ZnO纳米线纳米片及其应用
量子点zno
量子点zno
量子点ZnO是一种纳米材料，具有独特的性质和应用潜力。
ZnO 是氧化锌的简写，其晶体结构为六方晶系。
量子点ZnO通常由尺寸在2到10纳米范围内的纳米颗粒组成。
由于其小尺寸效应，这些纳米颗粒表现出与宏观物质不同的光电性质。
量子点ZnO在光电子学、光催化、光电探测等领域具有广泛的应用。
它们具有高效的光吸收和荧光发射性能，可用于制备高亮度的显示器件和光催化剂。
此外，量子点ZnO还可用于制备染料敏化太阳能电池和光电探测器等器件，具有广阔的市场前景。
由于量子点ZnO具有较大的比表面积和高度可调控的性质，研究人员正在不断探索其在生物医学和纳米传感器领域的应用。
量子点ZnO 被广泛用于细胞成像、药物释放和癌症治疗等方面的研究，有望成为新一代生物医学材料。
总之，量子点ZnO是一种具有潜力的纳米材料，其独特的性质和广泛的应用前景使其成为当前研究的热点之一。
随着对该材料的深入研究，相信将会有更多创新的应用和突破性成果出现。
纳米zno 磁
纳米zno 磁
纳米ZnO磁性的研究一直备受科学界的关注，因为纳米ZnO具有独特的物理和化学性质，对于磁性材料的研究具有重要意义。
在纳米尺度下，ZnO材料表现出与大尺度不同的磁性行为，这种磁性行为的产生主要是由于纳米结构的调控和表面效应的影响。
纳米ZnO是一种半导体材料，具有优良的光电性能和化学稳定性。
通过控制ZnO材料的尺寸、形貌和结构，可以调控其磁性质。
在纳米尺度下，ZnO材料的能带结构发生变化，导致其电子结构发生改变，从而影响其磁性行为。
此外，ZnO表面的缺陷和掺杂也会影响其磁性质，进一步提高了纳米ZnO的磁性能。
研究表明，纳米ZnO材料具有较强的铁磁性和顺磁性。
铁磁性是指材料在外加磁场下会产生磁化强度，而顺磁性是指材料中的电子会受到外界磁场的影响而发生自旋取向。
这种磁性行为在纳米ZnO中表现得非常显著，使其具有潜在的应用前景。
纳米ZnO磁性的研究不仅可以拓展磁性材料的应用领域，还可以深化对纳米材料磁性行为的理解。
通过对纳米ZnO磁性的研究，可以为纳米材料的设计合成提供新的思路和方法，推动纳米技术的发展。
同时，纳米ZnO磁性的研究还可以为磁存储、磁传感器等领域的应用提供新的材料选择。
总的来说，纳米ZnO磁性的研究具有重要的科学意义和应用前景。
随着科学技术的不断发展，相信纳米ZnO磁性将会在更多领域展现出其独特的价值，为人类社会的进步和发展做出贡献。
希望未来能有更多的科研工作者投入到纳米ZnO磁性的研究中，共同探索其更多的奥秘，推动科学的发展和进步。
氧化锌纳米线的生长及其光电性能分析
氧化锌纳米线的生长及其光电性能分析氧化锌（ZnO）纳米线作为半导体材料，在光电领域具有重要的应用价值。
本文将对氧化锌纳米线的生长过程以及其光电性能进行深入分析。
首先，我们来介绍氧化锌纳米线的生长过程。
氧化锌纳米线的生长通常通过化学气相沉积法或者热蒸发法来实现。
在化学气相沉积法中，金属锌粉或氧化锌粉末被加热至一定温度，使之升华成为气相物质。
然后，氧化锌的前驱物质被引入反应室，与锌原子相遇并沉积在衬底表面形成氧化锌纳米线。
而在热蒸发法中，则是将金属锌置于高温环境中，通过蒸发的方式使锌原子沉积在衬底表面并与氧气反应生成氧化锌纳米线。
其次，我们来讨论氧化锌纳米线的光电性能。
氧化锌纳米线具有优异的光电特性，主要体现在光电转换和光学传感器方面。
首先是光电转换方面，氧化锌纳米线的带隙能够调控其能带结构，使其在紫外光范围内具有较高的光电转换效率。
此外，氧化锌纳米线的高表面积和导电性能也使其成为光电器件中的理想材料。
在光学传感器方面，氧化锌纳米线的导电性能和表面活性使其能够实现对环境中光、气体等信息的高灵敏检测。
最后，我们来探讨氧化锌纳米线的应用前景。
随着纳米技术的不断发展，氧化锌纳米线作为半导体材料在光电领域的应用将会越来越广泛。
例如，氧化锌纳米线可用于柔性电子器件、太阳能电池、光学传感器等领域。
通过进一步研究和优化氧化锌纳米线的生长和光电性能，将有助于推动其在光电领域的应用，并为相关领域的技术发展提供新的思路和方法。
通过对氧化锌纳米线的生长及其光电性能进行分析，我们可以更好地了解这一材料在光电领域的潜力和应用前景。
相信随着科学技术的不断发展，氧化锌纳米线将会为人类创造出更多的科技奇迹。
ZnO纳米线及其器件研究进展
ZnO 纳米线及其器件研究进展谌小斑,贺 英,张文飞(上海大学材料科学与工程学院高分子材料系,上海 201800)摘要:介绍了氧化锌(ZnO)纳米线(NW)的性质,总结了ZnO NW 的气相法、液相法、模板生长法、自组装法等制备原理和方法,详细阐述了ZnO NW 基光电、压敏和气敏等纳米器件的研究现状,如在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电机、气敏传感器的应用现状。
分析了目前ZnO NW 器件实用化进程中难以解决的p 型掺杂等方面的问题及其在荧光探针、稀磁半导体材料和自旋电子器件等方面的研究和应用趋势,指出今后的研究及发展方向主要将集中在ZnO 缺陷形成及作用机理的研究,ZnO NW 荧光探针的制备及其在生物医学上的应用,不同结构的ZnO 超晶格和多量子阱的制备及其在自旋电子器件中的应用。
关键词:氧化锌纳米线;纳米器件;光电器件;压敏器件;气敏器件中图分类号:TN 304.21;T N 303 文献标识码:A 文章编号:1671-4776(2008)10-0590-07Progress in ZnO Nanowire and NanodeviceChen Xiao ban,H e Ying,Zhang Wenfei(D ep ar tment of Poly mer M ater ial,S chool of M ater ial S cience andEngineer ing,S hang hai Univ er sity ,Shanghai 201800,China)Abstract:T he pro perties of ZnO nanow ir e (NW )are intr oduced,and the principles and methods of preparing ZnO nanow ires are review ed,including v apor method,liquid method,template grow th m ethod,self -assemble method and so on.The statues of optoelectronic devices,pr es -sur e -sensitiv e devices and g as -sensitive devices based ZnO N W are described in detail,such as light -emitting dio de (LED),solar cell,ultr av io let laser,nano generator and gas senso r.The difficulties resolved in practical application of ZnO NW devices,such as doped p -type ZnO,are analyzed.T he tendencies of fluo rescent pro be,diluted m ag netic sem iconductor mater ials and quantum spin devices based ZnO NW are forecasted.It is indicated that the follow ing researches w ill be focused on the defect fo rmation and function m echanism of ZnO,preparation and application of ZnO NW fluorescent probe,research of ZnO NW superlattice and quantum w ell w ith differ ent str uctures and its applicatio ns in quantum spin devices.Key words:znic ox ide nanow ire (ZnO NW);nanodevice;optoelectro nic device;pressur e -sens-i tive device;g as -sensitive dev ice EEACC :2560;2520E0 引 言氧化锌是一种新型的Ò-Ö族直接带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,发射波长和GaN 一样处于紫外波段。
宽禁带半导体ZnO材料的调研
详细描述
脉冲激光沉积法利用高能脉冲激光照射在锌 靶上，产生高温高压等离子体，其中包含锌 原子和氧原子。这些原子在飞向衬底的过程 中发生化学反应，生成ZnO沉积在衬底上。 通过控制激光能量、脉冲频率、衬底温度等 参数，可以调节ZnO薄膜的生长速度和晶体 质量。
脉冲激光沉积法
总结词
脉冲激光沉积法是一种利用激光诱导化学反 应制备ZnO材料的方法，通过将高能脉冲激 光照射在锌靶上，产生高温高压等离子体， 再与氧气反应生成ZnO沉积在衬底上。
ZnO材料的应用领域
03
ZnO材料的应用领域
电子器件
发光二极管
ZnO具有高导电性和宽禁带特性， 可用作蓝光LED的基底材料，广 泛应用于显示、照明等领域。
太阳能电池
ZnO作为宽禁带半导体材料，具有 较高的光吸收系数和良好的光学稳 定性，在太阳能电池领域具有潜在 的应用价值。
场效应晶体管
ZnO基场效应晶体管因其高迁移率 和良好的稳定性，在集成电路、微 电子器件等领域具有广阔的应用前 景。
宽禁带半导体的定义
宽禁带半导体
指禁带宽度较大的半导体材料，通常禁带宽度大于2.3eV。这类半导体材料具有高热导率、高击穿场 强、高饱和电子速度等优点，在高温、高频率、高功率器件以及光电器件等领域具有广泛的应用前景 。
ZnO材料
是一种宽禁带半导体材料，禁带宽度为3.37eV，在室温下表现出高激子束缚能（60meV）和高热导率等 特点。ZnO材料还具有优异的光学性能和电学性能，使其在紫外光电器件、短波长激光器、气体传感器和 太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。
详细描述
化学气相沉积法利用气态的锌源和氧气发生化学反应，在衬底上生成ZnO晶体。常用的锌源包括锌粉、锌盐等， 衬底材料则根据需要选择，如蓝宝石、硅等。通过控制温度、压力、气体流量等参数，可以调节ZnO薄膜的生长 速度和晶体结构。
纳米线的应用
纳米线的应用
纳米线由于其独特的结构和性质，在许多领域都有广泛的应用。
以下是一些常见的纳米线应用领域：
1.纳米电子器件：纳米线可用作场发射器件、场效应晶体管（FET）、纳米横场效应晶体管（NWFET）等电子器件的材料。
其高电子迁移率、大比表面积和优异的传输性能使其成为下一代纳米电子器件的重要候选材料。
2.传感器：纳米线具有高度的表面积和界面活性，可用于传感器的敏感元件。
例如，金属氧化物纳米线可用于气体传感器、生物传感器等，检测环境中的气体、生物分子等。
3.光电器件：纳米线在太阳能电池、光电探测器、发光二极管（LED）等光电器件中有重要应用。
例如，纳米线可以增强光的吸收、延长电荷分离时间，提高太阳能电池的效率。
4.能源存储：纳米线可用作锂离子电池、超级电容器等能量存储设备的电极材料。
其高比表面积和快速电子传输特性有助于提高能量密度和充放电速度。
5.生物医学：纳米线在生物医学领域具有重要应用潜力，可用于生物成像、药物输送、细胞分析等。
例如，纳米线可以作为药物载体，通过表面修饰实现靶向输送和控释，用于癌症治疗等。
6.柔性电子：纳米线具有优异的柔性和可变形性，可用于柔性电子器件的制备。
例如，纳米线可以集成到柔性电子皮肤、可穿戴设备等中，实现人体监测、健康管理等应用。
7.纳米机械：纳米线可以作为纳米机械器件的构建材料，用于纳米机械臂、纳米传感器、纳米机械切割等应用，开拓了纳米尺度上的机械操作和控制。
总的来说，纳米线在电子学、光学、能源、生物医学等领域都有着重要的应用前景，其独特的结构和性质使其成为纳米科技研究和应用的重要组成部分。
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》
《ZnO纳米线阵列的可控制备及气敏性研究》篇一一、引言随着纳米科技的飞速发展，ZnO纳米材料因其独特的物理和化学性质，在传感器、光电器件、生物医药等多个领域具有广泛应用。
其中，ZnO纳米线阵列作为一种典型的纳米结构，其可控制备与性能研究成为了当前研究的热点。
本文将重点探讨ZnO纳米线阵列的可控制备方法及其在气敏性方面的应用研究。
二、ZnO纳米线阵列的可控制备1. 制备方法ZnO纳米线阵列的制备方法主要包括化学气相沉积法、水热法、溶胶-凝胶法等。
其中，化学气相沉积法因其制备过程简单、成本低廉、易于大规模生产等优点，成为了一种常用的制备方法。
在化学气相沉积法中，首先需要制备ZnO的前驱体溶液，然后将基底置于反应室中，通过加热、催化等手段使前驱体溶液在基底上生长成为ZnO纳米线阵列。
此外，通过调节反应参数如温度、压力、气氛等，可以实现ZnO纳米线阵列的形貌和尺寸的可控制备。
2. 可控制备技术为了实现ZnO纳米线阵列的可控制备，需要掌握一系列的制备技术。
首先，要选择合适的基底材料和前驱体溶液，以确保ZnO纳米线的生长质量和均匀性。
其次，要控制反应参数，如温度、压力、气氛等，以实现ZnO纳米线阵列的形貌和尺寸的可控。
此外，还需要对制备过程进行优化，如通过添加催化剂、调节反应时间等手段，进一步提高ZnO纳米线阵列的制备质量和效率。
三、气敏性研究1. 气敏性原理ZnO纳米线阵列具有优异的气敏性能，其原理主要与其表面吸附氧和目标气体分子的相互作用有关。
当目标气体分子与吸附在ZnO表面的氧发生反应时，会导致ZnO的电阻发生变化，从而实现对目标气体的检测。
此外，ZnO纳米线阵列的高比表面积和良好的电子传输性能也有助于提高其气敏性能。
2. 气敏性应用ZnO纳米线阵列在气敏性方面具有广泛的应用前景。
例如，可以用于检测空气中的有害气体如甲醛、苯等；也可以用于检测可燃气体如甲烷、氢气等；此外，还可以用于生物传感器的制备，如检测生物分子的浓度和活性等。
氧化锌纳米材料简介综述
目录摘要 (1)1.ZnO材料简介 (1)2.ZnO材料的制备 (1)2.1 ZnO晶体材料的制备 (1)2.2 ZnO纳米材料的制备 (2)3. ZnO材料的应用 (3)3.1 ZnO晶体材料的应用 (3)3.2 ZnO纳米材料的应用 (5)4.结论 (7)参考文献 (9)氧化锌材料的研究进展摘要介绍了氧化锌（ZnO）材料的性质，简单综述一下近几年ZnO周期性晶体材料和ZnO纳米材料的新进展。
关键词：ZnO；晶体材料；纳米材料1.ZnO材料简介氧化锌材料是一种优秀的半导体材料。
难溶于水，可溶于酸和强碱。
作为一种常用的化学添加剂，ZnO广泛地应用于塑料、硅酸盐制品、合成橡胶、润滑油、油漆涂料、药膏、粘合剂、食品、电池、阻燃剂等产品的制作中。
ZnO的能带隙和激子束缚能较大，透明度高，有优异的常温发光性能，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管等产品中均有应用。
此外，微颗粒的氧化锌作为一种纳米材料也开始在相关领域发挥作用。
纳米ZnO粒径介于1-100nm之间，是一种面向21世纪的新型高功能精细无机产品，表现出许多特殊的性质，如非迁移性、荧光性、压电性、吸收和散射紫外线能力等，利用其在光、电、磁、敏感等方面的奇妙性能，可制造气体传感器、荧光体、变阻器、紫外线遮蔽材料、图像记录材料、压电材料、压敏电阻、高效催化剂、磁性材料和塑料薄膜等[1–5]。
下面我们简单综述一下，近几年ZnO周期性晶体材料和ZnO纳米材料的新进展。
2.ZnO材料的制备2.1 ZnO晶体材料的制备生长大面积、高质量的ZnO晶体材料对于材料科学和器件应用都具有重要意义。
尽管蓝宝石一向被用作ZnO薄膜生长的衬底，但它们之间存在较大的晶格失配，从而导致ZnO外延层的位错密度较高，这会导致器件性能退化。
由于同质外延潜在的优势，高质量大尺寸的ZnO晶体材料会有利于紫外及蓝光发射器件的制作。
由于具有完整的晶格匹配，ZnO同质外延在许多方面具有很大的潜力：能够实现无应变、没有高缺陷的衬底-层界面、低的缺陷密度、容易控制材料的极性等。
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1.n型ZnO与p型GaN型LED 常见的p-n结的组成结构是n-型ZnO纳米线垂直生长在以p型GaN为缓冲层的蓝宝石衬底上 如下图[3]。
[1]Ozgur et al., J. Appl. Phys. 98, 041301(2005) [2]A. Tsukazaki et al.,Nat. Mater. 2005 , 4 , 42 [3]W. I. Park and G. C. Yi, Ad. Mater. 2004,16, No.1
后来，研究者们研究了利用不同染料[1][2]，或制备不同长度的ZnO纳米线（最长33μm）
[3]，以及利用在上Fe或Pt微米棒上生长ZnO NW阵列并置于柔性衬底上[4]的ZnO NW基
DSSC。
利用N3，红汞，罗明丹做染料得到的DSSC性能参数如下：
染料
Jsc(mA cm–2) Voc(V)
η（%）
n型ZnO与p型GaN型LED主要性能参数
正向导通电压： 不同制备方法得到的ZnO纳米线由于与各种缺陷以及与GaN的界面缺陷等，使得正向导通 电压各不同。n型ZnO与p型GaN型LED正向导通电压一般在2.5V[1]~3V[2]之间。
EL发光光谱： ZnO-GaN LED发光光谱主要由ZnO带边发光光谱及p-GaN掺杂发光光谱组成。 不同的研究者利用不同的方法得到ZnO-GaN LED发光光谱不同，例如： Park et al.[3]利用MOCVD法制备的ZnO-GaN LED有两个发光峰，分别位于450 and 560 nm处。 Jeong et al.[4]同样利用MOCVD法制备的ZnO-GaN LED的发光峰在386nm处。 而利用CVD法: Fu et al.[5]制备的ZnO-GaN LED的发光峰在405nm处； Zhang et al.[6]的到发光峰在440nm处，并且随着偏压的增大，发光峰从440nm处移到 400nm处。
[1]Sang Wuk Lee, Hak Dong Cho, Gennady Panin, Tae Won Kang,Appl. Phys. Lett. 98, 093110 (2011) [2]Hui Sun, Qi-Feng Zhang, Jin-LeiWu.Nanotechnology 17 (2006) 2271–2274
ZnO 纳米线的应用
• 光电探测器 • 发光二极管 • 场效应晶体管 • 染料敏化太阳能电池（DSSC） • 纳米电动机
光电探测器
光电探测器是指能把光辐射能量转换为一种便于测量的物理量的器件。 主要性能参数： a.响应度：单位入射光功率与所产生的平均光电流比，单位为A/W。 S =Iph/Popt b.光开关比(on/off ratio)： on-off ratio=(Ilight－Idark)/Idark 其中， Ilight和Idark分别为光照射时产生的电流和无光照射时的电流（暗电流） c.恢复时间(recovery time)：撤掉光源时，电流降到暗电流所用的时间。
1.伏安特性曲线： 正向导通电压VF，正向电流IF，反向击穿电压VR，反向击穿电流IR。 不同材料的LED的正向导通电压值也不同，如GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为 1.8V，GaN为2.5V。
2.最大功耗P
3.EL发光光谱
4.偏置电压对发光光谱强度的影响
ZnO纳米线在LED中的应用
ZnO相比于GaN, GaP等半导体材料，具有价格低廉，激子结合能高（60meV)，容易形 成结晶性良好的单晶等优点[1]。ZnO有望代替GaN等材料成为下一代LED材料。
过去十年里，半导体科学家一直在寻找能够实际应用的电驱动氧化锌基发光二极管(LED) 和激光二极管(LD)， 2005年Kawasaki[2]报道了同质p-i-n ZnO LED，这一报道更加激发了 研究者的热情。但是由于稳定的可重复制备的p型掺杂ZnO仍然存在很多困难。因此，ZnO 纳米线应用于LED时，主要与p型GaN，或p型Si等组成p-n异质结。
2.ZnO纳米线与Si接触界面
[1]Minhyeok Choe et al., 2012 Nanotechnology 23 485201 [2]Song et al.,Appl. Phys. Lett. 92, 263109 (2008)
染料敏化太阳能电池（DSSC）
染料敏化太阳能电池主要由表面吸附了染料敏化剂的半导体电极、电解质、Pt 对电极组 成， 半导体电极：主要由TiO2薄膜或颗粒构成，也有以SnO2 或 ZnO纳米颗粒做光阳极的。 DSSC工作原理主要由以下几个步骤构成： 1）当能量低于半导体的禁带宽度且大于染料分子特征吸收波长的入射光（hv）照射到电 极上时，吸附在电极表面的基态染料分子(D)中的电子受激跃迁至激发态(D*)。 2）激发态染料分子(D*)将电子注入到半导体导带中，此时染料分子自身转变氧化态(D+)。 3）处于氧化态的染料分子(D+)则通过电解质（I－/I3－）溶液中的电子给体（I－），自身恢 复为还原态，使染料分子得到再生。 4）注入到半导体导带中的电子与氧化态的染料发生复合反应。 5）注入半导体导带的电子被收集到导电基片，并通过外电路流向对电极，形成电流。 6）注入到半导体导带中的电子与电解液中的I3－发生复合反应。 7）电解质溶液中的电子供体I－提供电子后成为I3－，扩散到对电极，在电极表面得到电子 被还原。
几种ZnO纳米线基光电探测器及其性能参数： 1.ZnO纳米线担载Au颗粒型[1]： on/off ratio:5×106 , recovery time:10 s(λ=350 nm, Power density=1.3 mW/cm2) 2.ZnO 纳米线两端与金属形成肖特基势垒型[2]： on/off ratio:4×105, sensitivity:2.6×103 A/W,recovery time:0.28 s(365 nm UV light with intensity 7.6 mW/cm2) 3.graphene/ZnO NW/graphene结构型[3]： on/off ratio:8×102, recovery time:0.5 s(325 nm UV laser with a power density of 100μW/μm2 and at a bias of 2V)
ZnO纳米线(棒)[1]
ZnO纳米片[2]
ZnO纳米带[3]
[1]M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. D. Yang, Nat. Mater., 4, 455–9 (2005). [2]Zhihong Jing;Jinhua Zhan. Adv. Mater. 2008, 20, 4547–4551 [3]J.G. Wen et al. / Chemical Physics Letters 372 (2003) 717–722
[1]Jha et al.,Appl. Phys. Lett. 101, 211116 (2012) [2]Oleg Lupan , Thierry Pauporté, Bruno Viana, Adv. Mater. 2010, 22, 3298–3302 [3]W. I. Park and G. C. Yi, Adv. Mater. 16, 87 (2004). [4]M. C. Jeong, B. Y. Oh, M. H. Ham, and J. M. Myoung, Appl. Phys. Lett88, 202105 (2006). [5]H. K. Fu, C. L. Cheng, C. H. Wang, T. Y. Lin, and Y. F. Chen, Adv. Funct.Mater. 19, 3471(2009)
ZnO纳米线在场效应晶体管(FET)中的应用
场效应晶体管(FET)是一种电压控制型器件，它利用输入电压在半导体内产生的电场效应 来控制输出电流的大小。有门极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端。 场效应管根据结构不同可分为：结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET)。每一 大类又根据导电沟道不同分为N沟道和P沟道。 ZnO是n-型半导体，图中所示的FET为N沟道结型场效应晶体管。而ZnO纳米线组成的 FET主要以这种结构为主。
发光二极管LED
发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件，具有二极管的特性。发光二极管 主要由PN结芯片、电极和光学系统组成。当在电极上加上正向偏压之后，使电子和空穴 分别注入P区和N区，当非平衡少数载流子与多数载流子复合时，就会以辐射光子的形式 将多余的能量转化为光能。
LED的主要性能参数：
ZnO纳米结构及其应用
ZnO是一种II-VI族宽带隙的半导体材料,相对分子质量为81.37,密度为5.67g/cm3。ZnO为纤 锌矿的六方晶体结构,晶格点阵常数为a=0.32nm，c=0.52nm。直接禁带宽度Eg=3.37eV， 激子结合能Eb=60meV。 ZnO纳米结构很多，有纳米线(棒)，纳米片，纳米带，纳米环等。以一维纳米线（棒） 最为常见。
文献[1]制备的ZnO NW基DSSC具有良好的光 电转换性能，虽然转换率不是很高。 其中， Jsc = 5.3–5.85 mA cm–2, Voc = 0.61–0.71 V, FF = 0.36–0.38 ， η = 1.2–1.5%.
[1]M. Law, L. E. Greene, J. C. Johnson, R. Saykally, and P. D. Yang, Nat. Mater., 4, 455–9 (2005).