透明导电薄膜 (TCO)之原理及其应用发展
新型透明导电薄膜在光电子器件中的应用前景
新型透明导电薄膜在光电子器件中的应用前景随着科技的不断进步和人们对高性能光电子器件的需求增加，新型透明导电薄膜逐渐成为研究的热点。
透明导电薄膜是一种具有高透明度和高导电性能的薄膜材料，广泛应用于太阳能电池、液晶显示器、光电传感器等光电子器件。
本文将通过对新型透明导电薄膜的特点和在不同光电子器件中的应用前景的论述，探讨其在光电子技术领域的潜力。
一、新型透明导电薄膜的特点新型透明导电薄膜相比传统材料具有以下特点。
首先，它们具有优异的透明性。
在可见光范围内，新型透明导电薄膜的透射率高达90%以上，可以保证光电子器件的良好视觉效果。
其次，它们具有良好的导电性能。
新型透明导电薄膜的电阻率低，能够在不损失透明性的前提下实现高效的电导，有效提高光电子器件的性能。
此外，它们还具有优异的机械柔性和化学稳定性，易于加工和集成到复杂器件结构中。
二、新型透明导电薄膜在太阳能电池中的应用前景太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的设备，而新型透明导电薄膜在太阳能电池中有着广阔的应用前景。
首先，它们可以作为太阳能电池的透明电极材料，取代传统的锡氧化物导电膜。
新型透明导电薄膜具有更高的透过率和更低的电阻率，可以提高太阳能电池的光吸收和电流输出效率。
其次，它们可以作为柔性太阳能电池的基底材料，提供良好的柔性、可弯曲的特性，使得太阳能电池能够适应更多的形状和应用场景。
因此，新型透明导电薄膜在太阳能电池领域的应用有望推动太阳能技术的发展。
三、新型透明导电薄膜在液晶显示器中的应用前景液晶显示器是现代电子产品中应用广泛的显示技术，而新型透明导电薄膜在液晶显示器中的应用也具有重要意义。
首先，它们可以作为电容式触摸屏的传感器材料，实现对触摸信号的高效检测。
新型透明导电薄膜的导电性能优异，可以提供稳定的电流传导，使得触摸屏具有更高的灵敏度和响应速度。
其次，它们可以作为光子透过膜材料，调节液晶显示器的透光性能，提高图像的对比度和清晰度。
因此，新型透明导电薄膜在液晶显示器中的应用前景广阔，有望改善人们的视觉体验。
透明导电膜玻璃TCO
一、玻璃导电的机理众所周知，不同种类的物质，其导电的机理是不同的。
金属导体导电，是由于在金属导体中有可以自由移动的自由电子的作用；半导体导电，是靠半导体中空穴的移动作用而使电子传导得以实现；电解质水溶液导电，是由于在电解质水溶液中有可以自由移动的离子的作用；离子化合物的晶体导电是在具有晶格缺欠的情况下，虽然是固体，但由于离子的迁移而导电。
那么，玻璃导电的机理是什么呢？在室温条件下，玻璃是相当好的绝缘体。
一般来说，玻璃的电阻率在1010Ω/m～1015Ω/m之间。
但是，温度升高，玻璃就要被软化，处于熔融状态中玻璃的电阻可降到几个欧姆，导电性能增强。
即，玻璃从固体变成液体状态时可以导电。
玻璃导电的能力由玻璃结构中离子的移动程度决定。
玻璃是离子化合物晶体。
玻璃的种类不同，其离子的种类以及比例含量都不同。
以最常见的苏打石灰玻璃为例，其主要成分为SiO2，通常由于结构中存在晶格缺欠，晶体中的Na+在温度升高时由一个空穴迁移到另一个空穴而导电。
由此可见，玻璃导电是属于离子导电二、透明导电膜玻璃（TCO Coating Glass）透明导电膜玻璃（TCO Coating Glass）是指在平板玻璃表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜（Transparent Conductive Oxide）而形成的组件。
对于薄膜太阳能电池来说，由于中间半导体层几乎没有横向导电性能，因此必须使用TCO玻璃有效收集电池的电流，同时TCO薄膜具有高透和减反射的功能让大部分光进入吸收层。
TCO玻璃的生产工艺TCO玻璃工艺主要分为超白浮法玻璃生产、TCO镀膜。
超白浮法玻璃生产工艺难度较高，目前世界上主要供应商有日本旭硝子、美国PPG、法国圣戈班等，国内供应厂家有限，目前仅金晶科技、南玻、信义能够供货。
透明导电膜玻璃（TCO Coating Glass）的种类主要为氧化铟锡透明导电膜玻璃（ITO Coating Glass）、掺Al氧化锌透明导电膜玻璃（AZO Coating Glass）和掺F氧化锡（FTO Coating Glass）三种；ITO透明导电膜玻璃广泛的使用于大面积平板显示领域，国内ITO导电膜玻璃生产厂家主要有深圳南玻显示事业部、深圳莱宝光学、蚌埠华益导、芜湖长信，深圳天泽等众多厂家，技术也能与日本与欧美厂家竞争；而FTO透明导电膜和AZO透明导电膜的主要生产商有日本旭硝子（Asahi）、板硝子（NSG）与美国AFG，国内非晶硅薄膜电池厂因需求不大、尺寸规格特殊，所以议价空间小，进货价格高，甚至有钱也不一定买的到货。
透明导电薄膜 (TCO)之原理及其应用发展
偏光板
Display Application
OLED
Display Application
PDP
Touch Panel
Solar cell
Electrochromic Window (電致變色玻璃)
常用TCO之應用
ITO及TCO 薄膜未來需求之課題
➢高透光率ITO玻璃 ➢極低面電阻&高穿透率之研究 ➢超平坦透明導電膜 ➢在塑膠基板成膜(室溫成膜) ➢靶材回收
各種TCO材料-ZnO系透明導電膜
主要成員：ZnO (3~5 ×10-4 Ω-cm) ZnO:In (IZO) (2~4 ×10-4 Ω-cm )、 ZnO:Ga(GZO) (1.2×10-4 Ω-cm)、 ZnO:Al (AZO) (1.3×10-4 Ω-cm)、 ZnO:Ti
特點：1. ZnO礦產產能大。 2. 價格比ITO 便宜(> 200% cost saving) 。 3. 部分AZO靶材可在100% Ar環境下成膜，製程控制容易。 4. 耐化性比ITO 差，通常以添加Cr、Co 於ZnO系材料中來 提高其耐化性。
1970年代，以Evaporation 及Sputtering 方式沉積InOx及ITO.
1980年代，磁控濺鍍﹙magnetron sputtering﹚開發，使低溫沉膜製程， 不
論在玻璃及塑膠基板均能達到低面阻值、高透性ITO薄膜.
1990年代，具有導電性之TCO陶瓷靶材開發，使用DC 磁控濺鍍ITO， 使
參考文獻
➢工業材料雜誌256期 ，廖鎔榆 / 工研院材化所 ➢材料最前線/材料世界網 ，吳金寶/工研院材化所 ➢工業材料雜誌第255期 ，劉秀琴、張志祥/工研院材化所
➢儀科中心簡訊 85 期 ，真空技術組 潘漢昌。 ➢氧化鋅-鋁多層膜之結構與光電特性研究，林正偉。 ➢http://163.23.218.33/c49-1149554558 ➢以濺射共沉積法成長Cu2O：Al 之P 型透明導電膜研究，邱俞翔、施佑杰、戴淵竣、包正綱。
透明导电薄膜(TCO)之原理及其应用发展课件
透明导电薄膜
金属化合物薄膜(TCO)
泛指具有透明导电性之氧化物、氮化物、氟化物
a.氧(氮)化物：In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN b.掺杂氧化物：In2O3:Sn (ITO)、ZnO:In (IZO)、ZnO:Ga (GZO) ZnO:Al (AZO)、SnO2:F、TiO2:Ta
c.混合氧化物：In2O3-ZnO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2.TCO的导电原理
3.TCO的光学性质
4. TCO薄膜之市场应用及未来发展
什么是透明导电薄膜?
在可见光波长范围内具有可接受之透光度
������ 以flat panel display而言透光度愈高愈好 ������ 以solar cell而言太阳光全波长范围之透光度及热稳定性
透明导电薄膜(TCO) 之原e
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2.TCO的导电原理
3.TCO的光学性质
4. TCO薄膜之市场应用及发展
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
特点：1.ZnO矿产产能大。 2.价格比ITO便宜(> 200% cost saving) 。 3.部分AZO靶材可在100%Ar环境下成膜，制程控制容易。 4.耐化性比ITO差，通常以添加Cr、Co于ZnO系材料中来 提高其耐化性。
1.ITO及各种透明导电氧化物材料的介绍
透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
������ 2000年代，主要的透明导电性应用以ITO材料为主，磁控溅镀ITO成为 市 场上制程的主流.
透明导电薄膜的研究进展3700字
透明导电薄膜的研究进展3700字摘要：透明导电薄膜是一种在可见光范围内透光率较高又具有良好导电性的薄膜材料，主要应用于太阳能电池板、液晶显示屏、柔性电子设备以及智能玻璃等方面。
本文综述了透明导电薄膜的发展状况，介绍了透明导电薄膜常用原料和制备工艺并对其发展前景进行分析。
毕业关键词：透明导电薄膜；制备方法；TCO；石墨烯；碳纳米管、应用1 引言透明导电薄膜是一种在可见光范围内透光率较高又具有良好导电性的薄膜材料，主要应用于太阳能电池板、液晶显示屏、柔性电子设备以及智能玻璃等方面。
透明导电薄膜发展迅速，无论在材料的选择还是制备工艺的发展，有关透明导电薄膜的研究成果不断涌现。
2 种类及制备工艺透明导电薄膜种类繁多，根据原料的不同可以分为金属氧化物薄膜（TCO）、石墨烯薄膜、CNT薄膜、导电聚合物薄膜以及其它薄膜等。
2.1 金属氧化物透明导电薄膜（TCO）TCO薄膜[1]是目前研究和应用最广泛的透明导电薄膜，研究和应用较多的掺杂TCO薄膜，主要有In2O3基、ZnO基、SnO2基透明导电薄膜。
目前市场上占比最大的是氧化铟锡[2]（Indium tin oxide，简称ITO）透明导电薄膜，氧化铟锡由于具有良好导电性、耐腐蚀、易加工等优点，被广泛应用于电子工业领域。
ITO薄膜常用的制备方法[3]有磁控溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、喷涂法等，而磁控溅射是目前商业上广泛使用的薄膜制备方法之一。
但是由于ITO薄膜制备工艺复杂，需要使用复杂昂贵的辅助设备，同时铟作为稀有金属，价格昂贵，资源有限，制约了其发展。
在对传统ITO薄膜制造工艺的研究中，人们对磁控溅射制备ITO 薄膜进行了大量研究，主要集中在沉积温度、工作压力、溅射功率、后处理以及沉积速率等工艺条件对ITO 薄膜的影响上。
钟志有[4]采用直流磁控溅射方法在普通玻璃衬底上制备ITO透明导电薄膜。
研究发现，在相同的退火条件下，沉积速率较小时，薄膜的优良指数较大，具有较佳的光电综合性能。
透明导电膜材料
1
目录
一、膜材料的简介 二、ZnO：Al(TCO)薄膜的基本性质 三、TCO的实验制备方法 四、TCO的检测
2
一、薄膜材料简介
薄膜材料： 薄膜材料： 应用领域：材料科学、能源、信息 、微电子工业等;尤其 应用领域 宽禁带半导体光电功能材料，已成为各国研究的重点。 研究目的：利用新材料制备具有最佳性能的器件 研究目的 提高 生产率，降低成本; 发展方向：透明导电薄膜、具有低电阻、 高透射率等 发展方向 可作为透明导电窗口.
9
三、实验方法
目前生长ZnO薄膜的方法很多，包括脉冲激光沉积(PLD)， 分子束外延(MBE)，金属有机物化学气相沉积(MOCVD)， 射频／直流溅射(RF／DCSputtering)，电子束反应蒸 (Spray Pyrolysis)和溶胶一凝胶法(sol—gel)等。目前用 于太阳电池及其组件的ZnO薄膜制备中，国际上主要是 磁控溅射和MOCVD技术．利用磁控溅射法制备薄膜太阳 电池ZnO薄膜，通常采用AL掺杂得到较低电阻率(～10-4 欧姆.厘米)的镜面结构；为应用于太阳电池前电极，溅射 后的ZnO薄膜须采取湿法刻蚀才能形成绒面结构，以期 获得良好光散射能力
SZ-82 型数效子式四探针测试仪是运用四探针测量原理 的多用途综合测量装置。它可以测量片状、块状半导体 材料径向和轴向电阻率，测量片状半导体构材料的电阻 率和扩散层的薄层电阻(方块电阻)。换—上特制的四探针 测试夹，还可以对金属导体的低、中值电阻进行测量。 仪器由电气箱、测试架等部分组成，测试结果由数字直 接显示。电气箱主要由高灵敏度直流数字电压表和高稳 定恒流源组成。测试架探头采用宝石导向轴套和高耐磨 碳化钨探针。故定位准确、游移率小、寿命长。
透明导电薄膜TCO之原理及其应用发展
透明导电薄膜TCO之原理及其应用发展透明导电薄膜（Transparent Conductive Films，TCO）是一种在光学透明度和电导率之间取得平衡的薄膜材料。
原理上，TCO薄膜是通过掺杂导电材料到光学材料中，达到同时具有高透明度和高电导率的效果。
TCO薄膜的主要原理是靠材料的电子结构来实现。
通常，TCO薄膜由两个主要成分组成：导电材料和基底材料。
导电材料通常是金属氧化物，如氧化锌（ZnO）或氧化锡（SnO2），它们具有高电子迁移率和低电阻率的特点。
基底材料通常是通过掺杂或添加导电剂的透明绝缘体，如玻璃或塑料。
TCO薄膜的应用非常广泛。
其中最重要的应用是透明导电电极，用于太阳能电池、液晶显示器、有机光电器件等光电器件中。
由于TCO薄膜在可见光范围内具有高透明度和低电阻率，所以能够有效传输光线并提供高效的电导率，从而改善光电器件的工作效率。
除此之外，TCO薄膜还常用于光催化、触摸屏、热电器件、光电探测器等领域。
然而，目前TCO薄膜仍然面临一些挑战。
例如，TCO薄膜的电导率和光学透射率之间存在着折中关系，很难在两者之间取得完美的平衡。
此外，一些常用的导电材料，如氧化锌和氧化锡，在高温、高湿度或强光照射条件下容易退化，从而限制了TCO薄膜的长期稳定性。
为了解决这些问题，当前TCO薄膜研究重点在于开发新型材料和改进工艺技术。
例如，研究人员尝试使用新型的导电材料，如氧化铟锡（ITO）和氟化锡（FTO），以提高TCO薄膜的电导率和稳定性。
另外，一些研究还涉及到利用纳米技术和多层结构设计，以进一步改善TCO薄膜的性能。
在未来，随着光电器件和可穿戴设备等领域的不断发展，对性能更好、更稳定的TCO薄膜的需求将会进一步增加。
因此，TCO薄膜的研究和应用前景非常广阔，有望在多个行业中发挥重要作用。
新型透明导电氧化物薄膜
快速、大面积和更高清晰度显示的需求
※ a-Si 薄膜不透明，它将占用像素中的一定面积，使有效显示面积减小， 像素开口率达不到100%，背光源的光不能全部通过像素，为了获得足 够的亮度，就需要增加光源强度，从而增加功率消耗 ※ a-Si 材料的能带间隙为1.7 eV，对可见光是光敏材料，在可见光照射 下产生额外的光生载流子，使TFT性能恶化，因此每一像素单元TFT 必须对光屏蔽，即增加不透明金属掩膜板(黑矩阵)来阻挡光对TFT的 照射 增加TFT-LCD的工艺复杂性、提高成本、降低可靠性
1.背景介绍
Schematic of CSA generator
The CSA generator consists of: A trigger A hollow cathode An accelerating tube
For successful film deposition, the electron beams should be: ∙ High energy density ∙ Short time duration ∙ Long propagation length
2
5
ohmcm)
)
60
2 -1 -1 Hall mobility (cm V s )
60
20 3
Carrier Concentration (10
4
20
50 40 30 20 10 0
10 2
-2
Resistivity (10
-4
40
Resistivity
10
Hall mobility Carrier Concentration
2. 新型TCO
XRD of IMO films
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HW
2008/04/17
Outline
1. ITO及各種透明導電氧化物材料的介紹
透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2. TCO的導電原理
3. TCO的光學性質
4. TCO 薄膜之市場應用及發展
1. ITO及各種透明導電氧化物材料的介紹
Au、Ag、Pt、Cu、Al、Cr、Pd、Rh，在< 10nm厚度的薄膜， 均有某種程度的可見光透光度 早期使用之透明電極 缺點：光的吸收度大、硬度低、穩定性差
透明導電薄膜
金屬化合物薄膜(TCO)
泛指具有透明導電性之氧化物、氮化物、氟化物
a. 氧(氮)化物：In2O3、SnO2、ZnO、CdO、TiN b. 摻雜氧化物：In2O3:Sn (ITO)、ZnO:In (IZO)、ZnO:Ga (GZO) ZnO:Al (AZO)、SnO2:F、TiO2:Ta
摻雜物(載子)密度對透光度的影響
AZO (antimony doped tindioxide)
Sb摻雜在SnO2中
Sb
電阻率最小 3.98 ×10-3Ω-cm Sb2O5析出， 造成光的散射
ITO的光學性質
電阻比= 面阻值x 膜厚 (ρ = γ x D)
低面阻值ITO玻璃鍍膜，電阻比越低越好 考慮高穿透率，膜厚的設計必須避免建設性的干涉， 所以nd=(2m+1)λ/4，m=1,2,3,4….。
TCO的光學性質
TCO在短波長的透光範圍：由能隙(energy gap)決定 在長波長的透光範圍：由電漿頻率(ωp，plasma frequence) 決定
由電漿頻率決定的波長 (此一波長隨載子濃度而移動)
入射光將價帶的 電子激發到導帶
紫外線區
TCO的光學性質
為降低In2O3、SnO2、ZnO等透明導體的電阻率， 通常加入Sn、Al、Sb等摻雜物以提高載子密度。 載子密度增加會影響透明性 電漿頻率ω = (4πne2/m*)1/2
TCO薄膜的導電原理
載子的mobility (μ)
μ = eτ/εom*
τ：relaxation time (載子移動時由此次散射到下一次散射的時間) m*：載子的有效質量 εo：真空中之介電常數 ������
要提昇載子的mobility
τ↑：與TCO 薄膜的結構有關。TCO 薄膜的defect愈少， τ ↑。(extrinsic effect) m*↓：取決於TCO 材料。(intrinsic effect)
ITO 組成在In2O3/SnO2 = 90/10時 ������ 最快的蝕刻速率
ITO成膜時基板溫度：200º C
ITO成膜時基板溫度：RT
銦(In)礦的主要應用
資料來源：工研院經資中心
各種TCO材料-ZnO系透明導電膜
主要成員：ZnO (3~5 ×10-4 Ω-cm) ZnO:In (IZO) (2~4 ×10-4 Ω-cm )、 ZnO:Ga(GZO) (1.2×10-4 Ω-cm)、 ZnO:Al (AZO) (1.3×10-4 Ω-cm)、 ZnO:Ti
Band gap (Eg) > 3.5eV Crystallized at 材料之導電率σ
σ = neμ
其中n = 載子濃度 (就TCO材料包括電子及電洞) e：載子的電量 μ：載子的mobility
載子由摻雜物的混入及 離子的缺陷生成
TCO中導電性最好的ITO，載子濃度約1018~1019 cm-3 ﹙金屬載子濃度約1022 ~10~23 cm-3﹚
D 穿透度低的話(膜的厚薄)， 反射率相對提高，就易造成干涉。
TCO薄膜之品質需求
1. 高穿透度、吸收小
2. 低電阻比﹙以較低之薄膜厚度得到較佳之導電性﹚
3. 膜厚均勻性 4. 良好的附著力 5. 蝕刻製程容易 6. 耐候性佳，受環境影響小 7. 無Pin hole 8. 無Hill lock
1. ITO及各種透明導電氧化物材料的介紹
TCO薄膜的導電原理
電阻比(又稱體阻抗, ρ) 反比於導電率(conductivity, σ) ρ = 1/ σ ohm-cm 平面顯示器中探討的薄膜的導電性有別於半導體的導電性。 通常，面電阻(surface resistance, γ) or (sheet resistance, Rs) 被定義為薄膜表面之電阻
其中，n：載子濃度 e：載子的電量 m*：傳導有效質量 以ZnO為例， ω = (4πne2/m*)1/2 = 4πx4.3x1019x(1.6x10-19)2 0.24x0.91x10-30 = 7958529.409 => λ=789nm 1/2
ω=2π/λ
載子濃度n增加，ω變大， 光吸收範圍向可見光擴展
透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2. TCO的導電原理
3. TCO的光學性質
4. TCO 薄膜之市場應用及未來發展
什麼是透明導電薄膜 ?
在可見光波長範圍內具有可接受之透光度
������ 以flat panel display 而言透光度愈高愈好 ������ 以solar cell 而言太陽光全波長範圍之透光度及熱穩定性
具有導電特性
������ 電阻比(resistivity) 愈小愈好，通常ρ <10-4 Ωּ cm ������
一般而言，導電性提高，透光度便下降，反之亦然。可見光 範圍具有80 % 以上的透光率，其比電阻低於1×10-4 Ωּcm，即 是良好透明導電膜。
透明導電薄膜
純金屬薄膜
������
磁、防護膜、太陽能電池之透明電極、防反 光塗佈及熱反射鏡(heat reflecting mirror)等 電子、光學及光電裝置上。
ITO是什麼？
ITO＝Indium Tin Oxide(In2O3＋SnO2) ������ ITO的成分＝90wt% In2O3與10wt% SnO2混合物
Why choose ITO ?
魚與熊掌不可兼得
γ = ρ/D
ITO薄膜的導電性要好(面電阻低) ，膜厚要增大， 因此薄膜的穿透度會降低
1. ITO及各種透明導電氧化物材料的介紹
透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2. TCO的導電原理
3. TCO的光學性質
4. TCO 薄膜之市場應用及未來發展
在TCO材料中有最佳的導電性(電阻比低) 在可見光波段有良好的透光度 良好的耐候性，受環境影響小 大面積鍍膜製程容易(成熟) 蝕刻製程容易(成熟) 成本低?
ITO之組成及特性
ITO 組成在In2O3/SnO2 = 90/10時 ������ 最低的電阻比及最高的光穿透率
ITO之組成及特性
透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
2. TCO的導電原理
3. TCO的光學性質
4. TCO 薄膜之市場應用及未來發展
TCO 薄膜之市場應用–ITO 之應用
Display Application
PM LCD
Display Application
AM LCD
特點：1. ZnO礦產產能大。 2. 價格比ITO 便宜(> 200% cost saving) 。 3. 部分AZO靶材可在100% Ar環境下成膜，製程控制容易。 4. 耐化性比ITO 差，通常以添加Cr、Co 於ZnO系材料中來 提高其耐化性。
1. ITO及各種透明導電氧化物材料的介紹
透明導電氧化物(Transparent Conductive Oxide, TCO)
偏光板
玻璃基板 彩色濾光片 透明電極 液晶
信號電極 掃描電極 TFT 玻璃基板 透明電極
TFT
偏光板
Display Application
OLED
Display Application
PDP
Touch Panel
Solar cell
Electrochromic Window (電致變色玻璃)
2. TCO的導電原理
3. TCO的光學性質 4. TCO 薄膜之市場應用及未來發展
TCO薄膜的導電原理
(n-type TCO)-- ITO
In2O3為氧化物半導體，加入SnO2作為雜質參雜，可以產生一個導電電子 In2O3晶格中之氧缺陷(Oxygen vacancy)一個氧空缺，可以產生兩個導電電子
面電阻 Rs = ρ × (L/D· ohms W) 設定γ = ρ/D (單位：ohms/ ) 則Rs = γ × (L/W) 假設在一個L = W 之平方面積中，Rs = γ
TCO薄膜的導電
比較ITO及銀薄膜的面電阻及穿透度
ITO ρ γ=ρ/D D= ρ/γ 2x10-4 ohm-cm 10 ohm/ 2x10-5 cm (2000Å) Ag 1.8x10-6 ohm-cm 10 ohm/ 1.8x10-7 cm (18Å)
������ 2000年代，主要的透明導電性應用以ITO 材料為主，磁控濺鍍ITO成為 市 場上製程的主流.
透明導電薄膜主角-- ITO
中文名稱：銦錫氧化物 英文全名：Indium Tin Oxide（ITO）
成分：摻雜錫之銦氧化物(Tin-doped Indium Oxide)
年代：1934年被美國銦礦公司最早合成出來 世界最大ITO薄膜製造國：日本 選用率：在TCO材料中，75%應用在平面顯示器 主要應用：平面顯示器、透明加熱元件、抗靜電膜、電
c. 混合氧化物：In2O3-ZnO、CdIn2O4、Cd2SnO4、Zn2SnO4
History of TCO