵;小流量和装置真空高,安装高度低的用混流泵。

由于泵的流量对结晶过程的过饱和度和换热效果均有影响,在影响规律不是很清楚的情况下,建议对这种泵配备调频,便于生产和节能。

(注:结晶器的排料,最好能利用设备的高度差实现自排,不用泵,更好!)真空泵:真空泵主要是维持排出系统的不凝气,根据系统大小和泄漏点多少进行合理选择。

工业上,有的企业按照蒸汽量的1-5%来选择真空泵的抽气量,往往是偏大的。

也是没有理论依据的,纯粹是经验之谈。

但不凝气的量有可能随着操作及设备出现波动,准确计算也很难。

2 结晶过程搅拌器形式的选择搅拌在结晶过程中至关重要,有时候是结晶过程好坏的控制因素,搅拌的目的是为结晶过程提供良好的传热、晶体悬浮、反应条件等。

搅拌效果会影响结晶器内的混合效果,进一步影响过饱和度的分布,从而会对产品粒度及粒度分布产生直接影响。

在和企业交流过程中发现国内的许多企业在结晶工段所选用的搅拌形式有很多不合理之处,先将对于结晶过程应该选用何种形式的搅拌器做一总结,不当之处欢迎批评指正。

对于结晶过程搅拌桨选型的准则是循环;低速度;控制剪切。

所以搅拌器常选用平桨、涡轮和螺旋桨等搅拌器,再根据物系性质,如粘度、晶习、硬度等进一步选择和优化,一般情况下,所列三种形式搅拌桨适用的体系粘度是逐渐增大的,也就是说,平桨适用的粘度最低,一般小于100cP,螺旋桨略大,适用粘度小于1200cP以内,而涡轮最大,适用粘度小于1200cP(间歇操作)和100000cP(连续操作)。

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m
注意:当m=1时,xd=3,其分布式和MSMPR的结 果一致。 当m=0时,产品晶体为同一尺寸,表示一 个连续操作的带有理想产品分级的操作过程,对 方程(3)进行积分,得到以质量为基础的生产速 率。
P= ò F r v k v L x ( )dx =F r k L m v v L
' * 3 dr dx ¥ 3
• 在用方程(1)表示积 累产品晶体分布时, 颗粒的粒数密度(即 在一定的颗粒尺寸范 围内的晶体个数)为
dr dx
= - mx
m- 1 - x m
e
(2 )
因此,在此尺寸范围内的晶体质量为 dr w(x) = F'r Ck v x3L*3 ( dx ) (3)
= F'r Ck v L*mx m+ 2e- x
I 2 0 x m 0m 2 x m 0 e dx 0 x e dx
x m e x dx
m
x 3e x dx
m
(16)

– 方程(6)可表示为
用Ld代替L*
P C V
P C V
L3d Bk v I 3
(17)
– 方程(14)可表示为
dL Ld I4 1 d av
• 按道理讲,不同的m值,其P/ρCV、Bkv和Ld应遵 循不同的规律,可以完全做成另一个图,然而, 要是用一张图表示即存在的的信息总量较为简单。 • 在特征方程中,如果我们把P/ρCV考虑成一个常数, Bkv=k(m)1/Ld3
L Bk V k ( m) k 1 (m) (L ) • 这个方程表明,当P/ρCV不变时,Bkv与Ld3成反比, 如不同的m值,它们的关系只改变其系数但比例 关系不变,也就是说这条直线的位置有些变化, 但变化趋势是一样的。这样我们就可以用一个Ld 与Bkv之间的关系。
r= e
- (L/ L* )m
=e
- xm
r—相对产品颗粒个数的累积分布,当所有的晶体考虑在内 r=1 m—改良的均一系数,不同的m值表示不同的分布函数,假设在一个过程中 的产品其m值不变,也不随颗粒的尺寸而变。 L—晶体的尺寸。 L*—参考尺寸,其定义为在此尺寸下,r值为0.3679与m无关。 x—无因次晶体尺寸,x=L/L*
第五章 结晶器的选择与设计
• 根据不同的过程要求,很多种类型结晶器。 • 在现代结晶器的设计中
– 考虑结晶动力学 – 设计产品的尺寸,尺寸 – 产品的质量。
• 结晶器工艺设计 1. 确定操作模型 (1). 连续型 (2). 间歇型 2. 产生过饱和度的方法 冷却、 蒸发、 反应、 其它 3。结晶过程质量衡算 质量、热量、粒数衡算(略) 颗粒衡算与质量、热量衡算的关系
• 方程(6),从产品角度分析而得到的粒数,质量 衡算。 ¥
P r vV
= L (Bk v mò x
*3 0
m+ 2 -x m
e dx)
(6)
• 方程(14)是从结晶器内的结晶过程而得到的粒 数,质量衡算方程,这两个方程必须建立一定的 联系,从此而得到一个结晶器的设计图。 m2 x m 设 (15) I1 m x e dx
*3
3
-x m
¥
3 -x m
(7)


0

dr dx
dx


0
θ
dr dx
dx
Θ—平均停留时间 dr dx 一定尺寸的晶体个数 θ 一定尺寸晶体的停留时间
• 等号两边同时等于结晶器内晶体的总个数(相对 值,因为r为相对分布),从晶体生长的角度我们 dL 有 G L G (d ) av
0 VW V0
L d 3G
Ld 3G
• 结晶器体积 :进料流率 * 停留时间 这样设计的结晶器比较简单,但因为是MSMPR的假设下, 而以其结果很难适用于大型结晶器。
设计图及设计程序 • 假设在稳定连续操作 的结晶过程中,其产 品的颗粒的累积尺寸 分布可用RosionRammler 方程表示:
m
m x e
0
m x m
dx
粒数密度
n0
FL m
' *
0

x me x dx
( dL / d )av
0

e
x m
dx
(10)
把方程(10)代入晶体总质量方程(7)
wt
F c k V L m
' *4
0

x e
m xm
dx
0

x 3e x dx
m
( dL / d ) av
e dx)
(6)
当m=1
m x
0
e
dx x 3e x dx 6
0
2 m


L x d = d = (1 + L*
方程(6)变成
P r vV
) =3
*3
1 m
3 L L*3 d 27
2 = 6Bk v L = Bk v L3d 9
这一结果和MSMPR的结果相同
以上分析是从产品晶体部分来考虑,下面再从结晶 器内部的晶体变化来考虑。 • 在稳定操作状态下,细小的晶体或者从外部加入 (加晶种)或者来源于系统内的成核,假设在操 作过程中成长的晶体没有破碎或聚并。因此,在 结晶器内一定尺寸的晶体的晶数密度与产品中大 于此晶体尺寸的积累尺寸分布成正比,也就是说, 在这种假设下,在结晶器内的晶体密度分布正比 于方程(1)的r。如果把晶种(成核)在dx范围 内的个数表示为n0dx(注意:n0为核的粒数密度 #/m gh n 0, 在无因次晶体尺寸 x的颗粒数为
1 2 m m
(18)
I 3 I1 (1 )
3 2 m m
I 4 I 2 (1 )
作图
把方程(17)取对数
log P log(Bk vI3 ) 3logLd cv
P log 在一定的Ld下, c v

log(Bk v I3 )
为一条直线,斜率为1 • 这条直线取决于要求的产品粒度Ld和相应m值为特征。 • 同一直线下,表示在一定的m值下的同一粒径, • 这条直线方程做特征线,就是说,这些平行线表示不同的 粒径。 • 另一方面,在一定的生产能力下,由方程(17),Ld和 Bkv立方根成正比,因此,Bkv的轴可以和Ld轴平行而置。
• 通过G作斜率等于1的特征线,这条特征线 的Ld必须等于6.013×10-4从m=1的轴上找 到6.013×10-4,做垂直线交于此条直线位F • 通过F点作出直线即为m=2得Ld轴这里强调 一下,在这样的图中,如果m值不同BkV和 Ld得值是不同的。 • 到此,我们在一张图上把Ld,BkV,m, P/ρV的关系表示出来。


L ( dL / d ) av
L ( dL / d ) av 0


0

dr dx
dx
mx
m 1 x m
e
dx

L* ( dL / d ) av
m x e
0
x m

m x m
dx

(9)
由方程(8)和(9)
N n 0e
0
dx F
'
L* ( dL / d ) av
结晶器的计算
• 生产能力和产品质量,和粒度要求 • 计算要求的基础数据与模型
– 溶解度数据
• 溶液的基本性质和颗粒的基本性质 如密度、形状系 数等
– 结晶成长速率模型与成核动力学模型 – 溶液的初始浓度C0
• 计算: MT—悬浮密度 C1—溶液的终止浓度,根据最后排出体系的温度 而定,即C1=f(Tf) M T C C1 1 VW—蒸发水量 V0—溶液的进料体积流率,此参数对多组分系统, 可根据母液中杂质浓度而定,对单组分系统MT是 一个操作参数,根据结晶器的流动状态而定。因 此,可用上式计算体积、流率。 • 当结晶器操作于MSMPR模型
4
(n 0dx)r=(n 0dx)e
-x m
• 因此,在结晶器内全部晶体重量为
wt =
• 从另一方面讲,在结晶器内晶体的全部个 数也可以表示为 ¥ N=F'Q= ò n 0e-x dx (8) 0 • Θ—晶体的平均停留时间 从晶体的平均停留时间的定义
m
ò
¥
0
r v k v L n 0e dx= r v k v L n 0 ò0 x e dx
0 e
x m
(11)
dx
由生产速率方程(方程(5))和方程(11) 我们有
x e dx x e dx 0 0 wt x m m2 x m ( dL / d ) av e dx x e dx 0 0 PL m
*4 m xm 3 xm
(12)
• 从结晶器内的悬浮密度考虑,如果我们用ε 表示溶液的含量分数,结晶器内晶体的质 量可表示为:
m
w(x) —产品晶体的质量分布
kg/m· h
rC
—晶体密度 kg/m3 k v —晶体的体积形状系数 ' F —以个数为基准的晶体生产速率,它等于 晶体的成核速率 #/h
• 如果以产品中最大质量的晶体作为晶体尺寸来表 示,这种晶体尺寸可以从方程(3)得出即 ' *3 m m+ 1 - x dw = 0 (4) = F r k L (m + 2 mx )x e C v dx
1 Ld3
(Bk V) 1 Bk V 2
I3 2 Ld 3 2 I3 1 Ld 3 1
d
3
2
d
3
1
• 例如:m=1,P/ρCV=0.01,Bkv=1×108, Ld=7.631×10-4 m=2,P/ρCV=0.01,Bkv=1×108, Ld=6.013×10-4 • 在例1图上作出m=2的Bkv轴和Ld轴 做图: • 选画一条辅助线 • 画一条横线为当m=2时的Bkv线从m=1的Bkv轴上 找到Bkv=1×108 • 通过此点作垂直线交m=2于H点作平行于辅助线 的直线通过H点交P/ρCV=0.01的横线于G
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