微波功率晶体管设计
基于ADS高效率微波功率放大器设计
勃发展。 在无线通信系统中，功率放大器[1]是无线发射机中的核
为了得到最佳的线性度和较好的效率，使功率放大管在
心模块之一，它不仅仅是将信号放大以实现远距离的可靠传输， 最佳 状 态 下工 作 ，并 充分 发 挥 其潜 力 ，所 以采 用 负 载 牵 引[6]特
而且 对 信 号的 效 率[2-4]、稳定 度 和 带宽 等 方 面都 提 出 了 很 高 的 征对 BLF7G22L130 进行等功率曲线和等效率曲线的扫描，以
13负载牵引法设计共轭匹配为了得到最佳的线性度和较好的效率使功率放大管在最佳状态下工作并充分发挥其潜?所以采用负载牵引6特征对blf7g22l130进?等功率曲线和等效率曲线的扫描以选择最佳输出阻抗来进?功率放大器设计
第 20 卷 第 20 期 Vol.20 No.20
电子设计工程 Electronic Design Engineering
对优化设计后的整个电路进行建模仿真，得到的仿真结 果如图 4 所示。
图 4 效率和输出功率曲线 Fig. 4 Curves of effectiveness and output power 由图 4 可 以得 到 ，在 输入 功 率 在 30 dBm 时 ，输 出 功率 可 达到 50.46 dBm，可以满足 1 dB 输 出 功 率 30 W 的 要 求 ，在该 输 入 功率 处 的 效率 达 到 70%；由图 5 可 以 得到 增 益 平坦 度 小 于 0.5 dB，在 频 率 2150~2170 MHz 内 效 率 在 70%以 上 ，输 出
采 用 同 样 的 设 计 方 法 ，基 于 ADS 软 件 中 的 Source-PullPAE， 对该偏置好的电路模型进行负载牵引的最佳输入出阻
抗设计，这时需要把按最佳输出阻抗匹配好的输出匹配网络 加 入 到 电路 中 进 行仿 真 。 选 取得 到 最 佳的 输 入 阻抗 点 Zsource = 2.648-j*0.796，并 以 它 的 共 轭 作 为 输 入 匹 配 网 络 设 计 的 参 考 。
微波大双频带宽频响功率放大器设计分析
微波大双频带宽频响功率放大器设计分析概述：微波大双频带宽频响功率放大器是一种用于放大微波信号的电路，其设计和分析对于实现高效率、高增益、宽带宽和频响的放大器至关重要。
本文将通过对微波大双频带宽频响功率放大器的设计分析来探讨其原理、特点以及关键设计参数的选择。
引言：微波大双频带宽频响功率放大器在通信和雷达系统等领域中具有重要的应用。
其设计的关键目标是在整个频带上实现高增益、低失真和高功率输出。
在进行设计之前，首先需要分析电路的特性以及设计参数的选择，以确保所设计的放大器能够满足其所需的频响和功率要求。
设计原理：微波大双频带宽频响功率放大器通常采用双级放大器的结构，每个级别都包含一个增益器和一个匹配网络。
增益器负责提供增益，而匹配网络用于匹配输入和输出阻抗以实现宽频带的频响。
在设计过程中，需要考虑以下几个关键参数：1. 增益：增益是指放大器将输入信号放大的程度。
为了实现高增益，可以使用高增益的晶体管或功率放大器，但同时需要注意保持稳定的工作条件。
2. 带宽：带宽是指放大器能够工作的频率范围。
为了实现宽带宽，可以采用宽带传输线、宽带滤波器以及适当的匹配网络。
3. 频响：频响是指放大器在整个频带上的增益特性。
为了实现宽频响，可以采用改良型电路拓扑和合适的频率补偿技术。
4. 功率输出：功率输出是指放大器能够输出的最大功率。
为了实现高功率输出，可以采用功率放大器和高效率的电源供应。
设计分析：在进行微波大双频带宽频响功率放大器的设计分析时，需要综合考虑以上关键设计参数。
以下是一些常见的设计分析技巧：1. 阻抗匹配：通过匹配网络将输入和输出阻抗与放大器的特性阻抗匹配。
要选择合适的匹配网络，可以使用Smith圆图和反射系数来分析并确定阻抗匹配的效果。
2. 频率补偿：频率补偿是指通过改变元件的参数，使得放大器在整个频带上具有稳定的增益特性。
可以采用负反馈技术、频率补偿电路或者其他补偿方法来实现频率补偿。
3. 功率放大器：为了实现高功率输出，可以选择功率放大器作为放大器的最后级。
VDMOS功率晶体管的版图设计
VDMOS功率晶体管的版图设计系专业姓名班级学号指导教师职称指导教师职称设计时间摘要VDMOS 是微电子技术和电力电子技术融和起来的新一代功率半导体器件。
因具有开关速度快、输入阻抗高、负温度系数、低驱动功率、制造工艺简单等一系列优点，在电力电子领域得到了广泛的应用。
目前，国际上已形成规模化生产，而我国在 VDMOS 设计领域则处于起步阶段。
本文首先阐述了 VDMOS 器件的基本结构和工作原理，描述和分析了器件设计中各种电性能参数和结构参数之间的关系。
通过理论上的经典公式来确定 VDMOS 的外延参数、单胞尺寸和单胞数量、终端等纵向和横向结构参数的理想值。
根据结构参数，利用L-edit版图绘制软件分别完成了能够用于实际生产的60V、100V、500V VDMOS 器件的版图设计。
在此基础之上确定了器件的制作工艺流程，并对工艺流水中出现的问题进行了分析。
最后，总结全文，提出下一步研究工作的方向。
关键词：，功率半导体器件，版图设计，原胞，击穿电压目录第1章绪论电力电子系统是空间电子系统和核电子系统的心脏，功率电子技术是所有电力电子系统的基础。
VDMOSFET 是功率电子系统的重要元器件，它为电子设备提供所需形式的电源以及为电机设备提供驱动。
几乎大部分电子设备和电机设备都需用到功率 VDMOS 器件。
VDMOS 器件具有不能被横向导电器件所替代的优良性能，包括高耐压、低导通电阻、大功率和可靠性等。
半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件，也称为电力电子开关器件。
它是用来进行高效电能形态变换、功率控制与处理，以及实现能量调节的新技术核心器件。
电力电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域，而半导体功率器件的可控制特性决定了电力电子系统的效率、体积和重量。
实践证明，半导体功率器件的发展是电力电子系统技术更新的关键。
通常，半导体功率器件是一种三端子器件，通过施加于控制端子上的控制信号，控制另两个端子处于电压阻断（器件截至）或电流导通（器件导通）状态。
微波功率限制器的设计与性能评估
微波功率限制器的设计与性能评估一、引言微波功率限制器是一种重要的微波器件，其作用是在高功率微波传输过程中，限制能量的传输，从而避免微波器件工作时的过载和过热等问题。
本文就微波功率限制器的设计与性能评估进行讨论。
二、微波功率限制器的设计微波功率限制器一般由耦合器、变阻器、可调衰减器、滤波器等组成。
下面介绍几种微波功率限制器的设计方法。
1. 基于变阻器的微波功率限制器设计在传统微波功率限制器中，变阻器起到了关键的作用。
根据功率大小的不同，可通过变更变阻器的阻值来改变输出功率。
因此，对于基于变阻器的微波功率限制器，关键是确定其阻值设计。
2. 基于可变滤波器的微波功率限制器设计可变滤波器功率限制器也是一种常用的设计方式。
该设计方案利用可调谐谐振状况下的角度特点，使信号穿过电路前会先被过滤，从而达到限制功率的目的。
3. 基于非线性电路的微波功率限制器设计基于非线性电路的微波功率限制器可以由可控输出器、电容器、电感器、变阻器、晶体管等构成。
该设计方法可以有效的控制输出功率，其主要的移频器亦可直接清除噪声。
三、微波功率限制器的性能评估为检测微波功率限制器的性能表现，需对其进行评估。
评估的主要指标有：1. 频带特性评估脉冲功率时，微波功率限制器的频带特性是十分重要的。
在典型的高频传输过程中，高速脉冲的传输是必须的，因此频带的正确性也会直接影响传输收集的能力。
2. 阈值电压微波功率限制器的阈值电压表示其输出的功率达到了限制点。
阈值电压越低，微波功率限制器的响应速度越快，其测量时的灵敏性也会显着的提高。
3. 功率损耗微波功率限制器的功率损耗主要取决于其组成的电路部件，因此必须充分考虑电路的损耗性能，同时选择合适的耦合器、滤波器和传输线等器件，从而保证其损耗性能在合理范围内。
4. 可逆性能微波功率限制器的稳定性是其关键性能之一。
当功率变化过程中，微波功率限制器仍能维持稳定的输出功率。
因此，微波功率限制器的可逆性能也是评价其性能的重要指标之一。
微波功率器件进展
微波功率器件进展由Ge、Si、m-V化合物半导体等材料制成的，工作在微波波段的二极管、晶体管称为微波器件。
微波即波长介于1m~1mm之间的电磁波，相应频率在300MHz~300GHz之间。
微波半导体器件在微波系统中能发挥各方面性能，归纳起来为微波功率产生及放大、控制、接收3个方面。
对微波功率器件要求有尽可能大的输出功率和输出效率及功率增益。
进入20世纪90年代后，由于MOCVD（金属有机化学气相淀积）和MBE（分子束外延）技术的发展，以及化合物材料和异质结工艺的日趋成熟，使三端微波器件取得令人瞩目的成就，使得HBT（异质结双极型晶体管）、MESFET（肖特基势垒场效应晶体管）以及HEMT（高电子迁移率晶体管）结构的各种器件性能逐年提高。
与此同时，在此基础上构成的MMIC （单片集成电路）已实用化，并进人商品化阶段，使用频率基本覆盖整个微波波段，不仅能获得大功率高效率而且，噪声系数小。
随着微波半导体器件工作频率的进一步提高，功率容量的增大，噪声的降低以及效率和可靠性的提高，特别是集成化的实现，将使微波电子系统发生新的变化。
下面从微波异质结双极晶体管（HBT），微波功率（MESFET），高电子迁移率晶体管（HEMT）来举例。
1HBT功率微波器件的特性及设计要点微波双极型晶体管包括异质结微波双极型晶体管和Si微波双极型晶体管。
Si器件自20 世纪60年代进入微波领域后，经过几十年的发展，性能已接近理论极限，并且其理论和制造已非常成熟，这可为后继的第二代、第三代器件借鉴。
HBT主要由化合物半导体或合金半导体构成，需要两种禁带宽度不同的材料分别作为发射区和基区，宽带隙材料作发射区，窄带隙材料作基区。
当为DHBT（双异质结双极型晶体管）时，集电区与基区材料带隙也不相同。
为更加有效地利用异质结晶体管的特性，其结构也不再是普通的平面结构，而是采用双平面结构。
2MESFET功率微波器件的特性在上个世纪70年代后期，GaAs单晶及外延技术获得突破，GaAs肖特基势垒栅场效应晶体管（MESFET）得以成功制成。
微波晶体管放大器的图解设计法
微波晶体管放大器的图解设计法
王保志
【期刊名称】《成都气象学院学报》
【年(卷),期】1996(011)043
【摘要】在对线性两端口网络Ｓ参数分析的基础上，给出了利用史密斯圆图设计微波晶体管放大器的一般方法。
并与解析设计法进行了比较。
【总页数】6页(P285-290)
【作者】王保志
【作者单位】成都气象学院大气电子工程系
【正文语种】中文
【中图分类】TN722.16
【相关文献】
1.微波晶体管放大器的图解设计法 [J], 王保志
2.微波功率场效应晶体管放大器的实验研究 [J], 李国金
3.高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理 [J], 闫涛;李平
4.微波晶体管放大器的计算机辅助图解分析 [J], 李健;李在清;李建峰
5.小尺寸微波晶体管放大器的设计 [J], 魏璁
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微波有源器件设计及性能分析
微波有源器件设计及性能分析微波有源器件是指在微波频段工作的、能够增益和放大信号的器件。
在现代通信领域，微波有源器件的应用非常广泛，如放大器、振荡器、混频器等。
本文将对微波有源器件的设计及性能分析进行介绍。
一、微波有源器件的设计微波有源器件的设计是指根据电路需求和特定参数，在电路上直接使用有源元件进行组合，形成一种封闭的电路系统。
有源元件一般指具有能够放大或振荡信号的器件，如放大管、晶体管、场效应管等。
基于设计需求，工程师需要选择合适的有源元件，并按照一定的电路结构组合起来，形成一个具备特定功能的有源器件。
微波有源器件的设计有以下几个方面：1. 选型首先根据设计的需要，选取合适的有源元件。
选型需要考虑的因素包括工作频率、功率、噪声系数、可靠性以及价格等。
2. 电路结构设计电路结构的设计需要考虑如何将有源元件与其他被动元件进行连接，形成一个具有特定功能的电路系统。
一种常见的电路结构是放大器电路，另外还有振荡器、混频器等。
3. 仿真和优化在设计完成后，需要将电路进行仿真，以确定电路性能。
对于不符合要求的电路，需要进行调整和优化，直到满足设计要求。
二、微波有源器件的性能分析微波有源器件的性能分析主要包括增益、带宽、输出功率、噪声系数等参数的分析。
1. 增益增益是每个放大器电路中都会涉及的参数。
增益指的是输入信号与输出信号的比值。
若输入信号的功率为Pin，输出信号的功率为Pout，增益为G=Pout/Pin。
增益越大，说明放大器的放大效果越好。
2. 带宽带宽指的是电路对于不同频率的输入信号的响应能力。
带宽越宽，说明电路对于不同频率的信号的响应能力越强。
在实际应用中，带宽对于电路的性能表现和适用范围是非常重要的。
3. 输出功率输出功率是指电路输出的信号功率大小。
一般情况下，输出功率越高，电路的传输能力越强。
在实际应用中，输出功率对于要求高频率下高传输速度的场景非常有用。
4. 噪声系数噪声系数是衡量电路噪声性能的参数。
ldmos工作原理
ldmos工作原理LDMOS工作原理。
LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在射频和微波功率放大器中得到广泛应用。
LDMOS器件具有低电阻、高电压和高频特性，因此在无线通信、广播、雷达和其他射频应用中具有重要作用。
本文将介绍LDMOS的工作原理，以便更好地理解其在功率放大器中的应用。
LDMOS的结构。
LDMOS器件通常由N型衬底上的P型沟道和N型扩散层组成。
在P型沟道区域，有一层金属氧化物绝缘层（MOS结构），用于控制沟道中的电子流。
P型沟道和N型扩散层之间的结构使得LDMOS器件具有较高的耐压能力，适合用于高电压应用。
LDMOS的工作原理。
当在LDMOS器件的门极上施加正向电压时，形成的电场使P型沟道中的电子被吸引到N型扩散层，从而形成导通通道。
当信号电压施加在沟道上时，电子将在沟道中形成连续的电流，从而实现信号的放大。
在LDMOS器件中，电子的主要流动路径是沿着P型沟道和N型扩散层的界面。
由于P型沟道的电阻较低，电子在沟道中的移动速度较快，因此LDMOS器件能够实现较高的电流传输能力。
同时，N型扩散层的结构使得LDMOS器件能够承受较高的电压，适合用于功率放大器等高压应用。
LDMOS的优势。
与其他功率MOSFET相比，LDMOS器件具有较低的电阻和较高的耐压能力，适合用于高频、高功率的射频应用。
同时，LDMOS器件的制造工艺成熟，成本相对较低，因此在市场上得到了广泛的应用。
总结。
LDMOS器件是一种常见的功率MOSFET，具有较低的电阻、较高的耐压能力和较高的频率特性。
其工作原理是通过在P型沟道和N型扩散层之间形成导通通道，实现信号的放大。
在射频和微波功率放大器中，LDMOS器件具有重要作用，广泛应用于无线通信、广播、雷达等领域。
通过本文的介绍，相信读者对LDMOS器件的工作原理有了更深入的理解，能够更好地应用于实际工程中。
关于编制微波功率晶体管项目可行性研究报告编制说明
微波功率晶体管项目可行性研究报告编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司编制时间：高级工程师：高建关于编制微波功率晶体管项目可行性研究报告编制说明（模版型）【立项 批地 融资 招商】核心提示：1、本报告为模板形式，客户下载后，可根据报告内容说明，自行修改，补充上自己项目的数据内容，即可完成属于自己，高水准的一份可研报告，从此写报告不在求人。
2、客户可联系我公司，协助编写完成可研报告，可行性研究报告大纲（具体可跟据客户要求进行调整）编制单位：北京中投信德国际信息咨询有限公司专业撰写节能评估报告资金申请报告项目建议书商业计划书可行性研究报告目录第一章总论 (1)1.1项目概要 (1)1.1.1项目名称 (1)1.1.2项目建设单位 (1)1.1.3项目建设性质 (1)1.1.4项目建设地点 (1)1.1.5项目主管部门 (1)1.1.6项目投资规模 (2)1.1.7项目建设规模 (2)1.1.8项目资金来源 (3)1.1.9项目建设期限 (3)1.2项目建设单位介绍 (3)1.3编制依据 (3)1.4编制原则 (4)1.5研究范围 (5)1.6主要经济技术指标 (5)1.7综合评价 (6)第二章项目背景及必要性可行性分析 (7)2.1项目提出背景 (7)2.2本次建设项目发起缘由 (7)2.3项目建设必要性分析 (7)2.3.1促进我国微波功率晶体管产业快速发展的需要 (8)2.3.2加快当地高新技术产业发展的重要举措 (8)2.3.3满足我国的工业发展需求的需要 (8)2.3.4符合现行产业政策及清洁生产要求 (8)2.3.5提升企业竞争力水平，有助于企业长远战略发展的需要 (9)2.3.6增加就业带动相关产业链发展的需要 (9)2.3.7促进项目建设地经济发展进程的的需要 (10)2.4项目可行性分析 (10)2.4.1政策可行性 (10)2.4.2市场可行性 (10)2.4.3技术可行性 (11)2.4.4管理可行性 (11)2.4.5财务可行性 (11)2.5微波功率晶体管项目发展概况 (12)2.5.1已进行的调查研究项目及其成果 (12)2.5.2试验试制工作情况 (12)2.5.3厂址初勘和初步测量工作情况 (13)2.5.4微波功率晶体管项目建议书的编制、提出及审批过程 (13)2.6分析结论 (13)第三章行业市场分析 (15)3.1市场调查 (15)3.1.1拟建项目产出物用途调查 (15)3.1.2产品现有生产能力调查 (15)3.1.3产品产量及销售量调查 (16)3.1.4替代产品调查 (16)3.1.5产品价格调查 (16)3.1.6国外市场调查 (17)3.2市场预测 (17)3.2.1国内市场需求预测 (17)3.2.2产品出口或进口替代分析 (18)3.2.3价格预测 (18)3.3市场推销战略 (18)3.3.1推销方式 (19)3.3.2推销措施 (19)3.3.3促销价格制度 (19)3.3.4产品销售费用预测 (20)3.4产品方案和建设规模 (20)3.4.1产品方案 (20)3.4.2建设规模 (20)3.5产品销售收入预测 (21)3.6市场分析结论 (21)第四章项目建设条件 (22)4.1地理位置选择 (22)4.2区域投资环境 (23)4.2.1区域地理位置 (23)4.2.2区域概况 (23)4.2.3区域地理气候条件 (24)4.2.4区域交通运输条件 (24)4.2.5区域资源概况 (24)4.2.6区域经济建设 (25)4.3项目所在工业园区概况 (25)4.3.1基础设施建设 (25)4.3.2产业发展概况 (26)4.3.3园区发展方向 (27)4.4区域投资环境小结 (28)第五章总体建设方案 (29)5.1总图布置原则 (29)5.2土建方案 (29)5.2.1总体规划方案 (29)5.2.2土建工程方案 (30)5.3主要建设内容 (31)5.4工程管线布置方案 (32)5.4.1给排水 (32)5.4.2供电 (33)5.5道路设计 (35)5.6总图运输方案 (36)5.7土地利用情况 (36)5.7.1项目用地规划选址 (36)5.7.2用地规模及用地类型 (36)第六章产品方案 (38)6.1产品方案 (38)6.2产品性能优势 (38)6.3产品执行标准 (38)6.4产品生产规模确定 (38)6.5产品工艺流程 (39)6.5.1产品工艺方案选择 (39)6.5.2产品工艺流程 (39)6.6主要生产车间布置方案 (39)6.7总平面布置和运输 (40)6.7.1总平面布置原则 (40)6.7.2厂内外运输方案 (40)6.8仓储方案 (40)第七章原料供应及设备选型 (41)7.1主要原材料供应 (41)7.2主要设备选型 (41)7.2.1设备选型原则 (42)7.2.2主要设备明细 (43)第八章节约能源方案 (44)8.1本项目遵循的合理用能标准及节能设计规范 (44)8.2建设项目能源消耗种类和数量分析 (44)8.2.1能源消耗种类 (44)8.2.2能源消耗数量分析 (44)8.3项目所在地能源供应状况分析 (45)8.4主要能耗指标及分析 (45)8.4.1项目能耗分析 (45)8.4.2国家能耗指标 (46)8.5节能措施和节能效果分析 (46)8.5.1工业节能 (46)8.5.2电能计量及节能措施 (47)8.5.3节水措施 (47)8.5.4建筑节能 (48)8.5.5企业节能管理 (49)8.6结论 (49)第九章环境保护与消防措施 (50)9.1设计依据及原则 (50)9.1.1环境保护设计依据 (50)9.1.2设计原则 (50)9.2建设地环境条件 (51)9.3 项目建设和生产对环境的影响 (51)9.3.1 项目建设对环境的影响 (51)9.3.2 项目生产过程产生的污染物 (52)9.4 环境保护措施方案 (53)9.4.1 项目建设期环保措施 (53)9.4.2 项目运营期环保措施 (54)9.4.3环境管理与监测机构 (56)9.5绿化方案 (56)9.6消防措施 (56)9.6.1设计依据 (56)9.6.2防范措施 (57)9.6.3消防管理 (58)9.6.4消防设施及措施 (59)9.6.5消防措施的预期效果 (59)第十章劳动安全卫生 (60)10.1 编制依据 (60)10.2概况 (60)10.3 劳动安全 (60)10.3.1工程消防 (60)10.3.2防火防爆设计 (61)10.3.3电气安全与接地 (61)10.3.4设备防雷及接零保护 (61)10.3.5抗震设防措施 (62)10.4劳动卫生 (62)10.4.1工业卫生设施 (62)10.4.2防暑降温及冬季采暖 (63)10.4.3个人卫生 (63)10.4.4照明 (63)10.4.5噪声 (63)10.4.6防烫伤 (63)10.4.7个人防护 (64)10.4.8安全教育 (64)第十一章企业组织机构与劳动定员 (65)11.1组织机构 (65)11.2激励和约束机制 (65)11.3人力资源管理 (66)11.4劳动定员 (66)11.5福利待遇 (67)第十二章项目实施规划 (68)12.1建设工期的规划 (68)12.2 建设工期 (68)12.3实施进度安排 (68)第十三章投资估算与资金筹措 (69)13.1投资估算依据 (69)13.2建设投资估算 (69)13.3流动资金估算 (70)13.4资金筹措 (70)13.5项目投资总额 (70)13.6资金使用和管理 (73)第十四章财务及经济评价 (74)14.1总成本费用估算 (74)14.1.1基本数据的确立 (74)14.1.2产品成本 (75)14.1.3平均产品利润与销售税金 (76)14.2财务评价 (76)14.2.1项目投资回收期 (76)14.2.2项目投资利润率 (77)14.2.3不确定性分析 (77)14.3综合效益评价结论 (80)第十五章风险分析及规避 (82)15.1项目风险因素 (82)15.1.1不可抗力因素风险 (82)15.1.2技术风险 (82)15.1.3市场风险 (82)15.1.4资金管理风险 (83)15.2风险规避对策 (83)15.2.1不可抗力因素风险规避对策 (83)15.2.2技术风险规避对策 (83)15.2.3市场风险规避对策 (83)15.2.4资金管理风险规避对策 (84)第十六章招标方案 (85)16.1招标管理 (85)16.2招标依据 (85)16.3招标范围 (85)16.4招标方式 (86)16.5招标程序 (86)16.6评标程序 (87)16.7发放中标通知书 (87)16.8招投标书面情况报告备案 (87)16.9合同备案 (87)第十七章结论与建议 (89)17.1结论 (89)17.2建议 (89)附表 (90)附表1 销售收入预测表 (90)附表2 总成本表 (91)附表3 外购原材料表 (93)附表4 外购燃料及动力费表 (94)附表5 工资及福利表 (96)附表6 利润与利润分配表 (97)附表7 固定资产折旧费用表 (98)附表8 无形资产及递延资产摊销表 (99)附表9 流动资金估算表 (100)附表10 资产负债表 (102)附表11 资本金现金流量表 (103)附表12 财务计划现金流量表 (105)附表13 项目投资现金量表 (107)附表14 借款偿还计划表 (109) (113)第一章总论总论作为可行性研究报告的首章，要综合叙述研究报告中各章节的主要问题和研究结论，并对项目的可行与否提出最终建议，为可行性研究的审批提供方便。
射频与微波电路设计-7-功率放大器设计
功率放大器主要技术指标—三拍失真
13
具有三个不同角频率1、2 和3 的信号同时输入到功率放大器时，其中 1 和2 非常接近，而3 离开1 和2 比较远，这时在功率放大器输出端出现 3(2–1)失真分量。通常把这种失真归结为三阶失真这一类。为了把它与三 阶失真 22–1 和 21–2 区分开，也把这种失真称为三拍失真。 （1）多信号情况 如果有 m 个输入信号存在，功率放大器输出将含有
——两个不等的基波输入信号经功率放大器后产生的三阶交调系
数，即前面各公式中用符号 M3NE 表示的交调系数； 第二项小括号内的 Ap/An 是取功率比值的 dB 数。 上式可改写为
M 3 M 3 NE
Ap 2 A dB n
（dBc）
功率放大器主要技术指标—二阶交调
An A p
An A p
6dB
（dBc）
是等信号三阶交调系数。从上式可以看出，三拍信号功率增加
1dB 时，三拍失真系数将恶化 2dB。 （3）不等信号三拍失真系数 如果输入到功率放大器的基波角频率是n 和p，幅度不相等，即 AnAp。 三信号中 n、 p 和q） （ 输入到功率放大器的信号幅度满足条件 AnAp 和 ApAq， 则不等信号三拍失真系数为
为了适应通信技术的发展，专门开辟了标准通信频道，工作带 宽从0.5GHz到1GHz，如表7-1所列。
表 7-1 频段 频率(GHz) 频段 频率(GHz) 9.5~10.5 3.7~4.2 4.4~5.0 5.3~5.9 微波通信专用频段 C 5.9~6.4 X, Ku 10.7~11.7 11.7~12.2 12.7~13.2 14.0~14.5 6.4~7.2 7.1~7.7 7.7~8.5
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在微波波段工作的晶体管。微波波段指频率在 300兆赫～300吉赫的电磁波谱。按功能分类,
微波晶体管包括微波低噪声晶体管和微波大功率晶体管。按结构分类，微波晶体管可分为双
极型晶体管和场效应晶体管。
微波晶体管
由于工作频率高，微波晶体管必须具有微米或亚微米的精细几何尺寸。随着薄层外延技
术、浅结扩散或离子注入技术、投影曝光、远紫外曝光、X射线曝光、电子束曝光等微细加
工技术的发展，微波晶体管的工作频率、功率和低噪声性能已得到提高。
微波低噪声晶体管
主要用于微波通信、卫星通信、雷达、电子对抗以及遥测、遥控系统中的接收机前置放
大器。微波晶体管的噪声越低,接收机的灵敏度越高,这些系统的作用距离越大。 双极型
晶体管的噪声来源有：热噪声、散弹噪声、分配噪声和1／f噪声（也称闪烁噪声）。场效应
晶体管是多数载流子器件，故不存在少数载流子引起的散弹噪声和分配噪声，但存在一个肖
特基栅感应噪声。 为了降低微波低噪声晶体管的噪声，对双极型晶体管来说，最重要
的是减小基极电阻及各项串联电阻和接触电阻，减小寄生电容，减薄基区，减小少子的渡越
时间等。对场效应晶体管来说，应尽可能降低源的串联电阻、接触电阻以及栅金属化电阻，
尽量减小栅长（已达到亚微米量级），采用低温致冷技术等。 双极晶型体管和场效应晶
体管的噪声来源不尽相同，但它们随频率和工作电流的变化规律是相似的。尽量降低白噪声
和采用较小的工作电流，可以得到最佳效果。 硅双极型晶体管最高工作频率只达到8
吉赫,而且在这一频率下噪声很大，无实用价值。一般只应用于 2吉赫以下，噪声系数为1～
2分贝。 砷化镓场效应管的工作频率已达60吉赫。在工作频率1～12吉赫下,噪声系数
仅0.5～1.4分贝。异质结高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)工作频率更高、噪声更低。
微波功率晶体管
微波功率晶体管可在微波频率下可靠地输出几百毫瓦至几十瓦的射频功率。这就要求晶
体管在微波频率下具有良好的功率增益和效率。高频率和大功率是矛盾的，故微波功率晶体
管的设计须从器件结构、物理参数、电学性能和热传导等各方面综合考虑。提高频率、功率
性能的主要途径有:①提高发射极的“周长／面积比”，以提高单位发射极周长的电流容量。
②采用浅结高浓度扩散或离子注入，以得到小的基极电阻，又能减薄基区，从而缩短少子在
基区的渡越时间，提高工作频率。③采用多发射极单元分散的结构，适当减薄外延层和衬底
厚度，以减小热阻。器件的主要结构形式有梳状、覆盖式、网状及菱形等。④采用电迁徙小、
能承受大电流密度、欧姆接触电阻小的多层难熔金属化系统（如铂钛铂金、钨钛金、铂钼金
等）。⑤为了提高抗电压驻波比能力、防止二次击穿，通常在发射极串联一个镇流电阻。⑥
微波功率晶体管的管壳既要散热性能好，又要频率性能好，因此通常采用对电绝缘、导热性
能可与金属媲美的氧化铍陶瓷作管座，某些情况下，可采用内匹配技术，即在管壳内制一个
MOS或MOM电容和键合内引线组成网路与管芯匹配，使得电流在发射极各区均匀分配，
以提高功率输出，并在一定的频带内，得到最高的功率增益。⑦减小发射极引线电感量，是
提高增益的关键之一。 砷化镓肖特基场效应管(GaAs MESFET) 是一种性能优良的微波
功率晶体管，它的工作频率远远高于硅双极功率管。但砷化镓材料的热阻比硅大，因而功率
容量比硅双极功率管小很多。双极晶体管可工作在微波频段的低端，而输出较大的功率（400
兆赫下输出功率达100瓦，1吉赫下输出功率达50瓦,砷化镓场效应管则可工作在微波频段
的高端，输出中等大小的功率6～8吉赫下输出功率为20～25瓦，12吉赫下输出功率为1～
3瓦）。功率场效应晶体管是多子器件，不存在二次击穿和低温下电流增益下降的问题。它
的工作温度范围很宽(一般为－55～12)，也可能在 77K下工作。最高结温为20。它的抗辐
射能力比硅双极晶体管高两个数量级。 微波功率晶体管还有硅静电感应场效应管、硅
VMOS和异质结（镓铝砷／砷化镓）双极晶体管等结构。