关于硅片切割工艺方面异常分析综合报告.pdf
光伏组件的加工工艺及不良分析
光伏组件的加工工艺及不良分析光伏组件是利用太阳能转化为电能的装置，在太阳能利用领域具有广泛应用。
在光伏组件的生产过程中，加工工艺的质量直接影响到光伏组件的性能和使用寿命。
本文将介绍光伏组件的加工工艺及不良分析，以提高光伏组件的生产质量和性能。
1.硅片清洗：在生产光伏组件之前，需要对硅片表面进行清洗。
清洗的目的是去除硅片表面的杂质、污垢和氧化层，以便后续的加工工艺。
清洗过程中要注意控制清洗液的浓度和温度，避免对硅片表面造成损伤。
2.硅片切割：硅片切割是将硅片按照一定尺寸进行切割，以便后续的加工。
硅片切割的精度和平整度直接影响到光伏组件的性能。
切割过程中要注意控制刀具的切割压力、速度和切割角度，保证切割的尺寸和平整度。
3.硅片扩散：硅片扩散是将硅片表面注入掺杂元素，形成P型或N型硅片。
扩散过程中要控制扩散温度、时间和掺杂元素的浓度，以保证硅片的电性能和稳定性。
4.前表面反射膜涂覆：在光伏组件的生产中，需要在硅片表面涂覆前表面反射膜，以提高光伏转换效率。
涂覆过程中要控制膜的厚度和均匀性，避免气泡和缺陷的出现。
5.结构化及金属电极制备：在光伏组件的生产中，需要在硅片表面结构化制备金属电极，以方便电流的传输。
结构化过程中要控制激光的焦距和功率，确保金属电极的精度和稳定性。
6.背表面反射膜涂覆：在光伏组件的生产中，需要在背表面涂覆反射膜，以提高光伏转换效率。
涂覆过程中要控制膜的厚度和均匀性，避免气泡和缺陷的出现。
7.封装及测试：最后，光伏组件需要进行封装和测试，以确保其性能和稳定性。
封装过程中要注意控制密封材料的温度和压力，确保封装的质量。
测试过程中要对光伏组件的电性能和光电性能进行全面测试，检测不良组件并进行修理处理。
在光伏组件的生产过程中，可能会出现以下不良情况：1.硅片表面损伤：硅片表面在清洗和切割过程中可能会受到损伤，导致硅片的性能降低。
解决方法是加强清洗和切割过程的控制，避免硅片表面的损伤。
2.反射膜气泡：在涂覆反射膜的过程中，可能会出现气泡和缺陷，导致光伏组件的转换效率降低。
硅片解决方案
硅片解决方案硅片解决方案是指针对硅片生产和应用过程中的问题，提出的一系列解决方案。
硅片是半导体材料的基础，广泛应用于电子、光电、太阳能等领域。
为了提高硅片的质量和生产效率，我们需要制定一套完善的硅片解决方案。
一、硅片生产过程中的问题及解决方案1.问题：硅片表面质量不佳解决方案：优化硅片表面处理工艺，采用先进的抛光和清洗技术，确保硅片表面的平整度和洁净度。
同时，引入自动化设备，减少人为操作对硅片表面的影响。
2.问题：硅片晶格缺陷严重解决方案：改进硅片生长技术，控制晶格缺陷的生成。
采用先进的晶体生长设备和工艺，提高硅片的结晶质量。
同时，加强对硅片生长过程中的温度、压力等参数的控制，减少晶格缺陷的产生。
3.问题：硅片厚度不均匀解决方案：优化硅片切割工艺，确保硅片厚度的均匀性。
采用先进的切割设备和工艺，控制切割参数，减少硅片厚度的偏差。
同时，加强对硅片切割过程中的加工温度和刀具磨损情况的监控，及时调整工艺参数。
二、硅片应用过程中的问题及解决方案1.问题：硅片在高温环境下易发生热应力破裂解决方案：改进硅片材料的制备工艺，提高硅片的热稳定性。
采用掺杂和合金化等方法，增强硅片的抗热应力破裂能力。
同时，加强对硅片在高温环境下的应力分析和模拟，优化硅片的结构设计。
2.问题：硅片在光电器件中易发生光衰减解决方案：改进硅片的光学特性，提高硅片的光传输效率。
采用表面纳米结构化和光学涂层等技术，增强硅片的光吸收和光耦合能力。
同时，加强对硅片光学性能的测试和评估，确保硅片在光电器件中的稳定性和可靠性。
3.问题：硅片在太阳能电池中的转化效率低解决方案：改进硅片的太阳能转化效率，提高太阳能电池的发电能力。
采用多晶硅和单晶硅等高效硅片材料，优化硅片的能带结构和电子传输性能。
同时，加强对硅片太阳能电池的工艺流程和参数的优化，提高硅片的光电转换效率。
以上是关于硅片解决方案的一些内容，通过优化硅片生产工艺和改进硅片材料性能，可以提高硅片的质量和应用效果。
多线切割工艺断线问题的分析
多线切割工艺断线问题的分析摘要:在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。
断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,本文从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。
关键词:硅钢线断线多线切割钢线破断力多线切割工艺的基本原理是通过镀铜金属线携带砂浆按一定的速度对硅单晶进行切割。
在切割过程中,断线问题是困扰多线切割工艺技术人员的主要问题之一,该问题的解决对硅片的质量和成品率有着非常重要的意义[1-3]。
随着硅单晶尺寸逐步增大以及硅片向越来越薄的方向发展,断线问题对设备有效运行时间以及成本控制等带来的影响日趋显著,因此断线问题成为多线切割工艺丞待解决的主要技术问题之一。
在多线切割工艺领域,鲜有关于断线问题的文献报道。
本文从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,以期给出相应的解决措施,为多线切割工艺人员解决断线问题提供一些解决方案。
1 断线问题的原因分析及解决措施断线问题是多线切割工艺中的常见问题之一,本文从材料、设备、工艺以及操作人员等角度进行了分析,具体如下。
1.1 镀铜金属线质量缺陷导致的断线问题及解决措施在多线切割工艺中,镀铜金属线是在一定的张力条件下以一定的速度与硅单晶之间相互作用,从而实现对硅单晶的切割。
在切割过程中,镀铜金属线需要承受一定的拉力,从而镀铜金属线需要具有一定的强度,并且表面应无瑕疵、无杂质。
镀铜金属线的质量缺陷是造成断线问题的一个主要因素,可以从镀铜金属线的质量控制入手,严格控制镀铜金属线的强度值、外观质量,必要时可以采取复验强度、外观检验等措施,以防止镀铜金属线在多线切割过程中出现断线问题。
(1)断线原因:钢线生产过程中制造工艺出现问题,造成镀铜金属线的强度偏低。
(2)断线原因:在钢线生产过程中混入杂质,形成镀铜金属线夹杂物。
(3)断线原因:在钢线生产拉拔过程中对钢线表面的损伤,形成镀铜金属线表面缺陷。
基于有限元分析的硅片切割过程多参数工艺优化
基于有限元分析的硅片切割过程多参数工艺优化基于有限元分析的硅片切割过程多参数工艺优化摘要：随着硅片在光伏、半导体等领域的广泛应用，硅片切割工艺的优化变得尤为重要。
本文基于有限元分析方法，研究硅片切割过程中影响切割质量的多个参数，并通过优化参数，实现硅片切割工艺的优化。
1. 引言硅片是太阳能光伏电池和半导体器件的重要组成部分。
硅片切割工艺影响了硅片的切割质量、产率和成本等关键性能。
传统的硅片切割方法主要采用碳化硅切割线进行切割，但其存在切割力过大、易损伤硅片表面等问题。
因此，通过优化硅片切割工艺参数，可以改善切割质量，提高硅片切割工艺的效率。
2. 硅片切割过程的有限元分析模型为了研究硅片切割过程中的力学行为，本文建立了硅片切割过程的有限元分析模型。
模型包含硅片、砂轮、切割液等组件，考虑了切割液的润湿性和冷却效果等因素。
通过有限元分析软件对模型进行求解，得到硅片切割过程中的应力分布、切割力等关键参数。
3. 影响硅片切割质量的关键参数在有限元分析的基础上，本文研究了影响硅片切割质量的几个关键参数，包括砂轮转速、切割液流量、刀盘压力等。
通过对这些参数进行优化，可以改善硅片切割的平整度、切割表面质量等关键性能。
4. 硅片切割过程的多参数工艺优化基于有限元分析结果和对关键参数的优化研究，本文提出了一种多参数工艺优化方法。
首先，通过有限元模拟，研究了不同参数对硅片切割过程中切割力的影响。
然后，采用响应面法建立了硅片切割力与切割参数之间的数学模型，通过求解这个模型，可以得到切割力最优工艺参数的组合。
最后，采用试验验证了优化参数对硅片切割质量的改善效果。
5. 结果与讨论本文通过研究硅片切割过程关键参数的优化，得到了硅片切割工艺的改善效果。
优化后的硅片切割工艺能够降低切割力、提高硅片切割表面的平整度和光洁度。
经过验证试验，得到的切割质量符合设计要求。
同时，本文还讨论了优化后的硅片切割工艺在产能、成本等方面的影响。
6. 结论本文基于有限元分析的方法研究了硅片切割工艺的多参数优化问题。
硅片切割工作总结
硅片切割工作总结
硅片切割是半导体制造过程中非常重要的一环，它直接影响着芯片的质量和性能。
在这个过程中，工作人员需要严格控制切割工艺，确保硅片的尺寸和表面质量达到要求。
在本文中，我们将总结硅片切割工作的关键步骤和注意事项，希望能为相关人员提供一些参考和帮助。
首先，硅片切割的关键步骤包括，选材、切割、清洗和检测。
在选材阶段，需要选择质量好、尺寸合适的硅片作为原料。
在切割阶段，工作人员需要使用高精度的切割设备，按照设计要求将硅片切割成指定尺寸的芯片。
在清洗阶段，需要对切割后的硅片进行清洗，去除表面的杂质和污垢。
最后，在检测阶段，需要对切割后的芯片进行质量检测，确保其符合要求。
其次，硅片切割工作需要注意的事项包括，工艺控制、设备维护和安全防护。
在工艺控制方面，需要严格按照操作规程进行操作，确保每一道工序都符合要求。
在设备维护方面，需要定期对切割设备进行检查和维护，保证其正常运转。
在安全防护方面，需要做好相关安全措施，避免因操作不慎导致意外发生。
总的来说，硅片切割工作是半导体制造过程中非常重要的一环，需要工作人员严格控制工艺，确保硅片的质量和性能。
希望本文能为相关人员提供一些参考和帮助，更好地开展硅片切割工作。
线切割质量分析报告,1200字
线切割质量分析报告线切割质量分析报告一、引言线切割作为常见的金属加工方法之一，在工业领域得到广泛应用。
线切割质量直接关系到产品的精度和表面质量，因此对线切割质量进行分析和评估具有重要意义。
本报告将对线切割质量进行分析，包括切割精度、切割面质量和切割效率三个方面。
二、切割精度分析切割精度是指切割过程中切割尺寸与设计尺寸之间的差异程度。
影响线切割精度的因素主要包括机床精度、控制系统精度和切割工艺参数等。
1. 机床精度机床精度是指线切割机床的运动精度。
优良的机床精度能够提供稳定的切割轨迹，从而保证切割尺寸精度。
在切割加工过程中，机床的加工误差主要体现在导轨精度、传动系统精度和加工台面平整度等方面。
为了提高切割精度，需要选用高精度的机床，并定期进行维护和保养。
2. 控制系统精度控制系统精度是指线切割机控制系统对切割过程的控制精度。
现代线切割机一般采用数控系统进行控制，通过编程实现切割轨迹的控制。
控制系统的响应速度、定位精度和运动平稳性等因素都会直接影响切割精度。
为了保证切割精度，需要设置合理的控制参数、合理编写切割程序并进行合理的校准。
3. 切割工艺参数切割工艺参数包括切割速度、电极径向力和放电脉冲参数等。
这些参数的选择直接影响切割尺寸的精度。
切割速度过高会导致切割过程中电极与工件的熔化金属无法及时清除，从而产生较大的熔渣，影响切割精度。
电极径向力的大小会影响电极与工件的接触状态，进而影响切割尺寸的稳定性。
放电脉冲参数的选择需要根据材料的种类和厚度进行合理设置。
通过优化切割工艺参数，可以提高切割精度。
三、切割面质量分析切割面质量是指切割过程中切割面的光洁度和表面粗糙度。
好的切割面质量能够保证产品的外观质量和加工精度。
1. 光洁度光洁度是指切割面的光亮程度。
光洁度的好坏与工件材料的类型、切割速度、放电参数和切割方向等因素相关。
切割速度过高和放电脉冲能量过大都会导致切割面产生较大的粗糙度和凹凸不平的现象，从而降低切割面的光洁度。
品质异常分析报告(两篇)
引言概述在现代制造业中，高品质的产品对企业的竞争力至关重要。
然而，在生产过程中，可能会出现品质异常的情况，例如产品缺陷、生产线故障等。
为了解决这些问题，本文将进行品质异常分析，探讨其原因和解决方案，以提高产品质量和生产效率。
正文内容一、生产线设备异常1. 设备故障：分析设备的故障情况，包括设备停机时间、频率和原因。
可能的原因包括设备老化、维护不到位等。
针对不同设备故障情况，采取相应的维修和维护措施。
2. 配置错误：检查设备的配置是否正确，包括参数设置、零件配件等。
如果发现配置错误，及时进行修改和调整。
3. 原材料问题：有时品质问题可能源于原材料的质量，如材料强度不足或含有杂质。
探讨原材料供应商和采购流程，确保原材料满足质量标准。
4. 操作员技能：评估生产线操作员的技能水平，是否具备正确的操作能力。
提供培训和技能提升机会，以提高操作员的技能水平。
5. 质量检验：建立有效的质量检验流程，确保在生产过程中对产品进行及时、准确的检测。
对于品质异常的产品，进行详细分析，找出问题所在并采取相应的措施，以防止类似问题再次发生。
二、生产工艺异常1. 工艺参数设置：分析生产工艺中的参数设置是否合理。
过高或过低的参数值可能导致产品质量下降。
通过试验和数据分析，确定合适的参数范围。
2. 工艺流程优化：审查工艺流程中的每个步骤，寻找可能导致品质异常的环节。
优化工艺流程，通过合理的工艺设计和操作指导，减少品质异常的发生。
3. 设备测试和校准：定期进行设备的测试和校准，确保其正常运行和准确性。
将测试和校准结果记录下来，并及时进行维修和调整。
4. 工艺改进：对于频繁发生品质异常的工艺环节，进行深入分析，找出改进的方向。
通过引入新技术、改进设备或调整工艺参数等方式，提高产品质量。
5. 数据分析和反馈：建立完善的数据收集和分析系统，对生产数据进行定期的统计和分析。
通过数据分析，发现潜在问题，并及时提供反馈，以便改进工艺和生产方式。
硅片行业分析报告2011
2011年硅片行业分析报告/clcz20122011年10月目录1、硅片行业发展概况 (3)2、进入硅片行业的主要障碍 (4)3、硅片行业市场供求状况及变动原因 (4)（1）硅片行业的需求状况 (4)（2）硅片行业的供给变动趋势 (6)4、硅片行业利润水平的变化趋势及变动原因 (6)5、影响硅片行业发展的有利和不利因素 (8)6、行业技术水平及特点、行业特有的经营模式和周期特征 (8)（1）行业技术水平及特点 (8)（2）行业主要经营模式 (9)（3）行业的周期性、地域性和季节性特征 (10)7、行业与上下游行业之间的关联性及其影响 (10)（1）硅片行业与上下游行业之间的关联性 (10)（2）上下游行业对于硅片行业发展的影响 (11)8、硅片行业竞争格局及主要企业 (12)1、硅片行业发展概况硅片企业利用单晶硅生长炉生产单晶硅棒，利用多晶硅铸锭炉生产多晶硅锭，再将其切割成单晶硅片或者多晶硅片，最终用于太阳能电池板、电池组件生产。
因此，硅片行业是实现多晶硅原料向太阳能电池转变的必经阶段，伴随着全球太阳能光伏产业的发展而发展。
影响硅片行业发展的主要因素包括太阳能光伏终端需求和多晶硅原料供给。
毋庸置疑，长期来看太阳能光伏终端需求将会持续增长。
过去由于多晶硅提纯技术门槛高，供给有限，随着技术的突破，全球多晶硅原料供给越来越充足。
因此，硅片行业发展趋势长期向好。
然而，2008年下半年以来，在金融危机影响下，虽然硅片行业增长态势未发生变化，但是2009年全行业却出现盈利下滑，主要系硅片销售价格和多晶硅原料价格波动所致。
2008年多晶硅原料价格经历非理性上涨之后，于2008年底开始大幅下挫，硅片价格受该等因素及金融危机双重影响亦大幅下滑，硅片企业普遍遭受了较大的损失。
2009年下半年以来，硅片和多晶硅原料价格逐渐趋于平稳，并且，全球金融危机后，美国、意大利等主要国家都把新能源作为经济复苏的重要产业，相继推出各项支持政策。
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一、断线
③线网断线：导论没有处理干净，在高速切割中钢线因杂质而脱离导轮槽，导致钢线飞线（跳线），随 着高速运转的钢线，跳线处与晶棒摩擦要比正常切割线网区域摩擦更严重，随着切割时间延长，砂浆的 切割力也慢慢下降，跳线位置可能会断线;晶棒两端斜面过大在切割中切到斜面边缘处钢线容易打滑， 钢线脱离线槽，会把端面位置碎片带进线网，造成断线;晶棒本身有杂质硬点，造成断线;导轮槽磨损， 切割中钢线会错位，会引起硅片断裂，硅渣进入线网造成断线;钢线质量问题，切割中会造成线网断线; 砂浆密度过高，切割力达不到，造成没有规律性的线网断线;砂浆帘赌赛，砂浆断流，钢线和晶棒干磨 ，造成线网断线;导轮驱动异常，可能会引起线网断线;导向条下面有空隙，切割入刀口时碎导向条会与 钢线的切割方向，把硬物带进线网，造成断线。 ④切割快结束后断线：其一线速也是断线的一种因素之一，在线速迅速降低也是致命的。这时候钢线由 于惯性还的在向前运动，可是导轮已经按照降速后运转，同时晶棒还是在下降。这时钢线会在晶体中形 成褶皱，在钢线上产生应力点；也就给断线埋下了隐患。这种断线对处发生在将要结束的时候。其二晶 棒粘接对接处胶抹的太多，快要切完时的线网直接与对接处的胶接触，胶多过线网会直接将其带进线网 导致断线。
十一、如何避免断线和断线的解决办法
① 在开机前检查时要按照开机检查表上的检查项一一检查到位，我发现好多操作工就没有按照开机检 查表来检查，比如张力是否有异常、还有两边的排线是否垂直、下过滤网和上过滤网和有砂浆喷嘴是不 是每刀都清洗等等，其次在清洗砂浆嘴时有没有把砂浆喷嘴的两端拆先来清洗里面的，因为砂浆嘴里面 还有一条铁片，在清洗时光清洗外面的话，可能很难把里面的杂质清理掉的，这样就很可能在切割中导 致砂浆断流供应不上断线。 ② 现规定张力要在-1—2N之间才是正常的，如张力不正常，在切割很容易造成TTV、厚薄片等情况， 还可能会断线。 ③ 晶棒斜面太大也会造成线网断线，现在不是规定大于2MM的斜面粘到M2位置，其实这只是防止断 线的损失，我们还可以把斜面大的放到M2位置，线网可以避开斜面切割，这样就更加安全了，最起码 不会在收线端断线，也不会因停机带来的损失。 ④ 砂浆袋的压力是否正常，因为在切割中如果砂浆袋压力过高那说明砂浆袋里面堵塞了，或是砂浆管 道里没有处理干净，这样的情况会造成在切割中没有规律性的断线，也就是哪个位置都很可能会导致断 线，其次还会造成TTV超厚超薄等现象。 ⑤ 砂浆密度的控制，在切割中密度是很重要的一个环节，如切割能力达不到，那百分之百会断线，比 如片子上有线痕、TTV、厚薄片，都和密度有直接关系，当然这只是一部分，好多异常还有其他原因， 那就要观察片子上线痕、TTV、厚薄片在切割的安装位置，出刀口还是进刀口。 ⑥ 导轮的使用时间和表面有无勒痕也是很重要的，导轮勒痕会造成断线，还有线痕、TTV、厚薄片， 或许还会有弯区片等情况。
一、断线
1.断线分为3个部分：①放线轮断线 ②收线轮断线 原因分析：
③线网断线
④切割快结束后断线
①放线轮断线：最常见的是钢线质量问题造成断线;其次张力异常造成断线;垂直度不垂直造成断线;滑轮质量问
题造成断线’滑轮没有及时更换造成断线;张力方大器故障造成断线;导论驱动异常造成断线。 其次放线轮压线断线分为假压线和真压线两种 ： 在这两种情况下真压线的断线率比假压线的高。其主要原因是在钢线本身，还有一种可能是断线后采用反切方 法排线不正确也会产生。
备注：粘棒室温度为22℃-28 ℃，湿度为50%以下
● ● ● 配胶比例：A胶树脂：B胶固化剂=1：1 玻璃板加压、固化时间：加压15-25分钟，固化30分钟以上（包含加压时间） 晶棒、玻璃板清洗：超声清洗，水温40-50摄氏度，清洗时间10-15
九、过滤袋堵塞
1.过滤袋堵塞原因分析： ① 砂浆的水份偏高造成的团结物。 ② 刚使用时过滤袋堵塞可能是砂浆有异物造成的，如果是切割到3刀以后的堵 塞可能是硅片碎杂质多引起的。 ③碳化硅微粉和切削液的PH值区别太大，起化学反应引起的黏稠物，造成的过 滤袋堵塞。 ④没有按照规定时间更换，造成切割中过滤袋堵塞。 备注：过滤袋压力设定为1200bar,开切范围在800以下更为合适。
十二、钢线张力异常会引起以下现象
1.钢线的张力：钢线的张力是硅片切割工艺中相当核心的要素之一。张力控制不 好是产生线痕片、崩边、甚至断线的重要原因。 ①钢线的张力过小，将会导致钢线弯曲度增大，带砂能力下降，切割能力降低。从而 出现线痕片等。 ②钢线张力过大，悬浮在钢线上的碳化硅微粉就会难以进入锯缝，切割效率降低，出 现线痕片等，并且断线的几率很大。 ③如果当切到导向条的时候，放线轮摆动臂摇摆过大，会引起M位置出现轻微线痕和 厚薄片，严重会导致断线。
16
保密
十、掉片
1.掉片原因分析： ①切割完后掉片：切割深度过深导致掉片，因为作业员在设零点时，F位置和M位置的高 度有时高度不一致，如果按晶棒最低的一点设零点，那么切割到-165.5mm时，晶棒低的 位置因切割深度过深造成掉片; ②升棒过程中掉片：作业员升棒速度太快（200mm /MIN），片子被线网强制拉来; ③升完后掉片：粘棒抹胶不均匀，切割深度一致时，胶薄的区域会少量掉片; ④从设备三点一线拉时掉片：使用拉钩拉时，用力过猛，片子摆动幅度过大，太松动造成掉片; ⑤整根棒掉片：其一粘胶面胶抹的太少，其二胶水的质量有问题，其三胶水涂抹后固化的 时间没有到可用时间; ⑥预清洗前掉片：晶棒等待时间太长，片子相比是一个拉力往下拉，时间过长，玻璃板不能承受 导致掉片。
三、厚薄片
1.厚薄片分为3种： ①整片超厚 ②中部以上超厚 ③厚薄不均 原因分析： ①整片超厚：导向条有空隙，入刀口时，随着钢线切割方向，会把碎导向条直接带入线网 ，钢线错位，切割中钢线会瞬间定位一直到切割结束，这样就出现硅片整体超厚现象;导 轮磨损严重，切割中钢线会互相拥挤，造成厚薄片; ②中部以上超厚：切割室杂质掉进线网，引起线网跳线，造成厚薄片;导轮质量发生变化 ，导轮槽磨损，线网跳线，引起厚薄片; ③厚薄不均（TTV）:张力异常，造成厚薄不均现象;流量时流时断，造成切割力不均匀， 造成厚薄片。
五、缺角
1.缺角原因分析： ①加工时缺角：晶棒在加工和拉运时，人员疏忽，没有按照作业指导书规定操作，造成缺角;设备异常 造成的缺角。 ②切割时缺角:晶棒上导向条没有粘接到位，切割中，没有导向条的位置钢线容易打滑，随着工作台下 降，线速加快，钢线和晶棒定位的瞬间，会造成硅片角上缺角。 ③运输中缺角:在切片岗位下棒时，作业员需要用拉钩把晶棒拉到下棒轨道里，稍微不注意拉钩就会碰 到片子，造成缺角; ④插片时缺角:插片人员在作业时，插片的速度过快，硅片的角会撞到插片工作台上，造成缺角。 ⑤分选时缺角:人工在倒片盒时，因工作台上有碎硅渣，片子会与碎硅渣产生碰撞力，造成缺角。
六、崩边
1.崩边原因分析： ①C角崩边：粘棒在作业时，由于用较硬的东西取C角胶时，造成C较崩边; ②胶面崩边：切片没有切透，晶棒在预清洗脱胶后造成胶面崩边（有时候看上 去切透，其实晶棒中部因线弓还没有完全切透）; 加工时崩边：设备在加工时造成崩边,人员在搬运中相撞没有拧紧，或者是假拧紧，在切割中，晶棒受钢线的切割力导致晶 托松动，切割结束后全部是弯曲片; ②切割中导轮定位销断裂，或者是导轮密封圈脱落掉，在切割中会突然晃动， 导致弯曲片; ③晶体本身内有杂质或硬点，切割中不至于断线，钢线在匀速切割时，遇到杂 质和硬点会弯曲切过，这样就会造成少量片弯曲。
八、掉棒
1.掉棒原因分析： ① 胶水配比有问题； ② 硅棒与玻璃粘接面有油污； ③ 胶水涂抹后固化的时间没有到可用时间； ④ 胶水的质量有问题; ⑤ 在拧螺丝时，拧力过大，造成铝板变形（凹凸不平），导致掉棒。
备注：粘棒室温度为22℃-28 ℃，湿度为50%以下 ● 配胶比例：A胶树脂：B胶固化剂=1：1 ● 玻璃板加压、固化时间：加压15-25分钟，固化30分钟以上（包含加压时间） ● 晶棒、玻璃板清洗：超声清洗，水温40-50摄氏度，清洗时间10-15
四、隐裂
1.隐裂分析原因： ①来料隐裂：多晶硅铸锭炉生产时，可能加工的硅料成分造成，其次在拉运途中，震动或撞击导致晶体隐裂; ②预清洗后隐裂：车间流程加工时，岗位在加工和拉运时碰撞造成，其次切片岗位在安装棒时，用力过猛，引 起晶托相撞，导致晶棒体内产生隐裂，在预清洗时，因晶棒本来在前道岗位已经受撞击，经过预清洗水压，隐 裂就可以体现出来; ③插片隐裂:插片时，作业人员的手法都不一致，况且每刀四个位置的厚度都有所差异，手拿片子角上最边缘， 平衡力有误就会导致隐裂; ④清洗后隐裂:清洗机烘干槽里风过大，风向不定，会造成硅片在清洗篮里晃动过大导致隐裂; ⑤拉运中隐裂：清洗后，将硅片车拉运到分选途中，地面不平，车子震动，硅片会产生隐裂; ⑥分选过程隐裂：人工分选时，手法不一致，从片盒倒出时，片子有时会卡到盒中，造成隐裂（碎片）;人工分 选可能会挤压到一些片子，其次还有分选台桌面上的碎硅渣，倒片时，会造成硅片崩边，很容易产生隐裂。
二、线痕
1.线痕分为10种：①表面均匀线痕②厚薄片表面有一条线痕③入刀口线痕④ 出刀口线 痕⑤中部线痕⑥硬点线痕⑦进刀口⑧倒角处的线痕⑨出线位置硅棒的线痕 原因分析： ①表面均匀线痕：砂浆更换量不足，钢线带砂量太少，造成没有足够的切割能力，严重摩擦导致均匀线痕， 冷却水温度过高，导致均匀线痕; ②厚薄片表面有一条线痕：切割中有杂质进入线网，线网瞬间跳线，钢线脱离线槽，造成切割定位，导 致厚薄片，在线网瞬间跳线时，钢线在交叉时，与晶棒摩擦造成一道线痕;导轮表面磨损，钢线会挤在 一起，砂浆分布不均匀，造成线痕; ③入刀口线痕：切割入刀口时，导向条有空隙，硬物进入线网，钢线跳线瞬间会引起线痕; ④ 出刀口均匀线痕：砂浆少更换10~20L，切割快结束后，砂浆的颗粒基本上已经很疲惫了，棱角几乎已经 变圆，切割力已经到了疲惫状态，随着钢线不断的磨损，切割力达不到，就会造成出刀口线痕; ⑤中部线痕:切割中，砂浆嘴断流，造成硅片中部线痕; ⑥硬点线痕：硅片来料硬点，切割中小硬点可能不会造成线网断线，但钢线切到硬点时，不会与其他位置切 割力一样，难免会在硬点处停留数秒，这期间会造成一道线痕; ⑦进刀口：由于刚开始切割，钢线处在不稳定状态，钢线的波动产生的线痕; ⑧倒角处的线痕：由于在粘结硅棒时底部残留有胶，到倒角处钢线带胶切割引起的线痕; ⑨出线位置硅棒的线痕：钢线磨损量大，造成钢线光洁度、圆度不够，携带砂浆数量低，切削能力下降，线 膨胀系数增大引起的。