微电子工艺作业

微电子工艺作业
微电子工艺作业

1.什么是薄膜?例举并描述可接受的薄膜的8个特性。(15分)

答:(1)薄膜:指某一维尺寸远小于另外两维上的尺寸的固体物质。

.(2).好的台阶覆盖能力

..高的深宽比填隙能力(>3:1)

..厚度均匀(避免针孔、缺陷)

..高纯度和高密度

..受控的化学剂量

..结构完整和低应力(导致衬底变形,

..好的粘附性避免分层、开裂致漏电)

2.例举并描述薄膜生长的三个阶段。(10分)

答:(1)晶核形成

分离的小膜层形成于衬底表面,是薄膜进一步生长的基础。

(2)凝聚成束

形成(Si)岛,且岛不断长大

(3)连续成膜

岛束汇合并形成固态的连续的薄膜

淀积的薄膜可以是单晶(如外延层)、多晶(多晶硅栅)和无定形(隔离介质,金属膜)的。

3.什么是多层金属化?它对芯片加工来说为什么是必需的?(10分)

答:..多层金属化:用来连接硅片上高密度器件的金属层和绝缘层

..关键层:线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。

..对于ULSI集成电路而言,特征尺寸的范围在形成栅的多晶硅、栅氧以及距离硅片表面最近的金属层。

介质层

..层间介质(ILD)

ILD-1:隔离晶体管和互连金属层;隔离晶体管和表面杂质。

采用低k介质作为层间介质,以减小时间延迟,增加速度。

4.例举淀积的5种主要技术。(10分)

答:膜淀积技术分类

化学方法

(1)CVD

a.APCVD(Atmosphere Pressure Chemical Vapor Deposition)

b.LPCVD

c.等离子体辅助CVD:HDPCVD(High-Density Plasma CVD)、PECVD(Plasma enhanced CVD)

d.VPE和金属有机化学气相淀积

(2)电镀:电化学淀积(ECD)、化学镀层

物理方法:

(1)PVD

(2)蒸发(含MBE)

(3)旋涂( SOG, SOD)

5.描述CVD反应中的8个步骤(15分)。

答:1) 质量传输

2)薄膜先驱物反应

3) 气体分子扩散

4) 先驱物吸附

5) 先驱物扩散进衬底

6) 表面反应

7) 副产物解吸

8) 副产物去除

6.例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的作用。(10分)

答:(1)低k介质须具备

低泄漏电流、低吸水性、低应力、高附着力、高硬度、

高稳定性、好的填隙能力,便于图形制作和平坦化、耐

酸碱以及低接触电阻。

研究较多的几种无机低介电常数

(二)高k介质

应DRAM存储器高密度储能的需要,引入了高

k介质,在相同电容(或储能密度)可以增加

栅介质的物理厚度,避免薄栅介质隧穿和大的

栅漏电流。同时,降低工艺难度。

有潜力的高k介质:Ta2O5, (BaSr)TiO3.

7、名词解释:CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。(将这些名词翻译成中文并做出解释)(10分)

答:(1)CVD、化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition)是指利用热

能、辉光放电等离子体或其它形式的能源,使气态物质在固体

的热表面上发生化学反应并在该表面上淀积,形成稳定的固态

物质的工艺过程。

(2)低压CVD(LPCVD)装片;炉子恒温并对反应室抽真空到1.3 Pa ;充N2 气或

其它惰性气体进行吹洗;再抽真空到1.3 Pa ;完成淀积;关闭所有气流,反应室重新抽到1.3 Pa ;回充N2 气到常压,取出硅片。

(3)等离子体增强CVD(PECVD)淀积温度低,冷壁等离子体反应,产生颗粒少,需要少的清洗空间等等离子体辅助CVD的优点。

(4)VPE气相外延:硅片制造中最常用的硅外延方法是气相外延,属于CVD范畴。在温度为800-1150℃的硅片表面通过含有所需化学物质的气体化合物,就可以实现气相外延。(5)BPSG:硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate-glass,BPSG):这是一种掺硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法(SiH4+O2+PH3+B2H6,400oC~450oC)来制备。BPSG与PSG(磷硅玻璃)一样,在高温下的流动性较好,广泛用作为半导体芯片表面平坦性好的层间绝缘膜。

8、质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?(10分)

答:1、质量传输限制淀积速率

淀积速率受反应物传输速度限制,即不能提供足够的反应物到衬底表面,速率对温度不敏感(如高压CVD)。

2、反应速度限制淀积速率

淀积速率受反应速度限制,这是由于反应温度或压力过低(传输速率快),提供驱动反应的能

量不足,反应速率低于反应物传输速度。

可以通过加温、加压提高反应速度。

9、采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?(10分)答:2)用TEOS(正硅酸乙酯)-臭氧方法淀积SiO2

Si(C2H5O4)+8O3 SiO2+10H2O+8CO2

优点:a、低温淀积;

b、高的深宽比填隙能力;

c、避免硅片表面和边角损伤;

数据库大作业设计题目

《数据库原理及技术》大作业大纲 类同卷,网上抄袭,大作业格式不正确一律0分处理 一、课程设计的目的和要求 (1)培养学生运用所学课程《数据库原理及技术》的理论知识和技能,深入理解《数据库原理及技术》课程相关的理论知识,学会分析实际问题的能力。 (2)培养学生掌握用《数据库原理及技术》的知识设计计算机应用课题的思想和方法。 (3)培养学生调查研究、查阅技术文献、资料、手册以及编写技术文献的能力。 (4)通过课程大作业,要求学生在教师的指导下,独立完成大作业要求的相关内容,包括: ①通过调查研究和运用Internet,收集和调查有关资料、最新技术信息。 ②基本掌握撰写小论文的基本步骤和写作方法。 ③根据课题的要求基本理解和掌握E-R图的设计方法和关系模式的转换。 ④根据课题的要求基本理解和掌握数据流图(DFD)和数据字典(DD)的设计方法。 ⑤创建数据库及各种数据库对象。 二、课程设计题目 要求: (1)任选下列一个题目,调查分析一个具体的或模拟的实例; (2)描述该实例的业务信息和管理工作的要求; (3)列出实体、联系; (4)指出实体和联系的属性; (5)画出E-R图; (6)将E-R图转换成关系模式,并注明主码和外码; (7)建立数据字典; (8)创建数据库; (9)根据题目的要求写查询、存储过程、触发器等。 题目: (1)学校图书借阅管理系统 功能要求: ●实现图书信息、类别、出版社等信息的管理; ●实现读者信息、借阅证信息的管理; ●实现图书的借阅、续借、归还管理; ●实现超期罚款管理、收款管理; ●创建触发器,分别实现借书和还书时自动更新图书信息的在册数量;

微电子工艺学试卷(A卷)及参考答案

华中科技大学2010—2011学年第二学期 电子科学与技术专业《微电子工艺学》试卷(A 卷) 一、判断下列说法的正误,正确的在后面括号中划“√”,错误的在后面括号中划“×”(本大题共12小题,每小题2分,共24分) 1、用来制造MOS 器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS 器件开态和关态所要求的阈值电压。(√) 2、在热氧化过程的初始阶段,二氧化硅的生长速率由氧化剂通过二氧化硅层的扩散速率决定,处于线性氧化阶段。( × ) 3、在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。( × ) 4、LPCVD 紧随PECVD 的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。(×) 5、蒸发最大的缺点是不能产生均匀的台阶覆盖,但是可以比较容易的调整淀积合金的组分。(×) 6、化学机械抛光(CMP)带来的一个显著的质量问题是表面微擦痕。小而难以发现的微擦痕导致淀积的金属中存在隐藏区,可能引起同一层金属之间的断路。(√) 7、曝光波长的缩短可以使光刻分辨率线性提高,但同时会使焦深线性减小。如果增大投影物镜的数值孔径,那么在提高光刻分辨率的同时,投影物镜的焦深也会急剧减小,因此在分辨率和焦深之间必须折衷。( √ ) 8、外延生长过程中杂质的对流扩散效应,特别是高浓度一侧向异侧端的扩散,不仅使界面附近浓 度分布偏离了理想情况下的突变分布而形成缓变,且只有在离界面稍远处才保持理想状态下的均匀分布,使外延层有效厚度变窄。( × ) 9、在各向同性刻蚀时,薄膜的厚度应该大致大于或等于所要求分辨率的三分之一。如果图形所要求的分辨率远小于薄膜厚度,则必须采用各向异性刻蚀。( × ) 10、热扩散中的横向扩散通常是纵向结深的75%~85%。先进的MOS 电路不希望发生横向扩散, 因为它会导致沟道长度的减小,影响器件的集成度和性能。(√) 11、离子注入能够重复控制杂质的浓度和深度,因而在几乎所有应用中都优于扩散。( ×) 12、侧墙用来环绕多晶硅栅,防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。(√) 二、选择填空。 (本大题共8小题,每小题2分,共16分。在每小题给出的四个选项 中,有的只有一个选项正确,有的有多个选项正确,全部选对得2分,选对但不全的得1分,有选错的得0分) 1、微电子器件对加工环境的空气洁净度有着严格的要求。我国洁净室及洁净区空气中悬浮粒子洁净度标准GB50073-2001中,100级的含义是:每立方米空气中大于等于0.1 m 的悬浮粒子的最大允许个数为( B ) A 、35; B 、100; C 、102; D 、237。 2、采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层,是利用其具有的( A 、D ) A 、高电阻率; B 、高化学稳定性; C 、低介电常数; D 、高介电强度。 3、如果淀积的膜在台阶上过度地变薄,就容易导致高的膜应力、电短路或者在器件中产生不希望的(A )。 A. 诱生电荷 B. 鸟嘴效应 C. 陷阱电荷 D. 可移动电荷 4、浸入式光刻技术可以使193 nm 光刻工艺的最小线宽减小到45 nm 以下。它通过采用折射率高的 一、密封线内不准答题。 二、姓名、学号不许涂改,否则试卷无效。 三、考生在答题前应先将姓名、学号、年级和班级填写在指定的方框内。 四、试卷印刷不清楚。可举手向监考教师询问。 注意

集成电路工艺mooc测试题

第一周作业返回 1单选(1分) 在硅片晶向、掺杂类型介绍中,由硅片断裂边形成的角度是60o可知硅片是什么晶向? A.(100)B.(111)C.(110)D.(211) 正确答案:B 解析:B、硅的解理面是(111),在(111)面上两[111]晶向相交呈60 o 2多选(1分) 关于拉单晶时进行的缩颈步骤,下面的说法那种正确 A.可以多次缩颈 B.为了能拉出与籽晶相同的硅锭 C.为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸 D.为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸 正确答案:A、C、D 解析:A、目的是彻底终止线缺陷等向晶锭的延伸 3判断(1分) 在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭 正确答案:对 解析:因硅熔体温度梯度带来的密度(重力)差造成的干锅内熔体强对流减弱的缘故 4单选(1分) 磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35,这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率: A.轴向均匀 B.轴向递减 C.轴向递増 D.径向递减 正确答案:B 解析:B、因为掺入硅锭的杂质是轴向递增的。 5填空(1分) 拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的造成。 正确答案:O 或氧 第二周作业返回 1填空(1分) 外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长薄膜。 正确答案:晶体或单晶 2判断(1分) 如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。 正确答案:错 解析:只在一定范围成立,如SiCl4为硅源超过临界值会生成多晶、甚至腐蚀衬底。 3填空(1分) VPE制备n-/n+ -Si用硅烷为源,硅烷是在完成的分解。 可从下面选择:气相硅片表面正确答案:硅片表面

电器制造工艺特点与材料 (1)

电器制造工艺特点与材料 1、电器制造的特点和要求 电器制造基本属于机械制造的范畴,但也有它本身的特点。第一,电器制造的总体结构是由金属材料制造的机械结构,用以完成支撑、传动、储能等机械动作,以达到电器分断的目的。第二,电器零部件的加工方法主要是采用冷冲压、机械切削加工和热处理等通用机械加工工艺。这是与机械行业本身基本相同的制造范畴。 但是,电气制造业有其独特的特点,主要有以下几点: 1.)工艺涉及面极广。电器制造,尤其是开关制造因其电器性能的要求,设计了多种不同的制造工艺:如冷冲压工艺、塑料压制工艺、绝缘处理工艺、电阻焊接工艺、电器元件热处理工艺、弹簧制造工艺、电镀工艺。当然还包括机加工工艺等工艺。涉及面极广,这就使得电器制造工艺有许多与普通机械工艺不同的特点。有些特殊工艺如果减少,在外观上无法发现,如:双金属稳定处理工艺,不进行这些复杂的工艺,可大大降低成本,但产品会有严重的隐患。 2.)工艺装备多。工艺装备时指除机加工之外,所有的工、量、卡具和模具。在开关制造中,冲压模具是最主要的工艺装备,约占整个工艺装备数量的50%~80%。电器制造都是大批制造。一般来说,工艺装备越多,产品质量越稳定而生产效率越高。 3.)材料的品种、规格繁多。在电器制造中,采用的材料品种规格可达数千种。电器对材料性能有多方面的要求。有些材料不仅要有良好的机械性能,还需要有良好的导磁、导电、导热性能,对另外一些材料又要求有很高的绝缘强度和耐导弧性能,另外还对材料提出了耐磨、耐化学、耐腐蚀等苛刻的要求,当然,所有的材料都要求有良好的工艺性。 4. )制造精度高。低压电器在工作过程中,不仅有简单的机械运动。同时还有一系列的电、热、磁能的能量转换。因此,对于电器零件,不仅要求有尺寸、几何形状和位置的精度,还要考虑零件及零件材料的导电、导热、导磁、灭弧、绝缘等性能对产品特性的影响。零部件的精度等级必须满足产品技术参数的要求。如:触头压力、接触电阻、动作参数、动作时间、温升等。 此外,对影响产品电磁特性的零件相互位置、几何形状、精度以及热处理规范也有着很高的要求。有些零部件在常温常态下没有问题,但是一但通电,改变了常温常态在电场、电磁场、高温的状态下,会产生很大变化。会严重影响技术参数。如弹簧、常温下压力正常,高温下可能退火变软,压力迅速减小,引发电器故障。再如绝缘材料,如果因潮湿导致绝缘性能大幅下降,有可能引起开关相间短路而爆炸。 制造精度如何,仅从电器外观上是看不出来的,劣质产品的外观有时甚至比质量好的还漂亮,但对于用户来说选购了这种产品就等于选择了事故隐患。 5 )材料: 在电气材料中,除了大量采用黑色金属,有色金属外,还大量采用了贵重、稀有金属。如:银、镍、铂、铬和磷青铜、铍青铜、镍铬铁、铁铬铝,双金属等合金材料,在塑料、绝缘材料中,也广泛使用了聚四氟乙烯、DMC(玻璃纤维增强塑料)、聚酰胺(尼龙)、三聚氰胺等高绝缘强度和耐磨、耐电弧材料。 这些大量的贵重、有色金属、绝缘材料其价格都很高,近年来又连年提高价格。他们在产品成本中一般要占70%~80%。有些非正规生产厂家,之所以产品价格很低而还可以拿到利润,就是在这些内容上作了手脚。 A、金属材料 1.黑色金属:主要指钢板、圆钢类、钢丝类材料 用途:黑色金属是组成开关电器的主要材料,其制品负责满足电器动作、传动、支撑的要求。也有少量要满足电器的电性能要求(如弧角、栅片)。 质量:板类材料主要对材料的材质、厚度、表面质量有要求。如:常用的Q235(A3)钢板,要求材料保证机械性能指标(不保证化学成分),材料厚度要在国标允差范围之内,例如厚度为1mm的钢板(冷)允差为±0.07mm。再如钢丝类材料,要求具有准确的外径,具有均匀的材质和良好的热处理性能等。弹簧对开关的重要性使大家都知道的。 B、有色金属:主要指铜及铜合金材料。它们具有高导电性、足够的机械强度、不易氧化、不易腐蚀、易 加工、易焊接的特性。

电解铜箔电解液制造工艺流程

1.电解铜箔生产工艺 电解铜箔自20 世纪30 年末开始生产后,被用于电子工业,随着电子工业的发展,电解铜箔的品质在不断提高,其制造技术也在快速发展,各铜箔生产企业及相关研究单位对电解铜箔制造技术的研究也取得了相当大的进步,形成多家多种电解铜箔制造技术,各企业生产电解铜箔的关键技术千差万别,但无论关键技术及其具体工艺区别有多大,作为电解铜箔制造的工艺过程都大致包括电解液制备、原箔制造、表面处理、分切加工以及相关的检测控制、附属配备等工序。基本工艺流程如图5-1-1 。 5.11工艺流程 2.电解液的制备 电解液制备是电解铜箔生产的第一道工序,主要就是将铜料溶解成硫酸溶液,并经一系列过滤净化,制备出成分合格、纯净度很高的电解液。电解液质量的好坏,直接影响着铜箔产品品质的好坏,不但影响铜箔的内在质量,还影响铜箔外观质量。因此,必须严格控制溶铜造液过程所用的原料辅料,还要严格控制电解液制备的生产设备和操作过程。 作为制备电解液过程,所用的原料有电解铜、裸铜线、铜元杆、铜米等。要求原料含铜纯度必须达到99.95% 以上,铜料中各种杂质如Pb 、Fe、Ni 、As 、Sb 、AI 、S 及有机杂质等必须符合GB 4667-1997《电解阴极铜》国家标准中一号铜要求。硫酸作为一种重要的材料,生产过程中必不可少,其质量也要达到国家标准化学纯级技术要求。 (1).几种常见的电解液制备工艺流程 第一种流程

第二种流程 第三种流程

第四种流程 3. 电解液制备过程 上面仅列举了4 种有代表性的电解液制备工艺流程,除此之外,由于各铜箔生产企业技术水平、设备条件、配套能力等区别,以及生产铜箔档次要求的不同,在电解液制备循环方式上都有一定的区别。虽然电解液循环方式不同,但其机理都是一样的,都包含有铜料溶解、有机物去除、固体颗粒过滤、温度调整、电解液成分调整等作用和目的。 首先将经过清洗的铜料及硫酸、去离子水加入到具有溶解能力的溶铜罐中,向罐内鼓人压缩空气,在加热(一般为50-90 t) 条件下,使铜发生氧化,生成的氧化铜与硫酸发生反应,生成硫酸铜水溶液,当溶解到一定cu2 + 浓度(一般为120 -150 gIL) 时,进入原液罐(或经过滤后再到原液罐),与制筒机回流的贫铜电解液(一般为70 -100 gIL) 混合,以使电解液成分符合工艺要求,然后再经过一系列活性炭过滤、机械过滤、温度调整等设备及过程后,把符合工艺要求的电解液送人制筒机(或称电解机组)进行原箱生产制造。在实际生产过程中,电解液都是循环使用的,不断的从制循机中生产原筒,消耗电解液中的铜,而由溶铜罐不断溶铜,再经一系列过滤、温度调整、成分调整后,不断送人制筒机。这其中,利用活性炭吸附掉电解液中的有机物(包括有机添加剂) ,机械过滤滤掉(截留) 电解液中的固体颗粒物。 电解制备过程不但要保证电解液连续不断地循环,还要及时调整并控制好电解液成分(含铜、含硫酸浓度)、电解液温度、循环量匹配等技术指标。 4. 电解液制备主要工艺参数 电解液工艺指标是一个非常重要的参数,在很大程度上决定着电解铜锚质量,决定着溶铜造液的能力和电解液制备所用的设备规格和数量,电解液各工艺

原材料使用及生产工艺流程说明

原材料使用及生产工艺流程说明 第一章:原材料明细 婴儿纸尿裤、纸尿片的组成材料主要为:非织造布、进口原生纯木浆、高分子吸水树脂(SAP)、湿强纸、仿布防漏流延膜、热熔胶、左右腰贴、前腰贴、弹性PU等。 一.原材料使用要求:所有原材料外观应洁净,无油污、脏污、蚊虫、异物;并且符合环保要求;无毒、无污染、材料可降解;卫生指标符合GB15979 《一次性使用卫生用品卫生标准》规定要求。 二.原材料使用明细: 非织造布:主要用于产品的面层、直接与婴儿皮肤接触、可选的材料有无纺布或竹炭纤维; 进口原生木浆:主要作用是快速吸收尿液;可选材料主要为原生针叶木浆。已经考察的品牌有美国的石头、白玉、惠好、IP、瑞典的女神、俄罗斯的布阔等; 高分子吸水树脂:主要作用是吸收、锁住水分;主要选择日本住友和德国巴斯夫; 湿强纸:卫生包装用纸,含有湿强剂;主要用于包覆绒毛浆和SAP的混合物,便于后续工艺以及防止吸收体分解; 仿布防漏流延膜:主要用作产品的底层;防止尿液渗漏污染衣物或床上用品;主要参考的材料是台湾的复合透气流延膜; 热熔胶:用于任意两种材料的复合;主要选用德国汉高的产品或国民淀粉; 左右腰贴和前腰贴:主要用于婴儿纸尿裤上、让产品具备一定的形状;主要采用美国3M公司产品; 弹性PU:主要作用是让产品更贴身、防止尿液后漏;首选产品为美国3M 弹性PU 。 第二章:工艺流程

一.工艺流程 木浆拉毛——SAP添加——湿强纸包覆——吸收体内切——面层复合——前腰贴复合——底膜复合——左右贴压合——主体折合——产品外切——三折——成品输送——包装——装箱——检验入库——结束 二.流程说明 木浆拉毛:原生木浆经过专用设备拉毛成为绒毛浆;才具备快速吸水的能力; SAP添加:准确控制SAP的施加量,使其均匀混合在绒毛浆里,增加吸收体的吸水速度;利用SAP的锁水特性使混合物吸水后不会反渗; 湿强纸包覆:为了工艺的流畅性以及吸收体的整体性,利用湿强纸的特性对绒毛浆和SAP的混合物进行包覆; 吸收体内切:对经过湿强纸包覆的混合装物体进行分切;使其具备吸收体的形状; 面层复合:将面层材料(无纺布或竹炭纤维)用热熔胶复合在吸收体上,是吸收体不直接与皮肤接触; 前腰贴复合:在底膜和吸收体符合前,为了工艺的流畅性首先把前腰贴复合在底膜上; 底膜复合:利用热熔胶将底膜复合在吸收体上; 左右贴压合:利用压力将左右贴复合在底膜和面层上; 主体折合:将吸收体以外的部分折合在吸收体上,方便后续工艺进行; 产品外切:根据产品规格对产品进行分切; 三折:对分切后的产品进行折合,方便后续包装; 成品输送:将分切后的产品输送到包装部位; 包装:将三折后的产品按照一定的数量装入包装袋; 装箱:将包装后的产品装入纸箱。 检验入库:入库前对产品进行最后一次检验;合格后入库。 流程结束!

oracle数据库大作业

o r a c l e数据库大作业-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII

2013-2014学年第二学期《大型数据库技术》考查报告课题名称:图书管理系统系统 班级: 11软工java2班 学号: 1115115020 姓名:戴春奇 成绩: 2014年5月

1.课题概述 1.1 课题简介 随着社会的发展,人们对知识的需求也不断的增长。在这种形式下,人们就要不断的学习,不断的给自己充电,而图书馆就自然而然地在人们的生活中占据了一定的位置,如何科学的管理图书馆不但关系到读者求知的方便程度,也关系到图书馆的发展。图书馆作为一种信息资源的集散地,用户借阅资料繁多,包含很多的信息数据的管理。现今,有很多的图书馆都是初步开始使用,有些甚至尚未使用计算机进行信息管理。数据信息处理工作量大,容易出错;用于数据繁多,容易丢失,且不易查找。总的来说,缺乏系统,规范的信息管理手段。尽管有的图书馆有计算机,但是尚未用于信息管理,没有发挥它的效力,资源闲置比较突出。因此一个好的图书馆管理系统是非常重要的。 1.2 功能描述 1.登录模块 用户登录:用户在登陆页面登陆,登陆成功进入系统。 管理员登陆:用于管理员的登陆,在后台登陆页面登陆,登陆成功进入系统。图书管理员与系统管理员后台功能不一样。查询用户表,对应用户名、密码正确则进入系统,对应用户名密码不正确则显示相应信息。 2.图书管理模块 对图书进行添加、查询、修改、删除、添加。

将输入的图书信息添加到数据库图书表中,以方便进行各种查询及更新操作,根据输入的图书名称或作者,查询数据库图书表中的相应记录并显示相应图书信息,更新数据库图书表中对应记录并显示更新后的图书信息,删除数据库图书表中对应记录。 3.副本信息模块 对图书的副本信息进行添加、修改、删除。将输入的图书副本信息添加到副本表中,并分配一个独立的中南码根据输入的中南码或国际标准图书编码,查询图书副本表,显示副本信息更新副本表的数据库、删除副本表中所对应的图书信息、修改副本表中错误的信息并更新数据库。 4.用户管理模块 对用户进行添加、删除、修改。将输入的用户信息添加到用户表中,并分配一个独立的用户号根据输入的用户名的姓名或生日,查询用户表,显示用户信息更新用户表的数据库、删除用户表中所对应的、修改用户中错误的信息并更新数据库。 2、数据库设计及实现 2.1 数据库表清单 1、图书信息-----Books表

微电子工艺复习重点

20XX级《微电子工艺》复习提纲 一、衬底制备 1.硅单晶的制备方法。 直拉法悬浮区熔法 1.硅外延多晶与单晶生长条件。 任意特定淀积温度下,存在最大淀积率,超过最大淀积率生成多晶薄膜,低于最大淀积率,生成单晶外延层。 三、薄膜制备1-氧化 1.干法氧化,湿法氧化和水汽氧化三种方式的优缺点。 干法氧化:干燥纯净氧气 湿法氧化:既有纯净水蒸汽有又纯净氧气 水汽氧化:纯净水蒸汽 速度均匀重复性结构掩蔽性 干氧慢好致密好 湿氧快较好中基本满足 水汽最快差疏松差 2.理解氧化厚度的表达式和曲线图。 二氧化硅生长的快慢由氧化剂在二氧化硅中的扩散速度以及与硅反应速度中较慢的一个因素决定;当氧化时间很长时,抛物线规律,当氧化时间很短时,线性规律。 3.温度、气体分压、晶向、掺杂情况对氧化速率的影响。 温度:指数关系,温度越高,氧化速率越快。 气体分压:线性关系,氧化剂分压升高,氧化速率加快 晶向:(111)面键密度大于(100)面,氧化速率高;高温忽略。 掺杂:掺杂浓度高的氧化速率快; 4.理解采用干法热氧化和掺氯措施提高栅氧层质量这个工艺。 掺氯改善二氧化硅特性,提高氧化质量。干法氧化中掺氯使氧化速率可提高1%-5%。 四、薄膜制备2-化学气相淀积CVD 1.三种常用的化学气相淀积方式,在台阶覆盖能力,呈膜质量等各方面的优缺点。 常压化学气相淀积APCVD:操作简单淀积速率快,台阶覆盖性和均匀性差 低压化学气相淀积LPCVD:台阶覆盖性和均匀性好,对反应式结构要求不高,速率相对 低,工作温度相对高,有气缺现象 PECVD:温度低,速率高,覆盖性和均匀性好,主要方式。 2.本征SiO2,磷硅玻璃PSG,硼磷硅玻璃BPSG的特性和在集成电路中的应用。 USG:台阶覆盖好,黏附性好,击穿电压高,均匀致密;介质层,掩模(扩散和注入),钝化层,绝缘层。 PSG:台阶覆盖更好,吸湿性强,吸收碱性离子 BPSG:吸湿性强,吸收碱性离子,金属互联层还有用(具体再查书)。 3.热生长SiO2和CVD淀积SiO2膜的区别。 热生长:氧来自气态,硅来自衬底,质量好

各种材料及其加工工艺详解

各种材料及其加工工艺详解 1. 表面立体印刷(水转印)水转印——是利用水的压力和活化剂使水转印载体薄膜上的剥离层溶解转移,基本流程为: a. 膜的印刷:在高分子薄膜上印上各种不同图案; b. 喷底漆:许多材质必须涂上一层附着剂,如金属、陶瓷等,若要转印不同的图案,必须使用不同的底色,如木纹基本使用棕色、咖啡色、土黄色等,石纹基本使用白色等; c. 膜的延展:让膜在水面上平放,并待膜伸展平整; d. 活化:以特殊溶剂(活化剂)使转印膜的图案活化成油墨状态; e. 转印:利用水压将经活化后的图案印于被印物上; f. 水洗:将被印工件残留的杂质用水洗净; g. 烘干:将被印工件烘干,温度要视素材的素性与熔点而定; h. 喷面漆:喷上透明保护漆保护被印物体表面; i. 烘干:将喷完面漆的物体表面干燥。水转印技术有两类,一种是水标转印技术,另一种是水披覆转印技术,前者主要完成文字和写真图案的转印,后者则倾向于在整个产品表面进行完整转印。披覆转印技术(CubicTransfer)使用一种容易溶解于水中的水性薄膜来承载图文。由于水披覆薄膜张力极佳,很容易缠绕于产品表面形成图文层,产品表面就像喷漆一样得到截然不同的外观。披覆转印技术可将彩色图纹披覆在任何形状之工件上,为生产商解决立体产品印刷的问题。曲面披

覆亦能在产品表面加上不同纹路,如皮纹、木纹、翡翠纹及云石纹等,同时亦可避免一般板面印花中常现的虚位。且在印刷流程中,由于产品表面不需与印刷膜接触,可避免损害产品表面及其完整性。 2. 金属拉丝直纹拉丝是指在铝板表面用机械磨擦的方法加工出直线纹路。它具有刷除铝板表面划痕和装饰铝板表面的双重作用。直纹拉丝有连续丝纹和断续丝纹两种。连续丝纹可用百洁布或不锈钢刷通过对铝板表面进行连续水平直线磨擦(如在有装置的条件下手工技磨或用刨床夹住钢丝刷在铝板上磨刷)获取。改变不锈钢刷的钢丝直径,可获得不同粗细的纹路。断续丝纹一般在刷光机或擦纹机上加工制得。制取原理:采用两组同向旋转的差动轮,上组为快速旋转的磨辊,下组为慢速转动的胶辊,铝或铝合金板从两组辊轮中经过,被刷出细腻的断续直纹。乱纹拉丝是在高速运转的铜丝刷下,使铝板前后左右移动磨擦所获得的一种无规则、无明显纹路的亚光丝纹。这种加工,对铝或铝合金板的表面要求较高。波纹一般在刷光机或擦纹机上制取。利用上组磨辊的轴向运动,在铝或铝合金板表面磨刷,得出波浪式纹路。旋纹也称旋光,是采用圆柱状毛毡或研石尼龙轮装在钻床上,用煤油调和抛光油膏,对铝或铝合金板表面进行旋转抛磨所获取的一种丝纹。它多用于圆形标牌和小型装饰性表盘的装饰性加工。 螺纹是用一台在轴上装有圆形毛毡的小电机,将其固定在桌

数据库大作业期末

测绘专业数据库原理及应用期末大作业 一、要求 1、需求分析。 2、数据库设计。 2.1 概念结构设计(由需求得到E-R模型) 2.2 逻辑结构设计(把E-R模型转换为关系模型) 2.3 物理结构设计(根据关系模型设计表的结构和字段属性及约束) 3、数据库实现。(定义表格和索引等,录入数据,每个表格不少于8条数据) 4、数据库运行。(数据库操作的相关SQL语句,包括查询、增加、删除、修改等,不少 于20条,其中查询需覆盖简单、连接及嵌套三种语句) 5、18周之前交 二、可选题目 1.机票预定信息系统 系统功能基本要求: 能够实现多种关联查询 航班基本信息的录入:航班的编号、飞机名称、机舱等级等; 机票信息:票价、折扣、当前预售状态及经受业务员等; 客户基本信息:姓名、联系方式、证件及号码、付款情况等; 按照一定条件查询、统计符合条件的航班、机票等; 2.学校人事信息管理系统 系统功能基本要求: 能够实现多种关联查询 教职工基本信息:编号、姓名、性别、学历、所属部门、毕业院校、健康情况、职称、职务、奖惩等; 教师教学信息的录入:教师编号、姓名、课程编号、课程名称、课程时数、学分、课程性质等; 科研信息的录入:教师编号、研究方向、课题研究情况、专利、论文及著作发表情况等。 3.论坛管理信息系统 系统功能基本要求: 能够实现多种关联查询 作者信息:昵称、性别、年龄、职业、爱好等; 帖子信息:帖子编号、发帖日期、时间、等级等; 回复信息:回复作者昵称、回复时间等。 4.药品存销信息管理系统 系统功能基本要求:

能够实现多种关联查询 药品信息:药品编号、药品名称、生产厂家、生产日期、保质期、用途、价格、数 量、经手人等; 员工信息:包括员工编号、姓名、性别、年龄、学历、职务等; 客户信息:客户编号、姓名、联系方式、购买时间、购买药品编号、名称、数量等; 入库和出库信息:库存信息、药品存放位置、入库量、出库量。 5.职工考勤管理信息系统 系统功能基本要求: 能够实现多种关联查询 职工信息:包括职工编号、职工信息、性别、年龄、职称等; 出勤记录信息:上班打卡时间、下班打卡时间、缺勤记录等; 出差信息:出差起始时间、结束时间、统计总共天数等; 请假信息:请假开始时间,结束时间,统计请假天数等; 加班信息:加班开始时间、结束时间、统计加班时间等; 6.自选题目。具有一定实际意义,基本表不少于3个,能够实现多种关联查询。 报告格式模板见附录

金属材料及加工工艺

金属加工工艺 第一篇变形加工第二篇切削加工第三篇磨削加工第四篇焊接第五篇热处理第六篇表面处理 第一篇变形加工 一、塑性成型 二、固体成型 三、压力加工 四、粉末冶金 一、塑性成型加工 塑性(成型) 塑性(成型)加工是指高温加热下利用模具使金属在应力下塑性变形。 分类: 锻造: 锻造:在冷加工或者高温作业的条件下用捶打和挤压的方式给金属造型,是最简单最古老的金属造型工方式给金属造型,艺之一。艺之一。 扎制: 扎制:高温金属坯段经过了若干连续的圆柱型辊子,高温金属坯段经过了若干连续的圆柱型辊子,辊子将金属扎入型模中以获得预设的造型。 挤压:用于连续加工的,具有相同横截面形状的实心或者空心金属造型的工艺,状的实心或者空心金属造型的工艺,既可以高温作业又可

以进行冷加工。 冲击挤压:用于加工没有烟囱锥度要求的小型到中型规格的零件的工艺。生产快捷,可以加工各种壁厚的零件,加工成本低。 拉制钢丝: 拉制钢丝:利用一系列规格逐渐变小的拉丝模将金属条拉制成细丝状的工艺。 二、固体成型加工 固体成型加工:是指所使用的原料是一些在常温条件下可以进行造型的金属条、片以及其他固体形态。加工成本投入可以相对低廉一些。 固体成型加工分类:旋压:一种非常常见的用于生产圆形对称部件的加工方法。加工时,将高速旋转的金属板推近同样高速旋转的,固定的车床上的模型,以获得预先设定好的造型。该工艺适合各种批量形式的生产。弯曲:一种用于加工任何形式的片状,杆状以及管状材料的经济型生产工艺。 冲压成型: 金属片置于阳模与阴模之间经过压制成型,用于加工中空造型,深度可深可浅。 冲孔: 利用特殊工具在金属片上冲剪出一定造型的工艺,小批量生产都可以适用。冲切:与冲孔工艺基本类似,不同之处在于前者利用冲下部分,而后者利用冲切之后金属片剩余部分。 切屑成型:当对金属进行切割的时候有切屑生产的切割方式统称为切屑

数据库大作业

华南理工大学数据库原理与设计大作业报告 专业:计算机科学与技术 班级: 2015春 学号: 20 学生姓名:陈亮 完成时间:

目录 目录 (2) 1、概述 (4) 2、需求分析 (6) 零售前台(POS)管理系统 (6) 后台管理系统 (7) 数据需求 (7) 3、数据库逻辑设计 (9) 概念结构设计 (9) 4、软件功能设计 (13) 逻辑结构设计 (13) 物理结构设计 (15) 完整性设计 (20) 安全性设计 (22) 5、界面设计 (24) 系统功能结构图 (24) 模块设计与实现(部分界面) (24) 6、结束语 (31)

7、参考文献 (33)

1、概述 超市管理信息系统是针对超级市场的销售而开发的。应用超市管理信息系统能够转变超市的工作方式,有效提高销售速度和服务水平,提高客户对超市的信任度和满意度,改善客户关系。运用超市管理信息系统,在销售商品时实行出口一次性付款,可以实现超市内部现代化管理,能够准确把握每一种商品的销售动态,防止商品断档或过量储备,商品开发方向、进货的适时化都可通过超市管理信息系统来完成。 超市管理信息系统将手工编制好的销售账目或根据原始超市销售记录直接在系统内制作超市销售信息,同时可对输入的超市销售信息进行修改、查询等操作。这种集约化的销售管理模式既便于对超市销售信息的收集、整理和加工,又便于操作员的需求信息在最短的时间内得到反馈,同时超市管理信息系统可自动分析各种商品销售变化规律,商品销售结构、居民消费变化等,从而为合理进货、经营、加工、库存、销售等提供科学的决策依据。 超市管理信息系统充分运用计算机管理信息技术,建立数据库,对超市的进销存过程进行详细分析,实现了对超市的进货、销售和库存的科学管理。

半导体集成电路工艺复习

第一次作业: 1,集成时代以什么来划分?列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答: 类别时间 数字集成电路 模拟集成电路MOS IC 双极IC SSI 1960s前期 MSI 1960s~1970s 100~500 30~100 LSI 1970s 500~2000 100~300 VLSI 1970s后期~1980s后期>2000 >300 ULSI 1980s后期~1990s后期 GSI 1990s后期~20世纪初 SoC 20世纪以后 2,什么是芯片的集成度?它最主要受什么因素的影响? 答:集成度:单个芯片上集成的元件(管子)数。受芯片的关键尺寸的影响。 3,说明硅片与芯片的主要区别。 答:硅片是指由单晶生长,滚圆,切片及抛光等工序制成的硅圆薄片,是制造芯片的原料,用来提供加工芯片的基础材料;芯片是指在衬底上经多个工艺步骤加工出来的,最终具有永久可是图形并具有一定功能的单个集成电路硅片。 4,列出集成电路制造的五个主要步骤,并简要描述每一个步骤的主要功能。 答:晶圆(硅片)制备(Wafer Preparation); 硅(芯)片制造(Wafer Fabrication):在硅片上生产出永久刻蚀在硅片上的一整套集成电路。硅片测试/拣选(Die T est/Sort):单个芯片的探测和电学测试,选择出可用的芯片。 装配与封装(Assembly and Packaging):提供信号及电源线进出硅芯片的界面;为芯片提供机械支持,并可散去由电路产生的热能;保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。 成品测试与分析(或终测)(Final T est):对封装后的芯片进行测试,以确定是否满足电学和特性参数要求。 5,说明封装的主要作用。对封装的主要要求是什么。 答:封装的作用:提供信号及电源线进出硅芯片的界面;为芯片提供机械支持,并可散去由电路产生的热能;保护芯片免受如潮湿等外界环境条件的影响。 主要要求:电气要求:引线应当具有低的电阻、电容和电感。机械特性和热特性:散热率应当越高越好;机械特性是指机械可靠性和长期可靠性。低成本:成本是必须要考虑的比较重要的因素之一。 6,什么是芯片的关键尺寸?这种尺寸为何重要?自半导体制造业开始以来,芯片的关键尺寸是如何变化的?他对芯片上其他特征尺寸的影响是什么? 答:芯片上器件的物理尺寸被称为特征尺寸;芯片上的最小的特征尺寸被称为关键尺寸,且被作为定义制造工艺水平的标准。 为何重要:他代表了工艺上能加工的最小尺寸,决定了芯片上的其他特征尺寸,从而决定了芯片的面积和芯片的集成度,并对芯片的性能有决定性的影响,故被定义为制造工艺水平的标准。

数据库大作业——学生管理系统教程文件

学生管理系统数据库设计与实现 班级:组成员及所完成的工作: 系统名称:学生管理系统 一.系统需求 a. 该“学生管理系统”只是对数据库应用技术的一个样本数据库的实例,重在对数据库一些方法的 熟悉与掌握,其中包括从数据库的概念模型到ER 图的绘制,再到数据库模式的建立(即为数 据库及其基本表的建立),而后数据的录入(在此从略)最后完成一些简单的关系运算表达式 的表达和相关的Select 查询语句的使用。 b. 系统结构简述:本系统包括六个实体:学生;课程;教师;学院;社团;活动实体之间的关系 转换为其他四个表:选修;代课;加入社团;组织活动(都是多对多关系的转换)实体“学 院”与“学生”之间一对多的关系转换到表“学生”中注:各个基本表中关键字已在关系模式中说明 c. 该数据库需要进行如下数据处理: ◎ 要查询所有学生的个人信息:学号,姓名,性别,民族,出生年月,籍贯,身份证号,学院 编号,所在专业 ◎ 学生要查询本学期所开课程详细情况(成绩除外),并按“课程类型”分组输入:学号 输出:学号,姓名,课程名,学分数,学时数,课程类型 ◎ 对某个学生的社团活动用清单表示(按社团分组,活动时间升序排序):输入:学号输 出:学号,姓名,活动名称,活动地点,活动时间,社团名称,详细内容 ◎ 某位教师想查询自己本学期所代的课程及其上课情况:输入:教师姓名输出:教师编号,姓名,性别,课程名,课程类型,上课教室,上课时间

ER 图 截止日期 发起日期 活动地点 n 详细内容 活动编号 名称 所在专业 1 n 所属院系 选修 m 入社日期 加入社团 成绩 代课 职务 上课时间 成立年份 n 社团编号# 会长编号 名称 所属级别 备注 m 组织活动 上课教室 学院 社团 教师 活动 课程 学生 图1。社团活动ER 图 学时数 姓名 性别 学号# 岀生年月 课程名 宿舍号 籍贯 民族 课程类型 教师编号# 学分数 姓名 学历 家庭住址 性别 电话 备注 身份证号 教师 学生 课程 图2。课程部分ER 图

微电子工艺技术 复习要点答案(完整版)

第四章晶圆制造 1.CZ法提单晶的工艺流程。说明CZ法和FZ法。比较单晶硅锭CZ、MCZ和FZ三种生长方法的优缺点。 答:1、溶硅2、引晶3、收颈4、放肩5、等径生长6、收晶。CZ法:使用射频或电阻加热线圈,置于慢速转动的石英坩埚内的高纯度电子级硅在1415度融化(需要注意的是熔硅的时间不宜过长)。将一个慢速转动的夹具的单晶硅籽晶棒逐渐降低到熔融的硅中,籽晶表面得就浸在熔融的硅中并开始融化,籽晶的温度略低于硅的熔点。当系统稳定后,将籽晶缓慢拉出,同时熔融的硅也被拉出。使其沿着籽晶晶体的方向凝固。籽晶晶体的旋转和熔化可以改善整个硅锭掺杂物的均匀性。 FZ法:即悬浮区融法。将一条长度50-100cm 的多晶硅棒垂直放在高温炉反应室。加热将多晶硅棒的低端熔化,然后把籽晶溶入已经熔化的区域。熔体将通过熔融硅的表面张力悬浮在籽晶和多晶硅棒之间,然后加热线圈缓慢升高温度将熔融硅的上方部分多晶硅棒开始熔化。此时靠近籽晶晶体一端的熔融的硅开始凝固,形成与籽晶相同的晶体结构。当加热线圈扫描整个多晶硅棒后,便将整个多晶硅棒转变成单晶硅棒。 CZ法优点:①所生长的单晶的直径较大,成本相对较低;②通过热场调整及晶转,坩埚等工艺参数的优化,可以较好的控制电阻率径向均匀性。缺点:石英坩埚内壁被熔融的硅侵蚀及石墨保温加热元件的影响,易引入氧、碳杂质,不易生长高电阻率单晶。 FZ法优点:①可重复生长,提纯单晶,单晶纯度较CZ法高。②无需坩埚、石墨托,污染少③高纯度、高电阻率、低氧、低碳④悬浮区熔法主要用于制造分离式功率元器件所需要的晶圆。缺点:直径不如CZ法,熔体与晶体界面复杂,很难得到无位错晶体,需要高纯度多晶硅棒作为原料,成本高。 MCZ:改进直拉法优点:较少温度波动,减轻溶硅与坩埚作用,降低了缺陷密度,氧含量,提高了电阻分布的均匀性 2.晶圆的制造步骤【填空】 答:1、整形处理:去掉两端,检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。 2、切片 3、磨片和倒角 4、刻蚀 5、化学机械抛光 3. 列出单晶硅最常使用的两种晶向。【填空】 答:111和100. 4. 说明外延工艺的目的。说明外延硅淀积的工艺流程。 答:在单晶硅的衬底上生长一层薄的单晶层。 5. 氢离子注入键合SOI晶圆的方法 答:1、对晶圆A清洗并生成一定厚度的SO2层。2、注入一定的H形成富含H的薄膜。3、晶圆A翻转并和晶圆B键合,在热反应中晶圆A的H脱离A和B键合。4、经过CMP和晶圆清洗就形成键合SOI晶圆 6. 列出三种外延硅的原材料,三种外延硅掺杂物【填空】 7、名词解释:CZ法提拉工艺、FZ法工艺、SOI、HOT(混合晶向)、应变硅 答:CZ法:直拉单晶制造法。FZ法:悬浮区融法。SOI:在绝缘层衬底上异质外延硅获得的外延材料。HOT:使用选择性外延技术,可以在晶圆上实现110和100混合晶向材料。应变硅:通过向单晶硅施加应力,硅的晶格原子将会被拉长或者压缩不同与其通常原子的距离。 第五章热处理工艺 1. 列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途?

数据库大作业共5页

数据库管理系统-SQL Server 一、内容简介 1、版本:SQL Server2019 Array 2、应用背景:SQL Server是Microsoft公司的一个关系数据库管理系统,但说起它的历史,却得从Sybase开始的。SQL Server从20 世纪80年代后期开始开发,最早起源于1987年的Sybase SQL Server。SQL Server最初是由Microsoft、Sybase 和Ashton-Tate三家公司共同开发的,1988年,Microsoft公司、Sybase公司和Aston-Tate公司把该产品移植到OS/2上。后来Aston-Tate公司退出了该产品的开发,而Microsoft公司、Sybase公司则签署了一项共同开发协议,这两家公司的共同开发结果是发布了用于Windows NT操作系统的SQL Server,1992年,将SQL Server 移植到了Windows NT平台上。 3、特点: 优点 Microsoft SQL Server是一个分布式的关系型数据库管理系统,具有客户机/服务器体系结构,采用了Transact-sql的sql语言在客户机与服务器间传递客户机的请求与服务器的处理结果。 众所周知,SQL Server能够满足今天的商业环境要求不同类型的数据库解决方案。它一种应用广泛的数据库管理系统,具有许多显著的优点:易用性、适合分布式组织的可伸缩性、用于决策支持的数据仓库功能、与许多其他服务器软件紧密关联的集成性、良好的性价比等。性能、可伸缩性及可靠性是基本要求,而进入市场时间也非常关键。 除这些SQL Server的优点外,SQLServer还为数据管理与分析带来了灵活性,允许单位在快速变化的环境中从容响应,从而获得竞争优势。从数据管理和分析角度看,将原始数据转化为商业智能和充分利用Web带来的机会非常重要。作为一个完备的数据库和数据分析包,SQLServer为快速开发新一代企业级商业应用程序、为企业赢得核心竞争优势打开了胜利之门。作为重要的基准测试可伸缩性和速度奖的记录保持者,SQLServer是一个具备完全Web支持的数据库产品,提供了对可扩展标记语言 (XML)的核心支持以及在Internet上和防火墙外进行查询的能力。 缺点: 1、开放性。只能运行在微软的windows平台,没有丝毫的开放性可言。 2、可伸缩性,并行性。并行实施和共存模型并不成熟,很难处理日益增多的用户数和数据卷,伸缩性有限。 3性能稳定性。SQLServer当用户连接多时性能会变的很差,并且不够稳定。

SQL2008数据库大作业

数据库基础 ------大作业 题目:学生信息管理系统 教学系:数学与统计学院 专业班级: 071121 学生姓名: 8888

一、系统设计 在进行系统的详细设计之前,首先应该设计好系统的模式并确定好系统的功能目标和具体页面,下面就是学生信息管理的系统设计。 从系统的设计目标上来看,学生信息管理系统的主要功能如下:(1)登录验证功能。 (2)学生信息查看功能。 (3)信息编辑删除和添加功能。 (4)成绩查看和搜索功能。 (5)课程浏览搜索功能。 (6)密码修改功能。 从系统的实现上来看,共有十七个页面,每个页面的功能实现和说明如下所示。 页面说明

下面介绍在系统设计之前数据库的需求分析和设计。 二、数据库设计 1.需求分析 学生信息管理系统是各大高校所不可缺少的一部分,随着计算机水平的快速提高,学生信息管理系统也在不断地发展和完善。管理信息系统主要包括了学生的信息管理以及课程和成绩管理,基本上实现了管理系统所必须的功能,下面介绍学生信息管理系统数据库的设计。 2.概念设计 2.1数字词典 数据词典如下表所示:

数据词典

2.2E-R图 根据以上的需求分析,E-R图如图下图所示: E-R图如下 2.3关系模式 E-R图转换成关系模式如下: 学生(学号、姓名、性别、民族、出生年月、入学时间、班级、生源地、备注) 课程(课程号、课程名称、学时、学分、课程类型、授课老师) 成绩(ID、学号、课程号、考试成绩) 选修(学号、课程号、选修时间) 查询(学号、课程号、查询时间)

3.逻辑设计 根据前面的E-R图转换的关系模式一共有以下几个表: Student(学生表) Course(课程表) Score(成绩表) Elective(选修表)

材料制备方法

陶瓷基复合材料的制备 摘要:现代陶瓷材料具有耐高温、耐磨损、耐腐蚀及重量轻等许多优良的性能。但是,陶瓷材料同时也具有致命的缺点,即脆性,这一弱点正是目前陶瓷材料的使用受到很大限制的主要原因。 因此,陶瓷材料的韧性化问题便成了近年来陶瓷工作者们研究的一个重点问题。现在这方面的研究已取得了初步进展,探索出了若干种韧化陶瓷的途径。其中,往陶瓷材料中加入起增韧作用的第二相而制成陶瓷基复合材料即是一种重要方法。 一.基体与增强体 1.1基体 陶瓷基复合材料的基体为陶瓷,这是一种包括范围很广的材料,属于无机化合物而不是单质,所以它的结构远比金属合金复杂得多。现代陶瓷材料的研究,最早是从对硅酸盐材料的研究开始的,随后又逐步扩大到了其他的无机非金属材料。 目前被人们研究最多的是碳化硅、氮化硅、氧化铝等,它们普遍具有耐高温、耐腐蚀、高强度、重量轻和价格低等优点。 1.2增强体 陶瓷基复合材料中的增强体,通常也称为增韧体。从几何尺寸上增强体可分为纤维(长、短纤维)、晶须和颗粒三类。 纤维:在陶瓷基复合材料中使用得较为普遍的是碳纤维、玻璃纤维、硼纤维等; 晶须为具有一定长径比(直径0.3~1μm,长0~100 μm) 的小单晶体。晶须的特点是没有微裂纹、位错、孔洞和表面损伤等一类缺陷,因此其强度接近理论强度。 颗粒:从几何尺寸上看,颗粒在各个方向上的长度是大致相同的,一般为几个微米。颗粒的增韧效果虽不如纤维和晶须。但是,如果颗粒种类、粒径、含量及基体材料选择适当仍会有一定的韧化效果,同时还会带来高温强度,高温蠕变

性能的改善。所以,颗粒增韧复合材料同样受到重视并对其进行了一定的研究. 二.纤维增强陶瓷基复合材料 在陶瓷材料中,加入第二相纤维制成复合材料是改善陶瓷材料韧性的重要手段,按纤维排布方式的不同,又可将其分为单向排布长纤维复合材料和多向排布纤维复合材料。 2.1单向排布长纤维复合材料 单向排布纤维增韧陶瓷基复合材料的显著特点是它具有各向异性,即沿纤维长度方向上的纵向性能要大大优于其横向性能。 在实际构件中,主要是使用其纵向性能。在单向排布纤维增韧陶瓷基复合材料中,当裂纹扩展遇到纤维时会受阻,这时,如果要使裂纹进一步扩展就必须提高外加应力。 2.2多向排布纤维复合材料 单向排布纤维增韧陶瓷只是在纤维排列方向上的纵向性能较为优越,而其横向性能显著低于纵向性能,所以只适用于单轴应力的场合。而许多陶瓷构件则要求在二维及三维方向上均具有优良的性能,这就要进一步研究多向排布纤维增韧陶瓷基复合材料。 二维多向排布纤维增韧复合材料的纤维的排布方式有两种:一种是将纤维编织成纤维布,浸渍浆料后,根据需要的厚度将单层或若干层进行热压烧结成型。这种材料在纤维排布平面的二维方向上性能优越,而在垂直于纤维排布面方向上的性能较差。一般应用在对二维方向上有较高性能要求的构件上。 另一种是纤维分层单向排布,层间纤维成一定角度。这种三维多向编织结构还可以通过调节纤维束的根数和股数,相邻束间的间距,织物的体积密度以及纤维的总体积分数等参数进行设计以满足性能要求。 2.3制备方法 目前采用的纤维增强陶瓷基复合材料的成型主法主要有以下几种: 1.泥浆烧铸法 这种方法是在陶瓷泥浆中分散纤维。然后浇铸在石膏模型中。这种方法比较古老,不受制品形状的限制。但对提高产品性能的效果显著,成本低,工艺

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